KR200427407Y1 - Silicone contactor - Google Patents

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KR200427407Y1
KR200427407Y1 KR2020060014917U KR20060014917U KR200427407Y1 KR 200427407 Y1 KR200427407 Y1 KR 200427407Y1 KR 2020060014917 U KR2020060014917 U KR 2020060014917U KR 20060014917 U KR20060014917 U KR 20060014917U KR 200427407 Y1 KR200427407 Y1 KR 200427407Y1
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하동호
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주식회사 아이에스시테크놀러지
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Abstract

본 고안은 실리콘 콘택터에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 실리콘 콘택터에 형성된 필름을 개별적으로 분리한 실리콘 콘택터에 관한 것이다.The present invention relates to a silicon contactor, and more particularly, to a silicon contactor in which a film formed on a silicon contactor is separately separated.

이러한 실리콘 콘택터는 실리콘에 도전성 금속 파우더가 혼합되어 구성되는 도전성 실리콘부와, 상기 도전성 실리콘부 사이에 실리콘을 충전함으로서 형성되고 상기 도전성 실리콘부를 지지하는 절연부와, 상기 도전성 실리콘부와 절연부의 표면에 부착된 필름과, 상기 필름의 양면을 관통하며 상기 실리콘에 결합되어 있는 도전성 접촉패드로 구성되되, 상기 필름에는 도전성 접촉패드를 인접한 도전성 접촉패드로부터 분리시키는 분리부가 형성되어 있다. 이에 따라 반도체 소자와의 접촉이 안정화되고, 실리콘에 가해지는 내부응력이 적게되어 콘택터의 사용수명을 향상시킬 수 있다.The silicon contactor includes a conductive silicon portion formed by mixing conductive metal powder in silicon, an insulating portion formed by filling silicon between the conductive silicon portions, and supporting the conductive silicon portion, and a surface of the conductive silicon portion and the insulating portion. And an attached film and a conductive contact pad penetrating both sides of the film and bonded to the silicon, wherein the film is provided with a separating portion for separating the conductive contact pad from an adjacent conductive contact pad. As a result, the contact with the semiconductor element is stabilized, and the internal stress applied to the silicon is reduced, thereby improving the service life of the contactor.

실리콘 콘택터, 접촉패드, 필름, 분리부 Silicone Contactors, Contact Pads, Films, Separators

Description

실리콘 콘택터{Silicone contactor}Silicone contactor {Silicone contactor}

도 1 은 종래 기술에 따른 실리콘 콘택터의 평면도.1 is a plan view of a silicon contactor according to the prior art;

도 2는 도 1의 A-A' 단면도FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. 1;

도 3은 본 실시예에 따른 실리콘 콘택터의 정면도3 is a front view of the silicon contactor according to the present embodiment.

도 4은 도 3의 B-B' 단면도4 is a cross-sectional view taken along line B-B 'of FIG.

도 5는 도 3의 실리콘 콘택터를 이용하여 전기적 시험을 행하는 모습을 개략적으로 나타내는 작동도.5 is an operation diagram schematically showing a state in which an electrical test is performed using the silicon contactor of FIG. 3.

도 6은 다른 실시예에 따른 실리콘 콘택터의 단면도.6 is a cross-sectional view of a silicon contactor according to another embodiment.

본 고안은 반도체 시험용 장비의 실리콘 콘택터에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 필름에 형성된 접촉패드가 독립적으로 동작하는 실리콘 콘택터에 관한 것이다.The present invention relates to a silicon contactor of a semiconductor test equipment, and more particularly to a silicon contactor in which a contact pad formed on a film operates independently.

일반적으로 반도체소자의 제조공정이 끝나면 테스트 지그를 사용하여 소자의 전기적 성능을 시험한다. 반도체소자 시험은 대부분 검사용 회로기판의 접촉패드에 반도체 소자의 리드단자가 접촉되게 하고, 각 단자들에 입출력되는 신호를 시험용 회로로서 분석하는 방식으로 이루어지고 있다. 이와 같은 테스트는 콘택터에 반도체 패키지를 탑재시켜 전기적으로 접촉된 상태에서 진행된다. 그리고, 콘택터는 기본적으로 패키지의 외부단자와 검사용 회로기판을 기계적으로 연결하는 매개체 역할을 한다.In general, after the semiconductor device manufacturing process, the test jig is used to test the electrical performance of the device. In the semiconductor device test, the lead terminal of the semiconductor device is brought into contact with the contact pad of the test circuit board, and the signals inputted to and outputted from the terminals are analyzed as a test circuit. This test is carried out in a state of being in electrical contact with the semiconductor package mounted on the contactor. And, the contactor basically serves as a medium for mechanically connecting the external terminal of the package and the test circuit board.

이러한 실리콘 콘택터의 종래기술로는 도 1 및 도 2 에 도시한 바와 같이, 반도체 소자의 볼리드(미도시)가 접촉되는 도전성 실리콘부(10)와, 상기 도전성 실리콘부(10)사이에서 절연층 역할을 하는 절연부(20)와, 상기 도전성 실리콘부(10)와 절연부(20)의 상부표면에 접착되며 다이아몬드와 니켈의 혼합분말 및 금도금층이 형성된 필름(30)과, 상기 필름의 양면을 관통하면서 상기 반도체 소자의 볼리드와 도전성 실리콘부를 도전하는 도전성 접촉패드(31)로 구성되어 있다.As shown in FIGS. 1 and 2, such a silicon contactor has an insulating layer between a conductive silicon portion 10 and a conductive silicon portion 10 in contact with a bore (not shown) of a semiconductor device. An insulating part 20 serving as a film, a film 30 bonded to the upper surface of the conductive silicon part 10 and the insulating part 20, and a mixed powder of diamond and nickel and a gold plated layer are formed, and both sides of the film And a conductive contact pad 31 which penetrates through and conducts the bore and conductive silicon portion of the semiconductor element.

상기 종래기술은 다음과 같은 문제점이 있다.The prior art has the following problems.

반도체 소자의 테스트시에 반도체소자로 실리콘 콘택터를 가압하면, 반도체 소자의 리드와 접촉된 부분은 압축되나, 그 이외의 부분은 압축되지 않고 종래의 높이를 유지하거나 또는 팽창하려고 한다. 또한, 반도체 소자의 리드 단자의 높이는 공차가 있어, 그 높이에 따라 실리콘의 압축정도가 상이하다.When the silicon contactor is pressed with the semiconductor element during the test of the semiconductor element, the portion in contact with the lead of the semiconductor element is compressed, but other portions are not compressed and try to maintain or expand the conventional height. In addition, the height of the lead terminal of the semiconductor element has a tolerance, and the degree of compression of silicon differs depending on the height.

그러나, 반도체 소자와 접촉하는 측의 도전성 실리콘부 및 절연 실리콘부의 표면에 필름이 접착되어 있으므로 리드와 접촉하지 않아 압축될 필요가 없는 부분까지 압축되어 불필요하게 압축응력이 실리콘에 잔존하게 되어, 콘택터의 수명이 감소되는 문제점이 있다. However, since the film is adhered to the surfaces of the conductive silicon portion and the insulating silicon portion on the side in contact with the semiconductor element, the film is compressed to a portion which does not come into contact with the lead and does not need to be compressed, so that the compressive stress remains unnecessarily in the silicon. There is a problem that the life is reduced.

또한, 리드 단자의 크기 변화에 따라 개별적으로 압축되는 정도를 조절하기 어렵기 때문에, 인접한 리드단자들 사이의 높이차이가 큰 경우, 어느 한쪽의 리드단자는 콘택터에 닿지 않게 되는 문제점도 발생한다.In addition, since it is difficult to adjust the degree of compression separately according to the change in the size of the lead terminal, when the height difference between adjacent lead terminals is large, there is also a problem that either lead terminal does not come into contact with the contactor.

또한, 리드단자가 압축함에 따라 그 리드단자의 주변부까지 필름에 의하여 동시에 압축되므로, 모든 반도체소자의 리드단자를 콘택터에 전기적으로 접촉시키는 데 필요한 가압력은 필요이상으로 커지게 되는 문제점이 있다.In addition, since the lead terminal is compressed, the film is simultaneously compressed to the periphery of the lead terminal by the film. Therefore, there is a problem that the pressing force required to electrically contact the lead terminals of all the semiconductor devices to the contactor becomes larger than necessary.

본 고안은 상술한 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로서, 절연 실리콘부 및 도전성 실리콘부에서 압축이 필요한 부분만 압축되게 하고, 리드단자의 높이공차에도 쉽게 반응하며, 반도체소자를 콘택터에 전기적으로 접촉시키는 데 필요한 가압력을 최소로 되게 하는 콘택터를 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, the compression of the insulating silicon portion and the conductive silicon portion only the portion that needs to be compressed, responds easily to the height tolerance of the lead terminal, and electrically contact the semiconductor element with the contactor It is an object of the present invention to provide a contactor that minimizes the pressing force required to achieve this.

상기 목적을 달성하는 본 고안의 실리콘 콘택터는, 실리콘 고무에 도전성 금속 파우더가 혼합되어 구성되는 도전성 실리콘부와, 상기 도전성 실리콘부 사이에 실리콘 고무를 충전함으로서 형성되고 상기 도전성 실리콘부를 지지하는 절연부와, 상기 도전성 실리콘부와 절연부의 표면에 부착된 필름과, 상기 필름의 양면을 관통하며 상기 실리콘 고무에 결합되어 있는 도전성 접촉패드로 구성되되, 상기 필름에는 도전성 접촉패드를 인접한 도전성 접촉패드와는 독립적으로 작동하게 하는 분리부가 형성되어 있다.The silicon contactor of the present invention which achieves the above object comprises a conductive silicon portion comprising a conductive metal powder mixed with a silicone rubber, and an insulating portion formed by filling a silicone rubber between the conductive silicon portions and supporting the conductive silicon portion; And a film attached to the surface of the conductive silicon portion and the insulating portion, and a conductive contact pad penetrating both sides of the film and bonded to the silicone rubber, wherein the film has a conductive contact pad independent of an adjacent conductive contact pad. Separation is made to operate.

이하, 본 고안에 따른 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 실시예에 따른 실리콘 콘택터의 정면도이며, 도 4는 도 3의 A-A 단면도이며, 도 5는 반도체 소자의 전기적 시험을 행하는 개략적인 모습을 나타낸 도면으로, 본 고안의 실리콘 콘택터(1)는 도전성 실리콘부(110)와, 절연부(120)와, 필름(130)과, 도전성 접촉패드(131)로 구성된다. 3 is a front view of the silicon contactor according to the present embodiment, FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. Includes a conductive silicon portion 110, an insulating portion 120, a film 130, and a conductive contact pad 131.

도전성 실리콘부(110)는 실리콘 고무에 도전성 파우더를 혼합하여 굳힌 것으로서 전기가 흐르는 도체로 작용하며 실리콘 고무에 탄성이 있으므로 반도체 소자와 수평이 맞지 않아도 접촉이 양호하게 된다.The conductive silicon portion 110 is hardened by mixing conductive powder with silicone rubber, and acts as a conductor through which electricity flows. Since the silicone rubber has elasticity, the conductive silicon portion 110 has good contact with the semiconductor element even when it is not horizontal.

절연부(120)는 도전성 실리콘부(110)의 사이사이에 충전되어 전체 실리콘 콘택터(1)의 위치를 안정되게 하고 반도체 소자(100)의 리드단자(101)로 누를 때 도전성 실리콘부(110)가 원래의 형태로 수직방향으로 세워질 수 있도록 한다.The insulating part 120 is filled between the conductive silicon parts 110 to stabilize the position of the entire silicon contactor 1 and to press the lead terminal 101 of the semiconductor device 100 when the conductive silicon parts 110 are pressed. Should be erected vertically in its original form.

필름(130)은 도전성 실리콘부(110)에서 반도체 소자(100)와 접촉하는 측의 표면에 부착되어 있으며, 이에 따라 반도체 소자(100)의 리드단자(101)로부터 도전성 가루가 떨어져 실리콘 콘택터(1)의 상부표면에 떨어지는 것을 방지할 수 있고, 접촉면적을 넓게 하여 접촉저항을 줄이며, 저온 환경에서 시험할 때 형성되는 얼음막을 깨면서 접촉하는 것이 가능하다. 이때, 상기 필름(130)의 두께는 대략 0.05 ~ 0.5mm 의 범위를 가지는 것이 바람직하다. 이러한 도전성 실리콘부(110) 또는 절연부(120)는 구체적으로는 전주 도금 또는 식각 기술로 음각화한 필름의 하부에 실리콘 고무를 충진함으로서 형성되며, 이에 따라 도전성 실리콘부가 잘 빠지지 않게 한다. The film 130 is attached to the surface of the conductive silicon portion 110 in contact with the semiconductor element 100, so that conductive powder is separated from the lead terminal 101 of the semiconductor element 100 so that the silicon contactor 1 It can be prevented from falling on the upper surface of the), widen the contact area to reduce the contact resistance, and it is possible to make contact with breaking the ice film formed when testing in low temperature environment. At this time, the thickness of the film 130 preferably has a range of approximately 0.05 ~ 0.5mm. The conductive silicon portion 110 or the insulating portion 120 is specifically formed by filling a silicone rubber in the lower portion of the film engraved by electroplating or etching technique, thereby preventing the conductive silicon portion from being easily removed.

이러한 중간접촉하는 필름(130)에 관한 상세한 설명은 본 출원인의 선출원 기술(한국특허출원, 출원번호 제10-2001-0014629호, "도체 접촉부 표면구조 및 표면처리 방법")에 나타나 있으며, 이에 관하여 간략히 설명하면 다음과 같다. 얇은 플렉시블 PCB필름의 윗면과 아랫면 표면에 패턴형성된 접촉패드에 니켈-다이아몬드 혼합분말층(본 실시예에서는 비커스 경도로 Hv130 이상인 금속분말층을 포함한다)을 뿌려서 전착하고 이 니켈-다이아몬드 혼합분말층에 금도금을 하여 접촉패드와 니켈분말과 금도금층이 전기적으로 연결되도록 함으로써, 접촉패드의 표면이 니켈-다이아몬드 혼합분말에 의하여 요철이 생기도록 하는 기술이다. 니켈-다이아몬드 혼합분말이 댐 역할을 하여 금도금층의 박리가 쉽게 일어나지 않으며, 접촉패드의 표면 요철에 의해 접촉저항이 줄어들고, 저온 환경시험의 경우에 발생하는 얼음막이 표면요철에 의해 깨지면서 반도체소자의 리드와 접촉패드가 확고하게 접촉될 수 있다. 이렇게 니켈-다이아몬드 분말이 코팅된 플렉시블 PCB를 중간접촉하는 필름으로서 실리콘 콘택터에서 상기 반도체 소자와 접촉하는 측의 표면에 접착하는 것이다.Detailed description of the intermediate contact film 130 is shown in the applicant's prior application technology (Korean Patent Application No. 10-2001-0014629, "Conductive contact surface structure and surface treatment method"), Briefly described as follows. The contact pads formed on the upper and lower surfaces of the thin flexible PCB film are deposited on a nickel-diamond mixed powder layer (in this embodiment, including a metal powder layer having a Hv130 or higher in Vickers hardness) and electrodeposited to the nickel-diamond mixed powder layer. The gold plating is performed so that the contact pad, the nickel powder, and the gold plating layer are electrically connected to each other so that the surface of the contact pad may have irregularities by the nickel-diamond mixed powder. The nickel-diamond mixed powder acts as a dam, so the peeling of the gold-plated layer does not easily occur, the contact resistance decreases due to the surface irregularities of the contact pads, and the ice film generated in the case of low temperature environmental test is broken by the surface irregularities, leading to the semiconductor device's lead. And the contact pad can be firmly contacted. In this way, the flexible PCB coated with nickel-diamond powder is bonded to the surface of the silicon contactor in contact with the semiconductor element as an intermediate contact film.

이와 같이 부착된 플렉시블 PCB 필름(130)에는 도전성 접촉패드(131)를 인접한 도전성 접촉패드(131)로부터 독립적으로 동작가능하게 하는 분리부(132)가 형성되어 있으며, 상기 분리부(132)에 의하여 도전성 접촉패드(131)는 인접한 접촉패드로(131)부터 독립적으로 자유롭게 상하이동 할 수 있다. 분리부(132)는 도전성 접촉패드(131)들 사이의 소정의 라인을 따라 절단도구(미도시)에 의하여 절단홈을 형성하여 만들어지는 데, 상기 분리부(32)의 크기 및 깊이는 반도체 소자(100)의 리드단자들 사이의 간격 및 두께 등에 따라서 달리하여 실리콘 콘택터(1)가 최적으로 동작하도록 한다. The flexible PCB film 130 attached as described above is provided with a separating part 132 that enables the conductive contact pad 131 to be independently operated from an adjacent conductive contact pad 131, and is formed by the separating part 132. The conductive contact pads 131 may move freely and independently from adjacent contact pads 131. Separator 132 is formed by forming a cutting groove by a cutting tool (not shown) along a predetermined line between the conductive contact pads 131, the size and depth of the separator 32 is a semiconductor device The silicon contactor 1 operates optimally depending on the spacing and thickness between the lead terminals of 100.

상기 필름(130)에는 도전성 실리콘부(110)에 대응하는 위치에 상기 필름(130)의 양면을 관통하며, 실리콘 고무에 결합되어 있는 도전성 접촉패드(131)가 형성된다. 이러한 상기 도전성 접촉패드(131)의 상단 및 하단에는 그 외주면을 따라 걸림부(131a)가 형성되어 있어, 반도체 소자(100)와 상기 도전성 실리콘부(110)가 전기적 연결되도록 하게 한다. 상기 걸림부(131a)는 도전성 접촉패드(131)로부터 외부로 돌출되어 있으며, 상기 걸림부(131a)에 의하여 도전성 접촉패드(131)의 단면이 대략 "Ⅱ" 형상을 이루도록 한다. 상기 걸림부(131a)의 크기는 사용조건에 따라 상이하나, 대략 접촉패드(131)의 직경의 10 ~ 30% 정도로 될 수 있게 하여, 상기 걸림부가 실리콘 고무에 충분히 파묻힐 수 있게 한다.The film 130 is formed with a conductive contact pad 131 penetrating both sides of the film 130 at a position corresponding to the conductive silicon portion 110 and bonded to the silicone rubber. The upper and lower ends of the conductive contact pads 131 are formed with engaging portions 131a along the outer circumferential surface thereof, so that the semiconductor device 100 and the conductive silicon portion 110 are electrically connected to each other. The locking portion 131a protrudes outward from the conductive contact pad 131, and the cross section of the conductive contact pad 131 forms an approximately “II” shape by the locking portion 131a. The size of the locking portion 131a is different depending on the use conditions, but may be approximately 10 to 30% of the diameter of the contact pad 131, so that the locking portion can be sufficiently embedded in the silicone rubber.

이상과 같은 구성을 가진 본 고안의 실리콘 콘택터(1)는 다음과 같이 작용한다. The silicon contactor 1 of the present invention having the above configuration works as follows.

다수의 접촉패드(141)가 형성된 검사용 회로기판(140)에 실리콘 콘택터(1)가 배치되고, 적절한 수단(미도시)에 의하여 고정되어 있다. 검사를 위하여 검사용 회로기판(140)을 반도체 소자(100)에 접근하는 방향으로 이동시키고, 실리콘 콘택터(1)를 상기 반도체 소자(100) 및 검사용 회로기판(140)사이에서 가압된 상태에 놓이게 한다. 이에 따라, 실리콘 콘택터(1)의 도전성 실리콘부(110)를 통해 반도체 소자(100)의 리드단자(101)와 검사용 회로기판(140)의 접촉패드(141)사이의 전기적 연결이 이루어진다.The silicon contactor 1 is disposed on the inspection circuit board 140 on which the plurality of contact pads 141 are formed, and fixed by appropriate means (not shown). For the inspection, the inspection circuit board 140 is moved in a direction approaching the semiconductor device 100, and the silicon contactor 1 is pressed between the semiconductor device 100 and the inspection circuit board 140. Let go. Accordingly, an electrical connection is made between the lead terminal 101 of the semiconductor device 100 and the contact pad 141 of the test circuit board 140 through the conductive silicon part 110 of the silicon contactor 1.

이와 같이, 실리콘 콘택터(1)가 가압된 상태에서 리드단자(101)들의 높이가 상이한 경우, 도 5에 도시된 바와 같이 각각의 도전성 실리콘부(110)는 분리부(132)에 의하여 개별적인 압축, 팽창이 가능하므로, 불필요하게 인접한 도전성 실리콘부(110)에 의하여 압축이 되는 경우가 없이 개별적으로 필요한 만큼만 압축된다. 또한, 필름(130)에 의하여 불필요하게 압축되어 압축응력이 실리콘 고무내에 잔존할 염려도 없어 실리콘 고무의 손상도 방지할 수 있다. As such, when the heights of the lead terminals 101 are different in the state in which the silicon contactor 1 is pressed, as shown in FIG. 5, each of the conductive silicon portions 110 may be individually compressed by the separating portion 132. Since expansion is possible, it is compressed only as necessary separately without being compressed by the adjacent conductive silicon portion 110 unnecessarily. In addition, since the film 130 is unnecessarily compressed and the compressive stress does not remain in the silicone rubber, damage to the silicone rubber can be prevented.

한편, 하나의 실리콘 콘택터(1)를 이용하여 반복적으로 전기적 시험을 실시하여도 도전성 접촉패드(131)는 걸림부(131a)에 의하여 실리콘 고무에 확실하게 고정되기 때문에 상기 도전성 접촉패드(131)에 부착되어 있는 필름도 실리콘 고무에서 이탈할 염려가 없다. 즉, 분리부에 의하여 개별적으로 분리된 필름은 전주도금 또는 식각기술로 음각화된 필름에 충전된 실리콘 고무와의 접착력에 의하여 1차로 접착되고, 걸림부에 의하여 실리콘 고무에 확실하게 고정된 도전성 접촉패드에 의해서도 위치고정이 가능하기 때문에, 실리콘 고무로부터 이탈할 염려가 없다.On the other hand, even if the electrical test is repeatedly performed using one silicon contactor 1, the conductive contact pad 131 is securely fixed to the silicone rubber by the locking portion 131a, so that the conductive contact pad 131 The attached film also does not have to be detached from the silicone rubber. In other words, the film separated by the separating part is first bonded by the adhesive force with the silicone rubber filled in the film engraved by electroplating or etching technique, and the conductive contact is firmly fixed to the silicone rubber by the catching part. Since the position can be fixed by the pad, there is no fear of detachment from the silicone rubber.

이상에서 살펴본 구성은 본 고안의 일실시예로서, 다음과 같은 변형예가 가능하다.The configuration described above is an embodiment of the present invention, the following modifications are possible.

먼저, 본 고안에 따른 실리콘 콘택터에서 도전성 접촉패드는 도 6 에 도시된 바와 같이 그 높이를 반도체 소자의 리드높이 및 집적화된 정도에 따라 변경가능하며, 상기 도전성 접촉패드에 형성된 걸림부의 크기도 하부의 도금두께에 따라 상부높이(t1) 및 하부 높이(t2)를 서로 달리할 수 있다.First, in the silicon contactor according to the present invention, as shown in FIG. 6, the height of the conductive contact pad may be changed according to the lead height and the degree of integration of the semiconductor device. The upper height t1 and the lower height t2 may be different from each other according to the plating thickness.

또한, 도전성 접촉패드가 실리콘 고무에 파뭍이는 높이도 설계조건에 맞추어 서로 상이하도록(h1≠h2) 할 수 있다.In addition, the height of the conductive contact pads penetrating the silicone rubber can also be different from each other (h1? H2) in accordance with the design conditions.

또한, 상술한 실시예에서 도전성 실리콘부의 하부와 절연부의 하부는 동일한 높이를 가지고 있으나, 도전성 실리콘부의 하부를 절연부의 하부보다 하단으로 더 돌출될 수 있게 할 수 있다. 이와 같이 더 돌출된 도전성 실리콘부로 인하여 도전성 실리콘부와 검사용 회로기판의 접촉패드는 더욱 확실하게 접촉할 수 있는 장점이 있다. In addition, in the above-described embodiment, the lower portion of the conductive silicon portion and the lower portion of the insulating portion have the same height, but the lower portion of the conductive silicon portion may be further protruded to the lower portion than the lower portion of the insulating portion. Due to the more protruding conductive silicon portion, the contact pads of the conductive silicon portion and the inspection circuit board may be more surely contacted.

또한, 상술한 실시예에서 걸림부를 상단 및 하단에 모두 형성하였으나, 하단에만 상기 걸림부를 형성하는 것도 가능하다.In addition, in the above-described embodiment, although the engaging portion is formed at both the upper and lower ends, it is also possible to form the engaging portion only at the lower end.

또한, 상술한 실시예에서 니켈-다이아몬드 혼합 분말층에 대하여 주로 설시하였으나, 경도가 Hv 130 이상인 금속분말층이라면 무엇이나 사용할 수 있다.In addition, although the nickel-diamond mixed powder layer is mainly described in the above-described embodiment, any metal powder layer having a hardness of Hv 130 or more may be used.

이상에서, 본 고안의 따른 실시예 및 그 변형예를 중심으로 설명하였으나, 본 고안의 기술적 사상은 이에 한정되는 것은 아니다. 본 고안의 기술적 사상은 특허청구범위에 기재된 내용의 해석에 의하여 결정되는 범위에 의하여 합리적으로 정해진다.In the above, the embodiments of the present invention and the modifications thereof have been described mainly, but the technical idea of the present invention is not limited thereto. The technical idea of the present invention is reasonably determined by the range determined by the interpretation of the contents described in the claims.

이상에서와 같이, 본 고안에 따르면, 절연 실리콘부 및 도전성 실리콘부에서 압축이 필요한 부분만 압축되게 하고, 리드단자의 높이공차에도 쉽게 반응하며, 반도체소자를 콘택터에 전기적으로 접촉시키는 데 필요한 가압력을 최소로 되게 하여 본 고안에 따른 실리콘 콘택터를 장시간 사용할 수 있도록 한다.As described above, according to the present invention, only the portion that needs to be compressed in the insulating silicon portion and the conductive silicon portion is compressed, reacts easily to the height tolerance of the lead terminal, and the pressing force required to electrically contact the semiconductor element with the contactor Minimized so that the silicon contactor according to the present invention can be used for a long time.

Claims (6)

반도체소자 시험용 장비의 실리콘 콘택터에 있어서,In the silicon contactor of the equipment for testing semiconductor devices, 실리콘 고무에 도전성 금속 파우더가 혼합되어 구성되는 도전성 실리콘부와,A conductive silicon portion comprising a conductive metal powder mixed with a silicone rubber, 상기 도전성 실리콘부 사이에 실리콘 고무를 충전함으로서 형성되고 상기 도전성 실리콘부를 지지하는 절연부와,An insulating portion formed by filling a silicone rubber between the conductive silicon portions and supporting the conductive silicon portion; 상기 도전성 실리콘부와 절연부의 표면에 부착된 필름과,A film attached to surfaces of the conductive silicon portion and the insulating portion, 상기 필름의 양면을 관통하며 상기 실리콘 고무에 결합되어 있는 도전성 접촉패드로 구성되되,Conductive contact pads penetrate both sides of the film and bonded to the silicone rubber, 상기 필름에는 도전성 접촉패드를 인접한 도전성 접촉패드와 독립적으로 작동하게 하는 분리부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 실리콘 콘택터.And wherein the film is provided with a separator to enable the conductive contact pad to operate independently from adjacent conductive contact pads. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 분리부는 필름을 절단하여 형성된 절단홈인 것을 특징으로 하는 실리콘 콘택터.The separator is a silicon contactor, characterized in that the cutting groove formed by cutting the film. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 접촉패드에는 실리콘에 고정되는 걸림부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 실리콘 콘택터.Silicon contactor, characterized in that the contact pad is formed to be secured to the silicon. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 걸림부는 상기 접촉패드의 끝단 외주면으로부터 외부로 돌출되어 있는 것을 특징으로 하는 실리콘 콘택터.And the latching portion protrudes outward from an outer peripheral surface of the end of the contact pad. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 4, 상기 접촉패드의 표면에는 금속분말층과, 상기 금속분말층에 형성된 금도금층이 피복되어 있는 것을 특징으로 하는 실리콘 콘택터.And a metal powder layer and a gold plating layer formed on the metal powder layer are coated on the surface of the contact pad. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, 상기 실리콘 콘택터는 전주 도금 또는 식각 기술로 접촉패드의 하부를 음각화하여 이 부분에 실리콘 고무가 충진되게 하는 것을 특징으로 하는 실리콘 콘택터.And the silicon contactor is engraved with the lower portion of the contact pad by electroplating or etching technology to fill the silicon rubber in this portion.
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