KR20040108480A - 플라즈마 프로세스 챔버의 가스 노즐 - Google Patents
플라즈마 프로세스 챔버의 가스 노즐 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20040108480A KR20040108480A KR1020030039084A KR20030039084A KR20040108480A KR 20040108480 A KR20040108480 A KR 20040108480A KR 1020030039084 A KR1020030039084 A KR 1020030039084A KR 20030039084 A KR20030039084 A KR 20030039084A KR 20040108480 A KR20040108480 A KR 20040108480A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- gas nozzle
- gas
- inner tube
- tube
- chamber
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
Description
Claims (14)
- 플라즈마 프로세스 챔버의 내부에 장착되어 챔버 내부에 공정 가스를 분사하는 다수의 가스 노즐에 있어서,소정 길이를 갖고 전단과 후단이 모두 개방된 관통형의 외관; 상기 외관의 내측에 설치되는 적어도 하나의 전단과 후단이 모두 개방된 관통형의 내관; 및 외관과 내관이 소정 간격을 갖도록 내관의 외주면에 설치되는 다수의 지지부재를 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 프로세스 챔버의 가스 노즐.
- 제1항에 있어서, 가장 안쪽의 내관의 내측에 매입 설치되는 매입봉을 더 포함하고, 가장 안쪽의 내관과 매입봉은 다수의지지 부재에 의해 지지되어 소정 간격을 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 프로세스 챔버의 가스 노즐.
- 제1항에 있어서, 상기 내관은 외관 길이 이하의 길이를 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 프로세스 챔버의 가스 노즐.
- 제1항에 있어서, 상기 내관은 외관의 전단과 일치하거나 전방으로 돌출되거나 또는 후방으로 후진된 것 중 어느 하나로 위치하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 프로세스 챔버의 가스 노즐.
- 제1항에 있어서, 가스 노즐의 전면 입구의 환형으로 형성되는 외관과 내관 사이의 간격을 다수로 분할하도록 외관과 내관 사이에 설치되는 또 다른 다수의 지지부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 프로세스 챔버의 가스 노즐.
- 제2항에 있어서, 매입봉의 후단은 경사를 갖고 전체적으로 원뿔형상을 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 프로세스 챔버의 가스 노즐.
- 제1항에 있어서, 상기 가스 노즐은 각각 전기적 절연체로 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 프로세스 챔버의 가스 노즐.
- 제7항에 있어서, 상기 전기적 절연체는 세라믹 또는 알루미나 중 어느 하나로 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 프로세스 챔버의 가스 노즐.
- 플라즈마 프로세스 챔버의 내부에 장착되어 챔버 내부에 공정 가스를 분사하는 다수의 가스 노즐에 있어서,소정 길이를 갖고 전단과 후단이 모두 개방된 관통형의 외관; 상기 외관의 내측에 설치되는 매입봉; 외관과 매입봉이 소정 간격을 갖도록 매입봉의 외주면에 설치되는 다수의 지지부재; 및가스 노즐의 전면 입구의 환형으로 형성되는 외관과 매입봉 사이의 간격을 다수로 분할하도록 외관과 매입봉 사이에 설치되는 또 다른 다수의 지지부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 프로세스 챔버의 가스 노즐.
- 제9항에 있어서, 상기 매입봉은 길이 방향으로 그 중심부에 관통된 홀이 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 프로세스 챔버의 가스 노즐.
- 제9항에 있어서, 상기 가스 노즐은 각각 전기적 절연체로 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 프로세스 챔버의 가스 노즐.
- 제11항에 있어서, 상기 전기적 절연체는 세라믹 또는 알루미나 중 어느 하나로 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 프로세스 챔버의 가스 노즐.
- 플라즈마 프로세스 챔버의 내부에 장착되어 챔버 내부에 공정 가스를 분사하는 다수의 가스 노즐에 있어서, 소정 길이를 갖고 전단이 막혀 있되 다수의 관통된 홀이 형성되고 후단이 개방된 관으로 구성되되 다수의 관통된 홀들의 통로는 전체적으로 노즐의 중심축으로 집중되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 프로세스 챔버의 가스 노즐.
- 플라즈마 프로세스 챔버의 내부에 장착되어 챔버 내부에 공정 가스를 분사하는 다수의 가스 노즐에 있어서, 소정 길이를 갖고 전단이 막혀 있되 다수의 관통된 홀이 형성되고 후단이 개방된 관으로 구성되되 다수의 관통된 홀들의 통로는 전체적으로 스파이럴(spiral) 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 프로세스 챔버의 가스 노즐.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020030039084A KR100629990B1 (ko) | 2003-06-17 | 2003-06-17 | 플라즈마 프로세스 챔버의 가스 노즐 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020030039084A KR100629990B1 (ko) | 2003-06-17 | 2003-06-17 | 플라즈마 프로세스 챔버의 가스 노즐 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020050097151A Division KR100586639B1 (ko) | 2005-10-14 | 2005-10-14 | 플라즈마 프로세스 챔버의 가스 노즐 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20040108480A true KR20040108480A (ko) | 2004-12-24 |
KR100629990B1 KR100629990B1 (ko) | 2006-09-29 |
Family
ID=37382403
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020030039084A KR100629990B1 (ko) | 2003-06-17 | 2003-06-17 | 플라즈마 프로세스 챔버의 가스 노즐 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100629990B1 (ko) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100578136B1 (ko) * | 2004-01-27 | 2006-05-10 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마로 강화된 반도체 증착 장비 |
KR100689833B1 (ko) * | 2005-06-23 | 2007-03-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조용 가스 공급 장치 |
US20110252793A1 (en) * | 2010-04-17 | 2011-10-20 | GM Global Technology Operations LLC | Device for turbocharging an internal combustion engine, vehicle, and method for turbocharging an internal combustion engine |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102528893B1 (ko) | 2021-05-13 | 2023-05-04 | (주)코마테크놀로지 | Hdp cvd공정용 사파이어 소재를 이용한 플라즈마 디퓨전 노즐 제조방법 |
-
2003
- 2003-06-17 KR KR1020030039084A patent/KR100629990B1/ko active IP Right Grant
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100578136B1 (ko) * | 2004-01-27 | 2006-05-10 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마로 강화된 반도체 증착 장비 |
KR100689833B1 (ko) * | 2005-06-23 | 2007-03-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조용 가스 공급 장치 |
US20110252793A1 (en) * | 2010-04-17 | 2011-10-20 | GM Global Technology Operations LLC | Device for turbocharging an internal combustion engine, vehicle, and method for turbocharging an internal combustion engine |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100629990B1 (ko) | 2006-09-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5885358A (en) | Gas injection slit nozzle for a plasma process reactor | |
KR100862658B1 (ko) | 반도체 처리 시스템의 가스 주입 장치 | |
KR100785164B1 (ko) | 다중 출력 원격 플라즈마 발생기 및 이를 구비한 기판 처리시스템 | |
KR100186893B1 (ko) | 반도체 제조장치 및 방법 | |
JP2014196561A (ja) | ライナーアセンブリ及びこれを備える基板処理装置 | |
JP2006245533A (ja) | 高密度プラズマ化学気相蒸着装置 | |
KR101776235B1 (ko) | 공정설비에서 발생되는 배기가스 처리 플라즈마 반응기 | |
KR100712728B1 (ko) | 가스분리형 샤워헤드의 세정 장치 | |
KR100522727B1 (ko) | 박막증착용 반응용기 | |
KR100520980B1 (ko) | 고밀도 플라즈마 화학적 기상 증착 챔버 및 이를 위한가스 노즐 | |
KR20040108480A (ko) | 플라즈마 프로세스 챔버의 가스 노즐 | |
JPS615515A (ja) | 化学気相成長装置 | |
KR20010041608A (ko) | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 | |
KR100798355B1 (ko) | 대면적 처리용 외장형 권선 코일을 구비하는 플라즈마처리장치 | |
KR100586639B1 (ko) | 플라즈마 프로세스 챔버의 가스 노즐 | |
KR20070101977A (ko) | 플라즈마 처리장치 | |
JP2000277509A (ja) | 基板処理装置 | |
KR20130074419A (ko) | 가스 혼합체 및 기판처리장치 | |
US20040144492A1 (en) | Plasma processing device | |
US20030015291A1 (en) | Semiconductor device fabrication apparatus having multi-hole angled gas injection system | |
KR100914398B1 (ko) | 플라즈마 기판 처리 장치 | |
KR100717583B1 (ko) | Pecvd 장치 | |
KR100520979B1 (ko) | 원격 플라즈마 발생기를 이용한 진공 프로세스 챔버 | |
KR20030037873A (ko) | 반도체 제조장치용 반응가스 분사노즐 | |
KR100918676B1 (ko) | 샤워헤드를 채용한 증착장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
A107 | Divisional application of patent | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120924 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130917 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140922 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160504 Year of fee payment: 10 |
|
R401 | Registration of restoration | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160912 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170921 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20191231 Year of fee payment: 14 |