KR100586639B1 - 플라즈마 프로세스 챔버의 가스 노즐 - Google Patents

플라즈마 프로세스 챔버의 가스 노즐 Download PDF

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Abstract

본 발명은 플라즈마 프로세스 챔버의 가스 노즐에 관한 것으로, 공정 진행시 가스 노즐의 오염을 방지하도록 가스 노즐의 구조를 개선하여 플라즈마 프로세스 챔버의 세정 공정 시간을 단축시킬 수 있다. 가스 노즐은 소정 길이를 갖고 전 후방이 개방된 관통형의 외관과 이에 장착되는 하나 이상의 관통형의 내관을 갖는다. 내관과 외관은 다수의 지지부재에 의해 소정의 간격을 갖도록 지지된다. 가장 안쪽의 내관의 내측에는 매입봉이 설치 될 수 있다. 외관의 내측에 장착되는 내관은 외관의 전단과 일치하도록 정렬되거나 또는 전방으로 돌출되거나 후방으로 후진되어 설치될 수 있다. 가스 노즐은 그 내측으로 플라즈마 가스가 유입되는 것을 막아 내부에 불순물이 증착되는 것을 방지하여 프로세스 챔버의 세정 시간을 단축시켜 공정 수율을 향상 시키는 효과가 있다.

Description

플라즈마 프로세스 챔버의 가스 노즐{GAS NOZZLE OF PLASMA PROCESS CHAMBER}
도 1a 및 도 1b는 본 발명과 관련된 플라즈마 프로세스 챔버의 수직 및 수평 단면도;
도 2a 및 도 2b는 도 1a의 플라즈마 프로세스 챔버에 장착된 가스 노즐의 일 예를 보여주는 단면도 및 정면도;
도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 제1 실시예에 따른 가스 노즐의 사시도, 정면도 및 단면도;
도 4a 및 도 4b는 도 3a의 가스 노즐의 변형예를 보여주는 사시도;
도 5a 내지 도 5c는 본 발명의 제2 실시예에 따른 가스 노즐의 사시도, 정면도 및 단면도;
도 6a 및 도 6b는 도 5a의 가스 노즐의 변형예를 보여주는 사시도;
도 7a 내지 도 7c는 본 발명의 제3 실시예에 따른 가스 노즐의 사시도, 정면도 및 단면도;
도 8a 및 도 8b는 도 7a의 가스 노즐의 변형예를 보여주는 사시도;
도 9a 내지 도 9c는 본 발명의 제4 실시예에 따른 가스 노즐의 사시도, 정면도 및 단면도; 그리고
도 10a 내지 도 10c는 본 발명의 제5 실시예에 따른 가스 노즐의 사시도, 정면도 및 단면도이다.
본 발명은 플라즈마 프로세스 챔버의 가스 노즐에 관한 것으로, 구체적으로는 공정 진행시 가스 노즐의 오염을 방지하도록 가스 노즐의 구조를 개선하여 플라즈마 프로세스 챔버의 세정 공정 효율을 향상시킬 수 있는 플라즈마 프로세스 챔버의 가스 노즐에 관한 것이다.
플라즈마는 다양한 산업 분야에 널리 사용되고 있으며 반도체 장치의 제조 공정에 있어서 예컨대, 세정(cleaning), 식각(etching), 증착(deposition) 등에 사용되고 있다. 반도체 장치의 제조 공정에서 플라즈마 프로세스 챔버는 작업 공정과 세정 공정이 교대적으로 진행된다. 고밀도 플라즈마(High Density Plasma; HDP)를 이용한 화학적 기상 증착(Chemical Vapor Deposition; CVD) 공정에서 플라즈마 프로세스 챔버는 통상 6매 정도의 웨이퍼를 가공하고 20분 내지 30분가량 소요되는 세정 공정을 교대적으로 진행한다.
세정 공정에서 프로세스 챔버의 내부와 가스 노즐의 내측을 세정하게 되는데 상당 시간이 가스 노즐을 세정하는데 소요되고 있어 공정 수율을 저하시키는 주요 원인이 되고 있다. 이러한 원인은 가스 노즐의 구조적 취약점에 기인한 것으로, 프로세스 챔버의 내부에 장착되는 가스 노즐은 플라즈마 가스가 노즐의 내측으로 유입될 수밖에 없는 구조를 갖고 있기 때문 이다. 이러한 원인에 의해 가스 노즐의 내측으로 불순물이 증착되어 가스 노즐이 막히게 된다.
가스 노즐의 세정 시간을 단축할 수 있는 가스 노즐이 제공된다면 플라즈마 프로세스 챔버의 전체적인 세정 공정 시간을 단축할 수 있어 공정 수율을 혁신적으로 향상 시킬 수 있을 것이다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 그 목적은 가스 노즐의 불순물 증착에 의한 막힘 현상을 방지할 수 있는 플라즈마 프로세스 챔버의 가스 노즐을 제공하는데 있다.
이와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 플라즈마 프로세스 챔버의 내부에 장착되어 챔버 내부에 공정 가스를 분사하는 다수의 가스 노즐은: 소정 길이를 갖고 전단과 후단이 모두 개방된 관통형의 외관; 상기 외관의 내측에 순차적으로 매입 설치되도록 서로 다른 내경을 갖고, 전단과 후단이 모두 개방된 하나 이상의 관통형의 내관; 및 외관과 하나 이상의 내관이 각기 소정 간격을 갖도록 함과 아울러 노즐 내부의 간격을 더욱 좁게 분할하도록 내관의 외주면에 방사형으로 설치되는 다수의 지지부재를 갖는다.
이 실시예에 있어서, 가장 안쪽의 내관의 내측에 매입 설치되는 매입봉을 더 포함하고, 가장 안쪽의 내관과 매입봉은 다른 다수의 지지부재에 의해 지지되어 소정 간격을 갖는다.
이 실시예에 있어서, 상기 내관은 외관 길이 이하의 길이를 갖는다.
이 실시예에 있어서, 상기 내관은 외관의 전단과 일치하거나 전방으로 돌출되거나 또는 후방으로 후진된 것 중 어느 하나로 위치한다.
이 실시예에 있어서, 가스 노즐의 전면 출구의 간격을 방사형으로 다수 분할하도록 외관과 하나 이상의 내관 사이에 각기 설치되는 또 다른 다수의 지지부재를 포함한다.
이 실시예에 있어서, 매입봉의 후단은 경사를 갖고 전체적으로 원뿔형상을 갖는다.
본 발명의 다른 특징에 의하면, 플라즈마 프로세스 챔버의 내부에 장착되어 챔버 내부에 공정 가스를 분사하는 다수의 가스 노즐은: 소정 길이를 갖고 전단과 후단이 모두 개방된 관통형의 외관; 상기 외관의 내측에 설치되는 매입봉; 외관과 매입봉이 소정 간격을 갖도록 함과 아울러 노즐의 내부의 간격을 더욱 좁게 분할하도록 매입봉의 외주면에 방사형으로 설치되는 다수의 지지부재; 및 가스 노즐의 전면 출구에 환형으로 형성된 외관과 매입봉 사이의 간격에 설치되어 외관과 매입봉을 지지함과 아울러 출구를 보다 좁게 다수로 분할하도록 외관과 매입봉 사이에 설치되는 다른 다수의 지지부재를 포함한다.
이 실시예에 있어서, 상기 매입봉은 길이 방향으로 그 중심부에 가스 흐름 경로를 제공하는 관통된 홀이 형성된다.
(실시예)
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다.
본 발명은 플라즈마 프로세스 챔버의 가스 노즐이 플라즈마 가스가 역으로 유입되는 것을 방지하여 가스 노즐의 내측으로 불순물이 증착되는 것을 방지하여 결과적으로 플라즈마 프로세스 챔버의 세정 공정 시간을 단축시켜 공정 수율을 혁신적으로 향상 시킬 수 있도록 한다. 본 발명자는 이와 관련된 기술을 2003년 4월 19일자 국내 특허 출원 제10-2003-0024937호 고밀도 플라즈마 화학적 기상 증착 챔버 및 이를 위한 가스 노즐을 출원한 바 있다.
도 1a 및 도 1b는 본 발명과 관련된 플라즈마 프로세스 챔버의 수직 및 수평 단면도이다.
도면을 참조하여, 고밀도 플라즈마(High Density Plasma; HDP) 화학적 기상 증착(Chemical Vapor Deposition; CVD) 챔버(이하, 'HDP CVD 챔버'라 약칭함)(10)는 챔버 상부(12)의 외측에 인덕터 코일(16)이 수회 감겨져 있다. 인덕터 코일(16)은 제1 주파수 발생기(20)로부터 발생되는 RF 신호를 매칭 네트웍(18)을 통해 제공받아 HDP CVD 챔버(10)의 내부로 플라즈마 이온화 에너지를 제공한다.
HDP CVD 챔버(10)의 몸체(14)의 내측으로 다수의 가스 노즐(30)이 일정 간격 을 두고 다수개가 장착된다. 가스 노즐(30)은 가스 공급원(미도시)으로부터 제공되는 공정 가스를 챔버(10)의 내부로 고르게 분사한다. HDP CVD 챔버(10)의 하단 일측 모서리 부분에는 가스 배출구(34)가 마련된다. 가스 배출구(34)는 배기 시스템(미도시)과 연결된다. 도면에서 참조부호 32는 세정 가스 분사구이며 이는 원격 플라즈마 발생기(RPG)에 연결된다.
가스 노즐(30)을 통해 공정 가스가 분사되고, 인덕터 코일(16)로부터 플라즈마 이온화 에너지가 공급되면 플라즈마가 발생된다. 이와 함께 제2 주파수 발생기(28)로부터 발생된 바이어스 전원이 서셉터(susceptor)(22)로 인가되어 작업편(work piece)(24) 예컨대 웨이퍼 상에 HDP CVD 공정이 진행된다. 여기서, 가스 노즐(30)은, 첨부도면 도 2 또는 도 3에 도시된 바와 같이, 공정이 진행되면서 플라즈마 가스가 역으로 유입되어 불순물이 증착되는 것을 방지하기 위한 구조를 갖는다.
도 2a 및 도 2b는 도 1a의 플라즈마 프로세스 챔버에 장착된 가스 노즐의 일 예를 보여주는 단면도 및 정면도이다.
도 2a 및 도 2b를 참조하여, 가스 노즐(30)은 소정 길이를 갖고 전단과 후단이 모두 개방된 외관(30a)과 외관(30a)의 내측에 매입봉(30b)이 설치된다. 매입봉(30b)은 외관(30a)과 소정 간격(30e) 예컨대 0.2mm에서 3mm의 간격을 갖도록 다수의 지지부재(30c)에 의해 지지된다. 매입봉(30b)은 외관(30a)의 길이보다 짧은 길이를 갖되 전단이 외관(30a)과 일치되게 매입 설치된다. 그리고 매입봉(30b)의 후단은 경사(30d)를 갖는 원뿔형상을 갖는다.
이와 같이, 가스 노즐(30)이 좁은 간격을 통해 공정 가스를 배출하게 되는 경우, 이 좁은 간격으로는 플라즈마 가스가 역으로 유입되지 않아 불순물이 가스 노즐의 내측으로 증착되는 것을 방지한다. 가스 노즐(30)은 전기적 절연체 예컨대, 세라믹 또는 알루미나 등으로 구성할 수 있다.
본 발명은 상술한바와 같은 플라즈마 프로세스 챔버의 가스 노즐의 구조를 좀더 발전시켜 불순물의 증착을 더욱 효과적으로 방지할 수 있는 가스 노즐을 제공한다. 본 발명의 가스 노즐은 상술한 HDP CVD 챔버뿐만 아니라 그 외에도 가스 노즐을 사용하는 모든 종류의 플라즈마 프로세스 챔버에 모두 적용가능하다.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 제1 실시예에 따른 가스 노즐의 사시도, 정면도 및 단면도이고, 도 4a 및 도 4b는 도 3a의 가스 노즐의 변형예를 보여주는 사시도이다.
도면을 참조하여, 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 프로세스 챔버의 가스 노즐(50)은 소정 길이를 갖고 전단과 후단이 모두 개방된 관통형의 외관(50a)과 외관(50a)의 내측에 매입봉(50b)이 설치된다. 매입봉(530b)은 외관(50a)과 소정 간격(50e) 예컨대 0.2mm에서 3mm의 간격을 갖도록 다수의 지지부재(50c)에 의해 지지된다. 지지부재(50c)는 매입봉(50b)과 일체로 구성될 수 있으며, 매입봉(50b)의 외주면을 따라 90°간격으로 방사형 구조로 배치될 수 있다. 매입봉(50b)은 외관(50a)의 길이보다 짧은 길이를 갖되 외관(50a)의 출구 전단과 일치되게 정렬되도록 매입 설치된다. 매입봉(30b)의 후단은 경사(30d)를 갖는 원뿔 형상을 갖는다.
가스 노즐(50)은 외관(50a)과 매입봉(50b) 사이의 간격(50e)이 환형을 갖게 되는데 제1 실시예에 따른 가스 노즐(50a)은 환형으로 형성되는 가스 노즐의 전면 출구의 간격(50e)을 다수로 분할할 수 있도록 또 다른 다수의 지지부재(50f)를 설치한다. 예를 들어, 방사형으로 배치된 4개의 또 다른 지지부재(50f)를 가스 노즐(50)의 출구에 90°간격으로 설치할 수 있고, 도 4a에 도시된 바와 같이, 방사형으로 배치되는 8개의 또 다른 지지부재(50f)를 일정 간격으로 설치할 수 있다. 이때, 도 3d에 도시된 바와 같이 가스 노즐(50)의 출구에 설치되는 다수의 지지부재(50g)는 그 길이를 비교적 길게 할 수 있다. 여기서, 도 4b에 도시된 바와 같이, 매입봉(50b')은 그 중심에 길이 방향으로 관통된 홀(50h)이 형성될 수 있으며, 이 홀(50h)을 통하여도 가스가 배출되도록 할 수도 있다.
이와 같은 본 발명의 제1 실시예에 따른 가스 노즐(50)은 전면 출구의 환형으로 형성되는 간격(50e)을 다수로 분할하는 다수의 또 다른 지지부재(50f)를 설치함으로서 노즐 내부로 플라즈마 가스가 유입되는 것을 더욱 효과적으로 막을 수 있어 불순물이 노즐 내측으로 증착되는 것을 방지하게 된다. 즉, 다수의 지지부재(50f)는 지지 기능뿐만 아니라 가스 노즐(50)의 입구를 더욱 좁게 분할하여 플라즈마 가스가 역으로 유입되는 것을 더욱 어렵게 한다.
도 5a 내지 도 5c는 본 발명의 제2 실시예에 따른 가스 노즐의 사시도, 정면도 및 단면도이고, 도 6a 및 도 6b는 도 5a의 가스 노즐의 변형예를 보여주는 사시도이다.
도면을 참조하여, 본 발명의 제2 실시예에 따른 플라즈마 프로세스 챔버의 가스 노즐(60)은 소정 길이를 갖고 전단과 후단이 모두 개방된 관통형의 외관(60a)과 그 내측에 삽입 장착되는 관통형의 내관(60f) 그리고 내관(60f)의 내측에 삽입 장착되는 매입봉(60b)을 구비한다. 이 실시예에서는 하나의 내관(60f)이 외관(60a)의 내측에 삽입되는 구성을 도시하였으나, 서로 다른 내경을 갖는 복수개의 내관이 순차적으로 중첩 매입될 수 있고 가장 안쪽의 내관에 매입봉(60b)이 삽입될 수 있다.
외관(60a)과 내관(60f) 그리고 매입봉(60b) 사이의 간격(60e)은 각기 0.2mm에서 3mm의 간격을 갖도록 다수의 지지부재(60c)에 의해 지지된다. 다수의 지지부재(60c)는 각기 내관(60f) 및 매입봉(60b)에 일체로 구성될 수 있으며, 내관(60f) 및 매입봉(60b)의 외주면을 따라 방사형으로 90°간격으로 배치될 수 있다. 내관(60f)과 매입봉(60b)은 외관(60a)의 길이보다 짧은 길이를 갖되 전체적으로 외관(60a)의 출구 전단과 일치되게 정렬된다. 매입봉(30b)의 후단은 경사(30d)를 갖는 원뿔 형상을 갖는다. 원뿔 형상을 갖도록 함으로서 가스 흐름을 막는 저항을 보다 적게 할 수 있다.
도 6a 및 도 6b에 도시된 바와 같이, 가스 노즐(60)은 전면 출구의 환형으로 형성되는 간격(60e)을 다수로 분할할 수 있도록 또 다른 다수의 지지부재(60g)를 설치할 수 있다. 예를 들어, 도 6a에 도시된 바와 같이 각 간격에 각기 4개의 또 다른 지지부재(60g)를 90°간격으로 배치할 수 있다. 또는 도 6b에 도시된 바와 같이, 내측 간격에 4개의 또 다른 지지 부재를 방사형으로 90°간격으로 배치하고 외측 간격에는 8개의 또 다른 지지부재를 방사형으로 균등 간격으로 설치할 수 있다.
도 7a 내지 도 7c는 본 발명의 제3 실시예에 따른 가스 노즐의 사시도, 정면도 및 단면도이고, 도 8a 및 도 8b는 도 7a의 가스 노즐의 변형예를 보여주는 사시도이다.
도면을 참조하여, 본 발명의 제3 실시예에 따른 플라즈마 프로세스 챔버의 가스 노즐(70)은 소정 길이를 갖고 전단과 후단이 모두 개방된 관통형의 외관(70a)과 그 내측에 순차적으로 삽입 장착되는 관통형의 제1 내관(70b) 및 제2 내관(70c)이 장착된다. 이 실시예에서는 서로 다른 내경을 갖는 두 개의 제1 및 제2 내관(70b, 70c)이 외관(60a)의 내측에 순차적으로 매입되는 구성을 도시하였으나, 서로 다른 내경을 갖는 둘 이상의 내관이 순차적으로 매입되어 중첩될 수 있다.
외관(70a)과 제1 및 제2 내관(70b, 70c) 사이의 간격(70e)은 각기 0.2mm에서 3mm의 간격을 갖도록 다수의 지지부재(70c)에 의해 지지된다. 가장 안쪽의 제2 내관(70c)의 내경(70f)은 각기 0.2mm에서 3mm를 갖도록 한다. 다수의 지지부재(60c)는 각기 제1 및 제2 내관(70b, 70c)에 일체로 구성될 수 있으며, 외주면을 따라 방사형으로 90°간격으로 배치될 수 있다. 제1 및 제2 내관(70b, 70c)은 외관(70a)의 길이보다 짧은 길이를 갖되 전체적으로 외관(70a)의 출구 전단과 일치되게 정렬된다.
도 8a 및 도 8b에 도시된 바와 같이, 가스 노즐(70)은 전면 입구의 환형으로 형성되는 간격(70e)을 다수로 분할할 수 있도록 또 다른 다수의 지지부재(70g)를 방사형으로 설치할 수 있다. 예를 들어, 도 8a에 도시된 바와 같이, 각 간격에 각기 4개의 또 다른 지지부재(70g)를 방사형으로 90°간격으로 배치할 수 있다. 또는, 도 8b에 도시된 바와 같이, 내측 간격에 4개의 또 다른 지지 부재를 방사형으로 90°간격으로 배치하고 외측 간격에는 8개의 또 다른 지지부재를 방사형으로 균등 간격으로 설치할 수 있다.
도 9a 내지 도 9c는 본 발명의 제4 실시예에 따른 가스 노즐의 사시도, 정면도 및 단면도이다.
도면을 참조하여, 본 발명의 제4 실시예에 따른 플라즈마 프로세스 챔버의 가스 노즐(90)은 소정 길이를 갖고 전단과 후단이 모두 개방된 관통형의 외관(90a)과 그 내측에 삽입 장착되는 관통형의 내관(90b)이 장착된다. 이 실시예에서는 하나의 내관(90b)이 외관(60a)의 내측에 삽입되는 구성을 도시하였으나, 서로 다른 내경을 갖는 둘 이상의 내관이 순차적으로 매입되어 중첩될 수 있다.
외관(90a)과 내관(90b) 사이의 간격(90d)은 0.2mm에서 3mm의 간격을 갖도록 방사형으로 배치된 다수의 지지부재(90c)에 의해 지지된다. 내관(90c)의 내경(90e)은 0.2mm에서 3mm를 갖도록 한다. 다수의 지지부재(90c)는 내관(90c)에 일체로 구성될 수 있으며, 외주면을 따라 90°간격으로 배치될 수 있다. 내관(90b)은 외관(90a)의 길이와 동일하거나 짧은 길이를 갖되 외관(90a)의 전단으로 대략 1mm 내지 10mm가 돌출된다.
도 10a 내지 도 10c는 본 발명의 제5 실시예에 따른 가스 노즐의 사시도, 정면도 및 단면도이다.
도면을 참조하여, 본 발명의 제5 실시예에 따른 플라즈마 프로세스 챔버의 가스 노즐(100)은 소정 길이를 갖고 전단과 후단이 모두 개방된 관통형의 외관(100a)과 그 내측에 삽입 장착되는 관통형의 내관(100b)이 장착된다. 이 실시예에서는 하나의 내관(100b)이 외관(100a)의 내측에 삽입되는 구성을 도시하였으나, 둘 이상의 내관이 순차적으로 삽입되어 중첩될 수 있다.
외관(100a)과 내관(100b) 사이의 간격(100d)은 0.2mm에서 3mm의 간격을 갖도록 다수의 지지부재(100c)에 의해 지지된다. 내관(100c)의 내경(100e)은 0.2mm에서 3mm를 갖도록 한다. 다수의 지지부재(100c)는 내관(100c)에 일체로 구성될 수 있으며, 외주면을 따라 방사형으로 90°간격으로 배치될 수 있다. 내관(100b)은 외관(100a)의 길이 보다 짧은 길이를 갖고 외관(90a)의 전단에서 대략 1mm 내지 10mm 후방에 설치된다.
이상과 같이, 본 발명의 제1 내지 제5 실시예와 그 변형예들에 따른 가스 노즐은 그 전면 입구가 좁은 간격을 갖도록 되어 있어서 그 좁은 간격으로는 플라즈마 가스가 역으로 유입되지 않아 불순물이 가스 노즐의 내측으로 증착되는 것을 방지한다. 더욱이, 다수의 지지부재는 지지 기능뿐만 아니라 가스 노즐의 내부 간격을 더욱 좁게 분할하여 플라즈마 가스가 역으로 유입되는 것을 더욱 어렵게 한다.
가스 노즐은 전기적 절연체 예컨대, 세라믹 또는 알루미나 등으로 구성할 수 있다. 본 발명의 가스 노즐은 플라즈마 프로세스 챔버의 내부에 장착되는데 그 장착 위치는 본 발명에 있어서 한정적인 요소가 아님으로 구체적인 설명은 생략한다.
이상에서 본 발명에 따른 플라즈마 프로세스 챔버의 가스 노즐의 구성 및 작용을 상기한 설명 및 도면에 따라 도시하였으나, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화 및 변경이 가능하며 각 실시예들은 상호 복합적으로 응용하여 구성이 가능함은 물론이다.
이상에서 상세하게 설명한 바에 의하면, 본 발명의 플라즈마 프로세스 챔버의 가스 노즐은 그 내측으로 플라즈마 가스가 유입되는 것을 막아 내부에 불순물이 증착되는 것을 방지하여 프로세스 챔버의 세정 시간을 단축시켜 공정 수율을 향상 시키는 효과가 있다.

Claims (12)

  1. 플라즈마 프로세스 챔버의 내부에 장착되어 챔버 내부에 공정 가스를 분사하는 다수의 가스 노즐에 있어서,
    소정 길이를 갖고 전단과 후단이 모두 개방된 관통형의 외관;
    상기 외관의 내측에 순차적으로 매입 설치되도록 서로 다른 내경을 갖고, 전단과 후단이 모두 개방된 하나 이상의 관통형의 내관; 및
    외관과 하나 이상의 내관이 각기 소정 간격을 갖도록 함과 아울러 노즐 내부의 간격을 더욱 좁게 분할하도록 내관의 외주면에 방사형으로 설치되는 다수의 지지부재를 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 프로세스 챔버의 가스 노즐.
  2. 제1항에 있어서, 가장 안쪽의 내관의 내측에 매입 설치되는 매입봉을 더 포함하고, 가장 안쪽의 내관과 매입봉은 다른 다수의 지지부재에 의해 지지되어 소정 간격을 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 프로세스 챔버의 가스 노즐.
  3. 제1항에 있어서, 상기 내관은 외관 길이 이하의 길이를 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 프로세스 챔버의 가스 노즐.
  4. 제1항에 있어서, 상기 내관은 외관의 전단과 일치하거나 전방으로 돌출되거나 또는 후방으로 후진된 것 중 어느 하나로 위치하는 것을 특징으로 하는 플라즈 마 프로세스 챔버의 가스 노즐.
  5. 제1항에 있어서, 가스 노즐의 전면 출구의 간격을 방사형으로 다수 분할하도록 외관과 하나 이상의 내관 사이에 각기 설치되는 또 다른 다수의 지지부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 프로세스 챔버의 가스 노즐.
  6. 제2항에 있어서, 매입봉의 후단은 경사를 갖고 전체적으로 원뿔형상을 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 프로세스 챔버의 가스 노즐.
  7. 제1항에 있어서, 상기 가스 노즐은 각각 전기적 절연체로 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 프로세스 챔버의 가스 노즐.
  8. 제7항에 있어서, 상기 전기적 절연체는 세라믹 또는 알루미나 중 어느 하나로 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 프로세스 챔버의 가스 노즐.
  9. 플라즈마 프로세스 챔버의 내부에 장착되어 챔버 내부에 공정 가스를 분사하는 다수의 가스 노즐에 있어서,
    소정 길이를 갖고 전단과 후단이 모두 개방된 관통형의 외관;
    상기 외관의 내측에 설치되는 매입봉;
    외관과 매입봉이 소정 간격을 갖도록 함과 아울러 노즐의 내부의 간격을 더욱 좁게 분할하도록 매입봉의 외주면에 방사형으로 설치되는 다수의 지지부재; 및
    가스 노즐의 전면 출구에 환형으로 형성된 외관과 매입봉 사이의 간격에 설치되어 외관과 매입봉을 지지함과 아울러 출구를 보다 좁게 다수로 분할하도록 외관과 매입봉 사이에 설치되는 다른 다수의 지지부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 프로세스 챔버의 가스 노즐.
  10. 제9항에 있어서, 상기 매입봉은 길이 방향으로 그 중심부에 가스 흐름 경로를 제공하도록 관통된 홀이 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 프로세스 챔버의 가스 노즐.
  11. 제9항에 있어서, 상기 가스 노즐은 각각 전기적 절연체로 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 프로세스 챔버의 가스 노즐.
  12. 제11항에 있어서, 상기 전기적 절연체는 세라믹 또는 알루미나 중 어느 하나로 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 프로세스 챔버의 가스 노즐.
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