KR20040103623A

KR20040103623A - 반도체소자 제조설비의 공정가스 공급시스템

Info

Publication number: KR20040103623A
Application number: KR1020030034665A
Authority: KR
Inventors: 문준태
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2003-05-30
Filing date: 2003-05-30
Publication date: 2004-12-09
Also published as: KR100513399B1

Abstract

본 발명은 강제 기화시킨 TiCl₄(사염화탈륨) 등 유동이 부자연스러운 소스가스에 대하여 헬륨 등의 활성가스를 공급하여 그 유동을 돕도록 함에 있어서, 활성가스를 그 공급과정에서 분리 추출하여 소스가스의 순도를 높여 공급토록 함으로써 공정불량을 방지하도록 하는 반도체소자 제조설비의 공정가스 공급시스템에 관한 것으로서, 이에 대한 특징적인 구성은, 소스가스 또는 소스가스의 전구체를 기화시켜 수용하는 저장조와; 상기 저장조에 연결하여 기화한 소스가스의 유동을 활성화시키도록 소정 압력으로 활성가스를 공급하는 활성가스 공급부와; 상기 저장조와 공정챔버 사이를 연결한 공정가스 공급라인 상에 설치하여 활성가스가 혼합된 소스가스로부터 활성가스를 분리 추출토록 하는 가스분리부; 및 상기 저장조와 활성가스 공급라인을 통한 활성가스의 공급 및 가스분리부를 제어하는 콘트롤러로 이루어진다. 이에 따르면, 가스분리부에서 활성가스의 분리과정을 거쳐 그 공급량을 제어토록 함으로써 소스가스 즉, TiCl₄의 순도를 높이고, 설정된 공급량을 이루도록 함으로써 그에 따른 공정불량이 방지될 뿐 아니라 반도체소자 제조수율과 제품의 품질이 향상되는 효과가 있다.

Description

반도체소자 제조설비의 공정가스 공급시스템{process gas flow system of semiconductor device manufacturing equipment}

본 발명은 강제 기화시킨 TiCl₄(사염화탈륨) 등 유동이 부자연스러운 소스가스에 대하여 헬륨 등의 활성가스를 공급하여 그 유동을 돕도록 하는 과정에서 활성가스를 그 공급과정에서 분리 추출하여 소스가스의 순도를 높여 공급토록 함으로써 공정불량을 방지하도록 하는 반도체소자 제조설비의 공정가스 공급시스템에 관한 것이다.

일반적으로 반도체소자 제조를 위한 식각, 애싱, 확산, 화학기상증착 및 금속증착 등의 공정은 각각 특정한 공정분위기를 형성하여 공급한 공정가스로 하여금 웨이퍼 상에서 반응토록 하거나 그 반응을 보조토록 하는 것이 대체적이다.

이러한 반도체소자 제조공정에 있어서, 공정가스는 제조되는 반도체소자의특성을 결정하는 주요 변수로 작용함에 따라 공정의 진행 과정에서 안정된 공정 분위기를 비롯하여 공정가스 공급량과 공급압력 및 고순도 등의 조건을 필요로 한다.

한편, 상술한 공정가스로는 공정의 특성에 따라 다양한 형태의 것이 있으며, 여기서는 자연 상태에서 기체로 존재하기 어려운 것이나 그 공급에 따른 유동이 부자연스러운 소스가스에 활성가스를 혼합시켜 공급토록 하는 것에 대하여 설명하기로 한다.

또한, 상술한 소스가스의 일 예로서, 커패시터 등의 전극막을 형성하기 위하여 사용되는 TiCl₄(사염화 탈륨)와 같이 액체 상태에서 기체 상태로 상변환시킨 것으로 하고, 이 소스가스의 유동을 돕기 위한 활성가스로는 헬륨(He)을 이용하는 것에 대하여 설명하기로 한다.

먼저, 종래 기술에 따른 공정가스 공급시스템(10)은, 도 1에 도시한 바와 같이, 반도체소자 제조설비(M)로부터 이격된 위치에 소스가스로서 기체 상태의 TiCl₄또는 액체 상태의 TiCl₄를 수용하여 기화시켜 저장하는 저장조(12)가 있고, 이 저장조(12)는 반도체소자 제조설비(M)의 공정챔버(P)와 공정가스 공급라인(14)으로 연결하고 있다.

또한, 저장조(12)의 측부에는 저장조(12) 내에서 기화한 TiCl₄의 유동을 돕도록 하기 위하여 활성가스로서 헬륨(He)을 공급하는 활성가스 공급부(14)가 활성가스 공급라인(16)으로 연결되어 있다.

이러한 구성에서 공정챔버(P) 내에 웨이퍼(W) 투입에 따른 공정 분위기가 형성되면, 콘트롤러(도시 안됨)는 저장조(12) 내에 활성가스를 공급하여 충분한 압력 분위기를 형성시키고, 이때 저장조(12) 내의 기화한 TiCl₄는 활성가스와 혼합되어 압력 분위기에 의해 공정가스 공급라인(18)을 통해 공정챔버(P)로 유동한다.

그러나, 상술한 바와 같이, 공정가스 공급라인(18)을 통해 공정챔버(P)로 유동하는 공정가스에는 공정에 관여하지 않는 활성가스가 소스가스인 TiCl₄에 불특정 비율로 혼합되어 있어 TiCl₄의 정량 공급에 대한 정확한 제어가 어렵다.

따라서, 공정진행에 따른 단위 시간 내에 활성가스의 혼합비율에 따라 TiCl₄의 공급량이 과도하거나 미비할 수 있을 뿐 아니라 그 공급량이 불연속적이어서 공정불량을 야기하고, 이것은 제조되는 반도체소자의 품질 특성을 저하시킬 뿐 아니라 반도체소자 제조수율의 저하를 초래한다.

본 발명의 목적은, 상술한 종래 기술에 따른 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 유동이 부자연스러운 소스가스의 유동을 돕기 위해 혼합되었던 활성가스를 그 공급과정에서 분리 추출토록 함으로써 공정에 관여하는 소스가스의 순도를 높이고, 소스가스의 계속적이고도 안정적인 공급이 이루어지도록 하며, 정확한 설정범위의 공급량 제어로 공정불량을 방지하고, 그에 따른 제품의 품질과 반도체소자 제조수율을 향상시키도록 하는 반도체소자 제조설비의 공정가스 공급시스템을 제공함에 있다.

도 1은 종래의 반도체소자 제조설비의 공정가스 공급시스템을 개략적으로 나타낸 구성도이다.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 공정가스 공급시스템을 개략적으로 나타낸 구성도이다.

도 3은 도 2에 도시한 가스분리부의 일 실시 구성을 개략적으로 나타낸 단면도이다.

도 4는 도 2에 도시한 가스분리부의 다른 실시 구성을 개략적으로 나타낸 단면도이다.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *

10, 20: 공정가스 공급시스템 12, 22: 저장조

14, 24: 활성가스 공급부 16, 26: 활성가스 공급라인

18, 28: 공정가스 공급라인 30a, 30b: 가스분리부

32: 유량계 34: 압력센서

36a, 36b: 제어밸브 38: 버퍼챔버

40, 52: 가스분리막 42: 압력분리부

44: 챔버 46, 62: 진공챔버

48: 배기라인 50: 주챔버

54: 부챔버 56: 제 1 분리관

58: 제 2 분리관 60: 컴프레서

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징은, 소스가스 또는 소스가스의 전구체를 기화시켜 수용하는 저장조와; 상기 저장조에 연결하여 소스가스의 활성화를 돕도록 활성가스를 공급하는 활성가스 공급부와; 상기 저장조와 공정챔버 사이를 연결한 공정가스 공급라인 상에 설치하여 활성가스와 소스가스가 혼합된 공정가스로부터 활성가스를 분리 추출토록 하는 가스분리부; 및 상기 저장조와 활성가스 공급라인을 통한 활성가스의 공급 및 가스분리부를 제어하는 콘트롤러로 이루어진다.

또한, 상기 가스분리부를 거쳐 상기 공정챔버로 이어지는 상기 공정가스 공급라인 상에 소스가스의 유동량을 감지하여 상기 콘트롤러에 그 신호를 인가토록 하는 유량계 또는 상기 공정가스 공급라인 상에 소스가스의 압력을 감지하여 상기 콘트롤러에 그 신호를 인가토록 하는 압력센서를 더 구비함이 바람직하다.

그리고, 상기 공정가스 공급라인 상에 상기 콘트롤러의 제어신호에 따라 상기 공정가스 공급라인 내부의 압력과 소스가스의 유동량을 제어하기 위한 제어밸브를 적어도 하나 이상 더 구비하고, 이들 제어밸브를 두 개 이상의 개수로 설치할 때 그 사이의 상기 공정가스 공급라인 상에 활성가스의 분리가 이루어진 소스가스를 소정 용량으로 수용하는 버퍼챔버 또는 활성가스의 분리가 이루어진 소스가스에 대한 유동압을 제공하는 컴프레서를 더 구비토록 함이 바람직하다.

한편, 상기 가스분리부는 상기 저장조로부터 상호 혼합되어 유동하는 활성가스와 소스가스 중 어느 하나의 통과가 가능한 가스분리막과; 상기 가스분리막에 의해 구분 구획한 양측 부위에 대하여 상호 압력 차이를 갖도록 하는 압력분리부로이루어질 수 있다.

이때 상기 가스분리막은 상기 소스가스를 TiCl₄로 하고, 상기 활성가스를 헬륨으로 하여 상기 헬륨의 통과가 이루어지는 고분자분리막을 적용할 수 있다.

또한, 상기 압력분리부는 상기 공정가스 공급라인을 통해 상기 저장조로부터 유도되는 활성가스가 혼합된 소스가스를 일시적으로 수용하는 주챔버와; 상기 주챔버 내부에 대하여 가스분리막으로 경계를 갖도록 분리 구획하는 부챔버와; 상기 주챔버에 연결한 제 1 분리관; 및 상기 부챔버에 연결하고, 상기 주챔버 외측으로 관통시켜 연장한 제 2 분리관으로 이루어진다.

이에 더하여 상기 압력분리부에는 상기 저장조로부터 연장된 상기 공정가스 공급라인 상에 설치하여 활성가스가 혼합된 소스가스를 상기 주챔버로 압송시키도록 하는 컴프레서를 더 구비토록 하거나 상기 제 2 분리관 상에 설치하여 상기 부챔버 내부에 진공압을 제공하는 진공펌프를 더 구비하는 것 중 어느 하나 또는 이들을 조합한 것으로 이루어질 수 있다.

그리고, 상기 제 1 분리관과 제 2 분리관 중 어느 하나는 상기 공정챔버로 이어지는 상기 공정가스 공급라인과 연결하고, 다른 하나는 배출부로 이어지는 배관과 연결토록 하며, 여기서, 상기 배출부는 제조설비의 로드락부에 대하여 진공압을 제공하는 배기라인으로 하여 활성가스의 역류에 따른 공정챔버의 오염 가능성을 줄이도록 함이 바람직하다.

이하, 본 발명의 실시예에 따른 반도체소자 제조설비의 공정가스 공급시스템에 대하여 첨부한 도면을 참조하여 설명하기로 한다.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 공정가스 공급시스템을 개략적으로 나타낸 구성도이고, 도 3과 도 4는 도 2에 도시한 가스분리부의 각 실시 구성을 개략적으로 나타낸 단면도로서, 종래와 동일한 부분에 대하여 동일한 부호를 부여하고, 그에 따른 상세한 설명은 생략하기로 한다.

본 발명에 따른 반도체소자 제조설비의 공정가스 공급시스템을 설명함에 앞서, 단위 공정을 수행하는 반도체소자 제조설비의 구성을 살펴보면, 도 2에 도시한 바와 같이, 생산라인과 접하는 도어(D1, D2)의 개방에 따라 복수 웨이퍼(W)를 탑재한 카세트(C)의 로딩 및 언로딩이 이루어지는 로드락챔버(L1, L2)를 구비한다.

또한, 로드락챔버(L1, L2)의 다른 측부는 다른 도어(D3, D4)의 개방에 의해 이웃하는 트랜스퍼챔버(T)와 연통하고, 이 트랜스퍼챔버(T)는 다른 측부를 통해 웨이퍼(W)에 대하여 공정을 수행하는 복수의 공정챔버(P)와 그 공정진행에 보조하는 보조챔버(A)들과 또 다른 도어(D)의 개방으로부터 연통한다.

그리고, 트랜스퍼챔버(T)는 내부에 로봇(R)을 구비하고 있으며, 이 로봇(R)은 로드락챔버(L1, L2) 내의 웨이퍼(W)를 인출하여 복수 공정챔버(P)와 보조챔버(A)에 대하여 선택적인 투입과 인출 및 로드락챔버(L1, L2) 내의 카세트(C)에 다시 탑재토록 하는 일련의 이송과정을 담당한다.

이에 더하여 상술한 로드락챔버(L1, L2), 트랜스퍼챔버(T), 공정챔버(P), 보조챔버(A) 등은 각각 소망하는 진공압 수준을 형성하기 위하여 복수 진공압 제공부(V1, V2, V3, …)에 대응 연결한 구성을 이루고, 이때 로드락챔버(L1, L2)와대응하는 진공압 제공부(V1, V2, V3, …)는 다른 챔버(P, T, A)들로부터 구분하고 있으며, 이것은 진공압 제공부(V1, V2, V3, …)의 손상으로부터 공정챔버(P)를 포함한 반도체소자 제조설비(M)의 오염을 줄이기 위한 것이다.

한편, 상술한 반도체소자 제조설비(M)에 대한 공정가스 공급시스템(20)은, 제조설비(M)로부터 이격된 위치에 소정양의 소스가스 또는 소스가스의 전구체를 기화시켜 수용하는 저장조(22)를 구비하고, 이 저장조(22)는 소스가스의 유동 즉, 활성화를 돕기 위하여 활성가스를 소정 압력으로 공급하는 활성가스 공급부(24)가 활성가스 공급라인(26)으로 연결하여 있다.

또한, 저장조(22)는 상술한 제조설비의 공정챔버(P)와 공정가스 공급라인(28)으로 연결하고 있으며, 이 공정가스 공급라인(28) 상에는 활성가스와 소스가스가 혼합된 공정가스로부터 활성가스를 분리 추출토록 하는 가스분리부(30a, 30b)를 구비하고 있다.

여기서, 상술한 가스분리부(30a, 30b)에 연이은 공정가스 공급라인(28) 상의 가스는 가스분리부(30a, 30b)의 이에 활성가스의 분리가 이루어진 것으로 하여 편의상 소스가스로 명명하기로 한다.

이에 더하여 상술한 가스분리부(30a, 30b)를 거쳐 공정챔버(P)로 이어지는 공정가스 공급라인(28)의 구간에는 그 내부를 통한 소스가스의 유동량을 감지하는 유량계(32)와 공정가스 공급라인(28) 내부의 소스가스 유동에 따른 압력을 감지하는 압력센서(34) 및 소스가스의 유동량과 그 유동에 따른 압력을 제어하기 위한 복수개의 제어밸브(36a, 36b)들을 구비한다.

그리고, 상술한 유량계(32)와 압력센서(34)는 감지한 신호를 콘트롤러(도시 안됨)에 인가하여 상술한 저장조(22), 활성가스 공급부(24), 가스분리부(30) 및 제어밸브(36a, 36b)의 구동을 제어토록 한다.

이때 상술한 제어밸브(36a, 36b)를 소정 간격으로 두 개 이상의 개수로 설치한 경우 그 사이 구간의 공정가스 공급라인(28) 상에는 활성가스의 분리가 이루어진 소스가스를 소정 용량으로 수용토록 하는 버퍼챔버(38)를 더 구비하여 이루어질 수 있고, 또는 활성가스의 분리가 이루어진 소스가스에 대한 유동압을 제공하는 컴프레서(도시 안됨)를 더 구비한 구성으로 이루어질 수도 있다.

한편, 상술한 가스분리부(30a, 30b)의 원리는, 1980년경에 실용화가 이루어진 중공사막 기술을 응용하여 병원 수술실의 무균수 수세장치, 원자력 발전소의 터빈복수 여과장치, 반도체소자 제조공정의 초순수용 필터 등에 사용된 막분리 기술을 응용한 것이다.

이러한 막분리 기술로는 역삼투법, 나노여과막, 한외여과막, 정밀여과막 등에 대표되는 액상 분리와 혼합 기체로부터 소망하는 분자 크기를 갖는 기체를 분리 추출토록 하는 것이 있으며, 여기서는 상술한 바와 같이, 활성가스와 소스가스가 혼합된 공정가스의 유동으로부터 활성가스를 분리 추출토록 하는 기체 분리 기술을 도입한 것이다.

상술한 기체 분리의 원리는 분리막을 사이에 두고, 이 분리막을 기준으로 하여 구분한 양측이 서로 다른 압력분위기에 있도록 함으로써 소망하는 기체 또는 혼합된 다른 기체가 고압에서 저압 분위기로 투과하도록 함으로써 소망하는 기체의농도 비율을 차별화시킨 것이다.

이때 소망하는 기체의 확보를 위한 주요사항은, 소망하는 기체 또는 소망하는 기체와 혼합된 다른 기체 중 어느 하나에 대한 상대적인 투과유량이 큰 막의 개발에 있으며, 소정의 투과유량을 갖는 고분자막으로부터의 기체의 투과는 이미 알려진 아래의 수식 1에 따른다.

(수식 1)

J = 투과유량(㏄/sec)

A = 막 면적(㎠)

P = 투과계수(㏄㎝/㎤·sec·㎝Hg)

ΔP = 막 양측의 압력차(㎝Hg)

L = 막 두께(㎝)

따라서, 투과유량을 많게 하기 위해서는 고 투과성의 재료 개발, 유효면적을 증대시키는 막 형상의 개발 및 막 두께를 얇게 하는 극 박막화 기술을 필요로 하고, 이들 기체 분리막의 재료로는 실리콘(silicon)계, 올레핀(olefin)계, 불소계, 페니렌에테르(PPE)계 등의 폴리머가 보고되고 있으며, 이들 중 실리콘계 중합체가 그 주류를 이루고 있다.

이러한 농도비의 소망 기체의 추출은 구동계 예를 들어 진공펌프 또는 컴프레서 중 어느 하나 또는 이들의 조합으로부터 간단한 압력비를 형성시키는 것으로이루어질 수 있는 간편한 방식의 것이라 할 수 있다.

따라서, 본 발명에서와 같이, 공정가스 공급라인(28)을 통해 유동하는 공정가스 중 종래 기술의 설명에서 제시한 바와 같이, 소스가스인 TiCl₄와 활성가스인 헬륨(He)의 2 종의 기체가 혼합된 것에 대하여 TiCl₄는 헬륨에 비교하여 그 분자 크기 때문에 가스분리막(40, HH)을 이용하여 헬륨을 분리 추출하기 용이한 관계에 있다.

상술한 바와 같이, 소스가스로서 TiCl₄에 대하여 활성가스인 헬륨을 분리하는 것으로 설명하지만 이러한 기술 사상은 TiCl₄와 헬륨을 혼합한 공정가스에 한정되지 않고, 다른 공정가스로부터 공정에 관여하지 않는 또는 공정에 불필요한 가스를 분리 추출토록 하는 공정가스 공급에 대하여 그 적용이 가능함은 명백한 것이다.

그리고, 상술한 바와 같이, 가스분리막(40, HH)을 통해 TiCl₄로부터 헬륨을 분리하여 TiCl₄만을 구하는 기술 사상으로 설명하겠으나, 역시 이에 한정되니 않으며, 상대적으로 다른 가스분리막(40, HH)을 통하여 분자의 크기가 작은 소스가스를 구하는 것에 대하여도 본 발명의 기술 사상 범위에 있음은 명백한 것이다.

이상에서 밝힌 가스분리막(40, HH)을 이용하는 가스분리부(30a, 30b)의 구성 중 도 3에 도시한 가스분리부(30a)의 구성은, 상술한 저장조(22)에서 공정챔버(P)로 이어지는 공정가스 공급라인(28)의 일정 구간에 대하여 가스분리막(40)으로 이루어진 관을 연결시키고, 이렇게 연결한 가스분리막(40)의 외측 부위는 가스분리막(40) 내부와 압력 차이를 갖도록 하는 압력분리부(42)를 형성하여 이루어진다.

또한, 상술한 압력분리부(42)는 가스분리막(40)이 설치된 외측 부위를 기밀 유지토록 구획하는 챔버(44)를 구비하고, 이 챔버(44)의 일측에는 콘트롤러의 제어신호에 따라 챔버(44) 내부에 진공압을 제공하는 진공펌프(46)가 배기라인(48)으로 연결한 구성으로 이루어질 수 있다.

한편 도 4에 도시한 가스분리부(30b)의 구성은, 저장조(22)로부터 공정가스 공급라인(28)을 통해 유동하는 소스가스와 활성가스 소정량을 일시적으로 수용하는 주챔버(50)를 구비하고, 이 주챔버(50) 내부에 대하여 가스분리막(52)으로 경계를 갖도록 분리 구획하는 부챔버(54)를 구비하며, 주챔버(50)의 일측으로부터 공정챔버(P)로 이어지는 공정가스 공급라인(28)과 연결하는 제 1 분리관(56)과 부챔버(54)와 연결하여 주챔버(50)와 구분되게 외측으로 관통시켜 연장한 제 2 분리관(58)을 갖는 구성으로 이루어질 수 있다.

이때 소스가스인 TiCl₄와 활성가스인 헬륨이 혼합된 공정가스 중 분자 크기가 작은 헬륨이 가스분리막(52)을 통해 분리 추출이 가능함에 따라 주챔버(50)와 연결한 제 1 분리관(56)은 가스분리부(30b) 이후의 공정챔버(P)로 이어지는 공정가스 공급라인(28)과 연결한다.

그리고, 상대적으로 부챔버(54)를 통해 분리 추출한 헬륨 즉, 활성가스는 반도체소자 제조설비(M)의 배기라인(V1, V2, V3)을 통해 배출토록 하기 위하여 제 2 분리관(58)을 배기라인(V1, V2, V3)과 연결함이 바람직하고, 이때 배기라인(V1, V2, V3)으로는 반도체소자 제조설비(M)의 구성 중 로드락챔버(L1, L2)에 진공압을 제공하는 배기라인(V3)에 연결토록 함으로써 헬륨의 역류에 대한 반도체소자 제조설비(M)의 오염을 방지토록 함이 바람직하다.

상술한 구성에 더하여 저장조(22)로부터 연장한 공정가스 공급라인(28) 상에 활성가스가 혼합된 소스가스를 도 3에 도시한 관 형상의 가스분리막(40) 또는 도 4에 도시한 주챔버(50)로 압송시키도록 하는 컴프레서(60)를 더 구비토록 함이 바람직하고, 또는 도 3에 도시한 챔버(44) 외측과 도 4에 도시한 부챔버(54)와 연통하는 배기라인(48) 또는 제 2 분리관(58) 상에 진공펌프(62)를 더 구비하는 것으로 구성함이 바람직하다.

이때 상술한 각 실시예의 컴프레서(60)와 진공펌프(62)는 가스분리막(40, 52)에 의해 구획 구분이 이루어진 부위에 대하여 압력 차이를 형성하기 위한 것으로 둘 중 어느 하나의 것을 설치하여 이루어질 수 있으나 그 효과를 보다 높이기 위해서는 이들 각각을 대응하는 부위에 병행 설치토록 함이 바람직하다.

따라서, 본 발명에 의하면, 가스분리부에서 활성가스의 분리과정을 거쳐 그 공급량을 제어토록 함으로써 소tm가스 즉, TiCl₄의 순도를 높이고, 설정된 공급량을이루도록 함으로써 그에 따른 공정불량이 방지될 뿐 아니라 반도체소자 제조수율의 향상과 제품의 품질이 향상되는 효과가 있다.

본 발명은 구체적인 실시예에 대해서만 상세히 설명하였지만 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 변형이나 변경할 수 있음은 본 발명이 속하는 분야의 당업자에게는 명백한 것이며, 그러한 변형이나 변경은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 할 것이다.

Claims

소스가스 또는 소스가스의 전구체를 기화시켜 수용하는 저장조와;

상기 저장조에 연결하여 소스가스의 활성화를 돕도록 활성가스를 공급하는 활성가스 공급부와;

상기 저장조와 공정챔버 사이를 연결한 공정가스 공급라인 상에 설치하여 활성가스와 소스가스가 혼합된 공정가스로부터 활성가스를 분리 추출토록 하는 가스분리부; 및

상기 저장조와 활성가스 공급라인을 통한 활성가스의 공급 및 가스분리부를 제어하는 콘트롤러로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체소자 제조설비의 공정가스 공급시스템.
제 1 항에 있어서,

상기 가스분리부를 거쳐 상기 공정챔버로 이어지는 상기 공정가스 공급라인 상에 소스가스의 유동량을 감지하여 상기 콘트롤러에 그 신호를 인가토록 하는 유량계를 더 구비하여 이루어짐을 특징으로 하는 상기 반도체소자 제조설비의 공정가스 공급시스템.
제 1 항에 있어서,

상기 가스분리부를 거쳐 상기 공정챔버로 이어지는 상기 공정가스 공급라인 상에 소스가스의 압력을 감지하여 상기 콘트롤러에 그 신호를 인가토록 하는 압력센서를 더 구비하여 이루어짐을 특징으로 하는 상기 반도체소자 제조설비의 공정가스 공급시스템.
제 1 항에 있어서,

상기 공정가스 공급라인 상에 상기 콘트롤러의 제어신호에 따라 상기 공정가스 공급라인 내부의 압력과 소스가스의 유동량을 제어하기 위한 제어밸브를 적어도 하나 이상 더 구비한 것을 특징으로 하는 상기 반도체소자 제조설비의 공정가스 공급시스템.
제 4 항에 있어서,

상기 제어밸브는 두 개 이상의 개수로 설치하고, 이들 사이의 상기 공정가스 공급라인 상에 활성가스의 분리가 이루어진 소스가스를 소정 용량으로 수용하는 버퍼챔버를 더 구비하여 이루어짐을 특징으로 하는 상기 반도체소자 제조설비의 공정가스 공급시스템.
제 4 항에 있어서,

상기 제어밸브는 두 개 이상의 개수로 설치하고, 이들 사이의 상기 공정가스 공급라인 상에 활성가스의 분리가 이루어진 소스가스에 대하여 유동압을 제공하는 컴프레서를 더 구비하여 이루어짐을 특징으로 하는 상기 반도체소자 제조설비의 공정가스 공급시스템.
제 1 항에 있어서,

상기 가스분리부는 상기 저장조로부터 상호 혼합되어 유동하는 활성가스와 소스가스 중 어느 하나의 통과가 가능한 가스분리막과; 상기 가스분리막에 의해 구분 구획한 양측 부위에 대하여 상호 압력 차이를 갖도록 하는 압력분리부로 이루어진 것을 특징으로 하는 상기 반도체소자 제조설비의 공정가스 공급시스템.
제 7 항에 있어서,

상기 가스분리막은 상기 소스가스를 TiCl₄로 하고, 상기 활성가스를 헬륨으로 하여 상기 헬륨의 통과가 이루어지는 고분자분리막임을 특징으로 하는 상기 반도체소자 제조설비의 공정가스 공급시스템.
제 7 항에 있어서,

상기 압력분리부는 상기 공정가스 공급라인을 통해 상기 저장조로부터 유도되는 활성가스가 혼합된 소스가스를 일시적으로 수용하는 주챔버와; 상기 주챔버 내부에 대하여 가스분리막으로 경계를 갖도록 분리 구획하는 부챔버와; 상기 주챔버에 연결한 제 1 분리관; 및 상기 부챔버에 연결하고, 상기 주챔버 외측으로 관통시켜 연장한 제 2 분리관으로 이루어짐을 특징으로 하는 상기 반도체소자 제조설비의 공정가스 공급시스템.
제 9 항에 있어서,

상기 압력분리부는 상기 저장조로부터 연장된 상기 공정가스 공급라인 상에 설치하여 활성가스와 소스가스가 혼합된 공정가스를 상기 주챔버로 압송시키도록 하는 컴프레서를 더 구비하여 이루어짐을 특징으로 하는 상기 반도체소자 제조설비의 공정가스 공급시스템.
제 9 항에 있어서,

상기 압력분리부는 상기 제 2 분리관 상에 설치하여 상기 부챔버 내부에 진공압을 제공하는 진공펌프를 더 구비하여 이루어짐을 특징으로 하는 상기 반도체소자 제조설비의 공정가스 공급시스템.
제 9 항에 있어서,

상기 제 1 분리관과 제 2 분리관 중 어느 하나는 상기 공정챔버로 이어지는 상기 공정가스 공급라인과 연결하고, 다른 하나는 배출부로 이어지는 배관과 연결하여 이루어짐을 특징으로 하는 상기 반도체소자 제조설비의 공정가스 공급시스템.
제 12 항에 있어서,

상기 배출부는 제조설비의 로드락부에 대하여 진공압을 제공하는 배기라인임을 특징으로 하는 상기 반도체소자 제조설비의 공정가스 공급시스템.