KR20040099930A - 프론트 라이트를 이용한 박막 트랜지스터형 이미지 센서 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
제조 공정을 단축시키고, 제조 비용을 절감하기 위하여, 본 발명은 복수의 단위 화소의 배열을 포함하는 센싱 어레이와 빛을 공급하는 광원을 구비하는 박막 트랜지스터형 이미지 센서에 있어서, 상기 단위 화소는, 기판 상의 소정 영역에 형성되며, 상기 광원으로부터 발산된 빛을 감지하는 광감지 소자; 상기 기판 상의 소정 영역에 형성되며, 상기 광감지 소자에 의해 그 전위 상태가 변화되는 스토리지 커패시터; 및 상기 기판 상의 소정 영역에 형성되며, 소정의 제어 신호에 응답하여, 상기 스토리지 커패시터의 전위 상태의 변화에 따른 신호를 전송하는 스위칭 소자를 포함하며, 상기 광원은, 상기 단위 화소의 표면상에 박막의 형태로 형성되며, 피사체의 접촉이 있는 경우 피사체측으로부터 상기 기판을 향하는 방향으로 빛을 공급하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터형 이미지 센서를 개시한다.
Description
본 발명은 프론트 라이트(front light)을 이용한 박막 트랜지스터(thin film transistor)형 이미지 센서(image sensor) 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 더욱 구체적으로는, 본 발명은 프론트 라이트의 도입으로, 마스크 공정을 단축하고, 제조 비용을 절감하는 것이 가능한 박막 트랜지스터형 이미지 센서 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 박막 트랜지스터형 이미지 센서는, 피사체를 향하여 빛을 발산하는 광원과, 상기 광원으로부터 발산된 빛이 피사체에 반사되는 경우 그 빛을 감지하도록, 상하좌우로 배열된 복수의 단위 화소(pixel)로 구성된 센싱 어레이(sensing array)와, 상기 센싱 어레이에 의하여 감지된 이미지를 신호화 처리하여 제어 장치 등으로 데이터를 전송하는 이미지 처리 장치로 구성된다.
상기 센싱 어레이에 포함된 단위 화소 각각은 다시 일반적으로, 피사체로부터 반사된 빛을 감지하는 광감지 소자, 상기 광감지 소자가 빛을 감지한 경우 그 전위 상태가 변화되는 스토리지 커패시터(storage capacitor), 상기 스토리지 커패시터의 전위 상태의 변화에 대하여 이미지 처리 장치로 소정의 신호를 내보내는 스위칭 소자로 구성된다.
이러한 구성을 가진 박막 트랜지스터형 이미지 센서의 경우, 상기 광원은 일반적으로, 상기 센싱 어레이의 후면에 배치되어, 센싱 어레이의 후면으로부터 센싱 어레이의 전면에 위치하는 피사체를 향하는 방향으로 빛을 공급하도록 되어 있었다. 따라서, 피사체에 반사된 빛이 감지되기 위하여는, 광원으로부터 발산된 빛이 반드시 센싱 어레이를 관통하여야 하므로, 센싱 어레이를 구성하는 일부 요소들은 빛의 투과가 가능한 투명한 소재를 가져야 하는 것이 필수적이었다.
그러나, 상기 광감지 소자, 스위칭 소자 및 스토리지 커패시터는 반도체 소자이므로, 이를 구성하는 일부 요소는 도전성을 가져야 하는 것이 필수적이고, 또한 어떠한 요소는 금속성을 가질 필요가 있는 것도 있어서, 이러한 반도체 소자의 특성과 이미지 센서에 요구되는 조건이 고려되어져, 박막 트랜지스터형 이미지 센서가 개발되어져 왔다.
구체적으로, 스토리지 커패시터는 투명한 도전성을 가진 소재로 제조되어져 왔고, 이에 대해 광감지 소자 및 스위칭 소자의 소오스 및 드레인은 소정의 금속 재료로 제조되었다. 따라서, 서로 다른 소재로 인하여, 스토리지 커패시터를 형성하는 공정과 광감지 소자 및 스위칭 소자의 소오스 및 드레인을 형성하는 공정은 별도로 이루어져 왔는 바, 이러한 공정을 단축시키기 위한 개선의 여지가 있는 것이다.
또한, 투명한 도전 소재인 스토리지 커패시터를 일반 금속재료로 형성할 수 있다면, 제조 비용을 절감시킬 수 있는 여지도 있는 것이다.
상기 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은, 제조 공정을 단축시키고, 제조 비용을 절감하는 것이 가능한 박막 트랜지스터형 이미지 센서를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은, 제조 공정을 단축시키고, 제조 비용을 절감하는 것이 가능한 박막 트랜지스터형 이미지 센서의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 박막 트랜지스터형 이미지 센서의 단위 화소의 구성을 도시한 평면도 및 A-A’선을 따라 본 단면도이다.
도 2a 내지 도2d는 본 발명의 일실시예에 따른 박막 트랜지스터형 이미지 센서의 제조 방법을 그 제조 공정 단계별로 도시한 평면도들 및 각 평면도의 A-A’선을 따라 본 단면도들이다.
*도면의 주요 부분의 기호의 설명
100 박막 트랜지스터형 이미지 센서의 단위 화소
120 광감지 소자
140 스위칭 소자
160 스토리지 커패시터
180 광원
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, 복수의 단위 화소의 배열을 포함하는 센싱 어레이와 빛을 공급하는 광원을 구비하는 박막 트랜지스터형 이미지 센서에 있어서, 상기 단위 화소는, 기판 상의 소정 영역에 형성되며, 상기 광원으로부터 발산된 빛을 감지하는 광감지 소자; 상기 기판 상의 소정 영역에 형성되며, 상기 광감지 소자에 의해 그 전위 상태가 변화되는 스토리지 커패시터; 및 상기 기판 상의 소정 영역에 형성되며, 소정의 제어 신호에 응답하여, 상기 스토리지 커패시터의 전위 상태의 변화에 따른 신호를 전송하는 스위칭 소자를 포함하며, 상기 광원은, 상기 단위 화소의 표면상에 박막의 형태로 형성되며, 피사체의 접촉이 있는 경우 피사체측으로부터 상기 기판을 향하는 방향으로 빛을 공급하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터형 이미지 센서를 제공한다.
또한, 본 발명의 다른 국면에 의하면, 복수의 단위 화소의 배열을 포함하는 센싱 어레이와 빛을 공급하는 광원을 구비하는 박막 트랜지스터형 이미지 센서의 제조 방법에 있어서, 기판 상의 소정 영역에, 상기 광원으로부터 발산된 빛을 감지하는 광감지 소자를 형성하는 단계; 상기 기판 상의 소정 영역에, 상기 광감지 소자에 의해 그 전위 상태가 변화되는 스토리지 커패시터를 형성하는 단계; 상기 기판 상의 소정 영역에, 소정의 제어 신호에 응답하여, 상기 스토리지 커패시터의 전위 상태의 변화에 따른 신호를 전송하는 스위칭 소자를 형성하는 단계; 및 상기 단위 화소의 표면상에 박막의 형태로, 피사체의 접촉이 있는 경우 피사체측으로부터 상기 기판을 향하는 방향으로 빛을 공급하는 광원을 형성하는 단계를 포함하는 박막 트랜지스터형 이미지 센서의 제조 방법을 제공한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여, 바람직한 실시예를 통하여 본 발명에 대하여 상세히 설명한다. 본 발명과 관련하여서는, 박막 트랜지스터의 센싱 어레이를 구성하는 복수의 단위 화소 중 임의의 하나에 관하여 바람직한 실시예를 설명한다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 박막 트랜지스터형 이미지 센서의 단위 화소의 구성을 도시한 평면도 및 A-A’선을 따라 본 단면도이다. 도시된 바와 같이, 본 발명의 일실시예에 따른 박막 트랜지스터형 이미지 센서의 단위 화소 100은, 기판(도시되지 않음) 상의 소정 영역에 형성되며, 광원으로부터 발산된 빛을 감지하는 광감지 소자 120, 기판 상의 소정 영역에 형성되며, 상기 광감지 소자에 의해 그 전위 상태가 변화되는 스토리지 커패시터 160 및 기판 상의 소정 영역에 형성되며, 소정의 제어 신호에 응답하여, 상기 스토리지 커패시터의 전위 상태의 변화에 따른 신호를 전송하는 스위칭 소자를 포함한다. 또한, 본 발명의 일실시예에 따른 박막 트랜지스터형 이미지 센서는 단위 화소 100의 표면상에 박막의 형태로 형성되며, 피사체의 접촉이 있는 경우 피사체측으로부터 상기 기판을 향하는 방향으로 빛을 공급하는 광원 180을 포함한다.
다시 말해서, 본 발명의 일실시예에 따르면, 광원 180이 단위 화소 100의 후면에 위치하지 않고, 단위 화소 100의 전면, 즉 피사체 10이 위치하는 측에 배치되어 빛을 공급한다(프론트 라이트 방식). 따라서, 광원 180으로부터 발산된 빛이 단위 화소 100을 관통할 필요가 없으므로, 단위 화소 100을 구성함에 있어서, 적어도 그 일부의 소재가 빛에 대한 투과성을 가져야 하는 제한이 해소되므로, 단위 화소 100의 제조 공정의 단축 및 비용의 절감을 이루어 낼 수 있게 된다.
이하, 본 발명의 일실시예에 따른 박막 트랜지스터형 이미지 센서의 단위 화소 100에 대해 보다 상세히 설명한다. 도 1에 도시된 바와 같이, 기판 상의 소정 영역에, 광감지 소자 120의 게이트 122가 형성되어 있고, 동일한 기판 상의 또 다른 소정 영역에, 게이트 122와 소정 거리 이격되도록 스위칭 소자 140의 게이트 142가 형성되어 있다.
한편, 동일한 기판상의 또 다른 소정 영역에, 게이트 122 및 게이트 142와 각각 소정 거리 이격되어 스토리지 커패시터 160의 일측 전극 162가 형성되어 있다.
광감지 소자 120의 게이트 122의 상부에는, 기판에 수직인 방향에서 볼 때 게이트 122와 적어도 일부가 중첩되도록 광감지 소자 120의 반도체층 124가 형성되어 있다. 마찬가지로, 스위칭 소자 140의 게이트 142의 상부에는, 기판에 수직인 방향에서 볼 때 게이트 142와 적어도 일부가 중첩되도록 스위칭 소자 140의 반도체층 124가 형성되어 있다.
광감지 소자 120의 게이트 122는 제1절연막 102에 의해 반도체층 124와 절연되며, 마찬가지로 스위칭 소자 140의 게이트 142는 제1절연막 102에 의해 반도체층 144와 절연된다.
광감지 소자 120의 드레인 128은, 반도체층 124와 적어도 그 일부가 접속되도록 반도체층 124의 상부에 형성되어 있다. 마찬가지로, 스위칭 소자 140의 소오스 146은, 반도체층 144와 적어도 그 일부가 접속되도록 반도체층 144의 상부에 형성되어 있다.
한편, 광감지 소자 120의 소오스 126, 스위칭 소자 140의 드레인 148 및 스토리지 커패시터 160의 타측 전극 164는 일체로서 형성되어 있으며, 소오스 126은 반도체층 124와 적어도 그 일부가 접속되도록 반도체층 124의 상부에, 드레인 148은 반도체층 144와 적어도 그 일부가 접속되도록 반도체층 144의 상부에, 스토리지 커패시터 160의 타측 전극 164는 일측 전극 162와 제1절연막에 의해 이격되어 일측 전극 162의 상부에 각각 형성되어 있다.
즉, 광감지 소자 120의 소오스 126, 스위칭 소자 140의 드레인 148 및 스토리지 커패시터 160의 타측 전극 164는 일체로서 형성되어 있으므로, 각각 별도로 형성되어야 하는 경우에 비해, 그 제조 공정이 단축될 수 있는 것이다. 또한, 스토리지 커패시터 160의 일측 전극 162는 물론, 타측 전극 164를 투명 도전 소재로 할 필요가 없이, 광감지 소자 120의 소오스 126 및 스위칭 소자 140의 드레인 148과 동일한 소재로 형성할 수 있으므로, 그 제조 비용의 절감을 이룰 수 있게 된다.
또한, 스위칭 소자 140의 반도체층 144의 상부에는, 기판에 수직인 방향에서 볼 때 반도체층 144와 적어도 그 일부가 중첩되도록 광차단막 150이 형성되어 있다. 광차단막 150은 광원 180으로부터 발산된 빛이 반도체층 144로 입사하지 못하게 하는 기능을 한다.
광차단막 150은 제2절연막 104에 의해 소오스 146 및 드레인 148과 이격된다. 광차단막 150의 상부에는, 외부의 충격으로부터 소자들을 보호하기 위한 보호막 106이 형성되어 있다.
한편, 보호막 106의 상부에는, 단위 화소 100의 표면상에, 피사체 10의 감지 동작에 필요한 빛을 공급하는 광원 180이 박막의 형태로 형성되어 있다. 광원 180은 대략, 투명한 기판, 투명한 도체층, 발광 입자(phosphor particles)층 및 불투명한 보호층으로 구성되며, 광원 180에 피사체(예를 들면, 지문의 산) 10가 접촉되면, 광원 180은 기판을 향하는 방향으로 빛을 발산한다. 또한, 광원 180은 외부로부터 단위 화소 100으로 다른 빛이 투과하지 못하도록 하는 기능도 한다.
다음으로, 도 2a 내지 도2d를 참조하여, 본 발명의 일실시예에 따른 박막 트랜지스터형 이미지 센서의 제조 방법에 관하여 상세히 설명한다. 도 2a 내지 도2d는 본 발명의 일실시예에 따른 박막 트랜지스터형 이미지 센서의 제조 방법을 그 제조 공정 단계별로 도시한 평면도들 및 각 평면도의 A-A’선을 따라 본 단면도들이다.
먼저, 도 2a를 참조하면, 도 2a에는, 소정의 소재로 된 기판 상의 소정의 영역에, 광감지 소자 120의 게이트 122를, 동일한 기판 상의 또 다른 소정 영역에, 게이트 122와 소정 거리 이격된 위치에 스위칭 소자 140의 게이트 142를, 그리고 동일한 기판상의 또 다른 소정 영역에, 게이트 122 및 게이트 142와 각각 소정 거리 이격되도록 스토리지 커패시터 160의 일측 전극 162을 형성하는 단계가 도시된다.
광감지 소자 120의 게이트 122, 스위칭 소자 140의 게이트 142 및 스토리지 커패시터 160의 일측 전극 162은, 몰리브덴(“Mo”), 크롬(“Cr”) 및 알루미늄(“Al”) 또는 이들의 합금 등의 금속 재료를 기판 상에 증착 등의 방법으로 소정 두께의 막을 형성하고, 소정의 형상으로 식각함으로써 형성된다.
이와 같이, 스토리지 커패시터 160의 일측 전극 162이 광감지 소자 120의 게이트 122 및 스위칭 소자 140의 게이트 142와 동일한 소재로, 동일한 공정에서 형성되므로, 스토리지 커패시터 160의 일측 전극 162이 투명한 소재이어야 하는 경우에 비해, 그 제조 공정이 단축되며, 제조 비용이 절감된다.
또한, 도 2a를 참조하면, 광감지 소자 120의 게이트 122, 스위칭 소자 140의 게이트 142 및 스토리지 커패시터 160의 일측 전극 162이 형성된 기판 상에 제1절연막 102이 형성되는 단계가 도시된다. 제1절연막 102는 실리콘 질화막(“SiNx”) 또는 실리콘 산화막(“SiO2”)와 같은 재료를 증착 등의 방법에 의해 소정의 두께로 형성된다.
다음으로, 도 2b는, 제1절연막 102가 형성된 기판 상의 소정의 영역에, 광감지 소자 120의 반도체층 124 및 스위칭 소자 140의 반도체층 144를 형성하는 단계를 도시한다. 광감지 소자 120의 반도체층 124 및 스위칭 소자 140의 반도체층 144는, 비정질 실리콘(a-Si)과 불순물 함유 비정질 실리콘(n+ a-Si)과 같은 재료로써 증착 등의 방법에 의하여, 소정의 두께로 성층되며, 소정의 형상으로 식각되어 형성된다.
다음으로, 도 2c는, 광감지 소자 120의 반도체층 124 및 스위칭 소자 140의 반도체층 144가 형성된 기판 상에, 광감지 소자 120의 소오스 126 및 드레인 128, 스위칭 소자 140의 소오스 146 및 드레인 148 그리고 스토리지 커패시터 160의 타측 전극 164를 형성하는 단계를 도시한다.
광감지 소자 120의 소오스 126 및 드레인 128, 스위칭 소자 140의 소오스 146 및 드레인 148 그리고 스토리지 커패시터 160의 타측 전극 164은, 소정의 금속 재료를 증착 등의 방법으로 소정 두께의 막을 형성하고, 소오스 126 및 드레인 128 상호간과 소오스 146 및 드레인 148 상호간이 소정거리 이격되도록 식각함으로써 형성된다.
다시 말하면, 광감지 소자 120의 소오스 126, 스위칭 소자 140의 드레인 148 및 스토리지 커패시터 160의 타측 전극 164은 동일한 소재로서, 동일한 공정에 의해 일체로 형성되는 것이다. 따라서, 본 발명에 따르면, 스토리지 커패시터 160의 타측 전극 164을 투명한 도전 소재로 하여야 하는 경우, 광감지 소자 120의 소오스 126 및 드레인 128, 스위칭 소자 140의 소오스 146 및 드레인 148에 대하여 증착, 식각 공정을 거쳐야 하며, 스토리지 커패시터 160의 타측 전극 164에 대하여 다시 증착, 식각 공정을 거쳐야 하는 것에 비해, 제조 공정을 단축시킬 수 있게 되는 것이다. 아울러, 스토리지 커패시터 160의 일측 전극 162 및 타측 전극 164를 투명 도전 소재가 아니라, 금속 재료로 형성할 수 있으므로, 제조 비용의 절감을 이룰 수 있게 된다.
다음으로, 도 2d는, 제2절연막 104및 스위칭 소자 140의 광차단막 150을 형성하는 단계를 도시한다. 제2절연막 104는, 광감지 소자 120의 소오스 126 및 드레인 128, 스위칭 소자 140의 소오스 146 및 드레인 148 그리고 스토리지 커패시터 160의 타측 전극 164이 형성된 기판 상에, 실리콘 질화막, 실리콘 산화막, 아크릴(acryl) 또는 비씨비(BCB) 등과 같은 유기 물질로써 증착 등의 방법에 의하여, 소정의 두께로 형성된다.
또한, 광차단막 150은, 제2절연막 104이 형성된 기판 상의 소정의 영역에, 금속 또는 수지 등의 재료를 증착 등의 방법으로 소정 두께의 막을 형성하고, 소정의 형상으로 식각함으로써 형성된다.
다음으로, 광차단막 150이 형성된 기판 상에, 유리, 실리콘 질화물 또는 실리콘 산화물 등의 재료를 사용하여, 증착 또는 스핀 도포법 등의 방법으로, 상기한 구성 요소들 전체를 덮도록 보호막 106(도 1 참조)을 형성한다.
마지막으로, 보호막 106(도 1참조)이 형성된 기판상에, 단위 화소 100 전체를 덮도록 광원 180(도 1참조)을 형성하고, 공정을 마친다.
이상, 본 발명을 그 바람직한 실시예에 관하여 상세히 설명하였으나, 본 발명의 기술적 범위가 상기한 설명에 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 의하면, 박막 트랜지스터형 이미지 센서에 있어서, 그 제조 공정을 단축시키고, 제조 비용을 절감할 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 박막 트랜지스터형 이미지 센서를 제조함에 있어서, 유리 또는 플라스틱 기판에 그 구성 소자를 형성할 수 있는 장점이 있다.
Claims (11)
- 복수의 단위 화소의 배열을 포함하는 센싱 어레이와 빛을 공급하는 광원을 구비하는 박막 트랜지스터형 이미지 센서에 있어서,상기 단위 화소는,기판 상의 소정 영역에 형성되며, 상기 광원으로부터 발산된 빛을 감지하는 광감지 소자;상기 기판 상의 소정 영역에 형성되며, 상기 광감지 소자에 의해 그 전위 상태가 변화되는 스토리지 커패시터; 및상기 기판 상의 소정 영역에 형성되며, 소정의 제어 신호에 응답하여, 상기 스토리지 커패시터의 전위 상태의 변화에 따른 신호를 전송하는 스위칭 소자를 포함하며,상기 광원은, 상기 단위 화소의 표면 상에 박막으로 형성되며, 피사체의 접촉이 있는 경우 피사체측으로부터 상기 기판을 향하는 방향으로 빛을 공급하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터형 이미지 센서.
- 제1항에 있어서,상기 광감지 소자는,상기 기판 상의 소정 영역에 형성된 게이트;절연막에 의하여 상기 게이트와 절연되며, 상기 기판에 수직인 방향에서 볼 때 상기 게이트와 적어도 일부분이 중첩되도록 상기 게이트의 상부에 형성되는 반도체층; 및상기 반도체층과 적어도 그 일부가 접속되도록 상기 반도체층의 상부에 형성되는 드레인 및 소오스를 포함하는 박막 트랜지스터형 이미지 센서.
- 제1항에 있어서,상기 스위칭 소자는,상기 기판 상의 소정 영역에 형성된 게이트;제1절연막에 의하여 상기 게이트와 절연되며, 상기 기판에 수직인 방향에서 볼 때 상기 게이트와 적어도 일부분이 중첩되도록 상기 게이트의 상부에 형성되는 반도체층;상기 반도체층과 적어도 그 일부가 접속되도록 상기 반도체층의 상부에 형성되는 드레인 및 소오스; 및제2절연막에 의하여 상기 소오스 및 드레인과 절연되며, 상기 기판에 수직인 방향에서 볼 때 상기 반도체층과 적어도 일부분이 중첩되도록 상기 소오스 및 드레인의 상부에 형성되어, 상기 반도체층으로 빛이 입사하지 못하게 하는 광차단막을 포함하는 박막 트랜지스터형 이미지 센서.
- 제1항에 있어서,상기 스토리지 커패시터는,상기 스위칭 소자의 게이트로부터 소정 거리 이격되어 형성된 일측 전극; 및 절연막에 의하여 상기 일측 전극과 절연되며, 상기 스위칭 소자의 드레인 및 상기 광감지 소자의 소오스와 접속되도록 형성된 타측 전극을 포함하는 박막 트랜지스터형 이미지 센서.
- 제4항에 있어서,상기 스토리지 커패시터의 타측 전극은 상기 스위칭 소자의 드레인 및 상기 광감지 소자의 소오스 중 적어도 어느 하나와 일체가 되도록 형성된 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터형 이미지 센서.
- 복수의 단위 화소의 배열을 포함하는 센싱 어레이와 빛을 공급하는 광원을 구비하는 박막 트랜지스터형 이미지 센서의 제조 방법에 있어서,기판 상의 소정 영역에, 상기 광원으로부터 발산된 빛을 감지하는 광감지 소자를 형성하는 단계;상기 기판 상의 소정 영역에, 상기 광감지 소자에 의해 그 전위 상태가 변화되는 스토리지 커패시터를 형성하는 단계;상기 기판 상의 소정 영역에, 소정의 제어 신호에 응답하여, 상기 스토리지 커패시터의 전위 상태의 변화에 따른 신호를 전송하는 스위칭 소자를 형성하는 단계; 및상기 단위 화소의 표면상에 박막의 형태로, 피사체의 접촉이 있는 경우 피사체측으로부터 상기 기판을 향하는 방향으로 빛을 공급하는 광원을 형성하는 단계를 포함하는 박막 트랜지스터형 이미지 센서의 제조 방법.
- 제6항에 있어서,상기 광감지 소자를 형성하는 단계는,상기 기판 상의 소정 영역에, 금속 재료를 사용하여 게이트를 형성하는 단계;상기 게이트가 형성된 기판 상의 소정 영역에, 절연 재료를 사용하여 절연막을 형성하는 단계;상기 절연막이 형성된 기판 상의 소정 영역에, 반도체 재료를 사용하여 상기 기판에 수직인 방향에서 볼 때 상기 게이트와 적어도 일부분이 중첩되도록 반도체층을 형성하는 단계;및상기 반도체층이 형성된 기판 상의 소정 영역에, 금속 재료를 사용하여 상기 반도체층과 적어도 그 일부가 접속되도록 드레인 및 소오스를 형성하는 단계를 포함하는 박막 트랜지스터형 이미지 센서의 제조 방법.
- 제6항에 있어서,상기 스위칭 소자를 형성하는 단계는,상기 기판 상의 소정 영역에, 금속 재료를 사용하여 게이트를 형성하는 단계;상기 게이트가 형성된 기판 상의 소정 영역에, 절연 재료를 사용하여 제1절연막을 형성하는 단계;상기 제1절연막이 형성된 기판 상의 소정 영역에, 반도체 재료를 사용하여 상기 기판에 수직인 방향에서 볼 때 상기 게이트와 적어도 일부분이 중첩되도록 반도체층을 형성하는 단계;상기 반도체층이 형성된 기판 상의 소정 영역에, 금속 재료를 사용하여 상기 반도체층과 적어도 그 일부가 접속되도록 드레인 및 소오스를 형성하는 단계;상기 드레인 및 소오스가 형성된 기판 상의 소정 영역에, 절연 재료를 사용하여 제2절연막을 형성하는 단계; 및상기 제2절연막이 형성된 기판 상의 소정 영역에, 금속 재료를 사용하여 상기 기판에 수직인 방향에서 볼 때 상기 반도체층과 적어도 일부분이 중첩되도록 상기 반도체층으로 빛이 입사하지 못하게 하는 광차단막을 형성하는 단계를 포함하는 박막 트랜지스터형 이미지 센서의 제조 방법.
- 제6항에 있어서,상기 스토리지 커패시터를 형성하는 단계는,상기 기판 상의 소정 영역으로서 상기 광감지 소자의 게이트 및 상기 스위칭 소자의 게이트로부터 각각 소정 거리 이격된 위치에, 금속 재료를 사용하여 일측 전극을 형성하는 단계;상기 일측 전극이 형성된 기판 상의 소정 영역에, 절연 재료를 사용하여 절연막을 형성하는 단계; 및상기 절연막이 형성된 기판 상의 소정 영역에, 금속 재료를 사용하여, 상기 스위칭 소자의 드레인 및 상기 광감지 소자의 소오스와 접속되도록, 타측 전극을 형성하는 단계를 포함하는 박막 트랜지스터형 이미지 센서의 제조 방법.
- 제9항에 있어서,상기 스토리지 커패시터의 일측 전극을 형성하는 단계는, 상기 일측 전극이 상기 광감지 소자의 게이트 및 상기 스위칭 소자의 게이트 중 적어도 어느 하나와 동일한 공정에서 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터형 이미지 센서의 제조 방법.
- 제9항에 있어서,상기 스토리지 커패시터의 타측 전극을 형성하는 단계는, 상기 타측 전극이 상기 스위칭 소자의 드레인 및 상기 광감지 소자의 소오스 중 적어도 어느 하나와 동일한 공정에서 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터형 이미지 센서의 제조 방법.
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| KR1020030032072A KR20040099930A (ko) | 2003-05-20 | 2003-05-20 | 프론트 라이트를 이용한 박막 트랜지스터형 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1020030032072A KR20040099930A (ko) | 2003-05-20 | 2003-05-20 | 프론트 라이트를 이용한 박막 트랜지스터형 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
Publications (1)
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|---|---|
| KR20040099930A true KR20040099930A (ko) | 2004-12-02 |
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|---|---|
| KR (1) | KR20040099930A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100651163B1 (ko) * | 2005-11-23 | 2006-11-30 | 전자부품연구원 | 박막 트랜지스터형 광 감지 센서 및 그 제조방법 |
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2003
- 2003-05-20 KR KR1020030032072A patent/KR20040099930A/ko not_active Application Discontinuation
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