KR20040094460A - 마이크로 부품 복제를 위한 마이크로 몰드 및 그제조방법 - Google Patents

마이크로 부품 복제를 위한 마이크로 몰드 및 그제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20040094460A
KR20040094460A KR1020030028246A KR20030028246A KR20040094460A KR 20040094460 A KR20040094460 A KR 20040094460A KR 1020030028246 A KR1020030028246 A KR 1020030028246A KR 20030028246 A KR20030028246 A KR 20030028246A KR 20040094460 A KR20040094460 A KR 20040094460A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
micro
replicating
mold
mold manufacturing
manufacturing
Prior art date
Application number
KR1020030028246A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100465531B1 (ko
Inventor
박준식
황완식
박순섭
조진우
정석원
이인규
Original Assignee
전자부품연구원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 전자부품연구원 filed Critical 전자부품연구원
Priority to KR10-2003-0028246A priority Critical patent/KR100465531B1/ko
Publication of KR20040094460A publication Critical patent/KR20040094460A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100465531B1 publication Critical patent/KR100465531B1/ko

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
    • B81C1/00023—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems without movable or flexible elements
    • B81C1/00031—Regular or irregular arrays of nanoscale structures, e.g. etch mask layer
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C33/00—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
    • B29C33/38—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor characterised by the material or the manufacturing process
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C33/00—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
    • B29C33/42—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor characterised by the shape of the moulding surface, e.g. ribs or grooves
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00436—Shaping materials, i.e. techniques for structuring the substrate or the layers on the substrate
    • B81C1/00444—Surface micromachining, i.e. structuring layers on the substrate
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2201/00—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
    • B81C2201/03—Processes for manufacturing substrate-free structures
    • B81C2201/034—Moulding

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)

Abstract

본 발명은 마이크로 부품 복제를 위한 마이크로 몰드 및 그 제조방법에 관한 것으로, 마스터 몰드로 사용하기 위한 Ni 도금의 수행과 그 위에 연속적인 Ni-W 합금의 코팅을 통하여 Ni 도금 몰드보다 우수한 기계적 특성을 보이는 마이크로 몰드를 제작하는 것에 관한 것이다.
본 발명의 마이크로 부품 복제를 위한 마이크로 몰드 및 그 제조방법은 기판 위의 현상과 식각이 된 부분에 전주도금을 하여 Ni 마스터 몰드(200)를 형성하는 제1공정; 상기 Ni 마스터 몰드(200)의 위쪽 표면에 Ni-W 합금(300a)을 코팅하는 제2공정; 및 상기 기판 위의 포토레지스트(100)를 제거하는 제3공정을 포함하는 마이크로 부품 복제를 위한 마이크로 몰드 및 그 제조방법에 기술적 특징이 있다.
따라서, 본 발명의 마이크로 부품 복제를 위한 마이크로 몰드 및 그 제조방법은 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, Ni-W 합금 코팅된 Ni-W/Ni 몰드는 종래의 Ni 몰드와 비교하여 우수한 내마모성을 보인다.
둘째, Ni-W 합금 코팅된 마이크로 몰드를 이용하여 플라스틱은 물론 세라믹과 금속 재질의 마이크로 광부품 및 유체소자를 복제할 수 있다.

Description

마이크로 부품 복제를 위한 마이크로 몰드 및 그 제조방법{Micro mold and manufacturing method for micro part replication}
본 발명은 마이크로 부품 복제를 위한 마이크로 몰드 및 그 제조방법에 관한 것으로, 마스터 몰드로 사용하기 위한 Ni 도금의 수행과 그 위에 연속적인 Ni-W 합금의 코팅을 통하여 Ni 도금 몰드보다 우수한 기계적 특성을 보이는 마이크로 몰드를 제작하는 것에 관한 것이다.
종래의 반복 복제를 위한 마이크로 몰드의 제작에 있어서 몰드의 기계적 특성은 몰드의 수명에 영향을 준다. 그리고, 몰드의 표면 거칠기는 복제품의 치수 정밀도에 영향을 주게 된다. 따라서, 현재 몰드의 기계적 특성을 향상시키고 표면 거칠기를 낮추기 위한 연구가 수행되고 있다. 일반적으로 도금은 도금 방법에 따라서 여러 가지 특성을 보인다. N.S.Qu, K.C.Chan, D.Zhu, Surf. Coating Tech. 91 (1997) 220-224에서 볼 수 있듯이 현재까지의 대부분의 연구들은 도금욕 조성 변화에 따른 특성 평가가 주류를 이루었는데, Frederick A. lowenheim (Ed.), Moden Electroplating, 3rd Ed., The Electrochemical Society, Inc. (1974) 314-315에서는 마이크로 몰드를 제작하기 위한 전주도금에서는 가장 낮은 전류응력과 높은 도금속도를 보이는 설퍼메이트(sulfamate) 타입이 가장 적절한 방법으로 보고되고 있다. 또한, 첨가제, 도금욕의 온도 그리고 pH 등에 대한 최적의 공정조건이 보고 되어 왔다. 한편, K.P.Wong, K.C.Chan, T.M.Yue, Journal of Materials Processing Technology 117 (2001) 97-104에서는 최근의 전류인가방법의 변화에 따른 도금특성이 많이 연구되고 있다고 보고하고 있다. 위와 같이 여러 가지 도금조건을 달리 하여 우수한 Ni 몰드를 제작하는 연구가 많이 수행되고 있다.
그러면, 다음과 같은 종래의 마이크로 부품 복제를 위한 마이크로 몰드 및그 제조방법을 도 1을 통하여 상세히 살펴보도록 한다.
마이크로 몰드를 제조하기 위한 첫번째 방법은 도 1a 내지 도 1g에서 잘 나타내고 있다. 먼저, 기판 위의 산화막 위에 포토레지스트(10)를 도포한다. 그리고, 상기 도포된 포토레지스트(10) 위에 마스크를 놓고, 자외선을 통과시켜 노광한다. 그 다음에 상기 포토레지스트(10)를 현상하고, 기판 위의 산화막을 식각한다. 그 다음에 상기 현상과 식각이 된 부분에 전주도금을 하여 Ni 마스터 몰드(20)를 형성한다. 마지막으로, 상기 포토레지스트(10)를 제거한다.
그러나, 상기와 같은 종래의 복제공정을 위한 마이크로 몰드 제작의 직류전류인가 방식은 높은 표면 거칠기를 보임으로써 복제품의 치수 정밀도에 해로운 영향을 끼친다. 또한, 전주도금에서는 미세 패턴에서 이온의 순환이 어렵다. 따라서, 도금 표면의 거칠기를 낮추는 공정조건이 필요하며, 이온의 순환을 돕는 방법이 요구된다. 또한, 여러 가지의 도금 특성이 달라지더라도 Ni 금속 자체의 고유한 특성으로 인하여 사출재료가 플라스틱으로 한정되어 있으며, 반복 복제 시에 마모로 인한 파괴가 일어나기도 한다. Ni 보다 높은 기계적 특성을 보이는 Ni-W 합금을 이용하여 수십 마이크로 두께의 몰드를 제작할 시에는 잔류 응력이 많이 발생되어 고종횡비의 몰드를 제작하기 어렵고, 잔류 응력을 줄이기 위해서는 저전류 밀도로 오랜 시간을 도금해야 하는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로,마스터 몰드로 사용되기 위한 Ni 도금의 수행과 그 위에 연속적인 Ni-W 합금의 코팅을 통하여 Ni 도금 몰드보다 우수한 기계적 특성을 보이는 마이크로 몰드의 제작에 본 발명의 목적이 있다.
도 1은 종래기술의 마이크로 부품 복제를 위한 마이크로 몰드 제조방법을 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명에 의한 마이크로 부품 복제를 위한 마이크로 몰드 제조를 위한 첫번째 방법을 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명에 의한 마이크로 부품 복제를 위한 마이크로 몰드 제조를 위한 두번째 방법을 나타낸 도면이다.
(도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명)
10, 100: 포토레지스트 20, 200: Ni 마스터 몰드
300a, 300b: Ni-W 합금 30, 400a, 400b: 복제
본 발명의 상기 목적은 기판 위의 현상과 식각이 된 부분에 전주도금을 하여 Ni 마스터 몰드(200)를 형성하는 제1공정; 상기 Ni 마스터 몰드(200)의 위쪽 표면에 Ni-W 합금(300a)을 코팅하는 제2공정; 및 상기 기판 위의 포토레지스트(100)를 제거하는 제3공정을 포함하는 마이크로 부품 복제를 위한 마이크로 몰드 제조방법에 의해 달성된다.
마이크로 부품을 복제하기 위하여 마이크로 몰드를 제조방법은 다음과 같이 두 가지 방법이 있다.
첫째, 도 2a 내지 도 2g와 같이 Ni 마스터 몰드 도금 후에 포토레지스트를 제거하지 않은 상태에서 Ni 마스터 몰드 위에 Ni-W 합금을 코팅하는 방법이 있다.
둘째, 도 3a 내지 도 3g와 같이 Ni 마스터 몰드 도금 후에 포토레지스트를 제거한 상태에서 Ni 마스터 몰드 위에 Ni-W 합금을 코팅하는 방법이 있다.
본 발명의 상기 목적과 기술적 구성 및 그에 따른 작용효과에 관한 자세한 사항은 도면을 참조하여 살펴보기로 한다.
마이크로 몰드를 제조하기 위한 첫번째 방법은 도 2a 내지 도 2g에서 잘 나타내고 있다. 먼저, 기판 위의 산화막 위에 포토레지스트(100)를 도포한다.그리고, 상기 도포된 포토레지스트(100) 위에 마스크를 놓고, 자외선을 통과시켜 노광한다. 그 다음에 상기 포토레지스트(100)를 현상하고, 기판 위의 산화막을 식각한다. 그 다음에 상기 현상과 식각이 된 부분에 전주도금을 하여 Ni 마스터 몰드 (200)를 형성한다. 여기서, Ni 도금의 표면 거칠기를 낮추기 위하여 전류를 인가한다. 상기 전류인가방식은 직류(direct current)방식, 펄스(pulse)방식 및 펄스리버스 (pulse-reverse)방식을 도입한다.
상기 Ni 도금은 펄스리버스 방식을 도입한 경우에는 평균전류밀도는 3~8A/dm2로 하며, 사출재료는 플라스틱으로 한다. 또한, Ni 전기도금에서 미세폭에 대한 이온의 순환을 돕기 위해 도금 중에 버블(bubble)을 공급하여 몰드의 기계적 특성을 증가시켜 준다.
그리고, Ni 몰드의 특성을 개선하기 위하여 Ni 마스터 몰드(200) 위에 Ni-W 합금(300a)을 코팅한다. Ni-W 합금(300a)은 Ni에 비해 높은 경도, 높은 내열성 및 높은 내부식성이 있다.
Ni 마스터 몰드(200) 도금 후에 포토레지스트(100)를 제거하지 않은 상태에서 Ni 마스터 몰드(200) 위에 2차원적으로 Ni-W 합금(300a)을 코팅한다. 즉, Ni 마스터몰드(200)의 위쪽 표면에 Ni-W 합금(300a)을 코팅한다.
상기와 같이 Ni-W 합금(300a)을 Ni 마스터 몰드(200)에 표면 코팅함으로 종래의 마스터 몰드보다 우수한 기계적 특성을 보이며, 두께에 기인한 잔류응력의 영향을 최소화한다. 또한, Ni-W 합금(300a)을 300~600℃에서 열처리함으로써 기계적특성을 더욱 증가시킬 수 있다. 상기 Ni-W 합금(300a)의 pH는 7~10, 도금액의 온도는 50~90℃. 전류밀도는 0.1~0.6A/dm2. Ni-W 합금에서 W의 조성비는 1~5%이다. Ni 마이크로 몰드는 사출재료가 플라스틱으로 한정되지만, Ni-W 합금(300a)이 코팅된 Ni-W/Ni 마이크로 몰드는 사출재료를 PE, PP, PMMA 및 PDMS같은 플라스틱은 물론 분말사출몰딩(powder injection molding)과 같은 공정을 활용할 경우에 PZT, Al203, 페라이트(ferrite)와 같은 세라믹과 다양한 금속 복제로도 확대될 수 있다.
상기의 공정 후에 포토레지스트(100)를 제거하여 공정을 마친 후, 마이크로 몰드를 형성하여 복제를 할 수 있다.
마이크로 몰드를 제조하기 위한 두번째 방법도 첫번째 방법과 흡사하다고 할 수 있다. 그러나, 도 3a 내지 도 3g에서 잘 나타내고 있듯이 Ni 마스터 몰드(200) 도금 후에 포토레지스트(100)를 제거하여 Ni 마스터 몰드(200) 위에 3차원적으로 Ni-W 합금(300b)을 코팅한다. 즉, Ni 마스터 몰드(200)의 위의 표면뿐만 아니라 옆의 표면 및 기판위의 포토레지스트(100)를 제거한 부분까지 Ni-W 합금(300b)을 코팅한다는 점에 있어서 차이가 있다.
상기 두 가지 제조방법의 가장 큰 차이는 첫번째 방법이 전주도금과 Ni-W 합금(300a)을 코팅한 후에 포토레지스트(100)를 제거하는 반면에, 두번째 방법은 전주도금과 포토레지스트(100)를 제거한 후에 Ni-W 합금(300b)을 코팅하므로 Ni-W 합금의 코팅(300a)과 포토레지스트(100)의 제거의 공정순서에 있어서 큰 차이가 있다.
따라서, 본 발명의 마이크로 부품 복제를 위한 마이크로 몰드 및 그 제조방법은 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, Ni-W 합금 코팅된 Ni-W/Ni 몰드는 종래의 Ni 몰드와 비교하여 우수한 내마모성을 보인다.
둘째, Ni-W 합금 코팅된 마이크로 몰드를 이용하여 플라스틱은 물론 세라믹과 금속 재질의 마이크로 광부품 및 유체소자를 복제할 수 있다.

Claims (24)

  1. 마이크로 몰드의 제조방법에 있어서,
    기판 위의 현상과 식각이 된 부분에 전주도금을 하여 Ni 마스터 몰드(200)를 형성하는 제1공정;
    상기 Ni 마스터몰드(200)의 위쪽 표면에 Ni-W 합금(300a)을 코팅하는 제2공정; 및
    상기 기판 위의 포토레지스트(100)를 제거하는 제3공정
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 부품 복제를 위한 마이크로 몰드 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1공정은 직류 방식, 펄스 방식, 펄스리버스 방식을 도입하여 전류를 인가하는 것을 특징으로 하는 마이크로 부품 복제를 위한 마이크로 몰드 제조방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 펄스리버스 방식을 도입한 전류를 인가하는 것은 평균전류밀도를3~8A/dm2로 하는 것을 특징으로 하는 마이크로 부품 복제를 위한 마이크로 몰드 제조방법.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 펄스리버스 방식을 도입한 제1공정은 플라스틱을 사출재료로 하는 것을 특징으로 하는 마이크로 부품 복제를 위한 마이크로 몰드 제조방법.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 펄스리버스 방식을 도입한 제1공정은 도금 중에 버블을 공급하는 것을 특징으로 하는 마이크로 부품 복제를 위한 마이크로 몰드 제조방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2공정의 pH는 7~10임을 특징으로 하는 마이크로 부품 복제를 위한 마이크로 몰드 제조방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2공정의 도금액의 온도는 50~90℃임을 특징으로 하는 마이크로 부품 복제를 위한 마이크로 몰드 제조방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2공정의 전류밀도는 0.1~0.6A/dm2임을 특징으로 하는 마이크로 부품 복제를 위한 마이크로 몰드 제조방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2공정의 W의 조성비는 1~5%임을 특징으로 하는 마이크로 부품 복제를 위한 마이크로 몰드 제조방법.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2공정의 열처리공정은 300~600℃에서 열처리함을 특징으로 하는 마이크로 부품 복제를 위한 마이크로 몰드 제조방법.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2공정은 플라스틱, 세라믹, 금속을 사출재료로 하는 것을 특징으로 하는 마이크로 부품 복제를 위한 마이크로 몰드 제조방법.
  12. 상기 제 1 항의 방법으로 제조된 마이크로 부품 복제를 위한 마이크로 몰드.
  13. 마이크로 몰드의 제조방법에 있어서,
    기판 위의 현상과 식각이 된 부분에 전기도금을 하여 Ni 마스터 몰드(200)를 형성하는 제1공정;
    상기 기판 위의 포토레지스트(100)를 제거하는 제2공정; 및
    상기 Ni 마스터 몰드(200)의 위쪽 표면, 옆쪽 표면 및 기판 위에 Ni-W 합금 (300b)을 코팅하는 제3공정
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 부품 복제를 위한 마이크로 몰드 제조방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 제1공정은 직류 방식, 펄스 방식, 펄스리버스 방식을 도입하여 전류를 인가하는 것을 특징으로 하는 마이크로 부품 복제를 위한 마이크로 몰드 제조방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 펄스리버스 방식을 도입한 전류를 인가하는 것은 평균전류밀도를 3~8A/dm2로 하는 것을 특징으로 하는 마이크로 부품 복제를 위한 마이크로 몰드 제조방법.
  16. 제 14 항에 있어서,
    상기 펄스리버스 방식을 도입한 제1공정은 플라스틱을 사출재료로 하는 것을 특징으로 하는 마이크로 부품 복제를 위한 마이크로 몰드 제조방법.
  17. 제 14 항에 있어서,
    상기 펄스리버스 방식을 도입한 제1공정은 도금 중에 버블을 공급하는 것을 특징으로 하는 마이크로 부품 복제를 위한 마이크로 몰드 제조방법.
  18. 제 13 항에 있어서,
    상기 제3공정의 pH는 7~10임을 특징으로 하는 마이크로 부품 복제를 위한 마이크로 몰드 제조방법.
  19. 제 13 항에 있어서,
    상기 제3공정의 도금액의 온도는 50~90℃임을 특징으로 하는 마이크로 부품 복제를 위한 마이크로 몰드 제조방법.
  20. 제 13 항에 있어서,
    상기 제3공정의 전류밀도는 0.1~0.6A/dm2임을 특징으로 하는 마이크로 부품 복제를 위한 마이크로 몰드 제조방법.
  21. 제 13 항에 있어서,
    상기 제3공정의 W의 조성비는 1~5%임을 특징으로 하는 마이크로 부품 복제를 위한 마이크로 몰드 제조방법.
  22. 제 13 항에 있어서,
    상기 제3공정의 열처리공정은 300~600℃에서 열처리함을 특징으로 하는 마이크로 부품 복제를 위한 마이크로 몰드 제조방법.
  23. 제 13 항에 있어서,
    상기 제3공정은 플라스틱, 세라믹, 금속을 사출재료로 하는 것을 특징으로 하는 마이크로 부품 복제를 위한 마이크로 몰드 제조방법.
  24. 상기 제 13 항의 방법으로 제조된 마이크로 부품 복제를 위한 마이크로 몰드.
KR10-2003-0028246A 2003-05-02 2003-05-02 마이크로 부품 복제를 위한 마이크로 몰드 및 그제조방법 KR100465531B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2003-0028246A KR100465531B1 (ko) 2003-05-02 2003-05-02 마이크로 부품 복제를 위한 마이크로 몰드 및 그제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2003-0028246A KR100465531B1 (ko) 2003-05-02 2003-05-02 마이크로 부품 복제를 위한 마이크로 몰드 및 그제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20040094460A true KR20040094460A (ko) 2004-11-10
KR100465531B1 KR100465531B1 (ko) 2005-01-13

Family

ID=37374034

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2003-0028246A KR100465531B1 (ko) 2003-05-02 2003-05-02 마이크로 부품 복제를 위한 마이크로 몰드 및 그제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100465531B1 (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101132748B1 (ko) 2010-01-13 2012-04-06 포항공과대학교 산학협력단 마이크로 몰드 시스템과 이의 제조 방법 및 이를 이용한 초소형 정밀 부품의 제조 방법
KR101180372B1 (ko) * 2010-04-16 2012-09-10 한국생산기술연구원 마이크로 부품 및 금형의 제조방법
KR20240000739U (ko) 2022-10-28 2024-05-08 오태순 눈 보호대

Also Published As

Publication number Publication date
KR100465531B1 (ko) 2005-01-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101687409B (zh) 复制物体表面上的纳米图案纹理的方法
Bacher et al. Fabrication of LIGA mold inserts
CN104499008A (zh) 一种贵金属手表表壳或饰件的生产工艺
JP2011194594A (ja) 表面凹凸パターンを有する樹脂材およびその製造方法
KR100915150B1 (ko) 합성수지 제품 표면의 패턴 형성 방법
TWI628314B (zh) 模具、成形輥及剝離電鑄品
KR100465531B1 (ko) 마이크로 부품 복제를 위한 마이크로 몰드 및 그제조방법
KR101871350B1 (ko) 쥬얼리 제조 방법
JPH0484978A (ja) ゴルフボールの製造方法
CN105908222A (zh) 一种低成本、高利用率精密芯片金属模具的制备方法
CN111593376A (zh) 电沉积光亮铜的方法
T. Tang Electroforming: from rocket engines to nanotweezers
WO2008001487A1 (fr) corps microstructureL et son procédé de fabrication
US8012329B2 (en) Dimensional control in electroforms
JP2008230083A (ja) スタンパーの製造方法
US3341432A (en) Method of making wave guides
CN110962258A (zh) 注塑模具的制造方法、壳体的加工设备及电子设备的壳体
JP2017124097A (ja) 原版の製造方法、スタンパーの製造方法、及び針状体の製造方法
KR100343886B1 (ko) 몰리브덴 메탈 몰드 스템퍼의 복제방법
KR20020065994A (ko) 니켈전주에 의한 엠보로울러의 제조방법 및 그 엠보로울러
Malone et al. Electroforming
Yu et al. The current situation and development trend of electroforming
JP2006022365A (ja) 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔の製造方法
Stein et al. NiColoy: a versatile electroforming process for biosensor fabrication by embossing
Huang et al. An experimental study of bipolar pulse electroforming nickel

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130621

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140708

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160524

Year of fee payment: 12

LAPS Lapse due to unpaid annual fee