KR20040067561A - bake apparatus of photo-lithography equipment for semiconductor device fabricating - Google Patents

bake apparatus of photo-lithography equipment for semiconductor device fabricating Download PDF

Info

Publication number
KR20040067561A
KR20040067561A KR1020030004742A KR20030004742A KR20040067561A KR 20040067561 A KR20040067561 A KR 20040067561A KR 1020030004742 A KR1020030004742 A KR 1020030004742A KR 20030004742 A KR20030004742 A KR 20030004742A KR 20040067561 A KR20040067561 A KR 20040067561A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
chamber
semiconductor device
chuck table
support pin
Prior art date
Application number
KR1020030004742A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
정태화
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020030004742A priority Critical patent/KR20040067561A/en
Publication of KR20040067561A publication Critical patent/KR20040067561A/en

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/6875—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions

Abstract

PURPOSE: A bake apparatus of photolithography equipment for fabricating a semiconductor device is provided to prevent process errors by providing the uniform heating atmosphere to an entire surface of a wafer. CONSTITUTION: A bake apparatus of photolithography equipment for fabricating a semiconductor device includes a chamber, a plurality of support pins, and a plurality of heaters. A wafer(W) is inserted into the chamber(22) or the wafer is discharged from the chamber. The chamber is used for forming selectively the sealing atmosphere. The support pins(26) are used for supporting locally from a lower part of the chamber to a bottom face of the wafer. The heaters(28a,28b) are installed each sidewall of the chamber in order to provide the heating atmosphere to the wafer. A chuck table(24) is installed at a lower part of the inside of the chamber in order to heat a bottom part of the wafer.

Description

반도체소자 제조용 포토리소그래피 설비의 베이크장치{bake apparatus of photo-lithography equipment for semiconductor device fabricating}Bake apparatus of photo-lithography equipment for semiconductor device fabricating

본 발명은 반도체소자 제조용 포토리소그래피 설비의 베이크장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 노광 과정 이후에 패턴 이미지가 전사된 웨이퍼에 대하여 전사된 패턴 이미지의 선폭이 보다 미소하게 이루어지도록 웨이퍼의 전면에 대하여 균일한 가열분위기를 제공토록 하는 반도체소자 제조용 포토리소그래피 설비의 베이크장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a baking apparatus for a photolithography apparatus for manufacturing a semiconductor device, and more particularly, to uniform the front surface of a wafer so that the line width of the transferred pattern image becomes smaller than that of the transferred wafer after the exposure process. A baking apparatus for a photolithography apparatus for manufacturing a semiconductor device, which provides a heating atmosphere.

일반적으로 반도체소자는 웨이퍼 상에 포토리소그래피, 식각, 확산, 화학기상증착, 이온주입 및 금속증착 등의 공정을 선택적이고도 반복적으로 수행하여 적어도 하나 이상의 도전층, 반도체층, 부도체층 들을 적층 조합하는 것으로 이루어진다. 상술한 반도체소자 제조공정 중 빈번히 사용되는 포토리소그래피 공정에서는 식각 공정에서 하부기판의 선택적 식각을 위한 식각 마스크 또는 선택적 이온주입시의 이온주입 마스크 등의 패턴 마스크를 형성하기 위한 것이다.In general, a semiconductor device is a laminate and combination of at least one conductive layer, semiconductor layer, and non-conductive layer by selectively and repeatedly performing processes such as photolithography, etching, diffusion, chemical vapor deposition, ion implantation, and metal deposition on a wafer. Is done. In the photolithography process which is frequently used in the semiconductor device manufacturing process described above, the etching mask is used to form a pattern mask such as an etching mask for selective etching of a lower substrate or an ion implantation mask during selective ion implantation.

이러한 포토리소그래피 공정의 일반적인 과정을 살펴보면, 도 1에 도시한 바와 같이, 포토리소그래피 공정 수행을 목적으로 로딩 위치된 웨이퍼(W)는 설비 내에 구비되어 있는 통상의 이송수단에 의해 다음의 각 과정으로 이송이 이루어지고, 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다. 상술한 포토리소그래피 공정에 있어서, 기본적으로 웨이퍼(W) 상면에 패턴 마스크 형성을 위한 포토레지스트(photoresist)의 안정적이고도 균일하게 도포하는 과정이 필요하다. 이에 따라 웨이퍼(W)의 상면에 대하여 포토레지스트의 유착을 돕도록 하기 위하여 먼저 어드히션(adhesion) 과정과(ST102), 이 어드히션 과정에 의해 웨이퍼(W) 상면에 도포한 코팅막질을 안정화시키기 위한 가열(baking) 과정(ST104) 및 가열된 웨이퍼(W)를 적정한 온도 수준에 이르도록 냉각하는 과정(ST106)을 거친 후 포토레지스트 도포 과정(ST108)으로 진행한다. 또한, 상술한 포토레지스트 도포 과정은, 고속 회전하는 웨이퍼(W)의 중심에 포토레지스트를 공급하고, 이때 원심력의 작용을 받은 포토레지스트는 웨이퍼(W)의 상면에 대하여 균일한 층으로 도포되게 하는 것이 일반적이다. 이렇게 도포된 포토레지스트는 웨이퍼(W) 상면에서 유연하게 변화 가능한 상태를 이룸에 따라 이러한 포토레지스트에 대하여 그 형상 변형을 방지토록 소정의 고화 상태를 형성하는 베이킹 과정(ST110)과 가열된 웨이퍼(W)를 다시 냉각시키기 위한 냉각 과정(ST112)의 순차적인 진행이 이루어진다. 이후, 웨이퍼(W)는 소정 패턴 이미지를 갖는 레티클에 대응하여 정렬(align)시키도록 하는 정렬과정(ST114)과 레티클을 조명(illumination)하여 정렬 위치된 웨이퍼(W)에 대하여 패턴 이미지로 노광(exposure)하는 노광과정(ST116)과 노광에 따른 화학 변화를 가진 포토레지스트 제거하여 소망하는 패턴 마스크를 이루도록 하는 현상(develop)과정(ST118)의 순차적인 진행이 이루어진다. 계속하여 현상 과정을 마친 웨이퍼(W) 상에의 현상액에 대하여 초순수(DI-water)를 이용한 세정과정(ST120)과 잔존하는 초순수를 다시 제거토록 하는 건조과정(ST122)의 진행이 이루어진다. 이때, 상술한 바와 같이, 현상 과정을 마친 웨이퍼(W)에 대한 건조 과정은 이미 형성된 패턴 마스크의 선폭을 보다 미소한 크기로 형성하기 위한 작업이 진행되며, 가열된 패턴 마스크 즉, 포토레지스트는 가열 분위기에서 그 형상이 유연하게 변형하며, 이것은 현상 과정에 의해 노출된 선폭 사이를 매우는 방향으로 그 형상 변형이 진행한다.Looking at the general process of such a photolithography process, as shown in Figure 1, the wafer (W) placed in the loading position for the purpose of performing the photolithography process is transferred to each of the following process by the usual transfer means provided in the facility This is made, a detailed description thereof will be omitted. In the above-described photolithography process, basically, a process of stably and uniformly applying a photoresist for forming a pattern mask on the upper surface of the wafer W is required. Accordingly, in order to help adhesion of the photoresist to the upper surface of the wafer W, first, an adhesion process (ST102) and stabilization of the coating film applied to the upper surface of the wafer W by this advice process are performed. After the baking process ST104 and the cooled wafer W to cool to an appropriate temperature level (ST106), the process proceeds to the photoresist coating process ST108. In addition, the above-described photoresist coating process, the photoresist is supplied to the center of the high speed rotating wafer (W), wherein the photoresist subjected to the centrifugal force is applied in a uniform layer on the upper surface of the wafer (W) Is common. The coated photoresist is in a state that can be flexibly changed on the upper surface of the wafer W, and thus, a baking process ST110 and a heated wafer W are formed to form a predetermined solidified state to prevent deformation of the photoresist. ), A sequential progress of the cooling process ST112 is performed. Subsequently, the wafer W is exposed to the pattern image with respect to the wafer W that is aligned by illuminating the alignment process ST114 and the reticle to align the corresponding reticle having a predetermined pattern image ( A sequential progress of the exposure process ST116 for exposing and the development process ST118 for removing a photoresist having a chemical change according to the exposure to form a desired pattern mask are performed. Subsequently, a cleaning process ST120 using ultrapure water (DI-water) and a drying process ST122 are performed to remove the remaining ultrapure water again with respect to the developing solution on the wafer W after the development process. At this time, as described above, the drying process for the wafer W after the development process is performed to form a line width of the already formed pattern mask to a smaller size, and the heated pattern mask, that is, the photoresist is heated. Its shape flexibly deforms in the atmosphere, and the shape deforms in a direction extending between the line widths exposed by the developing process.

이러한 관계에 있어서, 웨이퍼(W)에 대한 가열 분위기를 제공하는 종래의 베이크장치(10) 구성은, 도 2에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)의 투입에 따라 선택적으로 밀폐 분위기를 형성하는 챔버(12)가 있고, 이 챔버(12)는 내부에 투입된 웨이퍼(W)의 저면을 밀착되게 받쳐 지지하도록 하는 척 테이블(14)을 구비하고 있다. 그리고, 상술한 척 테이블(14)은 제어부(도면의 단순화를 위하영 생략함)에 의해 선택적으로 인가되는 전원으로부터 발열하여 척 테이블(14)의 상부에 밀착되어 놓인 웨이퍼(W)를 전도 방식으로 열을 제공하는 히터(16)를 구비하고 있다.In this relationship, the conventional baking apparatus 10 configuration that provides a heating atmosphere for the wafer W is, as shown in FIG. 2, a chamber for selectively forming a closed atmosphere in accordance with the input of the wafer W. As shown in FIG. (12), the chamber (12) is provided with a chuck table (14) for supporting the bottom face of the wafer (W) inserted therein in close contact. In addition, the chuck table 14 described above generates heat from a power source selectively applied by a control unit (not shown for simplification of the drawing), and conducts a wafer W in close contact with the upper portion of the chuck table 14 in a conductive manner. The heater 16 which provides heat is provided.

이러한 구성에 의하면, 통상의 이송수단에 의해 챔버(12) 내부로 투입된 웨이퍼(W)는 챔버(12) 내부의 척 테이블(14)의 상면에 그 저면이 밀착되게 놓이고, 이어 제어부는 상술한 히터(16)를 구동시켜 그 발열 정도를 제어토록 함으로써 웨이퍼(W) 즉, 웨이퍼(W) 상의 포토마스크의 패턴 형상의 변형을 제어하는 과정으로 이루어진다.According to this configuration, the wafer W introduced into the chamber 12 by the usual transfer means is placed on the upper surface of the chuck table 14 inside the chamber 12 to be in close contact with each other. The heater 16 is driven to control the degree of heat generation, thereby controlling the deformation of the pattern of the photomask on the wafer W, that is, on the wafer W.

그러나, 상술한 바와 같이, 웨이퍼(W)를 가열시키는 방식은 히터(16)의 발열로부터 척 테이블(14)에 밀착한 웨이퍼(W) 저면에 대하여 열 전도로 이루어지는 것으로서, 여기서 상술한 히터(16)의 배치는 척 테이블(14)의 전면에 대하여 부분적으로 설치되어 이에 따른 열 전도가 불균일하게 이루어질 뿐 아니라 이로서 웨이퍼(W) 상의 포토마스크의 변형은 불균일하게 이루어져 공정 불량을 야기하는 문제가 있었다.However, as described above, the method of heating the wafer W is made of heat conduction with respect to the bottom surface of the wafer W in close contact with the chuck table 14 from the heat generation of the heater 16. ) Is partially installed with respect to the front surface of the chuck table 14 so that the heat conduction is not uniform accordingly, and thus the deformation of the photomask on the wafer W is non-uniform, causing a process defect.

본 발명의 목적은, 상술한 종래 기술에 따른 요구 사항과 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 웨이퍼 상에 형성된 포토마스크를 재결성하는데 요구되는 온도 분위기를 웨이퍼 전면에 대하여 균일하게 이루어지도록 함으로써 그에 따른 공정 불량을 방지하도록 하는 반도체소자 제조용 포토리소그래피 설비의 베이크장치를 제공함에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the above-mentioned requirements and problems according to the prior art, and to make the temperature atmosphere required to reassemble the photomask formed on the wafer uniformly with respect to the entire surface of the wafer, thereby reducing process defects. The present invention provides a baking apparatus for a photolithography facility for manufacturing a semiconductor device.

도 1은 일반적인 포토리소그래피 공정 과정을 개략적으로 나타낸 순서도이다.1 is a flow chart schematically showing a general photolithography process.

도 2는 종래 기술에 따른 포토리소그래피 설비의 베이크장치의 구성을 개략적으로 나타낸 단면도이다.2 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of a baking apparatus of a photolithography facility according to the prior art.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 포토리소그래피 설비의 베이크장치의 구성을 개략적으로 나타낸 단면도이다.3 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of a baking apparatus of a photolithography apparatus according to an embodiment of the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

10, 20: 베이크장치 12, 22: 챔버10, 20: baking device 12, 22: chamber

14, 24: 척 테이블 16, 28a, 28b: 히터14, 24: chuck tables 16, 28a, 28b: heater

26: 지지핀26: support pin

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체소자 제조용 포토리소그래피 설비의 베이크장치 구성은, 웨이퍼의 투입이 있는 밀폐 분위기를 구획하는 챔버와; 상기 챔버의 하부로부터 웨이퍼의 저면을 국부적으로 지지하도록 적어도 하나 이상 구비한 지지핀; 및 상기 챔버의 상, 하, 좌, 우 방향을 포함한 각 측벽 내에 설치하여 상기 지지핀에 지지되는 웨이퍼에 대하여 가열 분위기를 제공하는 히터를 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.The baking apparatus configuration of the photolithography apparatus for manufacturing a semiconductor device according to the present invention for achieving the above object includes a chamber for partitioning a sealed atmosphere into which a wafer is placed; At least one support pin to locally support a bottom surface of the wafer from a lower portion of the chamber; And a heater installed in each side wall including up, down, left, and right directions of the chamber to provide a heating atmosphere to the wafer supported by the support pin.

또한, 상기 챔버 내부의 하측 부위에는 투입 위치되는 웨이퍼의 저면에 대향하는 척 테이블을 더 구비하고, 상기 척 테이블은 내부에 상기 웨이퍼 저면에 대하여 열을 제공토록 하는 상기 히터를 구비한 구성으로 형성하여 종래의 기술 구성을 응용하여 사용할 수 있도록 함이 바람직하다.In addition, the lower portion of the inside of the chamber further comprises a chuck table facing the bottom surface of the wafer to be placed, the chuck table is formed in the configuration having the heater to provide heat to the bottom surface of the wafer inside It is desirable to be able to use and apply the prior art configuration.

그리고, 상기 지지핀은 투입 위치된 웨이퍼의 패턴 형성영역을 제외한 저면의 가장자리 측부를 지지하도록 배치함이 바람직하다.In addition, the support pin may be disposed to support the edge side of the bottom surface except for the pattern formation region of the wafer in which the wafer is placed.

이하, 본 발명의 실시예에 따른 반도체소자 제조용 포토리소그래피 설비의 베이크장치에 대하여 첨부한 도면을 참조하여 설명하기로 한다.Hereinafter, a baking apparatus of a photolithography apparatus for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 반도체소자 제조용 포토리소그래피 설비의 베이크장치 구성을 개략적으로 나타낸 단면도로서, 종래와 동일한 부분에 대하여 동일한 구성에 대하여 상세한 설명은 생략하기로 한다.FIG. 3 is a cross-sectional view schematically illustrating the configuration of a baking apparatus of a photolithography apparatus for manufacturing a semiconductor device according to an exemplary embodiment of the present disclosure, and detailed descriptions of the same components will be omitted.

본 발명에 따른 반도체소자 제조용 포토리소그래피 설비의 베이크장치(20) 구성은, 도 3에 도시한 바와 같이, 통상의 이송수단에 의해 이송된 웨이퍼(W)의 투입 및 인출이 가능하고, 선택적으로 밀폐 분위기를 형성하는 챔버(22)를 구비한다. 이러한 챔버(22)의 내부 하측에는 투입된 웨이퍼(W)의 저면에 대향하는 형상의 척 테이블(24)을 구비하며, 이 척 테이블(24)의 상부에는 투입 위치된 웨이퍼(W)의 저면을 받쳐 지지하기 위한 적어도 하나 이상의 지지핀(26)을 구비하고 있다. 여기서, 상술한 척 테이블(24)은 종래 기술 구성을 활용할 수 있도록 하는 구성의 일환으로서 구비되고, 상술한 지지핀(26) 구성을 단순히 챔버(22) 내부의 하측 부위로부터 돌출된 형상을 이루도록 구비한 것으로 구성하여 이루어질 수 있는 것이며, 지지핀(26)이 하나 설치되는 경우 웨이퍼(W)의 저면 중심 부위를 받쳐 지지하도록 지지핀(26)의 상측 단부를 소정 크기의 면적을 갖도록 형성하여 이루어질 수 있는 것이다. 이러한 지지핀(26)의 구성에 대하여 보다 바람직하기로는 웨이퍼(W)에 대한 접촉 면적을 보다 줄이도록 함과 동시에 웨이퍼(W) 상의 패턴 형성 영역에 영향을 주지 않는 범위에 있도록 하기 위하여 적어도 세 개 이상을 웨이퍼(W)의 중심으로부터 패턴 형성 영역을 제외한 가장자리 원주 방향으로 배치토록 함이 보다 바람직하다 할 것이다. 한편, 상술한 챔버(22)의 상, 하, 좌, 우 등의 측벽 부위에는 웨이퍼(W)에 대한 복사열을 차단토록 하고 대류의 현상을 보다 축소시켜 그 내부를, 소망하는 바와 같이, 균일한 가열 온도 분위기로 형성하기 위한 히터(28a)를 구비한 구성으로 이루어진다. 이에 더하여 상술한 바와 같이, 챔버(22) 내부에 척 테이블(24)을 구비한 구성에 대하여는 웨이퍼(W)의 저면에 대하여 가열 분위의 제공이 있도록 척 테이블(24)의 내부에도 다른 히터(28b)를 더 구비하여 이루어질 수 있는 것이다. 그리고, 상술한 챔버(22) 상에 구비한 히터(28a)와 척 테이블(24) 상에 구비한 히터(28b)는 종래와 마찬가지로 제어부(도면의 단순화를 위하여 생략함)에 의해 제어되는 구성으로 이루어질 수 있으며, 이에 더하여 상술한 챔버(22) 내부에는 웨이퍼(W) 상에 작용하는 온도 분위기를 감지하여 상술한 제어부에 그 신호를 인가토록 함으로써 제어부로 하여금 히터(28a, 28b)의 구동을 제어하도록 하는 온도 센서(도면의 단순화를 위하여 생략함)를 구비하여 이루어질 수 있으며, 온도 분위기와 밀접한 관계를 갖는 압력센서(도면의 단순화를 위하여 생략함) 또한 구비한 구성으로 이루어질 수 있다.In the configuration of the baking apparatus 20 of the photolithography facility for manufacturing a semiconductor device according to the present invention, as shown in FIG. 3, the wafer W transferred and taken out by the usual transfer means can be put in and taken out, and optionally closed. The chamber 22 which forms an atmosphere is provided. The lower side of the chamber 22 is provided with a chuck table 24 having a shape opposite to the bottom surface of the wafer W inserted, and the top of the chuck table 24 supports the bottom surface of the wafer W placed therein. At least one support pin 26 for supporting is provided. Here, the chuck table 24 described above is provided as part of the configuration to utilize the prior art configuration, and the support pin 26 configuration described above is simply formed to protrude from the lower portion inside the chamber 22. If one support pin 26 is installed, the upper end of the support pin 26 may be formed to have a predetermined size so as to support the bottom center portion of the wafer W. It is. More preferably, the structure of the support pins 26 is at least three in order to reduce the contact area with respect to the wafer W and at the same time without affecting the pattern forming region on the wafer W. It will be more preferable to arrange the above in the circumferential direction of the edge excluding the pattern formation region from the center of the wafer W. On the other hand, the side wall portions of the chamber 22 described above, such as the upper, lower, left, and right sides are allowed to block radiant heat to the wafer W, and further reduce the phenomenon of convection so that the inside thereof is uniform as desired. It consists of the structure provided with the heater 28a for forming in a heating temperature atmosphere. In addition, as described above, in the configuration in which the chuck table 24 is provided in the chamber 22, another heater 28b is also provided in the chuck table 24 so that the heating portion is provided to the bottom surface of the wafer W. ) Can be made with more. The heater 28a provided on the chamber 22 and the heater 28b provided on the chuck table 24 are controlled by a control unit (not shown for simplicity of the drawings) as in the related art. In addition, the controller 22 controls the driving of the heaters 28a and 28b by sensing the temperature atmosphere acting on the wafer W and applying the signal to the controller as described above. A temperature sensor (not shown for simplicity of the drawing) may be provided, and a pressure sensor (not shown for simplicity of the drawing) having a close relationship with a temperature atmosphere may also be configured.

이러한 구성에 의하면, 통상의 이송수단에 의해 챔버(22) 내부로 투입된 웨이퍼(W)는 챔버(22) 내부의 척 테이블(24)의 상면으로부터 이격된 상태를 이루도록 지지핀(26)에 지지되게 놓이고, 이어 제어부는 상술한 히터(28a, 28b)를 구동시켜 그 발열 정도를 제어토록 함으로써 웨이퍼(W)로 하여금 챔버(22) 내의 가열된 분위기에 있도록 한다. 이에 따라 웨이퍼(W)의 전면은 챔버(22) 내의 균일한 가열 분위기에 놓이고, 이렇게 균일한 가열 분위기 하에서 포토카스크의 형상 변형 또한균일하게 이루어질 수 있는 것이다.According to this configuration, the wafer W introduced into the chamber 22 by the usual transfer means is supported by the support pin 26 so as to be spaced apart from the upper surface of the chuck table 24 in the chamber 22. The controller then drives the heaters 28a and 28b described above to control the heat generation thereof so that the wafer W is in a heated atmosphere in the chamber 22. Accordingly, the front surface of the wafer W is placed in a uniform heating atmosphere in the chamber 22, and in this uniform heating atmosphere, the shape deformation of the photomask can also be made uniform.

따라서, 이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 구성에 의하면, 웨이퍼 상에 형성된 포토마스크를 재결성하기 위한 가열 분위기를 복사열 또는 전도 방식을 제외하고, 대류를 억제하는 상태로 가열 분위기에 있도록 함으로써 히터에 의해 제공되는 열은 웨이퍼의 전면에 대하여 균일하게 제공되고, 그에 따른 포토마스크의 재 형성이 균일하게 이루어지며, 이로부터 공정 불량의 방지에 따른 반도체소자 제좃유이 향상되는 효과가 있다.Therefore, as described above, according to the configuration of the present invention, by heating the heating atmosphere for re-forming the photomask formed on the wafer in a heating atmosphere to suppress convection, except radiant heat or conduction method, The provided heat is uniformly provided with respect to the entire surface of the wafer, and thus the photomask is reformed uniformly, thereby improving the semiconductor device preparation oil due to the prevention of process defects.

본 발명은 구체적인 실시예에 대해서만 상세히 설명하였지만 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 변형이나 변경할 수 있음은 본 발명이 속하는 분야의 당업자에게는 명백한 것이며, 그러한 변형이나 변경은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 할 것이다.Although the present invention has been described in detail only with respect to specific embodiments, it will be apparent to those skilled in the art that modifications and variations can be made within the scope of the technical idea of the present invention, and such modifications or changes belong to the claims of the present invention. something to do.

Claims (4)

웨이퍼의 투입이 있는 밀폐 분위기를 구획하는 챔버와;A chamber partitioning a sealed atmosphere in which wafers are placed; 상기 챔버의 하부로부터 웨이퍼의 저면을 국부적으로 지지하도록 적어도 하나 이상 구비한 지지핀; 및At least one support pin to locally support a bottom surface of the wafer from a lower portion of the chamber; And 상기 챔버의 상, 하, 좌, 우 방향을 포함한 각 측벽 내에 설치하여 상기 지지핀에 지지되는 웨이퍼에 대하여 가열 분위기를 제공하는 히터를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 반도체소자 제조용 포토리소그래피 설비의 베이크장치.Baking apparatus of a photolithography facility for manufacturing a semiconductor device, characterized in that it comprises a heater provided in each side wall including the upper, lower, left, right direction of the chamber to provide a heating atmosphere for the wafer supported by the support pin. . 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 챔버 내부의 하측 부위에는 투입 위치되는 웨이퍼의 저면에 대향하는 척 테이블을 더 구비하고, 상기 척 테이블은 내부에 상기 웨이퍼 저면에 대하여 열을 제공토록 하는 상기 히터를 구비한 구성으로 형성하여 이루어짐을 특징으로 하는 상기 반도체소자 제조용 포토리소그래피 설비의 베이크장치.The lower portion of the chamber further includes a chuck table facing the bottom of the wafer to be placed, the chuck table is formed by the configuration having the heater to provide heat to the bottom of the wafer inside The baking apparatus of the said photolithographic apparatus for manufacturing said semiconductor elements. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 지지핀은 투입 위치되는 웨이퍼의 저면 중심 부위에 대향하여 접촉 지지하는 정도로 그 상단부를 판 형상으로 형성한 것을 특징으로 하는 상기 반도체소자 제조용 포토리소그래피 설비의 베이크장치.And the support pin has a top end portion formed in a plate shape such that the support pin is in contact with and supports the bottom center portion of the wafer to be placed. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 지지핀은 투입 위치되는 웨이퍼 상의 패턴 형성영역을 제외한 저면 가장자리 측부를 지지하도록 적어도 세 개 이상 배치하여 이루어짐을 특징으로 하는 상기 반도체소자 제조용 포토리소그래피 설비의 베이크장치.And at least three support pins arranged so as to support side edges of the bottom surface except for the pattern formation region on the wafer to be placed.
KR1020030004742A 2003-01-24 2003-01-24 bake apparatus of photo-lithography equipment for semiconductor device fabricating KR20040067561A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030004742A KR20040067561A (en) 2003-01-24 2003-01-24 bake apparatus of photo-lithography equipment for semiconductor device fabricating

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030004742A KR20040067561A (en) 2003-01-24 2003-01-24 bake apparatus of photo-lithography equipment for semiconductor device fabricating

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20040067561A true KR20040067561A (en) 2004-07-30

Family

ID=37357077

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020030004742A KR20040067561A (en) 2003-01-24 2003-01-24 bake apparatus of photo-lithography equipment for semiconductor device fabricating

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20040067561A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022217130A1 (en) * 2021-04-09 2022-10-13 Applied Materials, Inc. Single-volume baking chamber for mask clean
WO2022221223A1 (en) * 2021-04-13 2022-10-20 Applied Materials, Inc. Baking chamber with shroud for mask clean
US11942338B2 (en) 2020-06-26 2024-03-26 Samsung Display Co., Ltd. Apparatus for manufacturing display device

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11942338B2 (en) 2020-06-26 2024-03-26 Samsung Display Co., Ltd. Apparatus for manufacturing display device
WO2022217130A1 (en) * 2021-04-09 2022-10-13 Applied Materials, Inc. Single-volume baking chamber for mask clean
US11921422B2 (en) 2021-04-09 2024-03-05 Applied Materials, Inc. Single-volume baking chamber for mask clean
WO2022221223A1 (en) * 2021-04-13 2022-10-20 Applied Materials, Inc. Baking chamber with shroud for mask clean

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100728244B1 (en) Silylation treatment unit and method
US8888920B2 (en) Imprint system, imprint method, and non-transitory computer storage medium
KR101269748B1 (en) Heat treatment unit
EP1684333A2 (en) Coating and developing system and coating and developing method
JP4843043B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
EP1684334A2 (en) Coating and developing system and coating and developing method
US8168378B2 (en) Substrate treatment system, substrate treatment method, and computer readable storage medium
TW201142930A (en) Coating and developing apparatus, developing method and storage medium
US7901149B2 (en) Substrate processing method, program, computer-readable recording medium, and substrate processing system
JPH11260718A (en) Method and apparatus for development
KR102516725B1 (en) bake apparatus a having the unit and method processing substrate by using thereof
KR20040067561A (en) bake apparatus of photo-lithography equipment for semiconductor device fabricating
JP2007214506A (en) Substrate processing method and program thereof
US20080153181A1 (en) Substrate processing method, substrate processing system, and computer-readable recording medium recording program thereon
KR102427045B1 (en) Method and apparatus for heat processing of substrate, substrate processing apparatus
JP2005150696A (en) Heat treatment apparatus and method therefor
JP4034285B2 (en) Temperature control system and temperature control method
KR100300679B1 (en) Wafer high and low regulator of wafer manufaturing bake
KR102221284B1 (en) Hot plate and apparatus for heat-treating substrate with the hot plate, and fabricating method of the hot plate
US20080199617A1 (en) Substrate processing method, substrate processing system, and storage medium
JP2003068598A (en) Baking method and baking system
KR20200021818A (en) Hot plate and apparatus for heat-treating substrate with the hot plate, and fabricating method of the hot plate
KR20060053044A (en) Wafer baking apparatus
KR20060030207A (en) Bake apparatus
JP2001274064A (en) Heating treater and heating treatment method

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination