KR20040066302A - 자연산화 억제를 위한 반도체 소자 제조 설비용 가스 시스템 - Google Patents

자연산화 억제를 위한 반도체 소자 제조 설비용 가스 시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR20040066302A
KR20040066302A KR1020030003322A KR20030003322A KR20040066302A KR 20040066302 A KR20040066302 A KR 20040066302A KR 1020030003322 A KR1020030003322 A KR 1020030003322A KR 20030003322 A KR20030003322 A KR 20030003322A KR 20040066302 A KR20040066302 A KR 20040066302A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
valve
gas
semiconductor device
gas system
gas line
Prior art date
Application number
KR1020030003322A
Other languages
English (en)
Inventor
강광기
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020030003322A priority Critical patent/KR20040066302A/ko
Publication of KR20040066302A publication Critical patent/KR20040066302A/ko

Links

Classifications

    • E—FIXED CONSTRUCTIONS
    • E04—BUILDING
    • E04F—FINISHING WORK ON BUILDINGS, e.g. STAIRS, FLOORS
    • E04F15/00—Flooring
    • E04F15/18—Separately-laid insulating layers; Other additional insulating measures; Floating floors
    • E04F15/20—Separately-laid insulating layers; Other additional insulating measures; Floating floors for sound insulation
    • E04F15/206—Layered panels for sound insulation
    • E—FIXED CONSTRUCTIONS
    • E04—BUILDING
    • E04F—FINISHING WORK ON BUILDINGS, e.g. STAIRS, FLOORS
    • E04F2290/00—Specially adapted covering, lining or flooring elements not otherwise provided for
    • E04F2290/04—Specially adapted covering, lining or flooring elements not otherwise provided for for insulation or surface protection, e.g. against noise, impact or fire
    • E04F2290/041—Specially adapted covering, lining or flooring elements not otherwise provided for for insulation or surface protection, e.g. against noise, impact or fire against noise

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Civil Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)

Abstract

본 발명은 자연산화 억제를 위한 반도체 소자 제조 설비용 가스 시스템에 관한 것으로, 본 발명에 의한 반도체 소자 제조설비용 가스 시스템은 가스 시스템의 정상 동작시에 개방되는 N/C 밸브가 형성되어 반도체 소자 제조설비에 연결되는 제 1 가스라인과; 제 1 가스라인과 병렬로 연결되고, 가스 시스템의 이상 동작시에 개방되는 N/O 밸브가 형성된 제 2 가스라인; 및 N/C 밸브 및 상기 N/O 밸브와 연결되어 N/C 밸브 및 N/O 밸브의 개폐를 조절하는 개폐 조절부를 포함하며, 제 1 가스라인을 통해 반도체 소자 제조설비에 분위기 가스의 공급이 중단된 경우, 제 2 가스라인을 통해 반도체 소자 제조설비에 분위기 가스를 계속적으로 공급할 수 있도록 한 것을 특징으로 한다.
본 발명은 가스 시스템의 이상이나 정전 등의 이상 발생시에도 분위기 가스를 계속적으로 공급할 수 있도록하여 외기의 유입을 차단함으로써 웨이퍼 표면의 산화를 방지하여 불량을 방지하는 효과가 있다.

Description

자연산화 억제를 위한 반도체 소자 제조 설비용 가스 시스템{Gas System of Semiconductor Manufacturing Apparatus For Restraining Natural Oxidation}
본 발명은 자연산화 억제를 위한 반도체 소자 제조 설비용 가스 시스템에 관한 것으로, 보다 상세하게 설명하면 정전 또는 설비의 고장과 같은 설비의 이상 발생 시, 분위기 가스 공급중단에 의해 유입되는 공기로 인한 자연산화 억제를 위해서 종래의 가스라인에 병렬로 또다른 가스라인을 형성하고, 종래 가스라인의 N/C 밸브가 밀폐되는 경우, 병렬로 형성된 가스라인의 N/O 밸브를 개방할 수 있도록 하여 이 밸브를 통해서 분위기 가스가 계속적으로 공급될 수 있도록 함으로써 웨이퍼 표면의 자연산화억제를 위한 반도체 소자 제조 설비용 가스 시스템에 관한 것이다.
반도체 소자 제조설비 중, 확산로에 사용되는 가스 시스템은 가스라인의 수, 메탈(Metal)의 종류, 버블(Bubble)의 종류, 용도 등에 의해서 산화용, 확산용, 드라이브인(Drive In), 어닐링(Annealing) 등 여러 종류의 사양으로 나뉘어진다.
이중에서 어닐링은 수소(H2)를 분위기 가스로 사용하는 것과 질소(N2)를 분위기 가스로 사용하는 것이 있다. 수소를 이용하는 어닐링은 비교적 저온에서 행해지며 웨이퍼 위에 증착된 알루미늄(Al) 등의 밀착성을 향상시킨다. 미반응 수소가 배출되면 폭발등의 위험성이 있으므로 통상적으로 배출구 부근에 히터를 설치하여 수소를 연소시킨다. 또한 질소를 이용하는 어닐링은 비교적 간단한 가스 시스템이 사용되고, 이는 웨이퍼 표면 결함, 일그러짐의 완화, 드라이브 인을 행할때 사용된다. 이와같이 반도체 소자의 제조설비에서는 가스 시스템이 사용되는데 종래의 가스 시스템은 다음과 같이 구성된다.
도 1은 종래 반도체 소자 제조 설비용 가스 시스템에 관한 개략적인 단면도이다. 다수의 웨이퍼(103)가 장착된 보우트(102)가 퍼니스(Furnace,101) 내부로 로딩(Loading)되어 어닐링이 진행된다. 어닐링의 진행시에 가스라인(109)를 통해서 분위기 가스가 퍼니스(101) 내부로 공급되고, 배출구(108)을 통해서 분위기 가스가 배출된다.
가스라인(109)에는 유량 제어장치(104)가 형성되어 퍼니스(101) 내부로 유입되는 분위기 가스의 양을 제어하며, 솔레노이드 밸브(106)과 제어라인(107)을 통해 연결된 N/C 밸브(Normal Closed Valve, 107)가 형성되어 가스라인(109)의 밀폐를 조절한다.
그런데, 이러한 종래 반도체 소자 제조 설비용 가스 시스템에서는 이러한 가스 시스템의 이상이나 정전 등으로 인해서 반도체 소자 제조 설비에 유입되는 분위기 가스의 공급이 중단된 경우 고온의 퍼니스(101) 내부에 외기의 유입으로 웨이퍼표면이 산화되어 반도체 소자의 동작특성을 변화시켜 불량을 야기하는 문제가 있었다.
따라서 본 발명은 가스 시스템의 이상이나 정전 등의 이상 발생시에도 분위기 가스를 계속적으로 공급할 수 있도록하여 외기의 유입을 차단함으로써 웨이퍼 표면의 산화를 방지하여 불량을 방지함에 그 목적이 있다.
도 1은 종래 반도체 소자 제조 설비용 가스 시스템에 관한 개략적인 단면도이고,
도 2는 본 발명에 의한 자연산화 억제를 위한 반도체 소자 제조 설비용 가스 시스템에 관한 개략적인 단면도이고,
도 3은 도 2의 A 부분의 확대도이다.
※ 도면의 주요 부분에 대한 간단한 설명 ※
101: 퍼니스 102: 보우트
103: 웨이퍼 104: 유량 제어장치
105: N/C 밸브 106: 솔레노이드 밸브
107,207: 제어라인 108: 배출구
109: 가스라인 201: 제 1 가스라인
202: 제 2 가스라인 203: N/O 밸브
204: 수동밸브 301a,301b: 스프링
302a,302b: 밀폐바
이러한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 의한 반도체 소자 제조설비용 가스 시스템은 가스 시스템의 정상 동작시에 개방되는 N/C 밸브가 형성되어 반도체 소자 제조설비에 연결되는 제 1 가스라인과; 제 1 가스라인과 병렬로 연결되고, 가스 시스템의 이상 동작시에 개방되는 N/O 밸브가 형성된 제 2 가스라인; 및 N/C 밸브 및 상기 N/O 밸브와 연결되어 N/C 밸브 및 N/O 밸브의 개폐를 조절하는 개폐 조절부를 포함하며, 제 1 가스라인을 통해 반도체 소자 제조설비에 분위기 가스의 공급이 중단된 경우, 제 2 가스라인을 통해 반도체 소자 제조설비에 분위기 가스를 계속적으로 공급할 수 있도록 한 것을 특징으로 한다.
또한 개폐 조절부는 솔레노이드 밸브로 구성되어, 이러한 솔레노이드 밸브는가스 시스템이 정상 동작시에는 N/C 밸브 및 N/O 밸브에 공기를 주입하여 N/C 밸브 및 N/O 밸브 내부의 밀폐판을 이동시켜 N/C 밸브를 개방시키고 N/O 밸브를 밀폐시키며, 가스 시스템이 이상 동작시에는 N/C 밸브 및 N/O 밸브에 대한 공기 주입을 차단하여 밀폐판을 복귀시킴으로써, N/C 밸브를 밀폐시키고 N/O 밸브를 개방시키는 것을 특징으로 한다.
양호하게는, 반도체 소자 제조설비에 공급되는 분위기 가스의 유량을 제어할 수 있도록 상기 제 2 가스라인에 수동 밸브가 더 포함된 것을 특징으로 한다.
이하, 도면을 중심으로 본 발명을 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명에 의한 자연산화 억제를 위한 반도체 소자 제조 설비용 가스 시스템에 관한 개략적인 단면도이다.
본 발명에 의한 가스 시스템은 제 1 가스라인(201)과 제 2 가스라인(202)이 병렬로 연결되어 있으며, 이러한 가스라인을 통해서 퍼니스(101)에 분위기 가스가 주입된다. 제 1 가스라인(201)에는 유량 제어장치(MFC:Mass Flow Controller,104)와 N/C 밸브(105)가 형성되고, 제 2 가스라인(202)에는 수동 밸브(204)와 N/O 밸브(203)가 형성된다.
가스 시스템이 정상 동작시에 N/C 밸브(105)는 개방되어 제 1 가스라인(201)을 통하여 분위기 가스가 흐르고, N/O 밸브(203)는 밀폐되어 제 2 가스라인(202)에는 분위기 가스가 흐르지 못한다. N/C 밸브(105)와 N/O 밸브(203)는 개폐 조절부로 사용되는 솔레노이드 밸브(106)에 의해서 제어된다. 이러한 제어동작의 상세한설명은 도 3에 관한 설명에서 상세히 소개한다.
유량 제어장치(104)는 가스 시스템의 정상 동작시에 퍼니스(101)에 유입되는 분위기 가스의 양을 제어하고, 수동 밸브(204)는 가스 시스템의 이상 동작시에 수동으로 퍼니스(101)에 유입되는 분위기 가스의 양을 제어한다.
도 3은 도 2의 A 부분의 확대도이다.
솔레노이드 밸브(106)는 가스 시스템이 정상 공급시에는 제어라인(207)을 통해 N/C 밸브(105)와 N/O 밸브(203)에 공기를 주입하고, 이상 발생시에는 공기의 주입이 차단된다.
N/C 밸브(105)와 N/O 밸브(203)에 공기가 주입되면, N/C 밸브(105)의 밀폐바(302a)가 상승하여 제 1 가스라인(201)이 개방되는 반면, N/O 밸브(203)의 밀폐바(302b)가 하강하여 제 2 가스라인(202)이 폐쇄된다. 역으로 N/C 밸브(105)와 N/O 밸브(203)에 공기의 주입이 차단되면, N/C 밸브(105)의 밀폐바(302a)가 스프링(301a)의 탄성에 의해 하강하여 제 1 가스라인(201)이 폐쇄되는 반면, N/O 밸브(203)의 밀폐바(301b)가 스프링(301b)의 탄성에 의해 상승하여 제 2 가스라인(202)이 개방된다. 따라서 설비의 정상 동작시에는 제 1 가스라인(201)을 통해서, 설비의 이상 동작시에는 제 2 가스라인(202)를 통해서 퍼니스에 분위기 가스를 계속적으로 공급함으로써 웨이퍼 표면의 자연산화를 억제할 수 있게 된다.
한편, 본 명세서와 도면에 개시된 발명의 실시예들은 이해를 돕기 위해 특정예를 예시한 것에 지나지 않으며, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것이 아니다. 여기에 개시된 실시예들 이외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변화예들이 실시 가능하다는 것은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것이다.
본 발명은 가스 시스템의 이상이나 정전 등의 이상 발생시에도 분위기 가스를 계속적으로 공급할 수 있도록하여 외기의 유입을 차단함으로써 웨이퍼 표면의 산화를 방지하여 불량을 방지하는 효과가 있다.

Claims (3)

  1. 반도체 소자 제조설비용 가스 시스템으로서,
    상기 가스 시스템의 정상 동작시에 개방되는 N/C 밸브가 형성되어 상기 반도체 소자 제조설비에 연결되는 제 1 가스라인;
    상기 제 1 가스라인과 병렬로 연결되고, 상기 가스 시스템의 이상 동작시에 개방되는 N/O 밸브가 형성된 제 2 가스라인; 및
    상기 N/C 밸브 및 상기 N/O 밸브와 연결되어 상기 N/C 밸브 및 상기 N/O 밸브의 개폐를 조절하는 개폐 조절부;
    를 포함하며,
    상기 제 1 가스라인을 통해 반도체 소자 제조설비에 분위기 가스의 공급이 중단된 경우, 제 2 가스라인을 통해 반도체 소자 제조설비에 분위기 가스를 계속적으로 공급할 수 있도록 한 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조설비용 가스 시스템.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 개폐 조절부는 솔레노이드 밸브로 구성되어,
    상기 솔레노이드 밸브는 상기 가스 시스템이 정상 동작시에는 상기 N/C 밸브 및 상기 N/O 밸브에 공기를 주입하여 상기 N/C 밸브 및 상기 N/O 밸브 내부의 밀폐판을 이동시켜 상기 N/C 밸브를 개방시키고 상기 N/O 밸브를 밀폐시키며,
    상기 가스 시스템이 이상 동작시에는 상기 N/C 밸브 및 상기 N/O 밸브에 대한 공기 주입을 차단하여 밀폐판을 복귀시킴으로써, 상기 N/C 밸브를 밀폐시키고 상기 N/O 밸브를 개방시키는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조설비용 가스 시스템.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 반도체 소자 제조설비에 공급되는 분위기 가스의 유량을 제어할 수 있도록 상기 제 2 가스라인에 수동 밸브가 더 포함된 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조설비용 가스 시스템.
KR1020030003322A 2003-01-17 2003-01-17 자연산화 억제를 위한 반도체 소자 제조 설비용 가스 시스템 KR20040066302A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030003322A KR20040066302A (ko) 2003-01-17 2003-01-17 자연산화 억제를 위한 반도체 소자 제조 설비용 가스 시스템

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030003322A KR20040066302A (ko) 2003-01-17 2003-01-17 자연산화 억제를 위한 반도체 소자 제조 설비용 가스 시스템

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20040066302A true KR20040066302A (ko) 2004-07-27

Family

ID=37356146

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020030003322A KR20040066302A (ko) 2003-01-17 2003-01-17 자연산화 억제를 위한 반도체 소자 제조 설비용 가스 시스템

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20040066302A (ko)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102507943B1 (ko) Efem 가스 재순환
JP6047672B1 (ja) 真空処理装置
TW202036818A (zh) 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及記錄媒體
KR20040066302A (ko) 자연산화 억제를 위한 반도체 소자 제조 설비용 가스 시스템
JPH05304099A (ja) 流量制御装置
US20010019902A1 (en) Wet-oxidation apparatus and wet-oxidation method
KR100481874B1 (ko) 집적회로 제조에 사용되는 확산로 및 확산로의 냉각방법
KR100445631B1 (ko) 반도체 제조 설비의 슬롯 밸브 개폐장치
KR20110039980A (ko) 용접용 캐리지의 냉각 장치
KR102460312B1 (ko) 밸브 조립체 및 기판 처리 장치
US11387125B2 (en) Equipment front end module
JP2002110576A (ja) 熱処理装置及びその方法
KR100573888B1 (ko) 진공 가드밸브
KR200288190Y1 (ko) 셧업식 배기밸브를 갖는 베이크 오븐장치
KR100827478B1 (ko) 저압기상증착설비의 자동셔터와 자동셔터를 통한 퍼지가스세정방법
KR100862860B1 (ko) 소둔로의 가스투입관 개폐장치
KR100270754B1 (ko) 배기라인의 자동 세정방법
KR20030060227A (ko) 액체운송장치의 안정성 확보 시스템
JPH06177054A (ja) 縦型半導体製造装置における主室のガス置換方法、及びその装置
KR20000022566A (ko) 반도체 제조설비의 배기장치
KR20020080925A (ko) 반도체장치 제조설비의 가스 공급시스템
JPH11169805A (ja) 基板処理装置
JPH10321636A (ja) 固体製造装置
KR20070069770A (ko) 쉴드 기능을 구비하는 환기 시스템 및 이를 구현하는 방법
KR20060122110A (ko) 초순수 저장용 버퍼 탱크를 구비하는 반도체 제조 설비의공기 공급 장치

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination