KR20040061886A - 액정표시장치 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따른 액정표시장치는, 기판 위에 형성된 게이트 전극 및 공통 전극과; 상기 게이트 전극 위에 마련된 게이트 절연막 상에 형성된 반도체층과; 반도체층 상에 형성된 소오스 전극과; 반도체층 상에 형성되며, 소오스 전극과 대응되는 위치에 형성되는 드레인 전극과; 소오스 전극 및 드레인 전극 상에 마련되며, 채널 영역의 드레인 전극 위에 콘택홀이 형성된 보호막; 및 보호막 위에 마련되며, 드레인 전극과 콘택홀을 통해 연결되고, 공통 전극과 함께 횡전계를 인가하는 데이터 전극; 을 포함한다.
또한 본 발명에 의하면, 상기 보호막 위에 마련되는 데이터 전극은 투명 전극인 점에 그 특징이 있으며, 상기 투명 전극은 ITO로 형성된다.
또한, 본 발명에 따른 액정표시장치의 제조방법은, 기판 위에 게이트 전극 및 공통 전극을 형성하고, 그 위에 게이트 절연막을 형성하는 단계와; 게이트 전극 위에 마련된 게이트 절연막 상에 반도체층을 형성하는 단계와; 반도체층 상에 소오스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계와; 소오스 전극 및 드레인 전극 상에 보호막을 형성하는 단계와; 채널 영역의 드레인 전극 상의 보호막에 콘택홀을 형성하는 단계; 및 보호막 상에 마련되며, 콘택홀을 통하여 드레인 전극에 연결되고 공통 전극과 횡전계를 인가하는 데이터 전극을 형성하는 단계; 를 포함한다.

Description

액정표시장치 및 그 제조방법{LCD and fabrication method for thereof}
본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로서, 특히 횡전계 방식 액정표시장치에 있어, 드레인 전극의 침식으로 인한 셀 암점의 발생을 줄이고, 휘도를 향상시킬 수 있는 액정표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 영상 정보를 화면에 나타내는 영상 표시 장치들 중에서 브라운관 표시 장치(혹은 CRT:Cathode Ray Tube)가 지금까지 가장 많이 사용되어 왔는데, 이것은 표시 면적에 비해 부피가 크고 무겁기 때문에 사용하는데 많은 불편함이 따랐다.
이에 따라, 표시 면적이 크더라도 그 두께가 얇아서 어느 장소에서든지 쉽게 사용할 수 있는 박막형 평판표시장치가 개발되었고, 점점 브라운관 표시장치를 대체하고 있다. 특히, 액정표시장치(LCD:Liquid Crystal Display)는 표시 해상도가 다른 평판 표시 장치보다 뛰어나고, 동화상을 구현할 때 그 품질이 브라운관에 비할 만큼 반응 속도가 빠른 특성을 나타내고 있다.
알려진 바와 같이, 액정표시장치의 구동 원리는 액정의 광학적 이방성과 분극 성질을 이용한 것이다. 액정은 구조가 가늘고 길기 때문에 분자 배열에 방향성과 분극성을 갖고 있는 액정 분자들에 인위적으로 전자기장을 인가하여 분자 배열 방향을 조절할 수 있다. 따라서, 배향 방향을 임의로 조절하면 액정의 광학적 이방성에 의하여 액정 분자의 배열 방향에 따라 빛을 투과 혹은 차단시킬 수 있게 되어, 색상 및 영상을 표시할 수 있게 된다.
그리고, 액티브 매트릭스형 액정표시장치는, 매트릭스 형태로 배열된 각 화소에 액티브 소자를 부가하고, 이 소자의 스위칭 특성을 이용하여 각 화소의 동작을 제어하는 것으로서, 액정의 전기광학효과를 통하여 메모리 기능을 구현한 것이다.
그런데, 이와 같은 액티브 매트릭스형 액정표시장치에는 시야각에 따라 콘트라스트비(contrast ratio)가 변하는 문제가 발생된다. 이러한 문제를 해결하기 위한 방안으로, 고화질 저전력의 평판표시장치로서 광보상판이 장착된 트위스트 네마틱(twisted nematic) 액정표시장치, 멀티 도메인(multi-domain) 액정표시장치 등과 같은 여러 가지 액정표시장치가 제안되고 있다. 하지만, 이러한 여러 가지 액정표시장치는 굴절율 이방성으로 인해, 기판과 수평하게 배향된 액정분자가 액정 패널에 전압이 인가될 때 기판과 거의 수직 방향으로 배향되기 때문에 시야각 문제를 해결하기 힘든 점이 있다.
이에 따라, 광시야각 문제를 해결하기 위해 제안되는 다른 방식의 액정표시장치로서, 액정 분자를 기판과 거의 수평한 방향으로 배향하여 시야각 문제를 해결할 수 있는 횡전계 방식 액정표시장치(In-plane switching mode LCD)에 대한 다양한 연구가 진행되고 있다.
도 1은 종래 횡전계 방식 액정표시장치의 평면도를 개략적으로 나타낸 도면이고, 도 2는 도 1의 A-A'에 따른 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하여 설명하면, 종래 횡전계 방식 액정표시장치는, 제 1 기판(120)에는 종횡으로 게이트 배선(101) 및 데이터 배선(102)이 배열되어 있다. 상기 게이트 배선(101)과 데이터 배선(102)에 의해 화소영역이 정의되는데, 실제의 액정 패널은 수많은 화소영역으로 구성되어 있지만, 도면에서는 설명의 편의를 위해 한 화소만을 나타내었다.
그리고, 상기 화소 영역 내에는 게이트 배선(101)과 평행한 공통 배선(103)이 배열되어 있으며, 상기 게이트 배선(101)과 데이터 배선(102)의 교차점에는 박막트랜지스터(TFT:Thin Film Transostor)가 형성되어 있다. 상기 TFT는 게이트 전극(104), 게이트 절연막(112), 소오스/드레인 전극(106)(107), 반도체층(105), 오믹콘택층(111)으로 구성되며, 상기 게이트 전극(104) 및 소오스/드레인 전극(106) (107)은 각각 게이트 배선(101) 및 데이터 배선(102)에 접속된다. 또한, 상기 게이트 절연막(112)은 기판 전체에 걸쳐서 적층 형성되어 있다.
그리고, 상기 화소영역에는 공통 전극(108) 및 데이터 전극(109)이 서로 평행하게 형성되어 함께 횡전계를 인가하게 된다. 상기 공통 전극(108)은 제 1 기판(120) 위에 게이트 전극(104)과 동시에 형성되어 공통 배선(103)에 접속되며,데이터 전극(109)은 게이트 절연막(112) 위에 소오스/드레인 전극(106)(107)과 동시에 형성되어 TFT의 소오스/드레인 전극(106)(107)과 접속된다. 그리고, 상기 제 1 기판(120) 전체에 걸쳐서 공통 전극(108) 및 데이터 전극(109) 위에는 보호막(113)과 액정 배향을 위한 제 1 배향막(114)이 마련된다.
또한, 제 2 기판(130)에는 상기 TFT, 게이트 배선(101), 데이터 배선(101) 영역으로 빛이 새는 것을 방지하기 위한 블랙매트릭스(116)와 칼라 필터층(117)이 형성되어 있다. 그리고, 그 위에는 상기 블랙매트릭스(116) 및 칼라 필터층(117)에 의해 발생되는 단차를 제거하기 위한 오버코트층(118)이 형성되고, 그 위에 액정 배향을 위한 제 2 배향막(119)이 마련된다.
그런데, 이와 같은 횡전계 방식 액정표시장치는 트위스트 네마틱 액정표시장치에 비하여 개구율이 낮다는 단점이 있는데, 이에 따라 영상표시장치로서 요구되는 휘도를 만족시키기 위해서는 트위스트 네마틱 액정표시장치에 비하여 4 배 이상 밝은 후면 광원이 필요하게 된다.
한편, 횡전계 방식 액정표시장치에 밝은 후면 광원이 채용되는 경우에는, 박막트랜지스터 영역에 입사되는 강한 빛에 의한 광누설 전류(photo induced leakage current)가 발생된다는 또 다른 문제점이 나타나게 된다. 이러한 점을 감안하여, 박막트랜지스터에 입사되는 강한 빛에 의한 광누설 전류를 줄이기 위한 하나의 방안으로서, 도 3 및 도 4에 나타낸 바와 같이, 소오스/드레인 전극의 형상을 변경하는 방안이 제시되고 있다.
도 3은 종래 횡전계 방식 액정표시장치에 구비되는 소오스/드레인 전극 형상의 다른 예를 나타낸 도면이고, 도 4는 도 3의 B-B'에 따른 단면도이다. 여기서, 도 3 및 도 4는 변형된 소오스/드레인 형상을 설명하기 위하여 채널 형성 영역만을 나타낸 것이다.
도 3 및 도 4를 참조하여 설명하면, 제 1 기판(401) 위에 게이트 전극(301)이 형성되며, 그 게이트 전극(301) 위에 게이트 절연막(402)이 형성되어 있다. 그리고, 채널 형성 영역에서는 상기 게이트 절연막(402) 위에 반도체층(302)이 마련되고, 그 위에 소오스 전극(303) 및 드레인 전극(304)이 각각 마련된다. 이때, 상기 드레인 전극(304)은 I 형상으로 마련되며, 상기 소오스 전극(303)은 U자 형상으로 상기 드레인 전극(304) 주위에 마련된다. 그리고, 상기 소오스 전극(303) 및 드레인 전극(304) 위에는 보호막(403)이 형성된다.
이와 같이, 상기 U자 형상의 소오스 전극(303) 및 I 자 형상의 드레인 전극(304)이 형성됨으로써, 박막트랜지스터 영역에 입사되는 강한 빛에 의한 광누설 전류의 영향을 줄일 수 있게 된다. 즉, 반도체층(302)에 입사되는 빛에 의하여 발생되는 광누설 전류는 소오스 전극(303) 및 드레인 전극(304)으로 흐르게 되는데, 빛이 입사되는 상기 반도체층(302)과 소오스 전극(303)/드레인 전극의 중첩되는 부분을 줄임으로서 광누설 전류의 영향을 줄일 수 있게 되는 것이다. 또한, 상기 반도체층(302)이 게이트 전극(301) 상에 형성되게 함으로써, 후면에서 입사되는 빛이 상기 반도체층(302)으로 투과되는 것을 방지할 수 있게 됨으로써, 보다 광누설 전류의 영향을 줄일 수 있게 된다.
그런데, 이와 같은 구조를 갖는 횡전계 방식 액정표시장치는 I자 형상의 드레인 전극(304)이 형성됨에 있어, 게이트 전극(301) 상에 마련되는 채널 영역의 드레인 전극(304)과, 게이트 전극(301) 상에 마련되지 않는 화소 영역의 드레인 전극(304) 간의 경계 영역(310)에는 단차가 발생된다. 이에 따라, 도 3 및 도 4와 같은 구조를 갖는 횡전계 방식 액정표시장치를 제조하는 공정 상에서, 상기 드레인 전극(304)의 단차부(310)에 단락이 발생될 수 있는 문제점이 있다.
이에 따라, 이와 같은 구조를 갖는 횡전계 방식 액정표시장치에 있어, 상기 드레인 전극(304)에 단락이 발생되는 경우에는 상기 드레인 전극(304)과 횡전계를 인가하는 데이터 전극(미도시) 간에 단락이 발생됨으로써 해당 셀에 암점이 생기는 불량이 나타나게 된다.
본 발명은, 횡전계 방식 액정표시장치에 있어, 드레인 전극의 침식으로 인한 셀 암점의 발생을 줄이고, 휘도를 향상시킬 수 있는 액정표시장치 및 그 제조방법을 제공함에 그 목적이 있다.
도 1은 종래 횡전계 방식 액정표시장치의 평면도를 개략적으로 나타낸 도면.
도 2는 도 1의 A-A'에 따른 단면도.
도 3은 종래 횡전계 방식 액정표시장치에 구비되는 소오스/드레인 전극 형상의 다른 예를 나타낸 도면.
도 4는 도 3의 B-B'에 따른 단면도.
도 5는 본 발명에 따른 횡전계 방식 액정표시장치에 구비되는 소오스/드레인 전극 형상의 예를 나타낸 도면.
도 6은 도 5의 C-C'에 따른 단면도.
도 7은 본 발명에 따른 횡전계 방식 액정표시장치의 제조 공정을 개략적으로 나타낸 도면.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
101... 게이트 배선 102... 데이터 배선
103, 703... 공통 배선 104, 301, 501, 702... 게이트 전극
105, 302, 502, 705... 반도체층 106, 303, 503, 706... 소오스 전극
107, 304, 504, 707... 드레인 전극 108... 공통 전극
109, 505, 709... 데이터 전극 110... 블랙매트릭스
111... 오믹콘택층 112, 402, 602, 704... 게이트 절연막
113, 403, 603, 708... 보호막 114... 제 1 배향막
117... 칼라 필터 118... 오버코트층
119... 제 2 배향막 120, 401, 601, 701... 제 1 기판
130... 제 2 기판 140... 액정층
506... 콘택홀
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 액정표시장치는,
기판 위에 형성된 게이트 전극 및 공통 전극과;
상기 게이트 전극 위에 마련된 게이트 절연막 상에 형성된 반도체층과;
상기 반도체층 상에 형성된 소오스 전극과;
상기 반도체층 상에 형성되며, 상기 소오스 전극과 대응되는 위치에 형성되는 드레인 전극과;
상기 소오스 전극 및 드레인 전극 상에 마련되며, 채널 영역의 상기 드레인 전극 위에 콘택홀이 형성된 보호막; 및
상기 보호막 위에 마련되며, 상기 드레인 전극과 콘택홀을 통해 연결되고, 상기 공통 전극과 함께 횡전계를 인가하는 데이터 전극; 을 포함하는 점에 그 특징이 있다.
여기서 본 발명에 의하면, 상기 드레인 전극은 I자 형상으로 마련되고, 소오스 전극은 상기 드레인 전극의 주위에 U자 형상으로 마련되는 점에 그 특징이 있다.
또한 본 발명에 의하면, 상기 보호막 위에 마련되는 데이터 전극은 투명 전극인 점에 그 특징이 있으며, 상기 투명 전극은 ITO로 형성되는 점에 그 특징이 있다.
또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 액정표시장치의 제조방법은,
기판 위에 게이트 전극 및 공통 전극을 형성하고, 그 위에 게이트 절연막을 형성하는 단계와;
상기 게이트 전극 위에 마련된 게이트 절연막 상에 반도체층을 형성하는 단계와;
상기 반도체층 상에 소오스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계와;
상기 소오스 전극 및 드레인 전극 상에 보호막을 형성하는 단계와;
채널 영역의 상기 드레인 전극 상의 보호막에 콘택홀을 형성하는 단계와;
상기 보호막 상에 마련되며, 상기 콘택홀을 통하여 상기 드레인 전극에 연결되고 상기 공통 전극과 횡전계를 인가하는 데이터 전극을 형성하는 단계; 를 포함하는 점에 그 특징이 있다.
여기서 본 발명에 의하면, 상기 드레인 전극은 I자 형상으로 마련되고, 소오스 전극은 상기 드레인 전극의 주위에 U자 형상으로 마련되는 점에 그 특징이 있다.
또한 본 발명에 의하면, 상기 보호막 위에 마련되는 데이터 전극은 투명 전극이며, 상기 투명 전극은 ITO로 형성되는 점에 그 특징이 있다.
이와 같은 본 발명에 의하면, 횡전계 방식 액정표시장치에 있어, 드레인 전극의 침식으로 인한 셀 암점의 발생을 줄이고, 휘도를 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
또한 본 발명에 의하면, 횡전계 방식 액정표시장치에 있어, 횡전계를 인가하는 데이터 전극을 투명전극으로 형성함으로써, 제조상의 CD(Critical Dimension) 편차에 의한 셀 얼룩을 개선할 수 있는 장점이 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시 예를 상세히 설명한다.
도 5는 본 발명에 따른 횡전계 방식 액정표시장치에 구비되는 소오스/드레인 전극 형상의 예를 나타낸 도면이고, 도 6은 도 5의 C-C'에 따른 단면도이다.
도 5 및 도 6을 참조하여 설명하면, 본 발명에 따른 횡전계 방식 액정표시장치는, 기판(601) 위에 형성된 게이트 전극(501) 및 공통 전극(미도시)과; 상기 게이트 전극(501) 위에 마련된 게이트 절연막(602) 상에 형성된 반도체층(502)과; 상기 반도체층(502) 상에 형성된 소오스 전극(503)과; 상기 반도체층(502) 상에 형성되며, 상기 소오스 전극(503)과 대응되는 위치에 형성되는 드레인 전극(504)과; 상기 소오스 전극(503) 및 드레인 전극(504) 상에 마련되며, 채널 영역의 상기 드레인 전극(504) 위에 콘택홀(506)이 형성된 보호막(603); 및 상기 보호막(603) 위에 마련되며, 상기 드레인 전극(504)과 콘택홀(506)을 통해 연결되고, 상기 공통 전극(미도시)과 함께 횡전계를 인가하는 데이터 전극(505); 을 포함한다.
여기서, 상기 드레인 전극(504)은 I자 형상으로 마련되고, 소오스 전극(503)은 상기 드레인 전극(504)의 주위에 U자 형상으로 마련된다. 그리고, 상기 보호막(603) 위에 마련되는 데이터 전극(505)은 ITO와 같은 물질을 이용하여 투명 전극으로 형성된다.
이와 같이, 공통 전극(미도시)과 함께 횡전계를 인가하는 데이터 전극(505)이 채널 영역의 드레인 전극(504) 상에 콘택홀을 통하여 연결됨으로써, 종래 횡전계 방식 액정표시장치에서 문제점으로 지적되었던, 전극채널 영역과 화소 영역 간의 단차에 의하여 제조 공정 상에서 드레인 전극(504)의 단락이 발생되는 것과 관계없이 데이터 전극(505)에는 데이터 신호가 공급될 수 있게 된다. 이에 따라 상기 드레인 전극(504)이 제조 공정 상에서 침식되더라도, 상기 데이터 전극(505)은 채널 영역에서 상기 드레인 전극(504)과 연결됨으로써, 셀 영역에 암점이 발생되지 않도록 할 수 있게 된다.
여기서, 상기 드레인 전극(504) 상의 보호막(603)에는 콘택홀(506)이 형성되게 되는데, 상기 콘택홀(506)의 형성을 위한 면적과 전기적으로 요청되는 특성치가감안되어 상기 드레인 전극(504)의 크기가 결정되게 된다.
그러면, 이와 같은 구조를 갖는 본 발명에 따른 횡전계 방식 액정표시장치의 제조 공정을 도 7을 참조하여 설명해 보기로 한다. 도 7은 본 발명에 따른 횡전계 방식 액정표시장치의 제조 공정을 개략적으로 나타낸 도면이다.
먼저, 도 7의 (a)에 나타낸 바와 같이, 제 1 기판(701) 위에 게이트 전극(702) 및 공통 전극(703)을 형성하고, 그 위에 게이트 절연막(704)을 형성한다. 이때, 상기 게이트 전극(702) 및 공통 전극(703)은 게이트 배선(미도시)과 동일한 물질로 함께 형성된다. 그리고, 상기 게이트 전극(702)은 채널 영역에 형성되는 것이며, 상기 공통 전극(703)은 화소 영역에 형성되어 횡전계를 인가하는 역할을 수행한다. 이에 대해서는 뒤에서 다시 설명하기로 한다.
이후, 도 7의 (b)에 나타낸 바와 같이, 채널 영역의 상기 게이트 전극(702) 위에 마련된 게이트 절연막(704) 상에 반도체층(705)을 형성하고, 상기 반도체층(705) 상에 소오스 전극(706) 및 드레인 전극(707)을 형성한다. 여기서, 도 5에 나타낸 바와 같이, 상기 소오스 전극(706)은 U자 형상으로 형성되며, 상기 드레인 전극(707)은 I자 형상으로 형성되게 된다.
그리고, 도 7의 (c)에 나타낸 바와 같이, 채널 영역의 상기 소오스 전극(706) 및 드레인 전극(707) 상에 보호막(708)이 형성되며, 화소 영역의 공통 전극(703) 및 게이트 절연막(704) 상에 보호막(708)이 형성된다.
이후, 채널 영역의 상기 드레인 전극(707) 상의 보호막(708)에는 콘택홀이 형성된다. 그리고, 채널 영역에서는 데이터 전극(709)이 상기 콘택홀을 통하여 상기 드레인 전극(707)에 전기적으로 연결되게 되며, 화소 영역에서는 상기 데이터 전극(709)이 상기 보호막(708) 상에 형성된다. 이에 따라, 상기 화소 영역에 형성된 상기 데이터 전극(709)은 상기 공통 전극(703)과 횡전계를 형성하게 된다.
이와 같은 구조를 갖는 본 발명에 따른 횡전계 방식 액정표시장치는, 횡전계를 인가하는 상기 데이터 전극(709)으로 ITO와 같은 투명 전극을 사용하게 되는데, 이에 따라 제조상의 CD(Critical Dimension) 편차에 의한 불균일로 인하여 화소 영역에서 발생되는 셀 얼룩을 개선할 수 있게 된다.
또한, 이와 같은 구조를 갖는 횡전계 방식 액정표시장치에서는, 횡전계를 인가하는 상기 데이터 전극(709)으로 투명 전극을 사용하게 됨에 따라, 빛의 투과율을 높일 수 있게 됨으로써 화소 영역 내의 휘도를 향상시킬 수 있게 된다.
이상의 설명에서와 같이 본 발명에 따른 액정표시장치 및 그 제조방법에 의하면, 횡전계 방식 액정표시장치에 있어, 드레인 전극의 침식으로 인한 셀 암점의 발생을 줄이고, 휘도를 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
또한 본 발명에 따른 액정표시장치 및 그 제조방법에 의하면, 횡전계 방식 액정표시장치에 있어, 횡전계를 인가하는 데이터 전극을 투명전극으로 형성함으로써, 제조상의 CD(Critical Dimension) 편차에 의한 셀 얼룩을 개선할 수 있는 장점이 있다.

Claims (8)

  1. 기판 위에 형성된 게이트 전극 및 공통 전극과;
    상기 게이트 전극 위에 마련된 게이트 절연막 상에 형성된 반도체층과;
    상기 반도체층 상에 형성된 소오스 전극과;
    상기 반도체층 상에 형성되며, 상기 소오스 전극과 대응되는 위치에 형성되는 드레인 전극과;
    상기 소오스 전극 및 드레인 전극 상에 마련되며, 채널 영역의 상기 드레인 전극 위에 콘택홀이 형성된 보호막; 및
    상기 보호막 위에 마련되며, 상기 드레인 전극과 콘택홀을 통해 연결되고, 상기 공통 전극과 함께 횡전계를 인가하는 데이터 전극; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 드레인 전극은 I자 형상으로 마련되고, 소오스 전극은 상기 드레인 전극의 주위에 U자 형상으로 마련되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 보호막 위에 마련되는 데이터 전극은 투명 전극인 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 투명 전극은 ITO로 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  5. 기판 위에 게이트 전극 및 공통 전극을 형성하고, 그 위에 게이트 절연막을 형성하는 단계와;
    상기 게이트 전극 위에 마련된 게이트 절연막 상에 반도체층을 형성하는 단계와;
    상기 반도체층 상에 소오스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계와;
    상기 소오스 전극 및 드레인 전극 상에 보호막을 형성하는 단계와;
    채널 영역의 상기 드레인 전극 상의 보호막에 콘택홀을 형성하는 단계와;
    상기 보호막 상에 마련되며, 상기 콘택홀을 통하여 상기 드레인 전극에 연결되고 상기 공통 전극과 횡전계를 인가하는 데이터 전극을 형성하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 드레인 전극은 I자 형상으로 마련되고, 소오스 전극은 상기 드레인 전극의 주위에 U자 형상으로 마련되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
  7. 제 5항에 있어서,
    상기 보호막 위에 마련되는 데이터 전극은 투명 전극인 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 투명 전극은 ITO로 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
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