KR200400564Y1 - 백색 발광 소자 - Google Patents

백색 발광 소자 Download PDF

Info

Publication number
KR200400564Y1
KR200400564Y1 KR20050018118U KR20050018118U KR200400564Y1 KR 200400564 Y1 KR200400564 Y1 KR 200400564Y1 KR 20050018118 U KR20050018118 U KR 20050018118U KR 20050018118 U KR20050018118 U KR 20050018118U KR 200400564 Y1 KR200400564 Y1 KR 200400564Y1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light
wavelength
lambda
light emitting
phosphor
Prior art date
Application number
KR20050018118U
Other languages
English (en)
Inventor
무-젠 라이
Original Assignee
슈퍼노바 옵토일렉트로닉스 코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 슈퍼노바 옵토일렉트로닉스 코포레이션 filed Critical 슈퍼노바 옵토일렉트로닉스 코포레이션
Priority to KR20050018118U priority Critical patent/KR200400564Y1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR200400564Y1 publication Critical patent/KR200400564Y1/ko

Links

Landscapes

  • Luminescent Compositions (AREA)

Abstract

백색 발광 소자가 개시된다. 백색 발광 소자는 각기 파장 λ1 및 파장 λ2를 갖는 광을 방사하는 2개의 발광층을 포함한다. 다음으로, 제1 형광체는 2개의 파장을 갖는 광의 일부를 흡수하여 λ3의 파장을 갖는 광을 방사하는데 사용된다. 또한, 제2 형광체는 발광층들의 2개의 파장 중 어느 하나의 일부 광을 흡수하여 파장 λ4를 갖는 광을 방사하는데 사용된다. 파장 λ1과 λ2를 갖는 2개의 발광층들의 광을 단지 λ3의 파장을 갖는 광과 혼합하거나, 추가로 λ4의 파장을 갖는 광과 혼합함으로써, 백색광이 생성된다.

Description

백색 발광 소자{WHITE LIGHT EMITTING DEVICE}
본 고안은 백색 발광 소자에 관한 것으로, 특히 2개의 발광층과 적어도 하나의 형광체를 갖는 발광 소자를 사용하여 높은 색상의 렌더링을 갖는 백색 발광 소자를 생성하는 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
발광 다이오드(LED)는 반도체 재료로 이루어진 미세한 고체 상태의 광원이다. 전자 및 전자-홀들의 에너지 갭은 상이한 재료에 의해 영향을 받아서, 전자들이 n형 재료로부터 p형 재료로 졍션을 가로지를 때, 전자-홀 재조합 프로세스가 IR 또는 가시광 존에서 일부 광자(photon)를 생성하게 된다. 그것은 레드, 오렌지, 옐로우, 그린, 블루 또는 비가시 광과 같은 상이한 컬러를 가진 광이다.
LED는 가시 LED 및 비가시 LED로 나뉘어진다. 레드, 옐로우 및 오렌지 LED를 포함하는 가시 LED 타입들은 이동 전화기들은 물론 PDA(personal digital assistant)의 키보드용 백라이트 소스, 가전제품, 산업 기기 및 자동차 기구 패널들의 표시기(indicator), 자동차 정지등, 옥외 LED 디스플레이 및 교통 신호와 같은 다양한 제품들에 적용된다. IrDA(Infrared Data Association), VCSEL(Vertical Cavity Surface Emitting Lasers) 및 LD(laser diode)와 같은 비가시 LED 타입들은 통신에 적용된다. 2개의 주요 카테고리들이 있다. 단파장 적외선은 IrDA 모듈, 원격 제어기들 및 센서들과 같은 무선 통신용인 반면, 장파장 적외선은 단거리 통신용 광원이다.
현재 백색 LED 부분은 허영 광(vanity lights) 또는 자동차용 장식용 광과 같은 조명에 적용된다. 나머지(95% 이상)는 LCD 백라이트 소스용이다. 조명 효율 및 수명을 고려할 시, 현재 LED는 주로 소형 백라이트 소스용이다. 백색 LED는 스크린용 백라이트 소스는 물론 이동 전화기의 디지털 카메라용 플래쉬에 적용되리라고 기대한다. 가까운 장래에, 백색 LED의 응용은 대형 LCD용 백라이트 소스에 집중되며 글로벌 조명 광원용으로의 대체이다.
고휘도 블루 LED 및 YAG:Ce 형광체로 이루어진 백색 LED는 새로운 세대의 에너지 절약형 광원으로서 비춰진다. 게다가, 백색 LED는 또한 R, G, B 형광체와 결합된 UV LED에 의해 생성될 수 있다.
미국 특허 제5,998,925호에 의해 개시된 혼합형 LED는 YAG(Yttrium Aluminum Garnet)와 함께 패키지화된 갈륨 나이트라이드(GaN) 칩으로 형성된다. 갈륨 나이트라이드 칩은 청색광(λp= 400∼530nm, Wd=30nm)을 방사하고, Ce3+와 결합한 YAG 형광체는 청색광에 의해 여기되어 550nm의 피크 파장을 가진 옐로우 광을 방사한다. 파장이 200∼500nm인 청색광 LED의 칩은 사발형 반사면(bowl reflection cavity)상에 배치되고 YAG와 혼합된 수지로 피복된다. LED 칩으로부터 방사된 청색광의 일부는 YAG 형광체에 의해 흡수되는 반면 청색광의 나머지 부분은 YAG 형광체로부터 방사된 황색광과 혼합되어 백색광을 방사한다.
적색광 성분을 증가시켜 높은 색상의 렌더링을 달성하기 위해, YAG내의 Yttrium의 양이 증가될 필요가 있다. 적색광을 방사하는 YAG 형광체의 광변환 효율은 Yttrium의 양의 증가에 따라 감소된다. 따라서, 사용자들이 종래 기술에 의해 높은 색상의 렌더링으로 백색광을 취득하기를 원하다면, 발광 효율은 상대적으로 감소된다. 게다가, 미국특허 제6,084,250호는 백색광을 생성하기 위한 자외선 광을 흡수하는 R,G,B 형광체와 혼합된 자외선 LED를 개시하고 있다. 그러나, 현재 활용가능한 자외선 광을 흡수하는 형광체의 광 변환 효율은 YAG 형광체만큼 양호하지 않다. 따라서, 더 높은 효율을 갖는 자외선 LED를 연구하고 개발할 필요가 있다. 또한, 대만 특허 공보 제546852호 에 개시된 혼합형 LED는 2개의 고정된 주요 피크 파장을 갖는 제1 발광층 및 제2 발광층으로 구성되고, 터널링 베리어층은 2개의 발광층들 사이에 형성된다. 터널링 베리어층의 두께를 조절함으로써, 이 터널링 베리어층내의 캐리어들의 터널링이 변화되어 2개의 발광 영역에서의 광전 변환시 수반되는 캐리어들의 분포가 변화된다. 따라서, 2개의 주요 피크들의 발광 세기는 상대적으로 변화된다. 따라서, 제1 발광층으로부터 광의 제1 파장의 범위는 제2 발광층으로부터 광의 제2 파장의 범위와 중첩되고 단일 칩은 특정 컬러를 갖는 혼합된 광(또는 백색 광)을 방사한다. 혼합된 광의 컬러를 변경하기 위해서는, 터널링 베리어층의 두께만 변경될 필요가 있다. 따라서, 혼합형 LED의 제조 프로세스는 간단하게 된다. 그러나, 2개의 발광층간의 터널링 베리어층은 소자의 구동 전압을 증가시킨다. 따라서, 전기 절약면에서 취약하다.
따라서, 본 고안의 목적은 2개의 발광층들을 갖는 발광 다이오드 칩; 상기 2개의 발광층으로부터 광의 일부를 흡수하는 것은 물론 2개의 발광층의 파장보다 긴 파장을 갖는 광을 방사하는 제1 형광체; 및 발광층들 중 하나로부터 광의 일부를 흡수하고 2개의 발광층은 물론 제1 형광체보다 파장이 긴 광을 방사하는 제2 형광체로 구성된 백색 발광 소자를 제공하는 것이다. 파장이 더 긴 광은 2개의 발광층의 광과 혼합되어 높은 색상의 렌더링을 갖는 백색 발광 소자를 생성한다.
본 고안의 다른 목적은 2개의 발광층과 이 2개의 발광층으로부터 광의 일부를 흡수하는 것은 물론 2개의 발광층의 광보다 파장이 긴 광을 방사하는 적어도 하나의 형광체를 갖는 발광 다이오드 칩으로 이루어진 백색 발광 소자를 제공하는 것이다. 파장이 긴 방사된 광은 2개의 발광층의 광과 혼합되어 백색 발광 소자를 생성한다.
상술한 목적을 달성하기 위해, 본 고안에 따른 백색 발광 소자는 각기 파장 λ1과 λ2를 갖는 광을 방사하는 2개의 발광층들, 발광층들의 2개의 파장을 갖는 광의 일부를 흡수하고 λ3의 파장을 갖는 광을 방사하는 제1 형광체, 및 2개의 발광층들 중 하나의 파장의 광의 일부를 흡수하고 λ4의 파장을 갖는 광을 방사하는 제2 형광체를 포함한다. λ3의 파장을 갖는 광 또는 λ4의 파장을 갖는 광과 2개의 발광층으로부터 λ1, λ2을 갖는 광을 혼합함으로써, 백색광이 생성된다.
도 1을 참조하면, 발광 다이오드 칩(1)은 제1 발광층(10)과 제2 발광층(20)으로 구성되며, 여기서 제1 발광층(10)과 제2 발광층(20)은 발광 갈륨 질화물계 III-V족 화합물 반도체의 적층에 의해 형성된다. 제1 발광층(10)은 430nm 이하의 파장 λ1의 광을 방사하는 반면 제2 발광층(20)은 430nm 내지 475nm의 범위에 있는 파장 λ2를 갖는 광을 방사한다.
도 2a를 참조하면, 본 고안은 다음 재료들 중 하나로 이루어지는 적어도 하나의 제1 형광체(30)를 더 포함한다:
(Y,Gd,Tb,Lu,Yb)(AlyGa1-y)5O12:Ce, SrGa2S4:Eu, ((Ba,Sr,Ca)(Mg,Zn))Si2O7:Eu, Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu,Mn, (Ba,Sr,Ca)Al2O4:Eu, ((Ba,Sr,Ca)1-xEux)(Mg,Zn)1-xMnx))Al10O17, ((Ba,Sr,Ca,Mg)1-xEux)2SiO4, Ca2MgSi2O7:Cl, SrSi3O8·2SrCl2:Eu, Sr-Aluminate:Eu, Thiogallate:Eu, Chlorosilicate:Eu, Borate:Ce,Tb, BAM:Eu, Sr4Al14O25:Eu, YBO3:Ce,Tb, BaMgAl10O17:Eu,Mn, (Sr,Ca,Ba)(Al,Ga)2S4Eu, Ca2MgSi2O7:Cl,Eu,Mn, ZnS:Cu,Al, (Sr,Ca,Ba,Mg)10(PO4)6Cl2:Eu, Sr5(PO4)3Cl:Eu, (Sr1-x-y-zBaxCayEuz)2SiO4, 및 (Sr1-a-bCabBac)SixNyOz:Eua.
제1 형광체(30)는 2개의 발광층들(10, 20)로부터 파장 λ1을 가진 광은 물론 파장 λ2를 가진 광의 일부를 흡수하여 520nm 내지 600nm의 범위에 있는 λ3의 파장을 갖는 광을 방사한다. 도 2b에 나타낸 바와 같이, 상이한 파장 λ1, λ2, λ3를 갖는 상술한 광이 혼합되어 백색광을 생성하고 파장 λ1은 λ2보다 작고 λ2는 λ3보다 작다.
또한, 도 3a 및 도 3b를 참조하면, 본 고안에 따른 일 실시예의 발광 다이오드는 동시에 2개의 발광층들(10, 20)로부터 파장 λ1을 가진 광은 물론 파장 λ2를 가진 광의 일부를 흡수하여 520nm 내지 600nm의 범위에 있는 λ3의 파장을 갖는 광을 방사하는 제1 형광체(30)과 발광층(10)의 광의 일부만을 흡수하여 600nm 내지 680nm의 범위에 있는 λ4를 가진 광을 방사하는 제2 형광체(40)를 포함한다. 다양한 파장 λ1, λ2, λ3, 및 λ4를 갖는 상술한 광이 모두 혼합되어 높은 색상의 렌더링 및 넓은 파장 스펙트럼을 갖는 백색광을 생성한다. 그리고 파장 λ1은 λ2보다 작고, λ2는 λ3보다 작고, λ3는 λ4보다 작다(λ1<λ2<λ3<λ4).
제1 형광체(30)는 다음 재료들 중 하나로 제조된다:
(Y,Gd,Tb,Lu,Yb)(AlyGa1-y)5O12:Ce, SrGa2S4:Eu, ((Ba,Sr,Ca)(Mg,Zn))Si2O7:Eu, Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu,Mn, (Ba,Sr,Ca)Al2O4:Eu, ((Ba,Sr,Ca)1-xEux)(Mg,Zn)1-xMnx))Al10O17, ((Ba,Sr,Ca,Mg)1-xEux)2SiO4, Ca2MgSi2O7:Cl, SrSi3O8·2SrCl2:Eu, Sr-Aluminate:Eu, Thiogallate:Eu, Chlorosilicate:Eu, Borate:Ce,Tb, BAM:Eu, Sr4Al14O25:Eu, YBO3:Ce,Tb, BaMgAl10O17:Eu,Mn, (Sr,Ca,Ba)(Al,Ga)2S4Eu, Ca2MgSi2O7:Cl,Eu,Mn, ZnS:Cu,Al, (Sr,Ca,Ba,Mg)10(PO4)6Cl2:Eu, Sr5(PO4)3Cl:Eu, (Sr1-x-y-zBaxCayEuz)2SiO4, 또는 (Sr1-a-bCabBac)SixNyOz:Eua.
제2 형광체(40)는 다음 재료들 중 하나로 제조된다:
(Y,Gd,Tb,Lu,Yb)(AlyGa1-y)5O12:Ce, SrGa2S4:Eu, Y2O3:Eu,Gd,Bi, Y2O2S: Eu,Gd,Bi, SrAl2O4:Eu, Ca(Eu1-xLax)4Si3O13, GdVO4:Eu,Bi, Y(P,V)O4:Eu,Pb, CaTiO3:Pr,Bi, Sr2P2O7:Eu,Mn, Sulfides:Eu(AES:Eu), CaSrS:Br, Mg6As2O11:Mn, MgO·MgF2·GeO2:Mn, Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu,Mn, CaAl2O4:Eu,Nd, Bix(Y,La,Gd)1-xEu,Sm,Pr,Tb, Niride-silicates:Eu(AE2Si5N8:Eu2+), GaSrS:Eu, ((Sc,Y,La,Gd)x(Eu)1-x)O2S, Ca5(PO4)3Cl:Eu,Mn, CaLa2S4:Ce, (Ba1-x-aCax)Si7N10:Eu, (Ca1-aSiN2:Eua), ((Gd,La,Y)m(Ta,Zr,W,Mo,Zn)n(Al,Mg,Sr)k)Ox:Tm,Eu,Tb,Ce 또는 SrY2S4:Eu.
또한, 본 고안의 다른 실시예에서, 제3 형광체(40)는 개별적으로 발광층(20)의 광의 일부를 흡수하여 600nm 내지 680nm의 범위에 있는 파장 λ4를 가진 광을 방사한다. 다양한 파장 λ1, λ2, λ3 및 λ4을 가진 광이 모두 혼합되어 높은 색상의 렌더링 및 넓은 파장 스펙트럼을 가진 백색광을 생성한다. 그리고 파장 λ1은 λ2보다 작고, λ2는 λ3보다 작으며, λ3은 λ4보다 작다(λ1<λ2<λ3<λ4). 제3 형광체(40)가 다음 재료들 중 하나로 제조된다:
(Y,Gd,Tb,Lu,Yb)(AlyGa1-y)5O12:Ce, SrxGa1-xS:Cl,Eu, Y2O3S:Eu,Gd,Bi, YVO4: Eu,Gd,Bi, (Ca,Sr)S:Eu,Cl,Br, SrY2S4:Eu, SrGa2S4:Eu, CaLa2S4:Ce, Ca(Eu1-xLax)4Si3O13, CaTiO3:Pr3+,Bi3+, (Sr1-x-y-zBaxCayEuz)2SiO4, Sulfides:Eu(AES:Eu2+), Mg6As2O11:Mn, CaAl2O4:Eu,Nd, (Ca,Sr,Ba)S2:Eu, Bix(Y,La,Gd)1-x:Eu,Sm,Pr,Tb 또는 Nitrido-silicates:Eu(AE2Si5N8:Eu).
도 4a를 참조하면, 종래의 블루 LED는 파장 460nm를 가진 광을 방사한다. 종래 기술의 YAG 형광체를 부가한 후, 방사된 광은 파장 575nm와 80 근방의 렌더 지수(render index)를 갖는다. 도 4b를 참조하면, 파장 460nm를 갖는 광을 방사하는 종래의 블루 LED에는 본 고안에 따른 제1 형광체가 부가되고 방사된 광은 파장 535nm를 갖는다. 도 4c를 참조하면, 파장 405nm를 갖는 광을 방사하는 종래의 바이올렛 LED에는 제1 형광체가 부가되어 방사된 광은 파장 535nm를 갖는다. 도 4d를 참조하면, 405nm의 파장을 갖는 바이올렛 LED가 제1 형광체는 물론 제2 형광체(또는 제3 형광체)에 동시에 부가될 때, 제2 형광체로부터 방사되는 광은 660nm를 갖는 반면, 제1 형광체로부터의 광은 파장 535nm를 갖는다. 본 고안에 따른 2개의 발광층들은 제1 형광체는 물론 제2 형광체(또는 제3 형광체)가 동시에 부가되어 도 4e에 나타난 바와 같이, 컬러 렌더링을 증가시키고, 렌더 지수는 90으로 증가된다.
본 고안은 더 긴 파장을 갖는 광은 2개의 발광층의 광과 혼합되어 높은 색상의 렌더링을 갖는 백색 발광 소자를 생성할 수 있는 효과가 있다. 또한, 본 고안은 2개의 발광층과 이 2개의 발광층으로부터 광의 일부를 흡수하는 것은 물론 2개의 발광층의 광보다 파장이 긴 광을 방사하는 적어도 하나의 형광체를 갖는 발광 다이오드 칩으로 이루어진 백색 발광 소자를 제공할 수 있다.
부가적인 이점 및 변형들은 본 분야의 당업자에게는 자명할 것이다. 따라서, 더 넓은 향상의 본 고안은 특정 상세 및 본 명세서에서 도시되고 기술된 대표 디바이스에 국한되지 않는다. 따라서, 첨부된 청구항 및 그 등가물에 의해 정의되는 바와 같이, 일반적인 진보성 개념의 범위 또는 사상으로부터 동떨어짐없이 다양한 변형이 이루어질 수도 있다.
도 1은 본 고안에 따른 실시예의 발광 다이오드의 개략적인 도면.
도 2a는 본 고안에 따른 일 실시예의 형광체를 갖는 발광 다이오드의 개략적인 도면.
도 2b는 본 고안에 따른 일 실시예의 형광체를 갖는 발광 다이오드로부터 방사되는 광의 개략적인 도면.
도 3a는 본 고안에 따른 일 실시예의 형광체를 갖는 발광 다이오드의 개략적인 도면.
도 3b는 본 고안에 따른 일 실시예의 형광체를 갖는 발광 다이오드로부터 방사되는 광의 개략적인 도면.
도 4a는 종래의 블루 LED에 의해 여기된 YAG 형광체의 스펙트럼.
도 4b는 종래의 블루 LED에 의해 여기된 제1 형광체의 스펙트럼.
도 4c는 종래의 퍼플 LED에 의해 여기된 제1 형광체의 스펙트럼.
도 4d는 종래의 퍼플 LED에 의해 동시에 여기된 제1 형광체 및 제2 형광체를 나타내는 스펙트럼.
도 4e는 본 고안에 따른 2개의 발광층을 갖는 LED에 의해 동시에 여기된 제1 형광체 및 제2 형광체를 나타내는 스펙트럼.

Claims (14)

  1. 백색 발광 소자에 있어서,
    각기 파장 λ1 및 파장 λ2를 갖는 광을 방사하는 2개의 발광층들을 갖는 발광 다이오드 칩;
    파장 λ1을 갖는 광은 물론 파장 λ2를 갖는 광의 일부를 동시에 흡수하여 λ3의 파장을 갖는 광을 방사하는 제1 형광체; 및
    파장 λ1을 갖는 광의 일부를 흡수하고 λ4의 파장을 갖는 광을 방사하는 제2 형광체를 포함하되,
    파장 λ1을 갖는 광은 파장 λ2를 갖는 광, λ3의 파장을 갖는 광 및 λ4의 파장을 갖는 광과 혼합되어 백색광을 생성하는 것을 특징으로 하는 백색 발광 소자.
  2. 제1항에 있어서, λ1은 λ2보다 작고, λ2는 λ3보다 작으며, λ3는 λ4보다 작은 것을 특징으로 하는 백색 발광 소자.
  3. 제2항에 있어서, λ1, λ2, λ3, λ4는 λ1<430nm, 430nm≤λ2<475nm, 520nm≤λ3<600nm, 및 600nm≤λ4<680nm의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 백색 발광 소자.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1 형광체는 (Y,Gd,Tb,Lu,Yb)(AlyGa1-y)5O12:Ce, SrGa2S4:Eu, ((Ba,Sr,Ca)(Mg,Zn))Si2O7:Eu, Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu,Mn, (Ba,Sr,Ca)Al2O4:Eu, ((Ba,Sr,Ca)1-xEux)(Mg,Zn)1-xMnx))Al10O17, ((Ba,Sr,Ca,Mg)1-xEux)2SiO4, Ca2MgSi2O7:Cl, SrSi3O8·2SrCl2:Eu, Sr-Aluminate:Eu, Thiogallate:Eu, Chlorosilicate:Eu, Borate:Ce,Tb, BAM:Eu, Sr4Al14O25:Eu, YBO3:Ce,Tb, BaMgAl10O17:Eu,Mn, (Sr,Ca,Ba)(Al,Ga)2S4Eu, Ca2MgSi2O7:Cl,Eu,Mn, ZnS:Cu,Al, (Sr,Ca,Ba,Mg)10(PO4)6Cl2:Eu, Sr5(PO4)3Cl:Eu, (Sr1-x-y-zBaxCayEuz)2SiO4, 또는 (Sr1-a-bCabBac)SixNyOz:Eua로 이루어진 것을 특징으로 하는 백색 발광 소자.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제2 형광체는 (Y,Gd,Tb,Lu,Yb)(AlyGa1-y)5O12:Ce, SrGa2S4:Eu, Y2O3:Eu,Gd,Bi, Y2O2S: Eu,Gd,Bi, SrAl2O4:Eu, Ca(Eu1-xLax)4Si3O13, GdVO4:Eu,Bi, Y(P,V)O4:Eu,Pb, CaTiO3:Pr,Bi, Sr2P2O7:Eu,Mn, Sulfides:Eu(AES:Eu), CaSrS:Br, Mg6As2O11:Mn, MgO·MgF2·GeO2:Mn, Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu,Mn, CaAl2O4:Eu,Nd, Bix(Y,La,Gd)1-xEu,Sm,Pr,Tb, Niride-silicates:Eu(AE2Si5N8:Eu2+), GaSrS:Eu, ((Sc,Y,La,Gd)x(Eu)1-x)O2S, Ca5(PO4)3Cl:Eu,Mn, CaLa2S4:Ce, (Ba1-x-aCax)Si7N10:Eu, (Ca1-aSiN2:Eua), ((Gd,La,Y)m(Ta,Zr,W,Mo,Zn)n(Al,Mg,Sr)k)Ox:Tm,Eu,Tb,Ce 또는 SrY2S4:Eu로 이루어진 것을 특징으로 하는 백색 발광 소자.
  6. 백색 발광 소자에 있어서,
    각기 파장 λ1 및 파장 λ2를 갖는 광을 방사하는 2개의 발광층들을 갖는 발광 다이오드 칩;
    파장 λ1을 갖는 광은 물론 파장 λ2를 갖는 광의 일부를 동시에 흡수하여 λ3의 파장을 갖는 광을 방사하는 제1 형광체; 및
    파장 λ2을 갖는 광의 일부를 흡수하고 λ4의 파장을 갖는 광을 방사하는 제3 형광체를 포함하되,
    파장 λ1을 갖는 광은 파장 λ2를 갖는 광, λ3의 파장을 갖는 광 및 λ4의 파장을 갖는 광과 혼합되어 백색광을 생성하는 것을 특징으로 하는 백색 발광 소자.
  7. 제6항에 있어서, λ1은 λ2보다 작고, λ2는 λ3보다 작으며, λ3는 λ4보다 작은 것을 특징으로 하는 백색 발광 소자.
  8. 제6항에 있어서, λ1, λ2, λ3, λ4는 λ1<430nm, 430nm≤λ2<475nm, 520nm≤λ3<600nm, 및 600nm≤λ4<680nm의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 백색 발광 소자.
  9. 제6항에 있어서, 상기 제1 형광체는 (Y,Gd,Tb,Lu,Yb)(AlyGa1-y)5O12:Ce, SrGa2S4:Eu, ((Ba,Sr,Ca)(Mg,Zn))Si2O7:Eu, Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu,Mn, (Ba,Sr,Ca)Al2O4:Eu, ((Ba,Sr,Ca)1-xEux)(Mg,Zn)1-xMnx))Al10O17, ((Ba,Sr,Ca,Mg)1-xEux)2SiO4, Ca2MgSi2O7:Cl, SrSi3O8·2SrCl2:Eu, Sr-Aluminate:Eu, Thiogallate:Eu, Chlorosilicate:Eu, Borate:Ce,Tb, Borate:Ce,Tb, BAM:Eu, Sr4Al14O25:Eu, YBO3:Ce,Tb, BaMgAl10O17:Eu,Mn, (Sr,Ca,Ba)(Al,Ga)2S4Eu, Ca2MgSi2O7:Cl,Eu,Mn, ZnS:Cu,Al, (Sr,Ca,Ba,Mg)10(PO4)6Cl2:Eu, Sr5(PO4)3Cl:Eu, (Sr1-x-y-zBaxCayEuz)2SiO4, 또는 (Sr1-a-bCabBac)SixNyOz:Eua로 이루어진 것을 특징으로 하는 백색 발광 소자.
  10. 제6항에 있어서, 상기 제3 형광체는 (Y,Gd,Tb,Lu,Yb)(AlyGa1-y)5O12:Ce, SrxGa1-xS:Cl,Eu, Y2O3S:Eu,Gd,Bi, YVO4: Eu,Gd,Bi, (Ca,Sr)S:Eu,Cl,Br, SrY2S4:Eu, SrGa2S4:Eu, CaLa2S4:Ce, Ca(Eu1-xLax)4Si3O13, CaTiO3:Pr3+,Bi3+, (Sr1-x-y-zBaxCayEuz)2SiO4, Sulfides:Eu(AES:Eu2+), Mg6As2O11:Mn, CaAl2O4:Eu,Nd, (Ca,Sr,Ba)S2:Eu, Bix(Y,La,Gd)1-x:Eu,Sm,Pr,Tb 또는 Nitrido-silicates:Eu(AE2Si5N8:Eu)로 이루어진 것을 특징으로 하는 백색 발광 소자.
  11. 백색 발광 소자에 있어서,
    각기 파장 λ1 및 파장 λ2를 갖는 광을 방사하는 2개의 발광층들을 갖는 발광 다이오드 칩; 및
    파장 λ1을 갖는 광은 물론 파장 λ2를 갖는 광의 일부를 동시에 흡수하여 λ3의 파장을 갖는 광을 방사하는 형광체를 포함하되,
    파장 λ1을 갖는 광은 파장 λ2를 갖는 광 및 λ3의 파장을 갖는 광과 혼합되어 백색광을 생성하는 것을 특징으로 하는 백색 발광 소자.
  12. 제11항에 있어서, λ1은 λ2보다 작고, λ2는 λ3보다 작은 것을 특징으로 하는 백색 발광 소자.
  13. 제11항에 있어서, λ1, λ2, λ3는 λ1<430nm, 430nm≤λ2<475nm, 520nm≤λ3<600nm의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 백색 발광 소자.
  14. 제11항에 있어서, 상기 형광체는 (Y,Gd,Tb,Lu,Yb)(AlyGa1-y)5O12:Ce, SrGa2S4:Eu, ((Ba,Sr,Ca)(Mg,Zn))Si2O7:Eu, Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu,Mn, (Ba,Sr,Ca)Al2O4:Eu, ((Ba,Sr,Ca)1-xEux)(Mg,Zn)1-xMnx))Al10O17, ((Ba,Sr,Ca,Mg)1-xEux)2SiO4, Ca2MgSi2O7:Cl, SrSi3O8·2SrCl2:Eu, Sr-Aluminate:Eu, Thiogallate:Eu, Chlorosilicate:Eu, Borate:Ce,Tb, BAM:Eu, Sr4Al14O25:Eu, YBO3:Ce,Tb, BaMgAl10O17:Eu,Mn, (Sr,Ca,Ba)(Al,Ga)2S4Eu, Ca2MgSi2O7:Cl,Eu,Mn, ZnS:Cu,Al, (Sr,Ca,Ba,Mg)10(PO4)6Cl2:Eu, Sr5(PO4)3Cl:Eu, (Sr1-x-y-zBaxCayEuz)2SiO4, 또는 (Sr1-a-bCabBac)SixNyOz:Eua로 이루어진 것을 특징으로 하는 백색 발광 소자.
KR20050018118U 2005-04-29 2005-06-23 백색 발광 소자 KR200400564Y1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20050018118U KR200400564Y1 (ko) 2005-04-29 2005-06-23 백색 발광 소자

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW094206915 2005-04-29
KR20050018118U KR200400564Y1 (ko) 2005-04-29 2005-06-23 백색 발광 소자

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR200400564Y1 true KR200400564Y1 (ko) 2005-11-08

Family

ID=43701585

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR20050018118U KR200400564Y1 (ko) 2005-04-29 2005-06-23 백색 발광 소자

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR200400564Y1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100891554B1 (ko) * 2007-10-24 2009-04-03 유재수 백색 ｌｅｄ 소자용 산화질화물계 형광체, 그의 제조방법및 이를 이용한 백색 ｌｅｄ 소자
KR101856215B1 (ko) * 2011-07-29 2018-05-09 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 발광 소자 패키지

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100891554B1 (ko) * 2007-10-24 2009-04-03 유재수 백색 ｌｅｄ 소자용 산화질화물계 형광체, 그의 제조방법및 이를 이용한 백색 ｌｅｄ 소자
KR101856215B1 (ko) * 2011-07-29 2018-05-09 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 발광 소자 패키지

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20060243987A1 (en) White light emitting device
US10700244B2 (en) System and method for selected pump LEDs with multiple phosphors
US8674380B2 (en) Light emitting device having plural light emitting diodes and plural phosphors for emitting different wavelengths of light
KR100549906B1 (ko) 발광장치
JP5042999B2 (ja) 色不足分を補償する発光材料を備えた照明システム
EP1802728B1 (en) Phosphor and light emitting device using the same
EP2426745B1 (en) Wavelength conversion configuration for a light emitting device
JP2005093985A (ja) 二次励起方式で白色光を産出する方法とその白色発光デバイス
EP1571715A1 (en) Method for producing white light emission by means of secondary light exitation and its product
US20080093979A1 (en) Illumination System Comprising a Radiation Source and a Luminescent Material
EP2975100B1 (en) Yellow light emitting phosphor and light emitting device package using the same
KR101265094B1 (ko) 백색 발광 다이오드 및 그 제조 방법
CN101138278A (zh) 包括辐射源和荧光材料的照明系统
KR20070041737A (ko) 백색 광 방출 다이오드(ｌｅｄ)를 위한 새로운 형광체시스템
JP2013187358A (ja) 白色発光装置
US20060175956A1 (en) Light emitting device
EP1696496A1 (en) Light emitting device
KR20040088418A (ko) 삼파장 백색 발광다이오드
KR200400564Y1 (ko) 백색 발광 소자
KR100698711B1 (ko) 발광 다이오드 및 그 제조방법
US20090079327A1 (en) Green light emitting phosphor and light emitting device using the same
EP1726631A1 (en) White light emitting device
JP2006344645A (ja) 白色発光装置
KR100665221B1 (ko) 백색 발광 장치
CN2840331Y (zh) 白光发光装置

Legal Events

Date Code Title Description
REGI Registration of establishment
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121120

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130924

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140930

Year of fee payment: 10

EXPY Expiration of term