KR20040054112A - 유도결합형 플라즈마 처리장치 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (7)
- 처리가스의 유,출입구와, 전계 형성의 경로가 되는 유전체벽을 구비하며, 플라즈마 처리 될 실질상 사각형 단면의 피처리체를 수용하는 반응챔버와;상기 반응챔버의 외부에 상기 유전체벽과 근접하도록 배치되며, 실질상 평면 사각의 형태로 적어도 1회 이상 감겨진 고주파 안테나와;상기 고주파 안테나와 실질상 평행한 평면상에 상기 피처리체를 상기 고주파 안테나에 대해 실질상 45 도의 위상차를 갖도록 탑재하는 하부전극; 및상기 고주파 안테나와 하부전극에 고주파 전원을 인가하는 전력인가수단;을 구비하는 것을 특징으로 하는 유도결합형 플라즈마 처리장치.
- 제1항에 있어서,상기 하부전극은 상기 피처리체와 실질상 위상이 같도록 배치된 것을 특징으로 하는 유도결합형 플라즈마 처리장치.
- 제1항에 있어서,상기 하부전극은 상기 피처리체에 대해 실질상 45 도의 위상차를 갖도록 배치된 것을 특징으로 하는 유도결합형 플라즈마 처리장치.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 반응챔버는 실질상 사각형 단면을 갖는 것을 특징으로 하는 유도결합형 플라즈마 처리장치.
- 처리가스의 유,출입구와, 전계 형성의 경로가 되는 유전체벽을 구비하며, 플라즈마 처리 될 사각형 단면의 피처리체를 수용하는 반응챔버와;상기 반응챔버의 외부에 상기 유전체벽과 근접하고 상기 반응챔버와 실질상 45 도의 위상차를 갖도록 배치되며, 평면 사각의 형태로 적어도 1회 이상 감겨진 고주파 안테나와;상기 피처리체를 상기 반응챔버와 실질상 위상이 같도록 탑재하는 하부전극; 및상기 고주파 안테나와 하부전극에 고주파 전원을 인가하는 전력인가수단;을 구비하는 것을 특징으로 하는 유도결합형 플라즈마 처리장치.
- 제5항에 있어서,상기 하부전극은 상기 반응챔버와 실질상 위상이 같도록 배치된 것을 특징으로 하는 유도결합형 플라즈마 처리장치.
- 제5항 또는 제6항에 있어서,상기 반응챔버는 실질상 사각형 단면을 갖는 것을 특징으로 하는 유도결합형 플라즈마 처리장치.
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