KR20040049143A - 유기 전계발광 소자 - Google Patents

유기 전계발광 소자 Download PDF

Info

Publication number
KR20040049143A
KR20040049143A KR1020020076992A KR20020076992A KR20040049143A KR 20040049143 A KR20040049143 A KR 20040049143A KR 1020020076992 A KR1020020076992 A KR 1020020076992A KR 20020076992 A KR20020076992 A KR 20020076992A KR 20040049143 A KR20040049143 A KR 20040049143A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
layer
intensity
thickness
organic layer
Prior art date
Application number
KR1020020076992A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100912801B1 (ko
Inventor
야마모토히토시
와키모토타케오
Original Assignee
삼성오엘이디 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성오엘이디 주식회사 filed Critical 삼성오엘이디 주식회사
Priority to KR1020020076992A priority Critical patent/KR100912801B1/ko
Publication of KR20040049143A publication Critical patent/KR20040049143A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100912801B1 publication Critical patent/KR100912801B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/351—Thickness

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

유기전계발광소자가 개시된다. 개시된 유기전계발광소자는, 투명기판과, 투명기판의 상면에 소정 패턴으로 형성된 투명한 제1전극을 포함하는 제1전극부와, 제1전극부의 상면에 정공주입층, 정공이송층, 발광층 및 전자이송층이 순서대로 적층되어 이루어진 유기층 및, 유기층의 상면에 소정패턴으로 형성된 제2전극을 구비하며, 투명기판의 상면에서 제1전극부의 상면까지의 거리와, 유기층의 두께의 비는, 레드, 그린, 블루광의 강도가 피크가 되도록 수학식 1을 만족하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자를 제공한다. 본 발명의 유기 전계발광 소자는 레드, 그린, 블루 광의 강도가 피크가 되게 하여 발광효율이 높일 수 있어 양질의 화상을 제공할 수 있다.

Description

유기 전계발광 소자{Organic electroluminescence device}
본 발명은 유기 전계발광 소자에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 각 광의 강도가 피크가 되는 유기 전계발광 소자에 관한 것이다.
전계발광 표시소자(Electroluminiscence desplay device)는 발광층(emitter layer)을 형성하는 물질에 따라 무기 전계발광소자와 유기 전계발광소자로 구분된다.
유기 전계발광 소자에서는 외부로부터 공급되는 전자와 정공이 발광층에서서로 결합하여 소멸하면서 여기자(exiton)를 형성하고 이 여기자가 여기상태에서 기저상태로 천이하면서 발광층의 형광성분자에 에너지를 전달하고 이것이 발광함으로써 화상이 형성된다.
유기 전계발광소자는 무기 전계발광소자에 비하여 휘도, 구동전압 및 응답속도 특성이 우수하고 다색화가 가능하다는 장점을 가진다. 또한, 유기전계발광 소자는 시야각이 넓고 콘트라스트가 우수할 뿐만 아니라 응답속도가 빠르다는 장점을 가지고 있어서 차세대 표시소자로서 주목받고 있다.
일반적인 유기전계발광 소자에는, 기판 상부에 소정패턴으로 형성된 양전극층과, 이 양전극층 상부에 순차적으로 적층되는 정공주입층, 정공수송층, 발광층 및, 전자수송층과, 상기 전자수송층의 상면에 상기 양전극층과 직교하는 방향으로 형성된 소정패턴의 음전극층이 구비된다. 여기서 정공 수송층, 발광층 및 전자수송층은 유기 화합물로 이루어진 유기박막들이다.
종래의 유기전계발광소자에서는 유기박막들의 두께를 제어하여 최대의 발광효율과 휘도를 얻고자 하였다. 예를 들어, 특개평 제4-137485호에 개시된 전계발광소자는 상기 전자수송층의 막두께를 30 내지 60nm로 설정함으로써 발광효율을 향상시키고자 한다.
유기전계발광소자 중 특히 멀티컬러 또는 풀컬러 유기전계발광소자의 제조방식에는 백색광 및 컬러필터를 쓰는 방식, 청색광 및 컬러변환물질(color changing medium; CCM)을 쓰는 방식, 레드, 그린, 블루의 각 발광 물질을 따로따로 증착시키는 방식(이하, RGB 3색 독립발광방식)등이 있는데, RGB 3색 독립발광방식이 가장발광효율이 좋은 것으로 알려져 있다.
종래의 RGB 3색 독립발광발식의 유기전계발광 소자에서는, 레드, 그린, 블루 각 광의 광간섭강도의 피크가 일어나도록 레드, 그린, 블루 각각의 픽셀의 유기층을을 패터닝하여 두께를 변화시키는 기술을 사용한다. 하지만, 이로 인해 유기층이 두꺼워지면 발광효율이 떨어지게 되고 이를 보완하기 위해 구동전압을 높게 인가해야 하는 단점이 있다. 또한, 종래의 기술에서는 레드, 그린, 블루광의 각 강도가 피크가 되는 점을 고려하지 않고 유기층의 두께를 조절하므로 발광효율이 낮은 유기전계발광소자가 제조되는 단점이 있다.
따라서, 본 발명이 이루고자하는 기술적 과제는 상술한 종래 기술의 문제점을 개선하기 위한 것으로서, 레드, 그린, 블루광의 광간섭강도가 피크가 되는 유기전계발광 소자를 제공하는데 목적이 있다.
도 1a는 본 발명의 제1실시예에 따른 유기 전계발광 소자의 사시도,
도 1b는 본 발명의 제1실시예에 따른 유기 전계발광 소자의 단면도,
도 2a는 본 발명의 제2실시예에 따른 유기 전계발광 소자의 단면도,
도 2b는 본 발명의 제3실시예에 따른 유기 전계발광 소자의 단면도,
도 2c는 본 발명의 제4실시예에 따른 유기 전계발광 소자의 단면도,
도 3a는 본 발명의 제5실시예에 따른 유기 전계발광 소자의 단면도,
도 3b는 본 발명의 제6실시예에 따른 유기 전계발광 소자의 단면도,
도 3c는 본 발명의 제7실시예에 따른 유기 전계발광 소자의 단면도,
도 3d는 본 발명의 제8실시예에 따른 유기 전계발광 소자의 단면도,
도 4는 본 발명의 제1실시예에 따른 유기 전계발광 소자에서, 유기층의 두께가 일정한 경우 ITO의 두께변화에 따른 레드, 그린, 블루의 광의 강도의 변화를 나타낸 그래프,
도 5는 본 발명의 제1실시예에 따른 유기 전계발광 소자에서, 정공주입층과 정공수송층의 두께의 합이 일정한 경우 ITO의 두께변화에 따른 레드, 그린, 블루의 광의 강도의 변화를 나타낸 그래프,
도 6a 내지 도 6i는 본 발명의 제1실시예에 따른 유기 전계발광 소자의 전극제조방법의 일예를 나타낸 공정도,
도 7a 내지 도 7o는 본 발명의 제1실시예에 따른 유기 전계발광 소자의 전극 제조방법의 다른 예를 나타낸 공정도.
< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
11, 21, 71, 81 ; 기판 12, 36 ; 버퍼층
13, 23 ; 제1전극 15, 25 ; 유기층
17, 27 ; 제2전극 30 ; 절연층
37 ; 평탄화막 41 ; 반도체층
43 ; 게이트 전극 45 ; 드레인 전극
47 ; 소스 전극 51 ; 제3전극
53 ; 제4전극 73, 83 ; 전극
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명은,
투명기판;과 상기 투명기판의 상면에 소정 패턴으로 형성된 투명한 제1전극을 포함하는 제1전극부;와 상기 제1전극부의 상면에 정공주입층, 정공이송층, 발광층 및 전자이송층이 순서대로 적층되어 이루어진 유기층; 및 상기 유기층의 상면에 소정패턴으로 형성된 제2전극;을 구비하며,
상기 투명기판의 상면에서 상기 제1전극부의 상면까지의 거리와, 상기 유기층의 두께의 비는, 레드, 그린, 블루광의 강도가 피크가 되도록 수학식 1을 만족하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자를 제공한다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명은 또한,
투명기판;과 상기 투명기판의 상면에 소정패턴으로 형성된 투명한 제1전극을 포함하는 제1전극부와, 상기 제1전극부의 상면에 정공주입층, 정공이송층, 발광층 및 전자이송층이 순서대로 적층되어 이루어진 유기층 및, 상기 유기층의 상면에 소정패턴으로 형성된 제2전극부를 구비하는 화소부; 및 상기 제1전극을 구동시키는 박막 트랜지스터를 포함하는 구동부;를 구비하며,
상기 투명기판의 상면에서 상기 제1극부의 상면까지의 거리와, 상기 유기층의 두께의 비는, 레드, 그린, 블루광의 강도가 피크가 되도록 수학식 1을 만족하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자를 제공한다.
여기서, 상기 제1전극부는 상기 제1전극의 저면에 상기 제1전극과 유사한 굴절률을 가지는 투명한 버퍼층을 더 구비할 수 있다.
상기 유기층이 140±10 nm 의 두께를 가지는 경우,
상기 투명기판의 상면에서 상기 제1전극부의 상면까지의 거리는, 상기 레드광의 강도가 피크가 되도록 295±10 nm 의 두께를 가지거나, 상기 그린광의 강도가 피크가 되도록 225±10 nm 의 두께를 가지거나, 상기 블루광의 강도가 피크가 되도록 155±10nm 의 두께를 가지는 것이 바람직하다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명은 또한,
기판;과 상기 기판의 상면에 소정 패턴으로 형성된 제1전극;과 상기 제1전극의 상면에 정공주입층, 정공이송층, 발광층 및 전자이송층이 순서대로 적층되어 이루어진 유기층; 및 상기 유기층의 상면에 소정패턴으로 형성된 투명한 제2전극을 포함하는 제2전극부;를 구비하며,
상기 유기층의 상면에서 상기 제2전극부의 상면까지의 거리와, 상기 유기층의 두께의 비는 레드, 그린, 블루의 강도가 피크가 되도록 수학식 2를 만족하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자를 제공한다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명은 또한,
기판;과 상기 기판의 상면에 소정 패턴으로 형성된 제1전극과, 상기 제1전극의 상면에 정공주입층, 정공이송층, 발광층 및 전자이송층이 순서대로 적층되어 이루어진 유기층 및, 상기 유기층의 상면에 소정패턴으로 형성된 투명한 제2전극을 포함하는 제2전극부를 구비하는 화소부; 및 상기 제2전극을 구동시키는 박막 트랜지스터를 포함하는 구동부;를 구비하며,
상기 유기층의 상면에서 상기 제2전극부의 상면까지의 거리와, 상기 유기층의 두께의 비는 레드, 그린, 블루광의 강도가 피크가 되도록 수학식 2를 만족하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자를 제공한다.
여기서, 상기 제2전극부는, 상기 제2전극의 상면에 상기 제2전극과 유사한 굴절률을 가지는 투명한 버퍼층을 더 구비할 수 있다.
상기 유기층이 140±10 nm 의 두께를 가지는 경우,
상기 투명기판의 상면에서 상기 제1전극부의 상면까지의 거리는, 상기 레드광의 강도가 피크가 되도록 295±10 nm 의 두께를 가지거나, 상기 그린광의 강도가 피크가 되도록 225±10 nm 의 두께를 가지거나, 상기 블루광의 강도가 피크가 되도록 155±10nm 의 두께를 가지는 것이 바람직하다.
본 발명은 또한, 상기 기술적 과제를 달성하기 위하여,
투명기판;과 상기 투명기판의 상면에 소정 패턴으로 형성된 투명한 제1전극을 포함하는 제1전극부;와 상기 제1전극부의 상면에 정공주입층, 정공이송층, 발광층 및 전자이송층이 순서대로 적층되어 이루어진 유기층; 및 상기 유기층의 상면에 소정패턴으로 형성된 제2전극;을 구비하며,
상기 투명기판의 상면에서 상기 제1전극부의 상면까지의 거리와, 상기 정공주입층과 상기 정공이송층의 두께의 합의 비는, 레드, 그린, 블루광의 강도가 피크가 되도록 수학식 3을 만족하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자를 제공한다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명은 또한,
투명기판;과 상기 투명기판의 상면에 소정패턴으로 형성된 투명한 제1전극을 포함하는 제1전극부와, 상기 제1전극부의 상면에 정공주입층, 정공이송층, 발광층 및 전자이송층이 순서대로 적층되어 이루어진 유기층 및, 상기 유기층의 상면에 소정패턴으로 형성된 제2전극부를 구비하는 화소부; 및 상기 제1전극을 구동시키는 박막 트랜지스터를 포함하는 구동부;를 구비하며,
상기 투명기판의 상면에서 상기 제1극부의 상면까지의 거리와, 상기 유기층의 두께의 비는, 레드, 그린, 블루광의 강도가 피크가 되도록 수학식 3을 만족하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자를 제공한다.
여기서, 상기 제1전극부는, 상기 제1전극의 저면에 상기 제1전극과 유사한 굴절률을 가지는 투명한 버퍼층을 더 구비할 수 있다.
상기 정공수송층과 상기 정공주입층의 두께의 합이, 80±10 nm 의 두께를 가지는 경우,
상기 투명기판의 상면에서 상기 제1전극부의 상면까지의 거리는 상기 레드광의 강도가 피크가 되도록 265±10 nm이거나, 상기 그린광의 강도가 피크가 되도록 205±10 nm이거나, 상기 블루광의 강도가 피크가 되도록 155±10 nm로 형성될 수 있다.
본 발명은 또한, 상기 기술적 과제를 달성하기 위하여,
기판;과 상기 기판의 상면에 소정 패턴으로 형성된 제1전극;과 상기 제1전극의 상면에 정공주입층, 정공이송층, 발광층 및 전자이송층이 순서대로 적층되어 이루어진 유기층;과 상기 유기층의 상면에 소정패턴으로 형성된 투명한 제2전극을 포함하는 제2전극부;를 구비하며,
상기 유기층의 상면에서 상기 제2전극부의 상면까지의 거리와, 상기 정공주입층과 상기 정공이송층의 두께의 합의 비는 레드, 그린, 블루광의 강도가 피크가 되도록 수학식 4를 만족하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자를 제공한다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명은 또한,
기판;과 상기 기판의 상면에 소정 패턴으로 형성된 제1전극과, 상기 제1전극의 상면에 정공주입층, 정공이송층, 발광층 및 전자이송층이 순서대로 적층되어 이루어진 유기층 및, 상기 유기층의 상면에 소정패턴으로 형성된 투명한 제2전극을 포함하는 제2전극부를 구비하는 화소부; 및 상기 제2전극을 구동시키는 박막 트랜지스터를 포함하는 구동부;를 구비하며,
상기 유기층의 상면에서 상기 제2전극부의 상면까지의 거리와, 상기 정공주입층과 상기 정공수송층의 두께의 합의 비는, 레드, 그린, 블루의 강도가 피크가 되도록 수학식 4를 만족하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자를 제공한다.
여기서, 상기 제2전극부는, 상기 제2전극의 상면에 상기 제2전극과 유사한 굴절률을 가지는 투명한 버퍼층을 더 구비할 수 있다.
상기 정공수송층과 상기 정공주입층의 두께의 합이, 80±10 nm 의 두께를 가지는 경우,
상기 투명기판의 상면에서 상기 제1전극부의 상면까지의 거리는 상기 레드광의 강도가 피크가 되도록 265±10 nm이거나, 상기 그린광의 강도가 피크가 되도록 205±10 nm이거나, 상기 블루광의 강도가 피크가 되도록 155±10 nm로 형성될 수 있다.
본 발명은 배면발광방식인 경우 기판의 상면으로부터 제1전극의 상면까지의 거리 또는, 후면발광방식인 경우 유기층의 상면에서 제2전극의 상면까지의 거리와,유기층의 두께의 비를 소정 범위내로 가지도록 설정함으로써 레드, 그린, 블루의 각 광의 강도가 피크가 되도록 설정하여 높은 발광효율을 얻을 수 있다.
이하 본 발명의 실시예에 따른 유기 전계발광 소자를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 도면에서 본 발명의 실시예에 따른 유기 전계발광 소자의 각 두께는 설명을 위해 과장되게 도시되어 있음에 유의해야 한다.
<본 발명의 제1실시예>
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 유기 전계발광 소자를 나타낸 사시도이다.
본 발명의 제1실시예에 따른 유기 전계발광 소자는 수동 매트릭스방식 중 배면발광방식의 유기 전계발광 소자이며, 제1전극(13)의 두께가 레드, 그린, 블루의 각 광이 출사되는 픽셀에 따라 각기 d1, d2, d3로 달라지고 있다.
도면을 참조하면, 본 발명의 제1실시예에 따른 유기 전계발광 소자는, 기판(11), 상기 기판(11)상에 각 픽셀에 따라 서로 다른 두께를 가지도록 스트라이프형으로 형성된 제1전극(13), 상기 제1전극(13)의 상부에 적층된 유기층(15) 및상기 유기층(15)의 상부에 적층되며, 상기 제1전극(13)과 교차되도록 스트라이프형으로 형성된 제2전극(17)을 순서대로 구비한다.
참조부호 18은 제1전극(13)과 제2전극(17)간에 절연이 되도록 하여 각 픽셀이 서로 다른 색광을 발광할 수 있도록 격리벽의 역할을 하는 절연층으로서, 제1전극(13)이 규칙적으로 노출되도록 이 제1전극(13)과 직교하게 형성된다. 여기서, 제1전극(23)은 양극, 제2전극(27)은 음극으로 기능하는 것이 일반적이다.
제1전극(13)은 투명한 도전성 물질로 이루어지며, 레드 광을 출사하는 픽셀의 경우 삼층(13a, 13b, 13c)으로, 그린 광을 출사하는 픽셀의 경우 이층(13a, 13b)으로, 블루 광을 출사하는 픽셀의 경우 일층(13a)으로 적층되어 이루어진다.
전계발광소자는 상부 및 하부에 위치하는 양극 및 음극에 의해 발광층이 매립되므로 유기층(15)의 상부 또는 하부의 어느 일면은 투명하여야 광이 방사되어 화상을 표시할 수 있다.
예를 들어, 유기 전계발광 소자가 배면발광방식인 경우, 기판(11)과 제1전극(13)이 투명하므로 유기층(15)에서 생성된 광은 제1전극(13)과 기판을 통과하여 외부로 방사되며, 유기 전계발광 소자가 전면발광방식인 경우, 제2전극(11)이 투명하고 기판(11)과 제1전극(13)이 불투명하므로 유기층(15)에서 생성된 광은 제2전극(17)을 투과한다.
배면발광방식의 유기 전계발광 소자에서는, 기판(11)과 제1전극(13)이 광투과율이 높은 물질로 이루어져야 하며, 전면발광방식의 유기 전계발광 소자에서는, 제2전극(17)이 광투과율이 높은 물질로 이루어져야 한다. 일반적으로, 기판(11)은유리로 이루어지며, 투명전극(13)은 ITO(Indium tin oxide)로 형성된다. 최근 투명전극(13)으로 CdSnO3, ZnO 등이 주목받고 있다.
도 2a는 도 1에 도시된 본 발명의 제1실시예에 유기 전계발광 소자를 A-A'방향으로 본 단면도이다.
본 발명의 제1실시예에 따른 유기 전계발광 소자의 제1전극(13)의 두께는 각 색광에 따라 d1, d2, d3로 달라지고 있다. 레드광이 출사되는 픽셀(이하 레드픽셀)의 제1전극(13)의 두께는 d1, 그린광이 출사되는 픽셀(그린픽셀)의 제1전극의 두께는 d2, 블루광이 출사되는 픽셀(블루픽셀)의 제1전극의 두께는 d3로 설정되며, 유기층의 두께가 S인 경우, 레드, 그린, 블루광의 각 강도가 피크가 되기 위해 수학식 1을 만족하는 두께로 제조한다.
수학식 1에서 투명기판(11)의 상면에서 제1전극(13)의 상면까지의 거리는, 본 발명의 제1실시예에 따른 유기 전계발광 소자에서는, 제1전극(13)의 두께(d1, d2, d3)가 되므로 수학식 5를 만족하도록 설정된다.
유기층(15)은, 두께 s를 가지며, 상술한 바와 같이 정공(hole)이 주입되는 정공주입층(HIL; Hole Injecting Layer)(15a), 정공이송층(HTL; Hole Transporting Layer)(15b), 발광층(EML; Emitting Layer)(15c), 전자이송층(ETL; Electron Transporting Layer)(15c)으로 이루어진다.
정공이송층(15b)으로부터 주입된 정공과 전자이송층(15c)으로부터 주입된 전자가 발광층(15c)에서 만나 소멸하면서 형광물질에 에너지를 전달하여 발광이 일어난다. 출사되는 광은 파장대역에 따라 레드(640nm~780nm), 그린(490nm~550nm), 블루(430nm~490nm)의 각 색을 나타내는 가시광선으로 각각 나뉘며, 3색 독립발광방식에서는 각 픽셀마다 발광되는 색이 서로 다르도록 설계되어 있다.
본 발명의 제1실시예에 따른 유기 전계발광 소자는, 수학식 5와 같은 제1전극(13)과 유기층(15)의 두께비를 만족하도록 일정한 두께(s)를 가지는 유기층(15)에 대해 제1전극(13)의 두께를 레드, 그린, 블루 광의 픽셀에 따라 d1, d2, d3로 변화시킨다. 최적의 두께에 관한 실험을 위해 표1과 같은 조건을 가지는 본 발명의 제1실시예에 따른 유기 전계발광 소자를 제조한다.
기판 제1전극 유기층
두께(mm) 굴절률 두께(mm) 굴절률 HIL+HTL EML+ETL 굴절률
두께(nm) 두께(nm)
레드 0.7 1.516 1.749 80 60 1.785
그린 0.7 1.520 1.841 80 60 1.821
블루 0.7 1.526 1.903 80 60 1.916
이 실험에서는, 유기층(15)의 두께(s)를 140nm로 일정하게 하고 제1전극(13)의 두께를 변화시켜 가면서 레드, 그린, 블루광의 광간섭강도를 알아낸다.
도 4에 이 실험결과를 나타내는 그래프가 도시되어 있다.
도 4를 참조하면, 제1전극(13)으로 ITO(Indium Tin Oxide)가 사용되는 경우 ITO의 두께(nm)에 따라 각 광의 간섭 강도가 사인파를 그리며 변화하고 있다. 도시된 바와 같이, ITO의 두께가 30nm정도, 155nm정도, 290nm 정도인 경우 블루 광의 강도가 피크를 나타내고 있으며, ITO의 두께가 75nm정도, 225nm정도, 370nm정도인 경우 그린 광의 간섭강도가 피크를 나타내고 있으며, ITO의 두께가 120nm정도, 295nm 정도인 경우 레드 광이 피크를 나타내고 있다.
레드, 그린, 블루광의 간섭강도가 피크를 나타내는 유기 전계발광 소자의 제조를 용이하게 하기 위해, 유기층(15)의 두께(s)를 140±10nm 의 범위로 하는 경우, 상기한 ITO 두께 중 레드 광에 대해서는 295±10nm, 그린 광에 대해서는 225±10nm 정도, 블루 광에 대해서는 155±10nm 정도의 두께를 선택하면, 제1전극(13)의 두께(d1, d2, d3)에 대한 유기층(15)의 두께(s)의 비는 표2에 도시된 바와 같으므로 수학식 5로 제시된 조건식을 만족함을 알 수 있다.
d1=295±10(nm) d2=225±10(nm) d3=155±10(nm)
유기층의 두께/제1전극의 두께 0.47±0.3 0.62±0.4 0.90±0.7
이와 같은 두께의 제1전극을 가지는 본 발명의 실시예에 따른 유기 전계발광소자는 상기 두께에 작은 오차가 발생하더라도 강도가 최대가 되는 특성의 차는 크지 않아 발광효율이 높다.
본 발명의 제1실시예에 따른 유기 전계발광 소자는, 수학식 3을 만족하도록 제1전극(13)의 두께(d1, d2, d3)와, 정공주입층(15a)의 두께와 정공수송층(15b)의 두께의 합(s1)을 변화시킬 수 있으며, 이 경우 수학식 3은 수학식 6으로 나타낼 수 있다.
수학식 6과 같은 조건식을 만족하는 경우, 본 발명의 제1실시예에 따른 유기전계발광소자는 레드, 그린, 블루 광의 강도가 피크를 나타내어 발광효율이 높아진다. 최적의 두께를 알아내기 위해, 표 3과 같은 조건을 가지는 본 발명의 제1실시예에 따른 유기전계발광 소자를 제조한다.
기판 제1전극 유기층
두께(mm) 굴절률 두께(mm) 굴절률 HIL+HTL EML+ETL 굴절률
두께(nm) 두께(nm)
레드 0.7 1.516 1.749 80 90 1.785
그린 0.7 1.520 1.841 80 80 1.821
블루 0.7 1.526 1.903 80 60 1.916
이러한 조건을 가지는 본 발명의 제1실시예에 따른 유기 전계발광 소자에서, 제1전극(13)을 ITO로 제조한 다음, 발광층(15c)과 전자수송층(15d)의 두께의 합(s2)을 80nm 정도로 일정하게 하고 ITO의 두께를 변화시켜가면서 각 색광의 강도를 측정한 그래프가 도 5에 도시되어 있다.
도 5를 참조하면, ITO의 두께가 40nm정도, 155nm정도, 270nm 정도인 경우 블루 광의 강도가 피크를 나타내고 있으며, ITO의 두께가 60nm정도, 205nm정도, 350nm정도인 경우 그린 광의 강도가 피크를 나타내고 있으며, ITO의 두께가 90nm정도, 265nm 정도인 경우 레드 광의 강도가 피크를 나타내고 있다.
레드, 그린, 블루광의 강도가 피크를 나타내는 유기 전계발광 소자의 제조를 용이하게 하기 위해, 상기한 ITO 두께 중 레드광에 대해서는 265±10nm, 그린광에 대해서는 205±10nm 정도, 블루광에 대해서는 155±10nm 정도의 두께를 선택하면,제1전극(13)의 두께(d1, d2, d3)에 대한 유기층(15)의 두께(s)의 비는 표4에 도시된 바와 같으므로 수학식 6으로 제시된 조건식을 만족함을 알 수 있다.
d1=265±10(nm) d2=205±10(nm) d3=155±10(nm)
정공주입층의 두께+정공수송층의 두께/제1전극의 두께 0.30±0.1 0.39±0.2 0.51±0.4
이와 같은 두께의 제1전극을 가지는 본 발명의 제1실시예에 따른 유기 전계발광소자는 상기 두께에 작은 오차가 발생하더라도 강도가 최대가 되는 특성의 차는 크지 않아 발광효율이 높다.
<본 발명의 제2실시예>
도 2a는 본 발명의 제2실시예에 따른 유기 전계발광 소자를 나타낸 단면도이다. 본 발명의 제2실시예에 따른 유기 전계발광 소자는, 본 발명의 제1실시예에 따른 유기 전계발광 소자와는 달리, 기판(11)의 상면에 버퍼층(12)을 더 구비하는 것을 특징으로 한다.
도 2a를 참조하면, 본 발명의 제2실시예에 따른 유기 전계발광 소자는, 기판(11), 기판(11)상에 각 픽셀에 따라 서로 다른 두께를 가지도록 스트라이프형으로 형성된 버퍼층(12)과, 상기 버퍼층(12)상에 형성된 제1전극(13)을 포함하는 제1전극부, 상기 제1전극(13)의 상부에 적층된 유기층(15) 및 상기 유기층(15)의 상부에 적층되며, 상기 제1전극(13)과 교차되도록 스트라이프형으로 형성된 제2전극(17)을 순서대로 구비한다.
참조부호 18은 절연층으로 제1전극(13)이 규칙적으로 노출되도록 이제1전극(13)과 직교하게 형성된다. 여기서, 제1전극(23)은 양극, 제2전극(27)은 음극이다.
버퍼층(12)은 제1전극(13)과 유사한 굴절률을 가지는 투명한 물질로 제조된다. 도 1b에 도시된 바와 같은 제1전극(13)의 두께변화(d1, d2, d3)에 대응하도록 레드 픽셀은 기판(11)의 상면에 이 층의 버퍼층(12a, 12b)이, 그린 픽셀은 일층의 버퍼층(12a)이 증착되며, 블루 픽셀은 버퍼층이 증착되지 않는다.
따라서, 본 발명의 제2실시예에 따른 유기 전계발광 소자는, 수학식 1에 따른 투명기판(11)의 상면에서 제1전극(13)부의 상면까지의 거리가 레드픽셀의 경우 h1, 그린픽셀의 경우 h2, 블루픽셀의 경우 h3가 된다. 투명기판(11)의 상면에서 제1전극(13)의 상면가지의 거리는 버퍼층(12)의 두께와 제1전극(13)의 두께의 합과 같으므로 수학식 1을 다음의 수학식 7로 나타낼 수 있으며, 수학식 7에서 제시되는 조건을 만족하는 경우 레드, 그린, 블루광의 강도가 피크가 된다.
본 발명의 제2실시예에 따른 유기 전계발광 소자에서도 표1 및 도 4에 도시된 바와 같은 실험을 행하는 경우 유사한 실험결과가 나타나므로 상술한 ITO의 두께, 즉 레드픽셀의 경우 295±10nm, 그린픽셀의 경우 225±10nm, 블루픽셀의 경우 155±10nm와 동일한 두께의 합을 가지도록 버퍼층(12)과 제1전극(13)을 제조한다. 이 때 유기층(15)의 두께는 140nm±10nm가 될 것이다.
또한, 본 발명의 제2실시예에 따른 유기 전계발광 소자에서, 표2 및 도 5에 도시된 바와 같은 실험을 행하는 경우 유사한 실험결과가 나타나므로, 수학식 3으로 제시된 조건을 수학식 8과 같이 나타낼 수 있다.
정공주입층(15a)의 두께와 정공수송층(15b)의 두께의 합(s1)을 표2에 도시된 바와 같이 80±10nm로 설정하는 경우 버퍼층(12)의 두께와 제1전극(13)의 두께의 합을 레드픽셀의 경우 265±10nm, 그린픽셀의 경우 205±10nm, 블루픽셀의 경우 155±10nm가 되도록 하면, 레드, 그린, 블루광의 강도가 도 5에 도시된 바와 같이 피크를 나타내게 된다.
이와 같은 원리는 도 2b 및 도 2c에 도시된 전면발광방식의 유기 전계발광 소자에도 동일하게 적용된다.
<본 발명의 제3실시예>
도 2b는 본 발명의 제3실시예에 따른 유기 전계발광 소자를 나타낸 단면도이다.
도 2b를 참조하면, 본 발명의 제3실시예에 따른 유기 전계발광 소자는, 기판(11)과, 기판(11)의 상면에 소정패턴으로 형성된 제1전극(13)과, 기판(11)의 상면에 정공주입층(15a), 정공이송층(15b), 발광층(15c) 및 전자이송층(15d)이 적층되어 이루어지는 유기층(15)과, 상기 유기층(15)의 상면에 소정패턴으로 형성된투명한 제2전극(17)을 구비한다.
레드, 그린, 블루광의 강도가 피크가 되는 유기층(13)의 상면에서 제2전극부의 상면까지의 거리는, 수학식 2를 만족해야 한다. 따라서, 제2전극(17)은 투명한 도전성 물질로 형성되는데, 레드 픽셀의 경우 삼층(17a, 17b, 17c)으로, 그린 픽셀의 경우 이층(17a, 17b)으로, 블루 픽셀의 경우 일층(17a)으로 적층되며, 각각 두께가 j1, j2, 및 j3가 되도록 제조된다.
여기서, 제2전극부의 상면이란 제2전극(17)의 상면이므로, 수학식 2는 본 발명의 제3실시예에 따른 유기 전계발광 소자에서는 수학식 9로 나타낼 수 있다.
또는, 본 발명의 제3실시예에 따른 유기 전계발광 소자는, 레드, 그린, 블루광의 강도가 피크가 되도록 유기층(13)의 상면에서 제2전극(17)의 상면까지의 거리가 수학식 4를 만족하도록 형성될 수 있으며, 이 경우 수학식 4는 수학식 10으로 나타낼 수 있다.
본 발명의 제1실시예에 따른 유기 전계발광 소자에 대한 설명에서, 상술한 표 1, 2 및 도 4로 제시된 실험결과와, 표 3, 4 및 도 5로 제시된 실험결과를 본 발명의 제3실시예에 따른 유기 전계발광 소자에 동일하게 적용할 수 있다.
따라서, 제2전극(17)의 두께(j1, j2, j3)를 형성함에 있어서, 유기층(15)의 두께(s)가 140±10nm 이면 수학식 9를 만족하도록 레드 픽셀의 경우 295±10nm로, 그린 픽셀의 경우 225±10nm로, 블루 픽셀의 경우 155±10nm로 제조할 수 있다.
또는, 정공주입층(15a)과 정공수송층(15b)의 합(s)이 80±10nm 이면 수학식 10을 만족하도록 레드 픽셀의 경우 265±10nm로, 그린 픽셀의 경우 205±10nm로, 블루 픽셀의 경우 155±10nm로 형성할 수 있다.
<본 발명의 제4실시예>
도 2c는 본 발명의 제4실시예에 따른 유기 전계발광 소자를 나타낸 단면도이다. 본 발명의 제4실시예에 따른 유기 전계발광 소자는, 본 발명의 제3실시예에 따른 유기전계발광소자와 달리, 일층인 제2전극(17)의 상면에 버퍼층(12)을 구비한다.
도 2c를 참조하면, 본 발명의 제4실시예에 따른 유기 전계발광 소자는, 기판(11)과, 기판(11)의 상면에 소정패턴으로 형성된 제1전극(13)과, 기판(11)의 상면에 정공주입층(15a), 정공이송층(15b), 발광층(15c) 및 전자이송층(15d)이 적층되어 이루어지는 유기층(15)과, 상기 유기층(15)의 상면에 소정패턴으로 형성된 투명한 제2전극(17)과 상기 제2전극(17)의 상면에 형성되는 버퍼층(12)을 포함하는 제2전극부를 구비한다.
버퍼층(12)은 제2전극(17)과 유사한 굴절률을 가진 투명한 물질로 제조되며, 레드 픽셀의 경우 이층(12a, 12b)으로 적층되어 두께 l1, 그린 픽셀의 경우 일층(12a)으로 적층되어 두께 j2를 가지도록 형성되며, 블루 픽셀의 경우버퍼층(12)의 적층이 없이 두께 j3가 되도록 제조된다.
레드, 그린, 블루광의 강도가 피크가 되기 위해서는, 유기층(15)의 두께와, 유기층(15)의 상면에서 제2전극부의 상면까지의 거리의 비는 수학식 2를 만족해야 한다.
수학식 2에서, 유기층(15)의 상면에서 버퍼층(12b)의 상면까지의 거리는, 본 발명의 제4실시예에 따른 유기 전계발광 소자에서는 수학식 11으로 나타낼 수 있으므로 수학식 11을 만족하도록 제2전극(17), 유기층(15) 및 버퍼층(12)의 두께를 조절한다.
또는, 본 발명의 제4실시예에 따른 유기 전계발광 소자는, 정공주입층(15a)와 정공수송층(15b)의 두께의 합과, 유기층(13)의 상면에서 버퍼층(12b)의 상면까지의 거리의 비가, 수학식 6을 만족하도록 하여 레드, 그린, 블루광의 강도가 피크가 되게 하여 발광효율을 향상시킬 수 있다. 수학식 6은 본 발명의 제3실시예에 따른 유기 전계발광 소자에서는 수학식 12로 나타낼 수 있으므로, 수학식 12를 만족하도록 정공주입층(15a), 정공이송층(15b), 제2전극(17) 및 버퍼층(12)의 두께를 조절한다.
본 발명의 제1실시예에 따른 유기 전계발광 소자에 대한 설명에서, 상술한 표 1, 2 및 도 4로 제시된 실험결과와, 표 3, 4 및 도 5로 제시된 실험결과를 본 발명의 제4실시예에 따른 유기 전계발광 소자에 동일하게 적용할 수 있다.
따라서, 제2전극(17)의 두께와 버퍼층(12)의 두께의 합(l1, l2, l3)은, 유기층(15)의 두께(s)가 140±10nm 이면 수학식 11을 만족하도록 레드픽셀의 경우 295±10nm, 그린픽셀의 경우 225±10nm, 블루픽셀의 경우 155±10nm 로 제조하거나, 정공주입층(15a)과 정공수송층(15b)의 합(s)이 80±10nm 이면 수학식 12를 만족하도록 레드픽셀의 경우 265±10nm, 그린픽셀의 경우 205±10nm, 블루픽셀의 경우 155±10nm 로 제조할 수 있다.
지금까지는 수동형 매트릭스 방식의 유기 전계발광 소자에서 레드, 블루, 그린광의 강도가 피크를 나타내도록 하는 조건에 대해 살펴보았다.
다음으로 능동형 매트릭스 방식의 유기 전계발광 소자에서, 레드, 블루, 그린광의 강도가 피크를 나타내는 조건은 상술한 수학식 1, 2, 3 및 4로 제시된다.
도 3a 내지 도 3d는 TFT(Thin Film Transistor)를 포함하는 능동 매트릭스 구동방식의 유기 전계발광 소자를 나타낸다. 능동 매트릭스 구동방식의 유기 전계발광 소자는, 화상이 표시되는 화소부와, 상기 화소부를 구동하는 구동부로 이루어진다.
도면을 참조하면, 본 발명의 제5 내지 제8실시예에 따른 유기 전계발광 소자에서, 화소부(20)는, 기판(21)과, 기판(21)의 상면에 복수개의 절연막을 포함하는 절연층(30)과, 절연층(30)의 상면에 적층되는 제1전극(23)과, 제1전극(23)의 상면에 형성되는 유기층(25) 및 유기층(25)의 상부에 적층되며 구동부(40)까지 연결되는 제2전극(27)을 포함한다. 여기서, 제1전극(23)은 양극, 제2전극(27)은 음극이다.
구동부(40)는 기판(21)의 상부에 마련되는 반도체층(41)과, 반도체층(41)의 상부에 대응되게 위치하는 게이트 전극(43)과, 게이트 전극(43)을 매립하는 중간절연막(35)과, 반도체층(41)의 양단에 전극을 공급하는 소스전극(47)과, 게이트 전극(45) 및 게이트 전극(45)의 상면을 덮는 보호막(34)으로 이루어진다. 참조부호 37은 화소부(20)를 제외한 구동부(40) 및 그 연결부분의 높이를 평탄화시키는 평탄화막이다. 참조부호 26은 화소부(20)의 개구부를 나타낸다.
여기서, 소스전극(47)은 제1전극(51)과 연결되며, 제1전극(51)의 하부에는 절연막(32)을 사이에 두고 대응되도록 위치하는 제2전극(53)이 마련되어 커패시터(50)를 형성한다.
<본 발명의 제5실시예>
도 3a는 배면발광방식의 본 발명의 제5실시예에 따른 유기 전계발광 소자를 나타낸 도면이다.
도 3a에 도시된 본 발명의 제5실시예에 따른 유기 전계발광 소자는, 투명기판(21)과 투명한 도전성 물질로 이루어진 제1전극(23)을 가지며, 레드 픽셀의 경우 삼층(23a, 23b, 23c)으로 이루어지고 두께 d1을 가지도록, 그린 픽셀의 경우 이층(23a, 23b)으로 이루어지고 두께 d2를 가지도록, 블루 픽셀의 경우 일층(23a)으로 이루어지며 두께 d3를 가지도록 제조된다.
제1전극(23)의 두께(d1, d2, d3)는, 본 발명의 제1실시예에 따른 유기 전계발광 소자에서와 같이 수학식 5 또는 수학식 7을 만족하도록 형성될 수 있으며, 이 경우 레드, 그린, 블루 픽셀에서 출사되는 각 색광의 강도가 피크가 된다.
예를 들어, 절연층(30)의 굴절률이 제1전극(23)의 굴절률과 상이한 경우, 수학식 5를 적용하며, 절연층(30)의 굴절률이 제1전극(23)과 유사한 경우 수학식 7에서 버퍼층의 두께 대신에 절연층(30)의 두께를 대입한다. 여기서, 절연층(30)을 구성하는 제1내지 제4절연막(31, 32, 33, 34)의 일부 절연막, 예를 들어 제3 및 제4절연막(33, 34)의 굴절률만이 제1전극(23)의 굴절률과 유사한 경우에는, 수학식 8에서 버퍼층의 두께 대신 제3 및 제4절연막(33, 34)의 두께의 합을 대입한다. 이것은, 굴절률이 유사한 물질로 이루어진 층이 제1전극(23)과 인접하는 경우, 광이 제1전극(23)과 이 층을 투과한 다음, 굴절률이 상이한 층에서 반사되어 출사하기 때문이다.
본 발명의 제5실시예에 따른 유기 전계발광 소자에서도, 표1, 2 및 도 4에 도시된 실험결과가 적용가능하므로 유기층(25)의 두께(s)가 140±10nm 이면, 수학식 5를 만족하도록, 레드픽셀의 경우 295±10nm, 그린픽셀의 경우 225±10nm, 블루픽셀의 경우 155±10nm의 두께를 가지는 제1전극(23)을 형성할 수 있다. 유사하게, 동일한 범위의 유기층(25) 두께에서 수학식 7을 만족하도록, 상술한 범위와 동일한 범위의 두께를 가지도록 제1전극(23)과 절연층(36)의 두께의 합을 조절할 수 있다.
또는, 레드, 그린, 블루광의 강도가 피크가 되는 제1전극(23)의 두께(d1, d2, d3)는, 수학식 3을 만족하므로, 상술한 수학식 6 또는 수학식 8의 조건식을 만족하도록 형성할 수 있다. 다만, 절연층(30)의 굴절률이 제1전극(23)의 굴절률과 상이한 경우 수학식 6을 적용하며, 절연층(30)의 굴절률이 제1전극(23)의 굴절률과 유사한 경우 수학식 8을 적용하되 버퍼층의 두께 대신 절연층(30)의 두께를 대입한다.
여기서, 절연층(30)을 구성하는 제1내지 제4절연막(31, 32, 33, 34)의 일부 절연막, 예를 들어 제3 및 제4절연막(33, 34)의 굴절률만이 제1전극(23)의 굴절률과 유사한 경우에는, 수학식 8에서 버퍼층의 두께 대신 제3 및 제4절연막(33, 34)의 두께의 합을 적용한다.
표 3, 4 및 도 6에서 수행된 실험결과가 본 발명의 제5실시예에서도 적용가능하므로, 제1전극(23)의 두께 또는 제1전극(23)과 절연층(30)의 두께는 정공주입층(15a)과 정공수송층(15b)의 합(s)이 80±10nm 이면 수학식 8을 만족하도록 레드픽셀의 경우 265±10nm, 그린픽셀의 경우 205±10nm, 블루픽셀의 경우 155±10nm 의 범위가 되도록 제조될 수 있다.
<본 발명의 제6실시예>
도 3b는 본 발명의 제6실시예에 따른 유기 전계발광 소자의 단면도이다.
도 3b를 참조하면, 본 발명의 제6실시예에 따른 유기 전계발광 소자에서, 절연층(30)의 상면에는 제1전극(23)의 굴절률과 유사한 굴절률을 가지는 버퍼층(36)이 더 적층되어 있다. 레드픽셀의 경우 이층의 버퍼층(36a, 36b)이, 그린픽셀의 경우 일층의 버퍼층(36a)이 적층되어 있으며, 블루픽셀의 경우 버퍼층(36)이 적층되지 않는다. 이 경우에는 절연층(30)의 굴절률이 제1전극(23)의 굴절률과 상이한 경우로서 유기층(25)의 두께가 일정한 경우 제1전극(23)의 저면에 버퍼층(36)을 마련하여 각 픽셀의 강도가 피크가 되도록 조절하는 것이다.
본 발명의 제6실시예에 따른 유기 전계발광 소자에서, 유기층(25)의 두께와 제1전극(23)과 버퍼층(36)의 두께의 합의 비는 수학식 7 및 8을 만족하도록 설정될 수 있다.
본 발명의 제6실시예에 따른 유기 전계발광 소자에서도, 표1, 2 및 도 4에 도시된 실험결과가 적용가능하므로 유기층(25)의 두께(s)가 140±10nm 이면, 제1전극(23)과 버퍼층(36)의 두께의 합이 수학식 7을 만족하도록 레드픽셀의 경우 295±10nm, 그린픽셀의 경우 225±10nm, 블루픽셀의 경우 155±10nm로 형성할 수 있다.
또한, 표3, 4 및 도 5에 도시된 실험결과도 적용가능하므로 제1전극(23)의 두께 또는 제1전극(23)과 버퍼층(36)의 두께는, 정공주입층(15a)과 정공수송층(15b)의 합(s)이 80±10nm 이면 수학식 8을 만족하도록 레드픽셀의 경우 265±10nm, 그린픽셀의 경우 205±10nm, 블루픽셀의 경우 155±10nm 의 범위가 되도록 제조될 수 있다.
<본 발명의 제7실시예>
도 3c는 본 발명의 제7실시예에 따른 유기 전계발광 소자의 단면도이다.
도 3c를 참조하면, 본 발명의 제7실시예에 따른 유기 전계발광 소자에서, 제2전극(26)은, 레드픽셀의 경우 삼층(26a, 26b, 26c), 그린픽셀의 경우 이층(26a, 26b, 26c), 블루픽셀의 경우 일층(26a)으로 이루어져 있으며, 각 두께는 j1, j2,j3로 형성된다.
본 발명의 제7실시예에 따른 유기 전계발광 소자에서, 유기층(25)의 두께와 제2전극(26) 비는 수학식 9 및 10을 만족하도록 설정되며, 이 경우 레드, 그린, 블루의 각 색광의 강도가 피크를 나타낸다.
표1, 2 및 도 4에 도시된 실험결과가 적용가능하므로 유기층(25)의 두께(s)가 140±10nm 이면, 제2전극(26)의 두께가 수학식 9를 만족하도록 레드픽셀의 경우 295±10nm, 그린픽셀의 경우 225±10nm, 블루픽셀의 경우 155±10nm로 제조할 수 있다.
표3, 4 및 도 5에 도시된 실험결과가 적용가능하므로 제2전극(26)의 두께는, 정공주입층(15a)과 정공수송층(15b)의 합(s)이 80±10nm 이면 수학식 10을 만족하도록 레드픽셀의 경우 265±10nm, 그린픽셀의 경우 205±10nm, 블루픽셀의 경우 155±10nm 로 제조할 수 있다.
<본 발명의 제8실시예>
도 3d는 본 발명의 제8실시예에 따른 유기 전계발광 소자의 단면도이다.
도 3d를 참조하면, 본 발명의 제8실시예에 따른 유기 전계발광 소자에서, 제2전극(26)의 상면에는 버퍼층(36)이, 레드픽셀의 경우 이층(36a, 36b), 그린픽셀의 경우 일층(36a)으로 적층된다. 블루픽셀의 경우는 버퍼층(36)이 적층되지 않는다. 제2전극(26)과 버퍼층(36)의 두께의 합은 레드, 그린, 블루 픽셀에서 각각 l1, l2, l3로 형성된다.
본 발명의 제8실시예에 따른 유기 전계발광 소자에서, 유기층(25)의 두께와제2전극(26)과 버퍼층(36)의 두께의 합의 비는 수학식 11 및 12를 만족하도록 설정되며, 이 경우 레드, 그린, 블루의 각 색광의 강도가 피크를 나타낸다.
표1, 2 및 도 4에 도시된 실험결과가 적용가능하므로 유기층(25)의 두께(s)가 140±10nm 이면, 제2전극(26)과 버퍼층(36)의 두께의 합이 수학식 11을 만족하도록 레드픽셀의 경우 295±10nm, 그린픽셀의 경우 225±10nm, 블루픽셀의 경우 155±10nm로 제조할 수 있다.
표3, 4 및 도 5에 도시된 실험결과가 적용가능하므로 제2전극(26)과 버퍼층(36)의 두께의 합은, 정공주입층(15a)과 정공수송층(15b)의 합(s)이 80±10nm 이면 수학식 12을 만족하도록 레드픽셀의 경우 265±10nm, 그린픽셀의 경우 205±10nm, 블루픽셀의 경우 155±10nm 로 제조할 수 있다.
지금까지 레드, 그린, 블루 광의 강도가 피크가 되는 본 발명의 제1 내지 제8실시예에 따른 유기 전계발광 소자를 설명하였다.
이하 본 발명의 제1실시예에 따른 유기 전계발광 소자의 전극 제조방법에 대해 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 6a 내지 도 6i는 본 발명의 제1실시예에 따른 유기 전계발광 소자의 전극 제조방법의 일예를 나타낸 공정도이다. 본 발명의 실시예에 따른 유기 전계발광 소자의 두께가 달라지는 전극을 형성하기 위해 세 번의 식각공정을 통해 두께를 조절하는 것을 특징으로 한다.
먼저 도 6a에 도시된 바와 같이, 기판(71)상에 전극(73)을 증착한 다음, 도 6b에 도시된 바와 같이 전극(73)의 상면에 감광제(72)를 도포하고 소정 패턴의 마스크(73)를 그 상부에 위치시키서 노광공정을 실행하면, 마스크(74)에 의해 가려진 부분의 감광제(72a)는 노광되지 않고 가려지지 않은 부분의 감광제(72b)만이 노광된다.
이를 도 6c에 도시된 바와 같이, 현상하면 노광된 부분의 감광제(72b)만이 제거된다. 다음으로 잔류하는 부분의 감광제(72a)를 마스크로 하여 전극(73')을 식각한다. 첫 번째 식각공정을 통해 동일 높이의 전극이 형성된다.
다시 그 상부에 감광제(72)를 도포하고 도 6d에 도시된 바와 같은 노광 공정을 실행한 다음 현상하면 도 6e에 도시된 바와 같이 노광된 부분의 감광제(72b)만이 제거된다. 감광제(72b)가 제거된 부분의 전극(73b)의 일정부분(73b')을 식각하면 도 6f에 도시된 형태의 스트라이프형 전극(73a, 73b, 73c)이 형성된다.
두 번째의 식각공정을 통해 서로 다른 높이의 전극이 형성된다.
도 6g에 도시된 바와 같이, 이 상부에 다시 감광제(72)를 도포하고 다시 노광하고 현상하면 도 6h에 도시된 바와 같이 감광제(72) 중 노광된 부분(72b)이 제거되고 감광제(72)가 제거된 부분의 전극(73c)을 식각하여 소정부분(73c')을 제거하면 도 6i에 도시된 바와 같이 각 픽셀에 따라 두께가 달라지는 전극(73a, 73b, 73c)이 형성된다. 마지막 세 번째까지의 식각공정을 행하면, 세 종류의 서로 다른 높이를 가지는 전극이 형성된다.
이와 같은 전극(73a, 73b, 73c)형태는 본 발명의 제1실시예에 따른 유기 전계발광 소자에서, 레드, 그린, 블루의 각 픽셀에 따라 두께가 달라지는 제1전극(13)이 될 수도 있다. 이와 같은 동일한 공정을 본 발명의 제3, 5, 7실시예에 따른 유기 전계발광 소자에 적용할 수 있다. 이 경우 기판(71)은 유기층이 되거나, 전극(73)은 제2전극이 될 수 있다.
도 7a 내지 도 7o는 본 발명의 제1실시예에 따른 유기 전계발광 소자의 전극 제조방법의 다른 예를 나타낸 공정도이다. 본 발명의 실시예에 따른 유기 전계발광 소자의 전극 제조방법에서는, 세 번의 전극의 증착 및 식각 공정을 행하여 각 레드, 블루, 그린 픽셀의 전극의 두께를 조절하는 것을 특징으로 한다.
먼저, 도 7a에 도시된 바와 같이, 기판(81)의 상면에 제1전극층(83)을 증착한 다음 도 7b에 도시된 바와 같이 감광제(82)를 도포한 다음 노광하고 현상하면 도 7c에 도시된 바와 같이 노광된 부분의 감광제(82b)만이 제거된다. 감광제(82)가 제거된 부분의 제1전극(83a')을 식각하여 제거하면 도 7d에 도시된 바와 같이 스트라이프형의 제1전극(83a)이 형성된다. 도 7e에 도시된 바와 같이, 그 상부의 감광제(82a)를 제거하면, 소정 높이를 가지는 전극이 스트라이프형으로 형성된다.
다음으로, 도 7f에 도시된 바와 같이 제1전극(83a)의 상부에 제1전극(83a)과 동일한 물질의 제2전극(83b)을 증착한다. 도 7g에 도시된 바와 같이, 다시 그 상부에 감광제(82)를 도포, 노광 및 현상하면 도 7h에 도시된 바와 같은 형태로 감광제(82)가 스트라이프형으로 패터닝된다.
감광제(82)가 제거된 부분의 제2전극(83b')을 식각하여 제거하면 도 7i에 도시된 바와 같은 형태가 되며, 제2전극(83b)의 상부에 위치하는 감광제(82a)를 제거하면 도 7j에 도시된 바와 같이 스트라이프형으로 제1전극(83a)과 제2전극(83b)이 형성된다.
이 단계까지 완료되면, 높이가 상이한 두 종류의 전극이 형성되는 것이다.
세 종류의 높이를 가지는 전극을 형성시키기 위해 도 7k에 도시된 바와 같이 제2전극(83b)의 상부에 제3전극(83c)을 증착하고, 도 7l에 도시된 바와 같이 감광제(82)를 도포한 다음 노광 및 현상공정을 실행한다. 도 7m에 도시된 바와 같이, 감광제(82)가 제거된 부분의 제3전극(83c)을 식각하면 도 7n에 도시된 바와 같은 형태가 되며, 감광제(82a)를 제거하면 도 7o에 도시된 바와 같이 서로 다른 두께를 가지는 스트라이프형의 전극(83)이 형성된다.
여기서, 제2전극(83b)과 제3전극(83c)를 버퍼층으로 형성하는 경우 본 발명의 제2, 4, 6 및 8실시예에 따른 유기 전계발광 소자의 전극을 제조하기 위해 본 공정을 적용할 수 있으며, 본 발명의 제3, 5 및 7 실시예에 따른 유기 전계발광 소자의 전극을 제조하기 위해 본 공정을 적용할 수 있음은 물론이다.
본 발명의 실시예에 따른 유기 전계발광 소자는, 레드, 그린, 블루 광의 강도가 피크가 되도록 유기층의 두께 또는 정공주입층과 정공수송층의 두께의 합과, 전극의 두께 또는 전극과 버퍼층의 두께의 합의 비를 소정 범위내의 값으로 설정함으로써 발광 효율을 높이고 각 광의 휘도를 향상시킬 수 있다. 특히, HIL 및 HTL의 막두께를 RGB 공통층으로 증착함에도 불구하고, 광학간섭 스펙트럼의 피크가 RGB 3색의 피크 위치에 오도록 조절할 수 있기 때문에 제작공정이 용이하고 RGB의 효율을 최대화함으로써 저소비전력화, 장기 수명화가 가능하다. 또한 대형기판으로 제작하더라도 막두께의 불균일성에 근거하는 패널 특성의 악화를 최소한으로 억제할 수 있다.
상기한 설명에서 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나, 그들은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다, 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 예를 들어 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술적 사상에 의해 상술한 바와 같이 레드, 그린, 블루의 각 광의 강도가 피크가 되도록 하는 레드, 그린, 블루의 픽셀의 전극의 두께를 제시된 두께와 다른 두께로 형성할 수 있을 것이다. 본 발명의 실시예에서는 레드 픽셀의 전극의 두께가 가장 두껍고 블루 픽셀의 전극의 두께가 가장 얇게 형성되어 있으나, 이와 다르게 형성될 수도 있다. 때문에 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 의하여 정하여 질 것이 아니고 특허 청구범위에 기재된 기술적 사상에 의해 정하여져야 한다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 유기 전계발광 소자의 장점은, 레드, 그린, 블루광의 각 강도가 피크가 되도록 함으로써 발광효율을 높이고 발광색의 변화를 감소시켜 휘도와 콘트라스트가 향상된 양호한 화질의 화상을 제공할 수 있다는 것이다.

Claims (44)

  1. 투명기판;
    상기 투명기판의 상면에 소정 패턴으로 형성된 투명한 제1전극을 포함하는 제1전극부;
    상기 제1전극부의 상면에 정공주입층, 정공이송층, 발광층 및 전자이송층이순서대로 적층되어 이루어진 유기층; 및
    상기 유기층의 상면에 소정패턴으로 형성된 제2전극;을 구비하며,
    상기 투명기판의 상면에서 상기 제1전극부의 상면까지의 거리와, 상기 유기층의 두께의 비는, 레드, 그린, 블루광의 강도가 피크가 되도록 다음의 식을 만족하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자.
  2. 투명기판;
    상기 투명기판의 상면에 소정패턴으로 형성된 투명한 제1전극을 포함하는 제1전극부와, 상기 제1전극부의 상면에 정공주입층, 정공이송층, 발광층 및 전자이송층이 순서대로 적층되어 이루어진 유기층 및, 상기 유기층의 상면에 소정패턴으로 형성된 제2전극부를 구비하는 화소부; 및
    상기 제1전극을 구동시키는 박막 트랜지스터를 포함하는 구동부;를 구비하며,
    상기 투명기판의 상면에서 상기 제1극부의 상면까지의 거리와, 상기 유기층의 두께의 비는, 레드, 그린, 블루광의 강도가 피크가 되도록 다음의 식을 만족하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제1전극부는 상기 제1전극의 저면에 상기 제1전극과 유사한 굴절률을 가지는 투명한 버퍼층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 유기층은 140±10 nm 의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 유기층은 140±10 nm 의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 투명기판의 상면에서 상기 제1전극부의 상면까지의 거리는 상기 레드광의 강도가 피크가 되도록 295±10 nm 의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 투명기판의 상면에서 상기 제1전극부의 상면까지의 거리는 상기 레드광의 강도가 피크가 되도록 295±10 nm 의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  8. 제 4 항에 있어서,
    상기 투명기판의 상면에서 상기 제1전극부의 상면까지의 거리는 상기 그린광의 강도가 피크가 되도록 225±10 nm 의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자.
  9. 제 5 항에 있어서,
    상기 투명기판의 상면에서 상기 제1전극부의 상면까지의 거리는 상기 그린광의 강도가 피크가 되도록 225±10 nm 의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자.
  10. 제 4 항에 있어서,
    상기 투명기판의 상면에서 상기 제1전극부의 상면까지의 거리는 상기 블루광의 강도가 피크가 되도록 155±10nm 의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자.
  11. 제 5 항에 있어서,
    상기 투명기판의 상면에서 상기 제1전극부의 상면까지의 거리는 상기 블루광의 강도가 피크가 되도록 155±10nm 의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자.
  12. 기판;
    상기 기판의 상면에 소정 패턴으로 형성된 제1전극;
    상기 제1전극의 상면에 정공주입층, 정공이송층, 발광층 및 전자이송층이 순서대로 적층되어 이루어진 유기층; 및
    상기 유기층의 상면에 소정패턴으로 형성된 투명한 제2전극을 포함하는 제2전극부;를 구비하며,
    상기 유기층의 상면에서 상기 제2전극부의 상면까지의 거리와, 상기 유기층의 두께의 비는 레드, 그린, 블루의 강도가 피크가 되도록 다음의 식을 만족하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자.
  13. 기판;
    상기 기판의 상면에 소정 패턴으로 형성된 제1전극과, 상기 제1전극의 상면에 정공주입층, 정공이송층, 발광층 및 전자이송층이 순서대로 적층되어 이루어진 유기층 및, 상기 유기층의 상면에 소정패턴으로 형성된 투명한 제2전극을 포함하는 제2전극부를 구비하는 화소부; 및
    상기 제2전극을 구동시키는 박막 트랜지스터를 포함하는 구동부;를 구비하며,
    상기 유기층의 상면에서 상기 제2전극부의 상면까지의 거리와, 상기 유기층의 두께의 비는 레드, 그린, 블루광의 강도가 피크가 되도록 다음의 식을 만족하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자.
  14. 제 12 항 또는 제 13항에 있어서,
    상기 제2전극부는, 상기 제2전극의 상면에 상기 제2전극과 유사한 굴절률을 가지는 투명한 버퍼층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자.
  15. 제 12 항 또는 제 13 항에 있어서,
    상기 유기층은 140±10 nm 의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자.
  16. 제 14 항에 있어서,
    상기 유기층은 140±10 nm 의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자.
  17. 제 15 항에 있어서,
    상기 유기층의 상면에서 상기 제2전극부의 상면까지의 거리는 상기 레드광의 강도가 피크가 되도록 295±10 nm 인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  18. 제 16 항에 있어서,
    상기 유기층의 상면에서 상기 제2전극부의 상면까지의 거리는 상기 레드광의 강도가 피크가 되도록 295±10 nm 인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  19. 제 15 항에 있어서,
    상기 유기층의 상면에서 상기 제2전극부의 상면까지의 거리는 상기 그린광의 강도가 피크가 되도록 225±10 nm 인 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자.
  20. 제 16 항에 있어서,
    상기 유기층의 상면에서 상기 제2전극부의 상면까지의 거리는 상기 그린광의 강도가 피크가 되도록 225±10 nm 인 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자.
  21. 제 15 항에 있어서,
    상기 유기층의 상면에서 상기 제2전극부의 상면까지의 거리는 상기 블루광의 강도가 피크가 되도록 155±10nm 인 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자.
  22. 제 16 항에 있어서,
    상기 유기층의 상면에서 상기 제2전극부의 상면까지의 거리는 상기 블루광의 강도가 피크가 되도록 155±10nm 인 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자.
  23. 투명기판;
    상기 투명기판의 상면에 소정 패턴으로 형성된 투명한 제1전극을 포함하는 제1전극부;
    상기 제1전극부의 상면에 정공주입층, 정공이송층, 발광층 및 전자이송층이 순서대로 적층되어 이루어진 유기층; 및
    상기 유기층의 상면에 소정패턴으로 형성된 제2전극;을 구비하며,
    상기 투명기판의 상면에서 상기 제1전극부의 상면까지의 거리와, 상기 정공주입층과 상기 정공이송층의 두께의 합의 비는, 레드, 그린, 블루광의 강도가 피크가 되도록 다음의 식을 만족하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자.
  24. 투명기판;
    상기 투명기판의 상면에 소정패턴으로 형성된 투명한 제1전극을 포함하는 제1전극부와, 상기 제1전극부의 상면에 정공주입층, 정공이송층, 발광층 및 전자이송층이 순서대로 적층되어 이루어진 유기층 및, 상기 유기층의 상면에 소정패턴으로 형성된 제2전극부를 구비하는 화소부; 및
    상기 제1전극을 구동시키는 박막 트랜지스터를 포함하는 구동부;를 구비하며,
    상기 투명기판의 상면에서 상기 제1극부의 상면까지의 거리와, 상기 유기층의 두께의 비는, 레드, 그린, 블루광의 강도가 피크가 되도록 다음의 식을 만족하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자.
  25. 제 23 항 또는 제 24 항에 있어서,
    상기 제1전극부는, 상기 제1전극의 저면에 상기 제1전극과 유사한 굴절률을 가지는 투명한 버퍼층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자.
  26. 제 23 항 또는 제 24 항에 있어서,
    상기 정공수송층과 상기 정공주입층의 두께의 합은 80±10 nm 의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자.
  27. 제 25 항에 있어서,
    상기 정공수송층과 상기 정공주입층의 두께의 합은 80±10 nm 의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자.
  28. 제 23 항 또는 제 24 항에 있어서,
    상기 투명기판의 상면에서 상기 제1전극부의 상면까지의 거리는 상기 레드광의 강도가 피크가 되도록 265±10 nm인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  29. 제 25 항에 있어서,
    상기 투명기판의 상면에서 상기 제1전극부의 상면까지의 거리는 상기 레드광의 강도가 피크가 되도록 265±10 nm인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  30. 제 26 항에 있어서,
    상기 투명기판의 상면에서 상기 제1전극부의 상면까지의 거리는 상기 그린광의 강도가 피크가 되도록 205±10 nm인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  31. 제 27 항에 있어서,
    상기 투명기판의 상면에서 상기 제1전극부의 상면까지의 거리는 상기 그린광의 강도가 피크가 되도록 205±10 nm인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  32. 제 26 항에 있어서,
    상기 투명기판의 상면에서 상기 제1전극부의 상면까지의 거리는 상기 블루광의 강도가 피크가 되도록 155±10 nm인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  33. 제 27 항에 있어서,
    상기 투명기판의 상면에서 상기 제1전극부의 상면까지의 거리는 상기 블루광의 강도가 피크가 되도록 155±10 nm인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  34. 기판;
    상기 기판의 상면에 소정 패턴으로 형성된 제1전극;
    상기 제1전극의 상면에 정공주입층, 정공이송층, 발광층 및 전자이송층이 순서대로 적층되어 이루어진 유기층;
    상기 유기층의 상면에 소정패턴으로 형성된 투명한 제2전극을 포함하는 제2전극부;를 구비하며,
    상기 유기층의 상면에서 상기 제2전극부의 상면까지의 거리와, 상기 정공주입층과 상기 정공이송층의 두께의 합의 비는 레드, 그린, 블루광의 강도가 피크가 되도록 다음의 식을 만족하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자.
  35. 기판;
    상기 기판의 상면에 소정 패턴으로 형성된 제1전극과, 상기 제1전극의 상면에 정공주입층, 정공이송층, 발광층 및 전자이송층이 순서대로 적층되어 이루어진 유기층 및, 상기 유기층의 상면에 소정패턴으로 형성된 투명한 제2전극을 포함하는제2전극부를 구비하는 화소부; 및
    상기 제2전극을 구동시키는 박막 트랜지스터를 포함하는 구동부;를 구비하며,
    상기 유기층의 상면에서 상기 제2전극부의 상면까지의 거리와, 상기 정공주입층과 상기 정공수송층의 두께의 합의 비는, 레드, 그린, 블루의 강도가 피크가 되도록 다음의 식을 만족하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자.
  36. 제 34 항 또는 제 35 항에 있어서,
    상기 제2전극부는, 상기 제2전극의 상면에 상기 제2전극과 유사한 굴절률을 가지는 투명한 버퍼층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자.
  37. 제 34 항 또는 제 35 항에 있어서,
    상기 정공수송층과 상기 정공주입층의 두께의 합은 80±10 nm 의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자.
  38. 제 36 항에 있어서,
    상기 정공수송층과 상기 정공주입층의 두께의 합은 80±10 nm 의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자.
  39. 제 37 항에 있어서,
    상기 유기층의 상면에서 상기 제2전극부의 상면까지의 거리는 상기 레드광의 강도가 피크가 되도록 265±10 nm인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  40. 제 38 항에 있어서,
    상기 유기층의 상면에서 상기 제2전극부의 상면까지의 거리는 상기 레드광의 강도가 피크가 되도록 265±10 nm인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  41. 제 37 항에 있어서,
    상기 유기층의 상면에서 상기 제2전극부의 상면까지의 거리는 상기 그린광의 강도가 피크가 되도록 205±10 nm인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  42. 제 38 항에 있어서,
    상기 유기층의 상면에서 상기 제2전극부의 상면까지의 거리는 상기 그린광의 강도가 피크가 되도록 205±10 nm인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  43. 제 37 항에 있어서,
    상기 유기층의 상면에서 상기 제2전극부의 상면까지의 거리는 상기 블루광의 강도가 피크가 되도록 155±10 nm인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  44. 제 38 항에 있어서,
    상기 유기층의 상면에서 상기 제2전극부의 상면까지의 거리는 상기 블루광의 강도가 피크가 되도록 155±10 nm인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
KR1020020076992A 2002-12-05 2002-12-05 유기 전계발광 소자 KR100912801B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020020076992A KR100912801B1 (ko) 2002-12-05 2002-12-05 유기 전계발광 소자

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020020076992A KR100912801B1 (ko) 2002-12-05 2002-12-05 유기 전계발광 소자

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20040049143A true KR20040049143A (ko) 2004-06-11
KR100912801B1 KR100912801B1 (ko) 2009-08-18

Family

ID=37343655

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020020076992A KR100912801B1 (ko) 2002-12-05 2002-12-05 유기 전계발광 소자

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100912801B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101101341B1 (ko) * 2011-08-29 2012-01-02 대한폴리텍(주) 창호 방수 장치

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2846571B2 (ja) * 1994-02-25 1999-01-13 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
TW478019B (en) * 1999-10-29 2002-03-01 Semiconductor Energy Lab Self light-emitting device
JP2002170674A (ja) * 2000-09-22 2002-06-14 Fuji Name Plate Kk 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
KR20030093016A (ko) * 2002-06-01 2003-12-06 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계발광 소자

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101101341B1 (ko) * 2011-08-29 2012-01-02 대한폴리텍(주) 창호 방수 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR100912801B1 (ko) 2009-08-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11871634B2 (en) Display device
US9166204B2 (en) Organic light-emitting diode and method of fabricating the same
US11063244B2 (en) Electroluminescent display device
JP5131717B2 (ja) 光学共振効果を利用した有機電界発光素子
TWI500144B (zh) 有機發光顯示裝置及其製造方法
JP4164251B2 (ja) 有機ｅｌカラーディスプレイ及びその製造方法
US7538485B2 (en) Organic electroluminescent display panel and production method thereof
KR101434361B1 (ko) 백색 유기 전계 발광소자 및 이를 이용한 컬러 디스플레이장치
KR100754127B1 (ko) 유기 전계 발광표시장치 및 그 제조방법
CN108172600B (zh) 用于woled显示器的彩膜基板及woled显示器
US20060273712A1 (en) Organic electroluminescence display apparatus
KR102122335B1 (ko) 유기전계발광 표시장치
KR20140087813A (ko) 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
WO2017043243A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、照明装置および表示装置
KR20080061675A (ko) 유기 발광 소자 및 그의 제조방법
KR100874321B1 (ko) 발광 소자 및 표시 장치
CN109638037B (zh) 一种全彩化显示模块及其制作方法
JP2004006320A (ja) 有機ｅｌ素子
KR100912801B1 (ko) 유기 전계발광 소자
KR102113609B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR100908229B1 (ko) 유기 전계 발광 소자
KR101472123B1 (ko) 유기발광다이오드 표시장치 및 이의 제조 방법
KR100879475B1 (ko) 유기 전계발광 소자
KR102500612B1 (ko) 유기발광표시장치
KR100683658B1 (ko) 유기 전계 발광 표시 장치

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120730

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130731

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160801

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180802

Year of fee payment: 10