KR20040046799A - Elastomer mold fabrication method for patterning and method for forming cathode separator wall of organic light emitting device by using it - Google Patents

Elastomer mold fabrication method for patterning and method for forming cathode separator wall of organic light emitting device by using it Download PDF

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KR20040046799A
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Abstract

PURPOSE: A method for manufacturing an elastic mold and a method for forming barrier ribs are provided to reduce manufacturing procedures and achieve improved yield rate by eliminating the necessity of performing a photo process. CONSTITUTION: A method for manufacturing an elastic mold comprises a step of forming a thick film negative photoresist on a base substrate and forming a mask having a predetermined pattern on the negative photoresist; a step of producing a master mold having an inverse pattern by selectively removing the negative photoresist through an exposure and developing process using the mask as a shielding screen; a step of depositing an elastic material on the master mold and solidifying the elastic material; and a step of obtaining an elastic mold(110) having an inverse pattern by removing the solidified elastic material from the master mold.

Description

패터닝용 탄성체 주형 제조 방법 및 이를 이용한 유기 발광 소자의 음극 분리 격벽 형성 방법{ELASTOMER MOLD FABRICATION METHOD FOR PATTERNING AND METHOD FOR FORMING CATHODE SEPARATOR WALL OF ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE BY USING IT}A method of manufacturing an elastomeric mold for patterning and a method for forming a cathode separation partition of an organic light emitting device using the same.

본 발명은 평판형 디스플레이 소자에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 평판형 디스플레이 소자의 일종으로써 외부에서 주입되는 전자와 정공의 재결합 에너지에 의한 발광을 통해 목적으로 하는 칼라 영상을 표시하는데 적합한 유기 발광 소자(organic light-emitting device)의 음극 분리 격벽을 형성하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a flat panel display device, and more particularly, to an organic light emitting device suitable for displaying a target color image through light emission by recombination energy of electrons and holes injected from the outside. The present invention relates to a method for forming a cathode separation partition of an organic light-emitting device.

최근 들어, 반도체 제조 기술의 발달과 영상 처리 기술의 발달에 따라 경량화 및 박형화가 용이하고 고화질을 실현할 수 있는 평판 표시 소자들의 상용화 및 보급 확대가 급속하게 진행되고 있으며, 특히 뛰어난 발광 효율, 대면적화의 용이성, 공정의 간편성, 구조의 유연성 등과 같은 많은 장점을 갖는 유기 발광 소자가 차세대 표시 장치로서 각광받고 있다.Recently, with the development of semiconductor manufacturing technology and image processing technology, commercialization and widespread use of flat panel display devices, which are easy to lighten and thin, and can realize high image quality, are rapidly progressing. Organic light emitting devices having many advantages, such as ease of use, simplicity of process, and flexibility of structure, have been spotlighted as next generation display devices.

보다 상세하게, 유기 발광 소자는, 뛰어난 발광 효율, 대면적화의 용이성, 공정의 간편성, 직류 저전압 구동, 고속 응답성, 다색화 등에서 무기 발광 소자보다 우수한 특성을 갖는 것으로, 양전극(애노드 전극)과 음전극(캐소드 전극)을 이용하여 외부로부터 전자와 정공을 주입하고, 그것들의 재결합 에너지에 의한 발광을 통해 패널 상에 임의의 영상을 표시하는 소자이다.In more detail, the organic light emitting diode has characteristics superior to the inorganic light emitting diode in terms of excellent luminous efficiency, ease of large area, simplicity of process, direct current low voltage driving, high speed response, and multicolorization, and thus, a positive electrode (anode electrode) and a negative electrode It is an element which injects electrons and holes from the outside using a (cathode electrode), and displays an arbitrary image on a panel through light emission by their recombination energy.

이러한 유기 발광 소자를 제조하는데 있어서, 유기 발광층 상에 음전극을 형성하는 과정은 소자 특성을 결정짓는 중요한 핵심 공정 중의 하나이다. 이러한 음전극은 기존의 노광 및 패터닝 공정을 이용하여 제조할 수가 없는데, 그 이유는 유기 발광 소자에 사용되는 유기물 혹은 고분자 물질이 수분이나 산소 혹은 용매에 노출될 때 그들의 발광 혹은 전계 수송 능력이 급격하게 저하되기 때문이다.In manufacturing such an organic light emitting device, the process of forming a negative electrode on the organic light emitting layer is one of the key process to determine the device characteristics. Such a negative electrode cannot be manufactured by using a conventional exposure and patterning process, because the organic or high molecular materials used in the organic light emitting device are exposed to moisture, oxygen, or solvents, and their light emission or electric field transport capacity is rapidly decreased. Because it becomes.

한편, 노광 공정을 사용할 수 없는 유기 발광 소자의 음극을 형성하기 위한 하나의 방편으로서 음극 분리 격벽을 이용하는 방법이 널리 이용되고 있으며, 이와 같이 음극 분리 격벽을 형성하는 잘 알려진 종래 기술로는 네거티브 포토레지스트를 이용하는 방법과 에칭 선택성을 이용하는 방법이 있다.On the other hand, as a means for forming the cathode of the organic light emitting device that can not use the exposure process, a method using a cathode separation barrier is widely used, and as a well known conventional technique for forming a cathode separation barrier as described above, negative photoresist And a method using etching selectivity.

상기한 방법들 중 네거티브 포토레지스트를 이용하는 방법은 양전극 패턴을형성한 ITO 글라스(양전극) 위에 네거티브 포토레지스트를 코팅한 후 두께에 따른 빛의 노출양의 차이를 이용, 즉 빛을 많이 받은 상단 부분으로부터 하단 부분으로 갈수록 가교 결합의 밀도가 낮아지는데, 이러한 밀도차에 의해 현상 후에 잔존하는 포토레지스트(즉, 음극 분리 격벽으로 사용될 포토레지스트)가 대략 역상 패턴으로 되는 방식으로 음극 분리 격벽(즉, 역상 패턴의 음극 분리 격벽)을 형성하는 방법이고, 에칭 선택성을 이용하는 방법은 ITO 글라스(양전극) 위에 실리콘 질화막(Si3N4)과 식각 선택비가 낮은 물질(Porous Si) 및 식각 선택비가 높은 실리콘(Dense Si)을 순차 적층하고, 이러한 식각 선택비를 이용하는 식각을 통해 하부층 막의 측벽이 상부측 막보다 더 많이 식각되도록 하는 방식으로 음극 분리 격벽을 형성하는 방법인 것으로, 이러한 종래 방법들에서는 기본적으로 포토 공정(즉, 노광, 현상, 식각, 세정 공정 등)을 이용하고 있다.Among the above methods, the method using the negative photoresist is coated with a negative photoresist on the ITO glass (positive electrode) on which the positive electrode pattern is formed, and then using the difference in the amount of light exposure depending on the thickness, that is, The density of the crosslinks decreases toward the lower portion, which causes the cathode separation partition (i.e., reverse phase pattern) in such a manner that the photoresist remaining after development (i.e., the photoresist to be used as the cathode separation partition) becomes a substantially reverse phase pattern. Method of forming a cathode separation barrier of the insulating layer, and using etching selectivity, a silicon nitride film (Si 3 N 4 ), a low etch selectivity (Porous Si), and a high etch selectivity (I) on an ITO glass (positive electrode) ), And the sidewalls of the lower layer film have more sidewalls than the upper film through etching using this etching selectivity It is a method of forming a cathode partition in such a manner that the etching, such the conventional methods can basically using the photo process (that is, exposure, development, etching, cleaning process, etc).

그러나, 상기한 바와 같이 포토 고정을 이용하는 종래 기술은 다음과 같은 근본적인 문제점을 갖는다.However, the conventional technique using the photo fixing as described above has the following fundamental problems.

첫째, 값비싼 노광 장비를 구비해야만 하기 때문에 제품의 제조 원가를 상승시키는 요인으로 작용한다.First, it has to be equipped with expensive exposure equipment, thereby increasing the manufacturing cost of the product.

둘째, 코팅, 노광, 현상, 세정 등과 같은 많은 복잡한 공정들이 필연적으로 수반되기 때문에 제품의 생산 수율 저하 및 제조 원가 상승을 유발시키는 요인으로 작용한다.Second, since many complex processes such as coating, exposure, development, cleaning, and the like are inevitably involved, it is a factor that causes a decrease in production yield and a rise in manufacturing cost.

따라서, 상기한 문제점들을 고려할 때 포토 공정을 수행함이 없이 간단한 공정으로 음극 분리 격벽을 형성할 수 있는 기법에 대한 요구가 절실한 실정이나 현재로서는 이러한 기법에 대한 어떠한 제시도 제안도 없는 실정이다.Therefore, in view of the above problems, there is an urgent need for a technique capable of forming a cathode separation barrier by a simple process without performing a photo process, but at present there is no suggestion or suggestion for such a technique.

본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 포토 공정을 필요로 하지 않는 역상 패턴의 탄성체 주형을 이용하는 간단한 패터닝 공정으로 역상의 음극 분리 격벽을 형성할 수 있는 패터닝용 탄성체 주형 제조 방법 및 이를 이용한 유기 발광 소자의 음극 분리 격벽 형성 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention is to solve the above-mentioned problems of the prior art, a method for producing an elastic mold for patterning that can form a reverse phase negative electrode separation partition wall by a simple patterning process using an elastic mold of a reverse phase pattern that does not require a photo process and It is an object of the present invention to provide a method for forming a cathode separation barrier of an organic light emitting device using the same.

본 발명의 다른 목적은 포토 공정을 필요로 하지 않는 복합 패턴의 탄성체 주형을 이용하는 간단한 패터닝 공정으로 절연막 및 역상의 음극 분리 격벽을 동시에 형성할 수 있는 패터닝용 탄성체 주형 제조 방법 및 이를 이용한 유기 발광 소자의 음극 분리 격벽 형성 방법을 제공하는데 있다.Another object of the present invention is to provide a patterning method for producing an elastomeric mold for patterning which can simultaneously form an insulating film and an inverted negative electrode separation partition by a simple patterning process using an elastic mold of a composite pattern that does not require a photo process, and an organic light emitting device using the same. The present invention provides a method for forming a cathode separation barrier rib.

상기 목적을 달성하기 위한 일 관점의 일 형태에 따른 본 발명은, 임의의 형태로 된 음각의 역상 패턴을 갖는 패터닝용 탄성체 주형을 제조하는 방법에 있어서, 베이스 기판 상에 후막의 네거티브 포토레지스트를 형성하고, 그 위에 임의의 패턴을 갖는 마스크를 형성하는 과정; 상기 마스크를 노광 차단막으로 하는 노광 및 현상 공정을 통해 상기 네거티브 포토레지스트를 선택적으로 제거함으로써 역상 패턴을 갖는 마스터 몰드를 제조하는 과정; 상기 마스터 몰드에 탄성체 물질을 도포한 후 경화시키는 과정; 및 상기 마스터 몰드로부터 경화된 탄성체 물질을 탈거함으로써, 음각의 역상 패턴을 갖는 탄성체 주형을 완성하는 과정으로 이루어진 패터닝용 탄성체 주형 제조 방법을 제공한다.According to one aspect of the present invention for achieving the above object, there is provided a method for producing an elastic mold for patterning having a negative reversed pattern of any shape, wherein a negative photoresist of a thick film is formed on a base substrate. Forming a mask having an arbitrary pattern thereon; Manufacturing a master mold having a reversed pattern by selectively removing the negative photoresist through an exposure and development process using the mask as an exposure blocking film; Applying and curing an elastomeric material on the master mold; And removing the cured elastic material from the master mold, thereby completing an elastic mold having a negative reversed pattern.

상기 목적을 달성하기 위한 다른 관점의 일 형태에 따른 본 발명은, 양전극, 유기층 및 음전극을 갖는 유기 발광 소자에서 각 픽셀의 음전극을 분리시키기 위한 역상의 음극 분리 격벽을 형성하는 방법에 있어서, 음각의 역상 패턴을 갖는 탄성체 주형을 준비하는 제 1 과정; 상기 양전극 상에 상기 탄성체 주형의 패턴 면을 접촉시킨 후 상기 음각의 역상 패턴 내부에 음극 형성 물질을 주입시켜 가교 결합시키는 제 2 과정; 및 상기 탄성체 주형을 탈거함으로써, 상기 양전극 상에 역상의 음극 분리 격벽을 형성하는 제 3 과정으로 이루어진 패터닝용 탄성체 주형을 이용한 유기 발광 소자의 음극 분리 격벽 형성 방법을 제공한다.The present invention according to one aspect of another aspect for achieving the above object, in the method for forming a reverse phase cathode separation partition for separating the negative electrode of each pixel in the organic light emitting element having a positive electrode, an organic layer and a negative electrode, A first step of preparing an elastic mold having a reversed pattern; A second process of contacting the pattern surface of the elastic mold on the positive electrode and injecting a negative electrode forming material into the negative reversed pattern to crosslink the positive electrode; And removing the elastic mold, thereby forming a cathode separating partition of the organic light emitting device using the elastic mold for patterning, the third process of forming a negative phase separating partition on the positive electrode.

상기 목적을 달성하기 위한 일 관점의 다른 형태에 따른 본 발명은, 임의의 형태로 된 음각의 패턴을 갖는 패터닝용 탄성체 주형을 제조하는 방법에 있어서, 베이스 기판 상에 임의의 패턴을 갖는 평탄막 패턴을 형성하는 과정; 상기 베이스 기판의 전면에 후막의 네거티브 포토레지스트를 형성하고, 그 위에 임의의 패턴을 갖는 마스크를 형성하는 과정; 상기 마스크를 노광 차단막으로 하는 노광 및 현상 공정을 통해 상기 네거티브 포토레지스트를 선택적으로 제거하여 상기 평탄막 패턴 상에 네거티브 레지스트를 잔류시킴으로써, 역상 패턴을 포함하는 음각의 복합 패턴을 갖는 마스터 몰드를 제조하는 과정; 상기 마스터 몰드에 탄성체 물질을 도포한 후 경화시키는 과정; 및 상기 마스터 몰드로부터 경화된 탄성체 물질을 탈거함으로써, 역상을 포함하는 복합 패턴을 갖는 탄성체 주형을 완성하는 과정으로 이루어진 패터닝용 탄성체 주형 제조 방법을 제공한다.According to another aspect of the present invention for achieving the above object, there is provided a method of manufacturing an elastic mold for patterning having an intaglio pattern of any shape, the flat film pattern having an arbitrary pattern on the base substrate Forming process; Forming a negative photoresist of a thick film on the entire surface of the base substrate, and forming a mask having an arbitrary pattern thereon; By selectively removing the negative photoresist through the exposure and development process using the mask as an exposure blocking film to leave a negative resist on the flat film pattern, to produce a master mold having a negative composite pattern including a reversed pattern process; Applying and curing an elastomeric material on the master mold; And removing the cured elastomeric material from the master mold, thereby completing an elastic mold having a composite pattern including a reverse phase.

상기 목적을 달성하기 위한 다른 관점의 다른 형태에 따른 본 발명은, 양전극, 유기층 및 음전극을 갖는 유기 발광 소자에서 각 픽셀의 음전극을 분리시키기 위한 역상의 음극 분리 격벽을 형성하는 방법에 있어서, 역상 패턴을 포함하는 음각의 복합 패턴을 갖는 탄성체 주형을 준비하는 제 1 과정; 상기 양전극 상에 상기 탄성체 주형의 복합 패턴 면을 접촉시킨 후 상기 음각의 복합 패턴 내부에 절연막 및 음극 형성 물질을 주입시켜 가교 결합시키는 제 2 과정; 및 상기 탄성체 주형을 탈거함으로써, 상기 양전극 상에 절연막과 역상의 음극 분리 격벽을 형성하는 제 3 과정으로 이루어진 패터닝용 탄성체 주형을 이용한 유기 발광 소자의 음극 분리 격벽 형성 방법을 제공한다.The present invention according to another aspect of another aspect for achieving the above object, in a method of forming a reverse phase cathode separation partition for separating the negative electrode of each pixel in an organic light emitting device having a positive electrode, an organic layer and a negative electrode, the reverse phase pattern A first process of preparing an elastic mold having an intaglio composite pattern comprising a; A second process of contacting the composite pattern surface of the elastic mold on the positive electrode and injecting an insulating film and a cathode forming material into the negative composite pattern to crosslink and bond the second electrode; And removing the elastic mold, thereby forming a cathode separating partition of the organic light emitting device using the elastic mold for patterning, the third process of forming a negative electrode separating partition on the positive electrode.

도 1a 내지 1d는 본 발명의 일 실시 예에 따라 패터닝용 탄성체 주형을 제조하는 과정을 도시한 공정 순서도,1A to 1D are process flowcharts illustrating a process of manufacturing an elastic mold for patterning according to an embodiment of the present invention;

도 2a 및 2b는 본 발명의 일 실시 예에 따라 제조된 패터닝용 탄성체 주형을 이용하여 유기 발광 소자의 음극 분리 격벽을 형성하는 과정을 도시한 공정 순서도,2A and 2B are process flowcharts illustrating a process of forming a cathode separation barrier of an organic light emitting device using an elastic mold for patterning manufactured according to an embodiment of the present invention;

도 3a 내지 3e는 본 발명의 다른 실시 예에 따라 패터닝용 탄성체 주형을 제조하는 과정을 도시한 공정 순서도,3A to 3E are process flowcharts illustrating a process of manufacturing an elastic mold for patterning according to another embodiment of the present invention;

도 4a 및 4b는 본 발명의 다른 실시 예에 따라 제조된 패터닝용 탄성체 주형을 이용하여 유기 발광 소자의 음극 분리 격벽을 형성하는 동시에 과정을 도시한 공정 순서도,4A and 4B are process flowcharts showing a process of simultaneously forming a cathode separation barrier of an organic light emitting device using an elastic mold for patterning manufactured according to another embodiment of the present invention;

도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따라 패터닝용 탄성체 주형을 제조하고 이를 이용하여 유기 발광 소자의 음극 분리 격벽을 형성한 실험의 주요 과정을 SEM 장비로 촬상한 것으로, 5a는 마스터 몰드를 촬상한 사진이고, 5b는 패터닝용 탄성체 주형을 촬상한 사진이며, 5c는 탄성체 주형을 이용하여 ITO 글라스 상에 형성한 역상의 음극 분리 격벽을 촬상한 사진,FIG. 5 is an image of a main process of fabricating an elastomeric mold for patterning and forming a cathode separation partition of an organic light emitting device by using the SEM device. FIG. 5a illustrates an image of a master mold. 5b is a photograph photographing an elastic mold for patterning, 5c is a photograph photographing an inverted negative electrode separating partition wall formed on ITO glass using an elastomer mold,

도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따라 ITO 글라스 상에 형성된 음극 분리 격벽을 이용하여 음극을 형성한 후에 촬상한 사진.6 is a photograph taken after the cathode is formed using a cathode separation barrier formed on the ITO glass according to an embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 일 실시 예를 적용하여 제조한 유기 발광 소자를 구동시킨 상태를 촬상한 사진.7 is a photograph photographing a state in which an organic light emitting diode manufactured by applying an embodiment of the present invention is driven.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the code | symbol about the principal part of drawing>

102, 302 : 실리콘 기판 104, 306 : 역상 패턴102, 302: silicon substrate 104, 306: reversed phase pattern

106, 308 : 마스크 108, 307 : 마스터 몰드106, 308: Mask 108, 307: Master Mold

110, 309 : 탄성체 주형 202, 402 : 기판110, 309: elastomer mold 202, 402: substrate

204, 404 : 양전극 206, 406b1 : 음극 분리 격벽204, 404: positive electrode 206, 406b1: negative electrode separation partition

304 : 절연막 패턴 406a1 : 절연막304: insulating film pattern 406a1: insulating film

본 발명의 상기 및 기타 목적과 여러 가지 장점은 이 기술분야에 숙련된 사람들에 의해 첨부된 도면을 참조하여 하기에 기술되는 본 발명의 바람직한 실시 예로부터 더욱 명확하게 될 것이다.The above and other objects and various advantages of the present invention will become more apparent from the preferred embodiments of the present invention described below with reference to the accompanying drawings by those skilled in the art.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

먼저, 본 발명의 핵심 기술요지는, 노광, 현상, 식각 공정을 포함하는 포토 공정을 통해 역상의 음극 분리 격벽을 형성하는 전술한 종래 방법과는 달리, 포토 공정을 수행함이 없이 음극 분리 격벽에 대응하는 음각의 역상 패턴이 형성된 탄성체 주형 또는 음극 분리 격벽과 그 하부의 절연막에 대응하는 음각의 역상 패턴이 형성된 탄성체 주형을 이용하는 간단한 패터닝 공정을 통해 글라스 기판 상에 역상의 음극 분리 격벽 또는 절연막과 음극 분리 격벽을 형성한다는 것으로, 이러한 기술적 수단을 통해 본 발명에서 목적으로 하는 바를 쉽게 달성할 수 있다.First, a key technical aspect of the present invention, unlike the above-described conventional method of forming a negative phase separation partition wall through a photo process including an exposure, development, and etching process, corresponds to the cathode separation partition without performing a photo process Separating the negative separation barrier or the insulating layer and the negative electrode on the glass substrate through a simple patterning process using the elastic mold or the negative electrode separation partition formed with the negative reverse phase pattern and the elastic mold having the negative reverse phase pattern corresponding to the insulating film below By forming the partition wall, it is possible to easily achieve the object of the present invention through this technical means.

[실시 예1]Example 1

먼저, 본 실시 예에 따라 포토 공정(코팅, 노광, 현상, 식각, 세정 등)을 수행함이 없이 유기 발광 소자의 음극 분리 격벽을 형성하는데 사용되는 탄성체 주형(ITO 글라스 상에 형성할 음극 분리 격벽에 대응하는 음각의 역상 패턴이 형성된 탄성체 주형)을 제조하는 과정에 대하여 설명한다.First, an elastic mold (cathode separation partition to be formed on ITO glass) used to form a cathode separation partition of an organic light emitting device without performing a photo process (coating, exposure, development, etching, cleaning, etc.) according to the present embodiment. A process for producing an elastic mold having a corresponding negative inverted pattern is described.

도 1a 내지 1d는 본 발명의 일 실시 예에 따라 패터닝용 탄성체 주형을 제조하는 과정을 도시한 공정 순서도이다.1A to 1D are process flowcharts illustrating a process of manufacturing an elastic mold for patterning according to an embodiment of the present invention.

도 1a를 참조하면, 베이스 기판, 예를 들면 실리콘 기판(102) 상에, 예를 들면 스핀 코팅 등의 방법으로 후막의 네거티브 포토레지스트(104a)를 형성하고, 그 위에 마스크(106)를 형성한 후 노광, 마스크 스트립, 현상, 세정 등의 공정을 순차적으로 수행함으로써, 일 예로서 도 1b에 도시된 바와 같이, 실리콘 기판(102)과 역상 패턴(104)으로 된 갖는 마스터 몰드(108)를 제조한다.Referring to FIG. 1A, a negative photoresist 104a of a thick film is formed on a base substrate, for example, a silicon substrate 102 by, for example, spin coating, and a mask 106 is formed thereon. By sequentially performing post-exposure, mask strip, development, cleaning, and the like, a master mold 108 having a silicon substrate 102 and an inverted pattern 104 is manufactured as an example, as shown in FIG. 1B. do.

다음에, 일 예로서 도 1c에 도시된 바와 같이, 마스터 몰드(108)를 용기에 넣어, 예를 들면 PDMS 등의 탄성체 용액(110a)을 부은 후 경화시키거나 혹은 탄성체 파우더(110a)를 용기에 넣어 경화시킨다.Next, as an example, as shown in FIG. 1C, the master mold 108 is placed in a container, for example, the elastomer solution 110a, such as PDMS, is poured and then cured, or the elastomer powder 110a is placed in the container. To cure.

이어서, 탄성체를 마스터 몰드(108)로부터 탈거함으로써, 일 예로서 도 1d에 도시된 바와 같이, 유기 발광 소자의 음극 분리 격벽을 형성하는데 사용 가능한 음각의 역상 패턴을 갖는 탄성체 주형(110), 예를 들면 PDMS 주형을 완성한다. 이때, 음극 분리 격벽에 대응하는 음각의 역상 패턴이 형성된 탄성체 주형은 어느 정도의탄성력을 가지며, 이러한 탄성력은 후속하는 공정에서의 패터닝에 매우 유용하게 활용된다.Then, the elastic body is removed from the master mold 108, and as an example, as shown in FIG. 1D, an elastic mold 110 having a negative reverse phase pattern usable for forming a cathode separating partition of the organic light emitting element, for example For example, complete the PDMS template. At this time, the elastic mold in which the negative reversed phase pattern corresponding to the negative electrode separation partition wall is formed has some elastic force, and this elastic force is very useful for patterning in a subsequent process.

한편, 본 실시 예에 따라 제조되는 음각의 역상 패턴을 갖는 탄성체 주형은 유기 발광 소자의 음극 분리 격벽을 형성하는 데만 사용되는 것으로 한정되는 것은 아니며, 역상 패턴을 필요로 하는 어떠한 소자 또는 장치의 제조에도 적용할 수 있음은 물론이다.Meanwhile, the elastic mold having the negative reverse phase pattern manufactured according to the present embodiment is not limited to being used only to form the cathode separation partition of the organic light emitting device, and may be used to manufacture any device or device requiring the reverse phase pattern. Of course, it can be applied.

다음에, 상술한 바와 같은 일련의 과정을 통해 제조된 음극 분리 격벽에 대응하는 음각의 역상 패턴을 갖는 탄성체 주형을 이용하여 본 발명에 따라 유기 발광 소자의 음극 분리 격벽을 형성하는 과정에 대하여 설명한다.Next, a process of forming the cathode separation barrier of the organic light emitting diode according to the present invention using an elastic mold having an inverted reverse phase pattern corresponding to the cathode separation barrier manufactured through the series of processes described above will be described. .

도 2a 및 2b는 본 발명의 일 실시 예에 따라 제조된 패터닝용 탄성체 주형을 이용하여 유기 발광 소자의 음극 분리 격벽을 형성하는 과정을 도시한 공정 순서도이다.2A and 2B are flowcharts illustrating a process of forming a cathode separation barrier of an organic light emitting device using an elastic mold for patterning manufactured according to an embodiment of the present invention.

도 2a를 참조하면, 기판(202) 상에 임의의 패턴으로 형성된 투명 재질의 ITO 글라스, 예를 들면 스퍼터링 공정, 습식 또는 건식 식각 공정 등을 통해 기판(202) 상에 임의의 패턴으로 형성한 양전극(204)의 상부에, 본 실시 예에 따라 제조된 탄성체 주형, 즉 음극 분리 격벽에 대응하는 음각의 역상 패턴이 형성된 탄성체 주형(110)의 패턴 면을 고정밀하게 접촉시키고, 역상 패턴의 입구 측(일측 입구 또는 양측 입구)에 점도가 낮은(예를 들면, 대략 100 - 500cp 범위 정도) 프리폴리머 등의 격벽 형성 물질(206a)을 떨어뜨리면 모세관 효과에 의해 격벽 형성 물질(206a)이 음각의 역상 패턴 내부로 유입됨으로써, 음각의 역상 패턴 내부가 격벽 형성 물질(206a)로 채워진다.Referring to FIG. 2A, an ITO glass of transparent material formed in an arbitrary pattern on the substrate 202, for example, a positive electrode formed in an arbitrary pattern on the substrate 202 through a sputtering process, a wet or dry etching process, or the like On the upper part of 204, the pattern surface of the elastic mold 110 manufactured according to this embodiment, that is, the elastic mold 110 in which the negative reverse phase pattern corresponding to the cathode separation partition was formed, was contacted with high precision, and the inlet side of the reverse phase pattern ( Dropping the barrier forming material 206a such as a prepolymer having a low viscosity (for example, in the range of approximately 100 to 500 cps) at one inlet or both inlets) causes the barrier forming material 206a to be inside the negative reversed pattern by a capillary effect. By flowing in, the inside of the negative reversed pattern is filled with the partition forming material 206a.

다음에, 격벽 형성 물질(206a)의 종류에 대응하여 자외선 처리 또는 열처리 등의 공정을 수행함으로써, 격벽 형성 물질(206a)의 가교 결합을 촉진시킨다.Next, crosslinking of the partition forming material 206a is promoted by performing a process such as ultraviolet treatment or heat treatment corresponding to the type of the partition forming material 206a.

한편, 본 실시 예에 따른 유기 발광 소자의 음극 분리 격벽 형성 방법은, 상기한 실시 예에서와 같은 방법(미세 모세관 몰딩 : MIMIC(micro molding in capillaries))에 한정되는 것은 아니며, CFL(capillary force lithography : 모세관력 리쏘그라피), 소프트 몰딩(soft molding : 연성 성형), SAMIM(solvent assisted micro molding) 등의 방법을 이용할 수 있음은 물론이다.On the other hand, the method of forming the cathode separation barrier of the organic light emitting device according to the present embodiment is not limited to the same method as in the above-described embodiment (microcapillary molding: MIMIC (micro molding in capillaries)), CFL (capillary force lithography) : Capillary lithography), soft molding (soft molding), solvent assisted micro molding (SAMIM) and the like can be used.

여기에서, 모세관력 리쏘그라피 방법과 소프트 몰딩 방법은 점도가 낮은 고분자 물질을 글라스 기판 상에 형성한 상태에서 탄성체 주형의 패턴 면을 고분자 물질 상에 직접 접촉시킴으로써 물리적인 모세관력을 이용하여 고분자 물질을 음각의 역상 패턴 내부로 유입시키고, 역상 패턴 이외의 영역에 잔존하는 고분자 물질을 전면 식각 등의 방법으로 제거하는 방식으로 역상의 음극 분리 격벽을 형성하는 기법이다.Here, the capillary force lithography method and the soft molding method use a physical capillary force by directly contacting the pattern surface of the elastomer mold on the polymer material in a state in which a polymer material having a low viscosity is formed on the glass substrate. It is a technique of forming a negative phase separation partition wall by flowing into a negative reversed phase pattern and removing a polymer material remaining in an area other than the reversed phase pattern by, for example, full surface etching.

또한, SAMIM 방법은 탄성체 주형의 역상 패턴 내부에 고분자 용해 물질(예를 들면, 솔벤트)을 주입시켜 두거나 혹은 역상 패턴 자체에 솔벤트를 함유시키고, 고분자 물질을 글라스 기판 상에 형성한 상태에서 탄성체 주형의 패턴 면을 미세하게 가압 접촉시킴으로써 물리적인 모세관력과 용해 물질을 이용하여 고분자 물질을 음각의 역상 패턴 내부로 유입시키는 방식으로 역상의 음극 분리 격벽을 형성하는 기법이다.In addition, the SAMIM method injects a polymer dissolving material (e.g., a solvent) into the inverse phase pattern of the elastomer mold or contains a solvent in the inverse phase pattern itself, and the polymer material is formed on a glass substrate. It is a technique of forming a negative phase separation partition wall by injecting a polymer material into the negative reverse phase pattern by using physical capillary force and a dissolving material by minutely pressing the pattern surface.

다음에, 상술한 바와 같은 일련의 과정을 통해, 격벽 형성 물질을 충분히 가교 결합시킨 후에 탄성체 주형(110)을 떼어냄으로써, 일 예로서 도 2b에 도시된 바와 같이, 양전극(204)상에 역상의 음극 분리 격벽(206)을 형성한다.Next, through a series of processes as described above, the cross-linking material of the partition forming material is sufficiently crosslinked, and then the elastic mold 110 is removed, for example, as shown in FIG. 2B, on the positive electrode 204. Cathode separation partition 206 is formed.

이후, 본 발명과 직접적인 관련성을 갖는 않는 관계로 여기에서의 설명은 생략하였으나, 섀도우 마스크를 이용하는 선택적인 증착 공정 등을 이용하여 음극 분리 격벽(206)이 형성되지 않은 양전극(204) 상에 전공 주입/수송층, 전자 주입/소송층, 발광층 등을 포함하는 유기물층과 음전극 등을 형성함으로써, 유기 발광 소자를 완성하게 된다.Since the description is omitted since it does not directly relate to the present invention, a hole injection is performed on the positive electrode 204 where the cathode separation barrier 206 is not formed by using a selective deposition process using a shadow mask. The organic light emitting element is completed by forming an organic material layer including a / transport layer, an electron injection / transport layer, a light emitting layer, and a negative electrode.

한편, 본 발명의 발명자들은 음각의 역상 패턴을 갖는 탄성체 주형을 제조하고, 이를 이용하여 유기 발광 소자의 음극 분리 격벽을 형성하는 실험을 수행하였으며, 그 실험 결과는 도 5 내지 도 7에 도시된 바와 같다.On the other hand, the inventors of the present invention manufactured an elastic mold having a negative inverse pattern, and performed an experiment to form a cathode separation partition of the organic light emitting device using the same, the experimental results are shown in Figures 5 to 7 same.

도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따라 패터닝용 탄성체 주형을 제조하고 이를 이용하여 유기 발광 소자의 음극 분리 격벽을 형성한 실험의 주요 과정을 SEM 장비로 촬상한 것으로서, 5a는 마스터 몰드를 촬상한 사진을, 5b는 패터닝용 탄성체 주형을 촬상한 사진을, 5c는 탄성체 주형을 이용하여 ITO 글라스 상에 형성한 역상의 음극 분리 격벽을 촬상한 사진을 각각 나타낸다.5 is an image of a main process of fabricating an elastomeric mold for patterning and forming a cathode separation partition of an organic light emitting device by using the SEM device, wherein 5a is an image of a master mold according to an embodiment of the present invention. 5b shows the photograph which image | photographed the elastic mold for patterning, and 5c shows the photograph which imaged the reverse phase negative electrode separation partition formed on the ITO glass using an elastic mold.

따라서, 본 실시 예에 따라 제조한 음각의 역상 패턴을 갖는 탄성체 주형을 이용하는 간단한 패터닝 공정을 통해 양전극 상에 역상의 음극 분리 격벽을 고정밀하게 형성할 수 있음을 분명하게 알 수 있었다.Therefore, it can be clearly seen that through the simple patterning process using the elastic mold having the negative reversed phase pattern prepared according to the present embodiment, the reverse phase negative electrode separation partition can be accurately formed on the positive electrode.

도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따라 ITO 글라스 상에 형성된 음극 분리 격벽을 이용하여 음극을 형성한 후에 촬상한 사진인 것으로, 동 도면에 도시된 바와 같이, 음극 분리 격벽에 의해 음극이 완전히 분리됨을 알 수 있었으며, 음극 분리 격벽의 옆벽에 음극이 증착되지 않음을 확인할 수 있었다.6 is a photograph taken after forming a cathode using a cathode separation barrier formed on ITO glass according to an embodiment of the present invention, as shown in the figure, the cathode is completely separated by the cathode separation barrier It was found that the cathode was not deposited on the side wall of the cathode separation partition.

도 7은 본 발명의 일 실시 예를 적용하여 제조한 유기 발광 소자를 구동시킨 상태를 촬상한 사진인 것으로, 동 도면에 도시된 바와 같이, 각 픽셀들이 음극 분리 격벽에 의해 완전히 분리됨을 확인할 수 있었다.FIG. 7 is a photograph of a state in which an organic light emitting device manufactured by applying an embodiment of the present invention is driven. As illustrated in the drawing, each pixel is completely separated by a cathode separation barrier. .

따라서, 본 실시 예에 따른 유기 발광 소자의 음극 분리 격벽 형성 방법은, 종래 방법에서와 같이 노광, 현상, 식각 공정 등의 많은 공정을 필요로 하는 복잡한 포토 공정을 통해 역상의 음극 분리 격벽을 형성하지 않고, 음극 분리 격벽에 대응하는 음각의 역상 패턴이 형성된 탄성체 주형을 이용하는 간단한 패터닝 공정을 통해 양전극 상에 역상의 음극 분리 격벽을 고정밀하게 형성함으로써, 제품 생산 공정의 간소화 및 생산 수율의 증진을 도모할 수 있으며, 이를 통해 제품의 제조 원가를 절감할 수 있다.Therefore, the cathode separation barrier formation method of the organic light emitting diode according to the present exemplary embodiment does not form the reverse phase cathode separation barrier through a complicated photo process requiring many processes such as exposure, development, and etching processes as in the conventional method. Rather, by forming a reverse phase cathode separation partition on the positive electrode with high precision through a simple patterning process using an elastic mold having a negative reverse phase pattern corresponding to the cathode separation partition, the product production process can be simplified and the production yield can be improved. This can reduce the manufacturing cost of the product.

[실시 예2]Example 2

먼저, 본 실시 예에 따라 포토 공정(코팅, 노광, 현상, 식각, 세정 등)을 수행함이 없이 유기 발광 소자의 음극 분리 격벽과 그 하부의 절연막을 형성하는데 사용되는 탄성체 주형(ITO 글라스 상에 형성할 절연막 및 음극 분리 격벽에 대응하는 음각의 역상 패턴이 형성된 탄성체 주형)을 제조하는 과정에 대하여 설명한다.First, an elastic mold (formed on ITO glass) used to form a cathode separation barrier of an organic light emitting diode and an insulating layer thereunder without performing a photo process (coating, exposure, development, etching, cleaning, etc.) according to this embodiment. A process of manufacturing an elastic mold having a negative reverse phase pattern corresponding to the insulating film and the cathode separation partition wall will be described.

도 3a 내지 3e는 본 발명의 다른 실시 예에 따라 패터닝용 탄성체 주형을 제조하는 과정을 도시한 공정 순서도이다.3A to 3E are flowcharts illustrating a process of manufacturing an elastic mold for patterning according to another embodiment of the present invention.

도 3a를 참조하면, 실리콘 기판(302) 상에 증착 등의 공정을 통해 절연 물질을 형성하고, 이 기술분야에 잘 알려진 포토 공정을 수행하여 절연 물질의 일부를 선택적으로 제거함으로써, 실리콘 기판(302) 상에 임의의 형상을 갖는 평탄막 패턴, 예를 들면 절연막 패턴(304)을 형성한다.Referring to FIG. 3A, a silicon substrate 302 is formed by forming an insulating material on a silicon substrate 302 through a process such as deposition and selectively removing a portion of the insulating material by performing a photo process well known in the art. ), A flat film pattern having an arbitrary shape, for example, an insulating film pattern 304 is formed.

다음에, 실리콘 기판(302) 상에, 예를 들면 스핀 코팅 등의 방법으로 후막의 네거티브 포토레지스트(306a)를 형성하고(도 3b), 그 위에 마스크(308)를 형성한 후 노광, 마스크 스트립, 현상, 세정 등의 공정을 순차적으로 수행함으로써, 일 예로서 도 3c에 도시된 바와 같이, 실리콘 기판(302), 절연막 패턴(304) 및 역상 패턴(306)으로 된 갖는 마스터 몰드(307)를 제조한다. 여기에서, 절연막 패턴(304)과 역상 패턴(306)을 일체로 형성하는 것은 후속하는 한번의 패터닝 공정(즉, 탄성체 주형을 이용하는 한번의 패터닝 공정)으로 양전극 상에 절연막과 음극 분리 전극을 동시에 형성하기 위해서이다.Next, a negative photoresist 306a of a thick film is formed on the silicon substrate 302 by, for example, spin coating (FIG. 3B), and a mask 308 is formed thereon, followed by exposure and a mask strip. By sequentially performing processes such as development, cleaning, and the like, the master mold 307 having the silicon substrate 302, the insulating film pattern 304, and the reversed phase pattern 306, as shown in FIG. 3C, is illustrated as an example. Manufacture. Here, integrally forming the insulating film pattern 304 and the reversed phase pattern 306 is a subsequent patterning process (ie, one patterning process using an elastomer mold) to simultaneously form the insulating film and the cathode separation electrode on the positive electrode. To do that.

다음에, 일 예로서 도 3d에 도시된 바와 같이, 마스터 몰드(307)를 용기에 넣어, 예를 들면 PDMS 등의 탄성체 용액(309a)을 부은 후 경화시키거나 혹은 탄성체 파우더(309a)를 용기에 넣어 경화시킨다.Next, as an example, as shown in FIG. 3D, the master mold 307 is placed in a container, and for example, the elastomer solution 309a, such as PDMS, is poured and then cured, or the elastomer powder 309a is poured into the container. To cure.

이어서, 탄성체를 마스터 몰드(307)로부터 탈거함으로써, 일 예로서 도 3e에 도시된 바와 같이, 유기 발광 소자의 음극 분리 격벽과 절연막을 동시에 형성하는데 사용 가능한 평탄막 패턴과 역상 패턴이 혼재하는 복합 패턴, 예를 들면 음각의 절연막 패턴(310)과 역상 패턴(312)을 갖는 탄성체 주형(307), 즉 PDMS 주형을 완성한다. 이때, 절연막과 음극 분리 격벽에 대응하는 음각의 절연막 패턴과 역상 패턴이 형성된 탄성체 주형은 어느 정도의 탄성력을 가지며, 이러한 탄성력은 후속하는 공정에서의 패터닝에 매우 유용하게 활용된다.Subsequently, by removing the elastic body from the master mold 307, as shown in FIG. 3E, as shown in FIG. 3E, the composite pattern in which the planar film pattern and the reverse phase pattern, which can be used to simultaneously form the cathode separating partition and the insulating film, are mixed. For example, an elastic mold 307 having a negative insulating film pattern 310 and a reverse phase pattern 312 is completed, that is, a PDMS mold. At this time, the elastic mold having the negative insulating pattern and the reverse phase pattern corresponding to the insulating film and the negative electrode separation partition wall has a certain elastic force, and this elastic force is very useful for patterning in subsequent steps.

한편, 본 실시 예에 따라 제조되는 음각의 역상 패턴을 갖는 탄성체 주형은, 전술한 실시 예1에서와 마찬가지로, 유기 발광 소자의 절연막 및 음극 분리 격벽을 형성하는 데만 사용되는 것으로 한정되는 것은 아니며, 전술한 실시 예1에서와 마찬가지로, 이러한 구조의 역상 패턴을 필요로 하는 어떠한 소자 또는 장치의 제조에도 적용할 수 있음은 물론이다.Meanwhile, the elastic mold having the negative reversed phase pattern manufactured according to the present embodiment is not limited to being used only for forming the insulating film and the cathode separation partition of the organic light emitting device as in the above-described first embodiment, As in the first embodiment, of course, it can be applied to the manufacture of any device or device that requires a reversed phase pattern of this structure.

다음에, 상술한 바와 같은 일련의 과정을 통해 제조된 절연막 및 음극 분리 격벽에 대응하는 음각의 절연막 패턴과 역상 패턴을 갖는 탄성체 주형을 이용하여 본 발명에 따라 유기 발광 소자의 절연막 및 음극 분리 격벽을 동시에 형성하는 과정에 대하여 설명한다.Next, the insulating film and the cathode separating partition of the organic light emitting device according to the present invention are formed by using an elastic mold having an insulated insulating film pattern and a reverse phase pattern corresponding to the insulating film and the cathode separating partition formed through the above-described process. The formation process at the same time will be described.

도 4a 및 4b는 본 발명의 다른 실시 예에 따라 제조된 패터닝용 탄성체 주형을 이용하여 유기 발광 소자의 음극 분리 격벽을 형성하는 동시에 과정을 도시한 공정 순서도이다.4A and 4B are process flowcharts illustrating a process of simultaneously forming a cathode separation barrier of an organic light emitting device by using an elastic mold for patterning prepared according to another embodiment of the present invention.

도 4a를 참조하면, 기판(402) 상에 임의의 패턴으로 형성된 투명 재질의 ITO 글라스, 예를 들면 스퍼터링 공정, 습식 또는 건식 식각 공정 등을 통해 기판(402) 상에 임의의 패턴으로 형성한 양전극(404)의 상부에, 본 실시 예에 따라 제조된 탄성체 주형, 즉 절연막과 음극 분리 격벽에 대응하는 음각의 절연막 패턴과 역상 패턴이 일체로 형성된 탄성체 주형(309)의 패턴 면을 고정밀하게 접촉시키고, 역상 패턴의 입구 측(일측 입구 또는 양측 입구)에 점도가 낮은(예를 들면, 대략 400cp이하) 프리폴리머 등의 절연막 및 격벽 형성 물질(406a, 406b)을 떨어뜨리면 모세관 효과에 의해 절연막 및 격벽 형성 물질(406a, 406b)이 음각의 역상 패턴 내부로 유입됨으로써, 음각의 절연막 및 역상 패턴 내부가 절연막 및 격벽 형성 물질(406a, 406b)로 채워진다.Referring to FIG. 4A, an ITO glass of transparent material formed in an arbitrary pattern on the substrate 402, for example, a positive electrode formed in an arbitrary pattern on the substrate 402 through a sputtering process, a wet or dry etching process, or the like On the upper part of the 404, the elastic mold manufactured according to the present embodiment, that is, the insulated insulating film pattern corresponding to the insulating film and the cathode separation partition and the pattern surface of the elastic mold 309 in which the reverse phase pattern is integrally formed are contacted with high precision. When the insulating film and the partition forming materials 406a and 406b having a low viscosity (for example, approximately 400 cps or less) are dropped on the inlet side (one or both inlets) of the reversed phase pattern, the insulating film and the partition wall are formed by the capillary effect. As the materials 406a and 406b flow into the negative reversed pattern, the negative insulating layer and the reverse phase pattern are filled with the insulating film and the barrier rib forming materials 406a and 406b.

다음에, 절연막 및 격벽 형성 물질(406a, 406b)의 종류에 대응하여 자외선 처리 또는 열처리 등의 공정을 수행함으로써, 절연막 및 격벽 형성 물질(406a, 406b)의 가교 결합을 촉진시킨다.Next, crosslinking of the insulating film and the barrier rib forming materials 406a and 406b is promoted by performing a process such as ultraviolet treatment or heat treatment corresponding to the type of the insulating film and the barrier rib forming materials 406a and 406b.

한편, 본 실시 예에 따른 유기 발광 소자의 절연막 및 음극 분리 격벽 형성 방법은, 상기한 실시 예에서와 같은 방법(미세 모세관 몰딩 : MIMIC(micro molding in capillaries))에 한정되는 것은 아니며, 전술한 실시 예1에서와 마찬가지로, CFL(capillary force lithography : 모세관력 리쏘그라피), 소프트 몰딩(soft molding : 연성 성형), SAMIM(solvent assisted micro molding) 등의 방법을 이용할 수 있음은 물론이다.On the other hand, the method of forming the insulating film and the cathode separation partition wall of the organic light emitting device according to the present embodiment is not limited to the same method as in the above embodiment (microcapillary molding: MIMIC (micro molding in capillaries)), As in Example 1, methods such as capillary force lithography (CFL), soft molding (soft molding), and solvent assisted micro molding (SAMIM) may be used.

이어서, 상술한 바와 같은 일련의 과정을 통해, 절연막 및 격벽 형성 물질(406a, 406b)을 충분히 가교 결합시킨 후에 탄성체 주형(309)을 떼어냄으로써, 일 예로서 도 4b에 도시된 바와 같이, 양전극(404)상에 절연막(406a1) 및 역상의 음극 분리 격벽(406b1)을 형성한다. 즉, 본 실시 예에 따른 방법에서는 탄성체 주형(308)을 이용하는 한번의 공정으로 절연막(406a1)과 역상의 음극 분리 격벽(406b1)을 동시에 형성한다.Subsequently, after the cross-linking of the insulating film and the barrier rib forming materials 406a and 406b through the series of processes described above, the elastic mold 309 is removed, for example, as shown in FIG. 4B. An insulating film 406a1 and a reverse phase negative electrode separation partition 406b1 are formed on 404. That is, in the method according to the present embodiment, the insulating film 406a1 and the reverse phase negative electrode separation partition 406b1 are simultaneously formed in one process using the elastic mold 308.

이후, 본 발명과 직접적인 관련성을 갖는 않는 관계로 여기에서의 설명은 생략하였으나, 섀도우 마스크를 이용하는 선택적인 증착 공정 등을 이용하여 절연막(406a1) 및 음극 분리 격벽(406b1)이 형성되지 않은 양전극(404) 상에 전공 주입/수송층, 전자 주입/수송층, 발광층 등을 포함하는 유기물층과 음전극 등을 형성함으로써, 유기 발광 소자를 완성하게 된다.Subsequently, since the description is omitted because it is not directly related to the present invention, the positive electrode 404 in which the insulating film 406a1 and the cathode separation barrier 406b1 are not formed by using a selective deposition process using a shadow mask, or the like. The organic light emitting device is completed by forming an organic material layer including a hole injection / transport layer, an electron injection / transport layer, a light emitting layer, a negative electrode, and the like.

따라서, 따라서, 본 실시 예에 따르면, 전술한 실시 예1에서와 실질적으로 동일한 결과(효과)를 얻을 수 있으며, 양전극과 음극 분리 격벽 사이에 절연막을 필요로 하는 구조로 제조할 경우, 탄성체 주형을 이용하는 한번의 패터닝 공정으로 절연막과 음극 분리 격벽을 동시에 형성하기 때문에 제조 공정을 더욱 간소화할 수 있는 다른 효과를 얻을 수 있다.Therefore, according to the present embodiment, substantially the same result (effect) as in the above-described first embodiment can be obtained, and the elastic mold can be produced when the structure is required to have an insulating film between the positive electrode and the negative electrode separation partition. Since the insulating film and the cathode separation partition are simultaneously formed in one patterning process, another effect can be obtained to further simplify the manufacturing process.

이상 설명한 바와 같이 본 발명에 따르면, 노광, 현상, 식각 공정을 포함하는 포토 공정을 통해 역상의 음극 분리 격벽을 형성하는 종래 방법과는 달리, 포토 공정을 수행함이 없이 음극 분리 격벽에 대응하는 음각의 역상 패턴이 형성된 탄성체 주형 또는 음극 분리 격벽과 그 하부의 절연막에 대응하는 음각의 역상 패턴이 형성된 탄성체 주형을 이용하는 간단한 패터닝 공정을 통해 글라스 기판 상에 절연막과 역상의 음극 분리 격벽을 고정밀하게 형성함으로써, 제품 생산 공정의 간소화 및 생산 수율의 증진을 도모할 수 있으며, 이를 통해 제품의 제조 원가를 절감할 수 있다.As described above, according to the present invention, unlike the conventional method of forming a reverse phase negative electrode separation partition through a photo process including an exposure, development, and etching process, the intaglio corresponding to the negative electrode separation partition without performing the photo process is performed. By precisely forming the insulating film and the reverse phase cathodic separation partition on the glass substrate through a simple patterning process using an elastic mold having the reverse phase pattern formed therein or the negative electrode separation partition formed thereon and the negative mold having the negative reverse phase pattern formed thereon. The product production process can be simplified and production yield can be increased, thereby reducing the manufacturing cost of the product.

Claims (16)

임의의 형태로 된 음각의 역상 패턴을 갖는 패터닝용 탄성체 주형을 제조하는 방법에 있어서,In the method for producing an elastic mold for patterning having a negative reversed pattern of any shape, 베이스 기판 상에 후막의 네거티브 포토레지스트를 형성하고, 그 위에 임의의 패턴을 갖는 마스크를 형성하는 과정;Forming a negative photoresist of a thick film on the base substrate, and forming a mask having an arbitrary pattern thereon; 상기 마스크를 노광 차단막으로 하는 노광 및 현상 공정을 통해 상기 네거티브 포토레지스트를 선택적으로 제거함으로써 역상 패턴을 갖는 마스터 몰드를 제조하는 과정;Manufacturing a master mold having a reversed pattern by selectively removing the negative photoresist through an exposure and development process using the mask as an exposure blocking film; 상기 마스터 몰드에 탄성체 물질을 도포한 후 경화시키는 과정; 및Applying and curing an elastomeric material on the master mold; And 상기 마스터 몰드로부터 경화된 탄성체 물질을 탈거함으로써, 음각의 역상 패턴을 갖는 탄성체 주형을 완성하는 과정으로 이루어진 패터닝용 탄성체 주형 제조 방법.And removing the cured elastomeric material from the master mold, thereby completing an elastomeric mold having an inverted reverse phase pattern. 제 1 항에 있어서, 상기 탄성체 주형은 PDMS인 것을 특징으로 하는 패터닝용 탄성체 주형 제조 방법.The method of claim 1, wherein the elastomer mold is PDMS. 양전극, 유기층 및 음전극을 갖는 유기 발광 소자에서 각 픽셀의 음전극을 분리시키기 위한 역상의 음극 분리 격벽을 형성하는 방법에 있어서,In an organic light emitting device having a positive electrode, an organic layer and a negative electrode, a method of forming a negative electrode separating partition wall for separating the negative electrode of each pixel, 음각의 역상 패턴을 갖는 탄성체 주형을 준비하는 제 1 과정;A first step of preparing an elastic mold having a negative inverse pattern; 상기 양전극 상에 상기 탄성체 주형의 패턴 면을 접촉시킨 후 상기 음각의 역상 패턴 내부에 음극 형성 물질을 주입시켜 가교 결합시키는 제 2 과정; 및A second process of contacting the pattern surface of the elastic mold on the positive electrode and injecting a negative electrode forming material into the negative reversed pattern to crosslink the positive electrode; And 상기 탄성체 주형을 탈거함으로써, 상기 양전극 상에 역상의 음극 분리 격벽을 형성하는 제 3 과정으로 이루어진 패터닝용 탄성체 주형을 이용한 유기 발광 소자의 음극 분리 격벽 형성 방법.And removing the elastic mold, thereby forming a negative electrode separating partition on the positive electrode. 제 3 항에 있어서, 상기 제 1 과정은:4. The method of claim 3, wherein the first process is: 베이스 기판 상에 후막의 네거티브 포토레지스트를 형성하고, 그 위에 임의의 패턴을 갖는 마스크를 형성하는 제 11 과정;An eleventh step of forming a negative photoresist of a thick film on the base substrate and forming a mask having an arbitrary pattern thereon; 상기 마스크를 노광 차단막으로 하는 노광 및 현상 공정을 통해 상기 네거티브 포토레지스트를 선택적으로 제거함으로써 역상 패턴을 갖는 마스터 몰드를 제조하는 제 12 과정;A twelfth step of manufacturing a master mold having a reversed pattern by selectively removing the negative photoresist through an exposure and development process using the mask as an exposure blocking film; 상기 마스터 몰드에 탄성체 물질을 도포한 후 경화시키는 제 13 과정; 및A thirteenth process of applying an elastomeric material to the master mold and then curing it; And 상기 마스터 몰드로부터 경화된 탄성체 물질을 탈거함으로써, 음각의 역상 패턴을 갖는 탄성체 주형을 완성하는 제 14 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 패터닝용 탄성체 주형을 이용한 유기 발광 소자의 음극 분리 격벽 형성 방법.And removing the cured elastic material from the master mold, thereby completing a fourteenth step of completing an elastic mold having a negative reverse phase pattern. 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 음각의 역상 패턴 내부로의 음극 형성 물질 주입은, MIMIC(micro molding in capillaries) 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 패터닝용 탄성체 주형을 이용한 유기 발광 소자의 음극 분리 격벽 형성방법.The cathode of an organic light-emitting device using an elastic mold for patterning according to claim 3 or 4, wherein the injection of the cathode-forming material into the negative reversed pattern is performed by a micro molding in capillaries (MIMIC) method. Separation bulkhead formation method. 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 음각의 역상 패턴 내부로의 음극 형성 물질 주입은, CFL(capillary force lithography) 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 패터닝용 탄성체 주형을 이용한 유기 발광 소자의 음극 분리 격벽 형성 방법.5. The cathode separation of an organic light emitting device using an elastic mold for patterning according to claim 3, wherein the injection of the cathode forming material into the negative reversed pattern is performed by a capillary force lithography (CFL) method. How to form a bulkhead. 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 음각의 역상 패턴 내부로의 음극 형성 물질 주입은, 소프트 몰딩(soft molding) 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 패터닝용 탄성체 주형을 이용한 유기 발광 소자의 음극 분리 격벽 형성 방법.5. The cathode separation of the organic light emitting device using the patterning elastomer mold according to claim 3, wherein the injection of the cathode-forming material into the negative reversed pattern is performed by a soft molding method. How to form a bulkhead. 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 음각의 역상 패턴 내부로의 음극 형성 물질 주입은, SAMIM(solvent assisted micro molding) 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 패터닝용 탄성체 주형을 이용한 유기 발광 소자의 음극 분리 격벽 형성 방법.The cathode of an organic light-emitting device using an elastic mold for patterning according to claim 3 or 4, wherein the injection of the cathode-forming material into the negative reversed pattern is performed by a solvent assisted micro molding (SAMIM) method. How to form a separating bulkhead. 임의의 형태로 된 음각의 패턴을 갖는 패터닝용 탄성체 주형을 제조하는 방법에 있어서,In the method for producing an elastic mold for patterning having an intaglio pattern of any shape, 베이스 기판 상에 임의의 패턴을 갖는 평탄막 패턴을 형성하는 과정;Forming a flat film pattern having an arbitrary pattern on the base substrate; 상기 베이스 기판의 전면에 후막의 네거티브 포토레지스트를 형성하고, 그 위에 임의의 패턴을 갖는 마스크를 형성하는 과정;Forming a negative photoresist of a thick film on the entire surface of the base substrate, and forming a mask having an arbitrary pattern thereon; 상기 마스크를 노광 차단막으로 하는 노광 및 현상 공정을 통해 상기 네거티브 포토레지스트를 선택적으로 제거하여 상기 평탄막 패턴 상에 네거티브 레지스트를 잔류시킴으로써, 역상 패턴을 포함하는 음각의 복합 패턴을 갖는 마스터 몰드를 제조하는 과정;By selectively removing the negative photoresist through the exposure and development process using the mask as an exposure blocking film to leave a negative resist on the flat film pattern, to produce a master mold having a negative composite pattern including a reversed pattern process; 상기 마스터 몰드에 탄성체 물질을 도포한 후 경화시키는 과정; 및Applying and curing an elastomeric material on the master mold; And 상기 마스터 몰드로부터 경화된 탄성체 물질을 탈거함으로써, 역상을 포함하는 복합 패턴을 갖는 탄성체 주형을 완성하는 과정으로 이루어진 패터닝용 탄성체 주형 제조 방법.And removing the cured elastic material from the master mold, thereby completing an elastic mold having a complex pattern including a reverse phase. 제 9 항에 있어서, 상기 복합 패턴의 탄성체 주형은 PDMS인 것을 특징으로 하는 패터닝용 탄성체 주형 제조 방법.10. The method of claim 9, wherein the elastic mold of the composite pattern is PDMS. 양전극, 유기층 및 음전극을 갖는 유기 발광 소자에서 각 픽셀의 음전극을 분리시키기 위한 역상의 음극 분리 격벽을 형성하는 방법에 있어서,In an organic light emitting device having a positive electrode, an organic layer and a negative electrode, a method of forming a negative electrode separating partition wall for separating the negative electrode of each pixel, 역상 패턴을 포함하는 음각의 복합 패턴을 갖는 탄성체 주형을 준비하는 제 1 과정;A first step of preparing an elastic mold having a negative composite pattern including an inverse phase pattern; 상기 양전극 상에 상기 탄성체 주형의 복합 패턴 면을 접촉시킨 후 상기 음각의 복합 패턴 내부에 절연막 및 음극 형성 물질을 주입시켜 가교 결합시키는 제 2 과정; 및A second process of contacting the composite pattern surface of the elastic mold on the positive electrode and injecting an insulating film and a cathode forming material into the negative composite pattern to crosslink and bond the second electrode; And 상기 탄성체 주형을 탈거함으로써, 상기 양전극 상에 절연막과 역상의 음극분리 격벽을 형성하는 제 3 과정으로 이루어진 패터닝용 탄성체 주형을 이용한 유기 발광 소자의 음극 분리 격벽 형성 방법.A method of forming a cathode separation barrier of an organic light-emitting device using a patterning elastomer mold comprising a third process of removing the elastic mold to form an insulator separating partition on the positive electrode. 제 11 항에 있어서, 상기 제 1 과정은:The method of claim 11, wherein the first process comprises: 베이스 기판 상에 임의의 패턴을 갖는 평탄막 패턴을 형성하는 제 11 과정;An eleventh step of forming a flat film pattern having an arbitrary pattern on the base substrate; 상기 베이스 기판의 전면에 후막의 네거티브 포토레지스트를 형성하고, 그 위에 임의의 패턴을 갖는 마스크를 형성하는 제 12 과정;Forming a negative photoresist of a thick film on the entire surface of the base substrate, and forming a mask having an arbitrary pattern thereon; 상기 마스크를 노광 차단막으로 하는 노광 및 현상 공정을 통해 상기 네거티브 포토레지스트를 선택적으로 제거하여 상기 평탄막 패턴 상에 네거티브 레지스트를 잔류시킴으로써, 역상 패턴을 포함하는 음각의 복합 패턴을 갖는 마스터 몰드를 제조하는 제 13 과정;By selectively removing the negative photoresist through the exposure and development process using the mask as an exposure blocking film to leave a negative resist on the flat film pattern, to produce a master mold having a negative composite pattern including a reversed pattern The thirteenth process; 상기 마스터 몰드에 탄성체 물질을 도포한 후 경화시키는 제 14 과정; 및A fourteenth process of applying an elastomeric material to the master mold and then curing it; And 상기 마스터 몰드로부터 경화된 탄성체 물질을 탈거함으로써, 역상을 포함하는 복합 패턴을 갖는 탄성체 주형을 완성하는 제 15 과정으로 이루어진 패터닝용 탄성체 주형 제조 방법A method of manufacturing an elastic mold for patterning, comprising a fifteenth process of removing the cured elastic material from the master mold to complete an elastic mold having a composite pattern including a reverse phase. 제 11 항 또는 제 12 항에 있어서, 상기 음각의 복합 패턴 내부로의 절연막 및 음극 형성 물질 주입은, MIMIC(micro molding in capillaries) 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 패터닝용 탄성체 주형을 이용한 유기 발광 소자의 음극 분리 격벽 형성 방법.The organic light emitting diode according to claim 11 or 12, wherein the insulating film and the cathode-forming material are injected into the intaglio composite pattern by a micro molding in capillaries (MIMIC) method. Method of forming a cathode separation partition wall. 제 11 항 내지 제 12 항에 있어서, 상기 음각의 복합 패턴 내부로의 절연막 및 음극 형성 물질 주입은, CFL(capillary force lithography) 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 패터닝용 탄성체 주형을 이용한 유기 발광 소자의 음극 분리 격벽 형성 방법.The organic light emitting device of claim 11, wherein the insulating layer and the cathode forming material are injected into the intaglio composite pattern by a capillary force lithography (CFL) method. Cathode Separation Bulkhead Formation Method. 제 11 항 또는 제 12 항에 있어서, 상기 음각의 복합 패턴 내부로의 절연막 및 음극 형성 물질 주입은, 소프트 몰딩(soft molding) 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 패터닝용 탄성체 주형을 이용한 유기 발광 소자의 음극 분리 격벽 형성 방법.The method of claim 11 or 12, wherein the injection of the insulating film and the cathode forming material into the intaglio composite pattern is performed by a soft molding method of the organic light emitting device using an elastic mold for patterning. Cathode Separation Bulkhead Formation Method. 제 11 항 또는 제 12 항에 있어서, 상기 음각의 복합 패턴 내부로의 절연막 및 음극 형성 물질 주입은, SAMIM(solvent assisted micro molding) 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 패터닝용 탄성체 주형을 이용한 유기 발광 소자의 음극 분리 격벽 형성 방법.The organic light emitting diode according to claim 11 or 12, wherein the insulating film and the cathode-forming material are injected into the intaglio composite pattern by a solvent assisted micro molding (SAMIM) method. Method of forming a cathode separation partition wall.
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