KR20040046791A - Liquid crystal display device - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: An LCD(Liquid Crystal Display) is provided to minimize the change of the vertical capacitance between a data line and a pixel electrode, although a pattern shift phenomenon is generated, thereby preventing a longitudinal spot of a chuck. CONSTITUTION: A gate line(42) is extended on a lower substrate with a direction. A data line(45) defines a pixel region by crossing the gate line(42) and is extended with a direction. A source electrode(45a) is protruded from a side of the data line(45) and a drain electrode(45b) is separated from the source electrode(45a) with a predetermined distance. At the crossed portion of the gate line(42) and the data line(45), a thin film transistor having a gate electrode, a source electrode, a drain electrode, a gate insulation film, and an active layer is formed. At the pixel region, a transparent pixel electrode(47) is formed and at this time the pixel electrode(47) is contacted to the drain electrode(45b) and a storage upper electrode through a contact hole.

Description

액정표시소자{LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE}Liquid crystal display device {LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE}

본 발명은 액정표시소자에 대한 것으로, 특히 포토 공정시 척(Chuck) 형상에의한 패턴 왜곡과, 수직 커패시턴스의 변화에 의해 척의 세로선 불량이 발생하는 것을 방지하기에 알맞은 액정표시소자에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly, to a liquid crystal display device suitable for preventing the occurrence of a vertical line defect of a chuck due to a pattern distortion caused by a chuck shape and a change in vertical capacitance during a photo process.

정보화 사회가 발전함에 따라 표시장치에 대한 요구도 다양한 형태로 점차 증가하고 있으며, 이에 부응하여 근래에는 LCD(Liquid Crystal Display Device), PDP(Plasma Display Panel), ELD(Electro Luminescent Display), VFD(Vacuum Fluorescent Display)등 여러 가지 평판 표시 장치가 연구되어 왔고, 일부는 이미 여러 장비에서 표시장치로 활용되고 있다.As the information society develops, the demand for display devices is gradually increasing in various forms, and in recent years, liquid crystal display devices (LCDs), plasma display panels (PDPs), electro luminescent displays (ELDs), and VFDs (Vacuum) Various flat panel display devices such as fluorescent display have been studied, and some are already used as display devices in various devices.

그 중에 현재 화질이 우수하고 경량, 박형, 저소비 전력의 장점으로 인하여 이동형 화상 표시장치의 용도로 CRT(Cathode Ray Tube)를 대체하면서 LCD가 가장 많이 사용되고 있으며, 노트북 컴퓨터의 모니터와 같은 이동형의 용도 이외에도 방송신호를 수신하여 디스플레이하는 텔레비전 및 컴퓨터의 모니터 등으로 다양하게 개발되고 있다.Among them, LCD is the most used as a substitute for CRT (Cathode Ray Tube) for mobile image display device because of the excellent image quality, light weight, thinness, and low power consumption. In addition to mobile type such as notebook computer monitor, BACKGROUND ART Various developments have been made in televisions and computer monitors for receiving and displaying broadcast signals.

이와 같은 액정표시장치가 여러 분야에서 화면 표시 장치로서의 역할을 하기 위해 여러 가지 기술적인 발전이 이루어졌음에도 불구하고 화면 표시 장치로서 화상의 품질을 높이는 작업은 상기 특징 및 장점과 배치되는 점이 많이 있다.Although various technical advances have been made in order for such a liquid crystal display device to serve as a screen display device in various fields, the task of improving the image quality as the screen display device is often arranged with the above characteristics and advantages.

따라서, 액정표시장치가 일반적인 화면 표시 장치로서 다양한 부분에 사용되기 위해서는 경량, 박형, 저소비 전력의 특징을 유지하면서도 고정세, 고휘도, 대면적등 고품위 화상을 얼마나 구현할 수 있는가에 관건이 걸려 있다고 할 수 있다.Therefore, in order to use a liquid crystal display as a general screen display device in various parts, it is a matter of how high quality images such as high definition, high brightness and large area can be realized while maintaining the characteristics of light weight, thinness and low power consumption. have.

이와 같은 액정표시장치는 화상을 표시하는 액정패널과 상기 액정패널에 구동신호를 인가하기 위한 구동부로 크게 구분될 수 있다.Such a liquid crystal display may be classified into a liquid crystal panel displaying an image and a driving unit for applying a driving signal to the liquid crystal panel.

상기에서 액정패널은 복수개의 픽셀 영역이 매트릭스 형태로 배열되고 각 픽셀마다 하나의 박막트랜지스터와 하나의 화소전극이 배열되어 있는 하부기판과, 색상을 나타내기 위한 칼라필터 및 공통전극이 구성된 상부기판과, 상기 상부기판과 하부기판 사이에 충진된 액정층으로 구성되어 있다.The liquid crystal panel includes a lower substrate in which a plurality of pixel regions are arranged in a matrix form, one thin film transistor and one pixel electrode arranged for each pixel, an upper substrate including a color filter and a common electrode for displaying color; The liquid crystal layer is filled between the upper substrate and the lower substrate.

그리고 상기 상,하부기판의 양쪽면에는 가시광선(자연광)을 선편광 시켜주는 편광판이 각각 부착되어 있다.Polarizing plates for linearly polarizing visible light (natural light) are attached to both surfaces of the upper and lower substrates, respectively.

여기서, 상기 하부기판(TFT 어레이 기판)에는, 일정 간격을 갖고 일방향으로 배열되는 복수개의 게이트배선과, 상기 각 게이트배선과 수직한 방향으로 일정한 간격으로 배열되는 복수개의 데이터배선과, 상기 각 게이트배선과 데이터배선이 교차되어 정의된 각 화소영역에 매트릭스 형태로 형성되는 복수개의 화소전극과, 상기 게이트배선의 신호에 의해 스위칭되어 상기 데이터배선의 신호를 상기 각 화소전극에 전달하는 복수개의 박막트랜지스터가 형성된다.Here, the lower substrate (TFT array substrate) includes a plurality of gate wirings arranged in one direction at a predetermined interval, a plurality of data wirings arranged at regular intervals in a direction perpendicular to the respective gate wirings, and the respective gate wirings. A plurality of pixel electrodes formed in a matrix form in each pixel region defined by intersections of the data lines and a plurality of thin film transistors which are switched by signals of the gate lines to transfer the signals of the data lines to the pixel electrodes. Is formed.

그리고 상부기판(칼라필터 기판)에는, 상기 화소영역을 제외한 부분의 빛을 차단하기 위한 블랙매트릭스층과, 칼라 색상을 표현하기 위한 R,G,B 칼라필터층과 화상을 구현하기 위한 공통전극이 형성된다.In the upper substrate (color filter substrate), a black matrix layer for blocking light except for the pixel region, an R, G, and B color filter layer for expressing color colors, and a common electrode for implementing an image are formed. do.

또한, 이와 같이 형성된 상부기판과 하부기판은 셀 갭을 유지하기 위한 스페이서(spacer)에 의해 일정 공간을 갖고, 씨일재(sealant)에 의해 합착된다. 그리고 씨일재 내부의 공간에 액정이 형성된다.In addition, the upper substrate and the lower substrate thus formed have a predetermined space by a spacer for maintaining a cell gap, and are bonded by a sealant. And liquid crystal is formed in the space inside a seal material.

이와 같은 구조를 갖는 액정표시장치를 제조할 때 하나의 유리기판에 하나의 액정 패널을 형성하는 것이 아니라, 유리기판의 크기 및 액정패널의 사이즈에 따라하나의 대형 기판에 복수개의 액정 패널을 동시에 형성한다.When manufacturing a liquid crystal display device having such a structure, instead of forming one liquid crystal panel on one glass substrate, a plurality of liquid crystal panels are simultaneously formed on one large substrate according to the size of the glass substrate and the size of the liquid crystal panel. do.

상기와 같이 구성된 액정표시장치는 화소 단위를 이루는 액정셀의 형성 공정을 동반하는 패널 상부기판 및 하부기판의 제조공정과, 액정 배향을 위한 배향막의 형성 및 러빙(Rubbing) 공정과, 상부기판 및 하부기판의 합착 공정과, 합착된 상,하부기판 사이에 액정을 주입하고 봉지 하는 공정 등의 여러 과정을 거쳐 완성되게 된다.The liquid crystal display device configured as described above includes a manufacturing process of a panel upper substrate and a lower substrate accompanied with a process of forming a liquid crystal cell forming a pixel unit, forming and rubbing an alignment layer for liquid crystal alignment, and an upper substrate and a lower substrate. The substrate is bonded through a plurality of processes, such as a process of injecting and encapsulating a liquid crystal between the bonded upper and lower substrates.

여기에서 하부기판의 제조공정은 기판 상에 전극 물질, 반도체층 및 절연막의 도포와 에칭 작업을 통한 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor : 이하 'TFT'라 함)부의 형성과 기타 전극부를 형성하는 과정을 포함한다.Here, the manufacturing process of the lower substrate includes forming a thin film transistor (TFT) portion and forming other electrode portions by applying and etching an electrode material, a semiconductor layer, and an insulating layer on the substrate. do.

액정 주입 및 봉지 공정을 거친 다음 상, 하부기판의 양쪽 면에 편광판이 부착되어 액정패널이 완성된다.After the liquid crystal injection and encapsulation process, polarizing plates are attached to both sides of the upper and lower substrates to complete the liquid crystal panel.

이하, 첨부 도면을 참조하여 종래의 액정표시소자에 대하여 설명하기로 한다.Hereinafter, a liquid crystal display device according to the related art will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 일반적인 액정표시소자를 제조하기 위한 진공척 및 그 상부에 안착된 유리기판을 나타낸 평면도이다.1 is a plan view showing a vacuum chuck for manufacturing a general liquid crystal display device and a glass substrate mounted thereon.

그리고 도 2는 종래 기술에 따른 액정표시소자의 단위 화소의 확대평면도이고, 도 3a와 도 3b는 종래 기술에 따른 도 2의 Ⅰ-Ⅰ'선상의 구조 단면도이다.2 is an enlarged plan view of a unit pixel of a liquid crystal display device according to the prior art, and FIGS. 3A and 3B are cross-sectional views taken along line II ′ of FIG. 2 according to the prior art.

종래 기술에 따른 액정표시소자를 제조하기 위한 진공척은 도 1에 도시한 바와 같이 금속 재질로 구성되며 유리기판(10)이 안착되도록 복수개의 돌출부를 갖고 구성된 지지부(11)와, 유리기판(10)이 진공척의 지지부(11)상에 안착되도록 고정시키기 위해서 상기 돌출된 지지부(11) 사이에 형성된 진공라인(Vacuum line)(12)으로 구성된다.The vacuum chuck for manufacturing the liquid crystal display device according to the prior art is made of a metal material as shown in Figure 1 and the support portion 11 and a plurality of protrusions configured to mount the glass substrate 10, the glass substrate 10 ) Is composed of a vacuum line (12) formed between the protruding support (11) to be seated on the support (11) of the vacuum chuck.

이때 지지부(11)는 사각 테두리 모양의 돌출부가 일정간격을 갖고 척의 가장자리에서 중심부까지 반복하여 형성되어 있는 것으로, 유리기판(10)은 진공척의 돌출된 지지부(11)에 안착되어 있다.At this time, the support portion 11 is a rectangular edge-shaped protrusions are formed repeatedly from the edge of the chuck to the center with a predetermined interval, the glass substrate 10 is seated on the protruding support portion 11 of the vacuum chuck.

이때 유리기판(10)은 하부기판을 나타낸 것으로, 일측 가장자리에는 게이트패드가 형성되고, 이에 수직한 다른측 가장자리는 소오스패드가 형성된다.At this time, the glass substrate 10 shows a lower substrate, and a gate pad is formed at one edge thereof, and a source pad is formed at the other edge thereof perpendicular thereto.

이하, 상기의 진공척을 사용하여 제조한 종래 기술에 따른 액정표시소자의 구성에 대하여 살펴보고자 한다.Hereinafter, the configuration of the liquid crystal display device according to the related art manufactured using the vacuum chuck will be described.

종래의 액정표시소자는 도 2와 도 3a에 도시한 바와 같이 하부기판(31) 상에 일방향으로 연장된 게이트라인(32)이 있고, 게이트라인(32)과 교차하여 화소영역을 정의하며 일방향으로 연장된 데이터라인(35)이 있다.2. Description of the Related Art A conventional liquid crystal display device has a gate line 32 extending in one direction on the lower substrate 31 as illustrated in FIGS. 2 and 3A, and defines a pixel area crossing the gate line 32 to define a pixel area. There is an extended data line 35.

그리고 상기 데이터라인(35)에서 돌출되어 소오스전극(35a)이 형성되어 있고, 상기 소오스전극(35a)과 소정 간격 이격되어 드레인전극(35b)이 형성되어 있다.A source electrode 35a is formed to protrude from the data line 35, and a drain electrode 35b is formed to be spaced apart from the source electrode 35a by a predetermined interval.

이때 소오스전극(35a)은 '⊂' 형상의 홈을 갖도록 돌출되어 있고, 상기 드레인전극(35b)은 상기 '⊂' 형상의 홈 안쪽에 상기 소오스전극(35a)과 소정간격 이격되어 있으며, 상기 소오스전극(35a)과 드레인전극(35b) 사이에 액티브 채널이 '⊂' 형상으로 형성되어 있다.In this case, the source electrode 35a protrudes to have a '⊂' shaped groove, and the drain electrode 35b is spaced apart from the source electrode 35a at a predetermined interval inside the '⊂' shaped groove. An active channel is formed in a '⊂' shape between the electrode 35a and the drain electrode 35b.

그리고 상기 게이트라인(32)의 일측으로 게이트전극(32a)이 돌출되어 있고,상기 게이트라인(32)을 포함한 하부기판(31) 상에 게이트절연막(33)이 형성되어 있다.The gate electrode 32a protrudes to one side of the gate line 32, and a gate insulating layer 33 is formed on the lower substrate 31 including the gate line 32.

상기 게이트전극(32a) 상부와, 데이터라인(35), 소오스전극(35a) 및 드레인전극(35b) 하부의 게이트절연막(33) 상에 액티브층(34)이 형성되어 있다.An active layer 34 is formed on the gate electrode 32a and on the gate insulating layer 33 below the data line 35, the source electrode 35a, and the drain electrode 35b.

이때 액티브층(34)은 데이터라인(35), 소오스전극(35a) 및 드레인전극(35b)보다 좁은 폭으로 형성되고, 비정질 실리콘층(34a)과 n+ 비정질 실리콘층(34b)이 적층되어 구성된다.In this case, the active layer 34 is formed to have a narrower width than the data line 35, the source electrode 35a, and the drain electrode 35b, and is formed by stacking an amorphous silicon layer 34a and an n + amorphous silicon layer 34b. .

그리고 스토리지 커패시터 형성영역의 전단 게이트라인이 스토리지 하부전극 역할을 하고, 그 상측의 게이트절연막상에 스토리지 상부전극이 섬형상으로 구성되어 있다.In addition, the front gate line of the storage capacitor formation region serves as a storage lower electrode, and the upper storage electrode is formed in an island shape on the upper gate insulating layer.

이때 스토리지 상부전극은 액티브층과 데이터라인을 형성할 때 섬 형상으로 적층 형성된 것이다.In this case, the storage upper electrode is formed in an island shape when the active layer and the data line are formed.

그리고 데이터라인(35)을 포함한 하부기판(31) 전면에 보호막(36)이 형성되어 있고, 보호막(36)은 드레인전극(35b)과 스토리지 상부전극의 일영역상에 콘택홀을 갖고 있다.The passivation layer 36 is formed on the entire lower substrate 31 including the data line 35, and the passivation layer 36 has contact holes on one region of the drain electrode 35b and the storage upper electrode.

그리고 화소영역에 투명 화소전극(37)이 형성되어 있는데, 이때 화소전극(37)은 상기 콘택홀을 통해 드레인전극(35b) 및 스토리지 상부전극과 콘택되어 있다.In addition, a transparent pixel electrode 37 is formed in the pixel region, wherein the pixel electrode 37 is in contact with the drain electrode 35b and the upper storage electrode through the contact hole.

상기와 같은 구성을 갖는 액정표시소자를 도 1의 진공척을 이용하여 제조할 때, 진공척의 지지부(11)가 굴곡을 갖고 형성되어 있기 때문에, 그 상부에 안착된유리기판(특히, 하부기판)이 굴곡을 갖게 되고, 이와 같은 굴곡에 의해서 포토 공정시 빛이 왜곡되어 원하는 패턴을 형성하지 못하게 된다.When the liquid crystal display device having the above configuration is manufactured by using the vacuum chuck of FIG. 1, since the support part 11 of the vacuum chuck is formed with curvature, the glass substrate (especially the lower substrate) seated thereon This curvature causes the light to be distorted during the photo process due to the curvature, thereby preventing a desired pattern from being formed.

특히, 데이터라인(35) 및 액티브층(34)을 패터닝할 때 각 공정 스텝별 패턴 쉬프트(shift) 현상에 의해서, 도 3b에 도시한 바와 같이 화소전극(37)과 오버랩되는 보호막(36)의 두께가 변화되어 오버랩되는 수직 커패시턴스에 차이가 발생된다.In particular, when the data line 35 and the active layer 34 are patterned, the protective film 36 overlaps the pixel electrode 37 by a pattern shift phenomenon for each process step, as shown in FIG. 3B. The thickness is varied, resulting in a difference in overlapping vertical capacitance.

다시말해서 도 3a에서 액티브층(34)과 화소전극(37)이 오버랩되는 두께가 t1이고, 데이터라인(35)과 화소전극(37)이 오버랩되는 두께가 t2일 때, 진공척을 이용한 포토 공정으로 데이터라인(35)과 액티브층(34)을 패터닝할 때, 패턴 쉬프트 현상이 발생하면 도 3b에 도시한 바와 같이 액티브층(34)과 화소전극(37)이 오버랩되는 두께가 t1에서 t1'로 커질 수 있고, 또한 데이터라인(35)과 화소전극(37)의 오버랩되는 면적도 줄어들거나 늘어날 수 있다.In other words, in FIG. 3A, when the thickness of the active layer 34 overlaps the pixel electrode 37 is t1 and the thickness of the overlap between the data line 35 and the pixel electrode 37 is t2, a photo process using a vacuum chuck is used. When the data line 35 and the active layer 34 are patterned, if a pattern shift phenomenon occurs, as illustrated in FIG. 3B, the thickness at which the active layer 34 and the pixel electrode 37 overlap is t1 to t1 ′. In addition, the overlapping area of the data line 35 and the pixel electrode 37 may be reduced or increased.

이와 같이 진공척을 이용하여 포토 공정을 진행할 때 패턴 쉬프트(shift) 현상이 발생하면, 데이터라인과 화소전극이 오버랩되는 면적 및 오버랩되는 수직 두께가 변화되어 Cdp 편차가 증가하고, 이로 인해서 척 세로선 얼룩이 심화되는 문제가 발생한다.When the pattern shift phenomenon occurs during the photo process using the vacuum chuck as described above, the area where the data line overlaps the pixel electrode and the overlapping vertical thickness are changed to increase the Cdp deviation. Problems intensify.

본 발명은 상기와 같은 문제를 해결하기 위하여 안출한 것으로, 본 발명의 목적은 패턴 쉬프트 현상이 발생하더라도 데이터라인과 화소전극간의 수직 커패시턴스 변화를 최소화하여 척의 세로선 얼룩이 발생하는 것을 방지하기에 알맞은 액정표시소자를 제공하는데 있다.The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to minimize the vertical capacitance change between the data line and the pixel electrode even if a pattern shift occurs, so that the liquid crystal display is suitable for preventing the occurrence of vertical line irregularities in the chuck. It is to provide an element.

도 1은 일반적인 액정표시장치의 진공척 및 그 상부에 안착된 유리기판을 나타낸 평면도1 is a plan view showing a vacuum chuck and a glass substrate mounted on an upper portion of a general liquid crystal display device

도 2는 종래 기술에 따른 액정표시장치의 단위 화소의 확대평면도2 is an enlarged plan view of a unit pixel of a liquid crystal display according to the related art.

도 3a와 도 3b는 종래 기술에 따른 도 2의 Ⅰ-Ⅰ'선상의 구조 단면도3A and 3B are cross-sectional views taken along line II ′ of FIG. 2 according to the prior art.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 액정표시소자의 단위 화소의 확대평면도4 is an enlarged plan view of a unit pixel of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명에 따른 도 4의 Ⅱ-Ⅱ'선상의 구조 단면도5 is a structural cross-sectional view taken along line II-II 'of FIG. 4 according to the present invention.

도 6은 본 발명에 따른 도 4의 Ⅲ-Ⅲ'선상의 구조 단면도6 is a cross-sectional view taken along line III-III 'of FIG. 4 according to the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

41 : 하부기판 42 : 게이트라인41: lower substrate 42: gate line

42a : 게이트전극 43 : 게이트절연막42a: gate electrode 43: gate insulating film

44 : 액티브층 45 : 데이터라인44: active layer 45: data line

46 : 보호막 47 : 화소전극46: protective film 47: pixel electrode

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 액정표시소자는 교차 배치되어 화소영역을 정의하는 복수개의 게이트라인 및 데이터라인과; 상기 게이트라인과 데이터라인의 교차부분에 형성된 박막트랜지스터와; 상기 데이터라인을 중심으로 상기 데이터라인의 좌,우측으로 돌출되어 지그재그 형상을 갖도록 상기 게이트라인의 상측에 형성된 액티브층과; 상기 화소영역에 형성된 화소전극을 포함하여 구성됨을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a liquid crystal display device including: a plurality of gate lines and data lines intersecting to define a pixel area; A thin film transistor formed at an intersection of the gate line and the data line; An active layer formed on an upper side of the gate line to protrude to the left and right sides of the data line around the data line to have a zigzag shape; And a pixel electrode formed in the pixel region.

본 발명은 진공척의 형상에 의해서 포토공정시 패턴 왜곡이 발생하더라도 Cdp 편차 및 휘도 차이가 발생하지 않도록 하여 척의 세로선 얼룩을 개선하기 위한 구성에 관한 것이다.The present invention relates to a configuration for improving the vertical line unevenness of the chuck by preventing the Cdp deviation and the luminance difference does not occur even if the pattern distortion occurs during the photo process due to the shape of the vacuum chuck.

이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 액정표시소자에 대하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a liquid crystal display device according to an exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 액정표시소자의 단위 화소의 확대평면도이다.4 is an enlarged plan view of a unit pixel of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.

그리고 도 5는 본 발명에 따른 도 4의 Ⅱ-Ⅱ'선상의 구조 단면도이고, 도 6은 본 발명에 따른 도 4의 Ⅲ-Ⅲ'선상의 구조 단면도이다.5 is a cross-sectional view taken along line II-II 'of FIG. 4 according to the present invention, and FIG. 6 is a cross-sectional view taken along line III-III' of FIG. 4 according to the present invention.

본 발명의 일실시예에 따른 액정표시소자는 도 4에 도시한 바와 같이 하부기판(41) 상에 일방향으로 연장된 게이트라인(42)이 있고, 게이트라인(42)과 교차하여 화소영역을 정의하며 일방향으로 연장된 데이터라인(45)이 있다.As shown in FIG. 4, the liquid crystal display according to the exemplary embodiment of the present invention has a gate line 42 extending in one direction on the lower substrate 41, and defines a pixel area by crossing the gate line 42. And a data line 45 extending in one direction.

그리고 상기 데이터라인(45)의 일측에서 돌출된 소오스전극(45a)이 있고, 상기 소오스전극(45a)과 소정 간격 이격된 드레인전극(45b)이 있다.There is a source electrode 45a protruding from one side of the data line 45, and a drain electrode 45b spaced apart from the source electrode 45a by a predetermined interval.

이때 소오스전극(45a)은 '⊂' 형상의 홈을 갖도록 돌출되어 있고, 상기 드레인전극(45b)은 상기 '⊂' 형상의 홈 안쪽에 상기 소오스전극(45a)과 소정간격 이격되어 있으며, 상기 소오스전극(45a)과 드레인전극(45b) 사이에 액티브 채널이 '⊂' 형상으로 형성되어 있다.In this case, the source electrode 45a protrudes to have a '⊂' shaped groove, and the drain electrode 45b is spaced apart from the source electrode 45a at a predetermined interval inside the '⊂' shaped groove. An active channel is formed in a '⊂' shape between the electrode 45a and the drain electrode 45b.

그리고 상기 게이트라인(42)의 일측으로 게이트전극(42a)이 돌출되어 있고, 상기 게이트라인(42)을 포함한 하부기판(41) 상에 게이트절연막(43)이 형성되어 있다.The gate electrode 42a protrudes toward one side of the gate line 42, and a gate insulating layer 43 is formed on the lower substrate 41 including the gate line 42.

상기 게이트전극(42a) 상부와, 데이터라인(45), 소오스전극(45a) 및 드레인전극(45b) 하부의 게이트절연막(43) 상에 액티브층(44)이 형성되어 있다.An active layer 44 is formed on the gate electrode 42a and on the gate insulating layer 43 below the data line 45, the source electrode 45a, and the drain electrode 45b.

이때 액티브층(44)은 데이터라인(45), 소오스전극(45a) 및 드레인전극(45b)보다 좁은 폭으로 형성되고, 비정질 실리콘층(44a)과 n+ 비정질 실리콘층(44b)이 적층되어 구성된다.In this case, the active layer 44 is formed to have a narrower width than the data line 45, the source electrode 45a, and the drain electrode 45b, and is formed by stacking the amorphous silicon layer 44a and the n + amorphous silicon layer 44b. .

또한, 데이터라인(45) 방향으로 형성된 액티브층(44)은 데이터라인(45)을 중심으로 지그재그 형상을 갖도록 형성되어 있다.In addition, the active layer 44 formed in the data line 45 direction is formed to have a zigzag shape with respect to the data line 45.

좀 더 자세하게, 액티브층(44)은 데이터라인(45)을 중심으로 데이터라인(45)의 좌측과 우측으로 번갈아 가며 돌출되어 있는 것으로, 이때 좌,우측으로 돌출된 폭과 길이가 서로 같다.In more detail, the active layer 44 protrudes alternately to the left and right sides of the data line 45 around the data line 45, and the width and length of the active layer 44 protruding to the left and right sides are the same.

예를 들어, 액티브층(44)의 폭이 대략 4㎛라면 데이터라인(45)으로 돌출되는 폭은 좌,우 각각 1㎛정도로 하고, 돌출되는 액티브층(44) 사이의 간격과, 화소영역상,하에서 액티브층(44)이 돌출되기 전까지의 간격은 대략 10㎛ 정도가 되게 구성할 수 있다.For example, if the width of the active layer 44 is approximately 4 μm, the width protruding into the data line 45 is about 1 μm from the left and right sides, and the interval between the protruding active layer 44 and the pixel area is increased. The interval before the active layer 44 protrudes can be configured to be about 10 μm.

상기에서와 같이 게이트라인(42)과 데이터라인(45)의 교차부분에는 게이트전극(42a)과 소오스전극(45a), 드레인전극(45b)과 게이트절연막(43)과 액티브층(44)이 구비된 박막트랜지스터가 형성되어 있다.As described above, the gate electrode 42a and the source electrode 45a, the drain electrode 45b, the gate insulating layer 43, and the active layer 44 are provided at the intersection of the gate line 42 and the data line 45. Thin film transistor is formed.

그리고 스토리지 커패시터 형성영역의 전단 게이트라인이 스토리지 하부전극 역할을 하고, 그 상측의 게이트절연막(43)상에 스토리지 상부전극이 섬형상으로 구성되어 있다.The front gate line of the storage capacitor formation region serves as a storage lower electrode, and the upper storage electrode is formed in an island shape on the gate insulating layer 43 on the upper side thereof.

이때 스토리지 상부전극은 액티브층과 데이터라인을 형성할 때 섬 형상으로 적층 형성된 것이다.In this case, the storage upper electrode is formed in an island shape when the active layer and the data line are formed.

그리고 데이터라인(45)을 포함한 하부기판(41) 전면에 보호막(46)이 형성되어 있고, 보호막(46)은 드레인전극(45b)과 스토리지 상부전극의 일영역상에 콘택홀을 갖고 있으며, 표면이 평탄화 되어 있다.The passivation layer 46 is formed on the entire surface of the lower substrate 41 including the data line 45. The passivation layer 46 has contact holes on one region of the drain electrode 45b and the storage upper electrode. This is flattened.

이때 보호막(46)은 질화 실리콘(Si3N4) 또는 산화 실리콘(SiO2) 등의 무기 절연물질, 또는 아크릴(Acryl)계 유기화합물, 테프론(Teflon), BCB(benzocyclobuten), 사이토프(Cytop) 또는 PFCB(Perfluorocyclobutane) 등의 유기물질 중에서 적어도 하나로 형성되어 있다.In this case, the protective layer 46 may be formed of an inorganic insulating material such as silicon nitride (Si 3 N 4) or silicon oxide (SiO 2), or an acrylic organic compound, Teflon, BCB (benzocyclobuten), Cytop, or PFCB ( It is formed of at least one of organic substances such as perfluorocyclobutane.

그리고 화소영역에 투명 화소전극(47)이 형성되어 있는데, 이때 화소전극(47)은 상기 콘택홀을 통해 드레인전극(45b) 및 스토리지 상부전극과 콘택되어 있다.In addition, the transparent pixel electrode 47 is formed in the pixel area, and the pixel electrode 47 is in contact with the drain electrode 45b and the storage upper electrode through the contact hole.

도 4, 도 5 및 도 6에 도시한 바와 같이 액티브층(44)을 데이터라인(45)을 중심으로 좌측과 우측으로 번갈아 가며 돌출되도록 지그재그 형상으로 구성하면, 액티브층(44)이 좌측 또는 우측으로 쉬프트 되더라도 데이터라인(45)과 화소전극(47)이 오버랩되는 면적의 변화 및 보호막(46)의 두께 변화('t3'와 't4')에 따른 수직 커패시턴스의 평균적인 변화를 최소화시킬 수 있다.As shown in FIGS. 4, 5, and 6, when the active layer 44 is zigzag-shaped so as to protrude alternately left and right around the data line 45, the active layer 44 is left or right. Even if it is shifted, the average change in the vertical capacitance due to the change in the area where the data line 45 and the pixel electrode 47 overlap and the thickness change ('t3' and 't4') of the passivation layer 46 can be minimized. .

예를 들어 좌측으로 쉬프트 되더라도, 우측으로 돌출된 액티브층에 의해서 어느정도 좌측 쉬프트에 의한 수직 커패시턴스 변화를 보상해줄 수 있다.For example, even when shifted to the left side, the change in the vertical capacitance caused by the left shift to some extent can be compensated by the active layer protruding to the right side.

본 발명은 상기 실시예에 한정되는 것이 아니라, 상기 실시예로부터 당업자라면 용이하게 도출할 수 있는 여러 가지 형태를 포함한다.The present invention is not limited to the above embodiments, and includes various forms that can be easily derived by those skilled in the art from the above embodiments.

상기와 같은 본 발명의 액정표시소자는 다음과 같은 효과가 있다.The liquid crystal display of the present invention as described above has the following effects.

데이터라인을 중심으로 액티브층을 좌측과 우측으로 돌출되도록 지그재그로 형성하면, 패턴 쉬프트 현상이 발생하더라고 데이터라인과 화소전극이 오버랩되는 면적의 변화 및 보호막의 두께 변화에 따른 수직 커패시턴스의 변화를 최소화 시킬 수 있다.If the active layer is formed zigzag to protrude to the left and right around the data line, even if the pattern shift phenomenon occurs, the change in the vertical capacitance due to the change in the area where the data line and the pixel electrode overlap and the thickness of the protective film are minimized. Can be.

이에 따라서 척 세로선 얼룩 문제가 발생하는 것을 어느정도 방지할 수 있다.As a result, it is possible to prevent the chuck vertical line staining problem from occurring.

Claims (5)

교차 배치되어 화소영역을 정의하는 복수개의 게이트라인 및 데이터라인과;A plurality of gate lines and data lines intersecting to define a pixel area; 상기 게이트라인과 데이터라인의 교차부분에 형성된 박막트랜지스터와;A thin film transistor formed at an intersection of the gate line and the data line; 상기 데이터라인을 중심으로 상기 데이터라인의 좌,우측으로 돌출되어 지그재그 형상을 갖도록 상기 게이트라인의 상측에 형성된 액티브층과;An active layer formed on an upper side of the gate line to protrude to the left and right sides of the data line around the data line to have a zigzag shape; 상기 화소영역에 형성된 화소전극을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 액정표시소자.And a pixel electrode formed in the pixel region. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 박막트랜지스터는 상기 게이트 라인의 일측에 돌출되어 형성된 게이트전극과;The thin film transistor may include a gate electrode protruding from one side of the gate line; 상기 기판 전면에 형성된 게이트 절연막과;A gate insulating film formed on the entire surface of the substrate; 상기 데이터라인으로부터 돌출된 소오스전극과;A source electrode protruding from the data line; 상기 소오스전극과 이격되며 상기 액티브층의 일영역과 오버랩된 드레인 전극과;A drain electrode spaced apart from the source electrode and overlapping with one region of the active layer; 상기 게이트전극 상부와, 상기 데이터라인, 소오스전극 및 드레인전극 하부의 게이트절연막 상에 형성된 액티브층으로 구성됨을 특징으로 하는 액정표시소자.And an active layer formed on the gate electrode and on the gate insulating layer below the data line, the source electrode, and the drain electrode. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 소오스전극은 '⊂' 형상의 홈을 갖는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.The source electrode has a '⊂' shaped groove, the liquid crystal display device. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,The method of claim 2 or 3, 상기 드레인전극은 상기 '⊂' 형상의 홈 안쪽에 상기 소오스전극과 소정간격 이격되어 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.And the drain electrode is formed to be spaced apart from the source electrode by a predetermined interval inside the groove of the '⊂' shape. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 데이터라인의 좌,우측으로 돌출된 상기 액티브층의 길이와 폭은 서로 같은 것을 특징으로 하는 액정표시소자.And a length and a width of the active layer protruding to the left and right sides of the data line are the same.
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