KR20040033744A - 가변 전압 분배 회로 - Google Patents

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    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
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    • H02M3/28Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac
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Abstract

본 발명의 가변 전압 분배 회로는, 제어 신호와 MOS 트랜지스터를 이용하여 제어 신호에 따라 패스를 선택함으로써, 하나의 출력단에 여러 전압 레벨을 구현하고, 이를 통하여 다음 단의 회로 특성으로 인한 의존성을 감소시킬 수 있는 가변 전압 분배 회로를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 각각 출력 단자를 공유하고, 복수개의 제어 신호에 따라 각각의 전압 분배 경로를 제공하며, 내부 저항값에 따른 고유의 레벨의 전압을 인가하는 복수개의 전압 분배부를 포함한다.

Description

가변 전압 분배 회로{VARIABLE VOLTAGE DIVIDING CIRCUIT}
본 발명은 가변 전압 분배 회로에 관한 것으로, 특히, 제어 신호와 MOS 트랜지스터를 이용하여 여러 전압 레벨을 구현함으로써, 회로의 특성으로 인한 의존성을 감소시킬 수 있는 가변 전압 분배 회로에 관한 것이다.
일반적으로, 기존의 전자 회로에서는, 내부 전원 회로나 기준 전압 생성회로, 또는 감지기의 전압 생성 회로 등의 여러 가지 전압 회로가 있다. 이러한 각각의 전압 회로는 디지털 회로들과는 달리 아날로그 회로로서, 아날로그 전압 레벨을 가지게 된다.
도 1a 및 도 1b는 종래의 전압 분배 회로 및 그 적용을 나타낸 회로도로서, 이러한 종래의 전압 분배 회로는, 제1 단자가 전원 전압에 연결되고, 저항을 제공하는 제1 저항(R1); 및 제1 단자는 제1 저항(R1)의 제2 단자에 연결되고, 제2 단자는 접지되어 저항을 제공하는 제2 저항(R2)을 포함한다.
상술한 종래의 전압 분배 회로의 동작에 의하면, 회로가 간단하고, 출력 전압을 하기 수학식에 따르게 된다.
그러나, 상술한 종래의 전압 분배 회로에 의하면, 온도 등에 의한 변화가 적은 장점이 있으나, 일반 모드에서 하나의 레벨을 만드는 단일 기능 밖에 수행하지 못하므로, 예를 들어, 도 1b에 도시된 바와 같은 고전압 감지기를 적용하는 경우에, 두 가지 레벨의 고전압이 요구되므로 비교기를 두 개 사용해야 하고, 이로 인하여 비교기의 특성에 의존성이 존재하는 문제점이 있다.
상기 문제점을 해결하기 위하여 안출된 본 발명은, 제어 신호와 MOS 트랜지스터를 이용하여 제어 신호에 따라 패스를 선택함으로써, 하나의 출력단에 여러 전압 레벨을 구현하고, 이를 통하여 다음 단의 회로 특성으로 인한 의존성을 감소시킬 수 있는 가변 전압 분배 회로를 제공하는데 그 목적이 있다.
도 1a 및 도 1b는 종래의 전압 분배 회로 및 그 적용을 나타낸 회로도,
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 가변 전압 분배 회로를 나타낸 회로도,
도 3은 본 발명의 일 실시예에 의한 가변 전압 분배 회로의 적용을 나타낸 회로도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
210, 220, 230 : 전압 분배부
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 가변 전압 분배 회로는, 각각 출력 단자를 공유하고, 복수개의 제어 신호에 따라 각각의 전압 분배 경로를 제공하며, 내부 저항값에 따른 고유의 레벨의 전압을 인가하는 복수개의 전압 분배부를 포함한다.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여 본 발명의 가장 바람직한 실시예들을 첨부된 도면을 참조하여 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 가변 전압 분배 회로를 나타낸 회로도로서, 이러한 본 발명의 가변 전압 분배 회로는, 복수개의 전압 분배부(210, 220, 230)를 포함한다.
복수개의 전압 분배부(210, 220, 230)는, 각각 출력 단자를 공유하고, 복수개의 제어 신호에 따라 각각의 전압 분배 경로를 제공하며, 내부 저항값에 따른 고유의 레벨의 전압을 인가하는 역할을 한다. 여기서, 상기 복수개의 전압 분배부(210, 220, 230)에 관하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
상기 전압 분배부(210) 내에 장착된 제1 스위치부(211)는, 상기 복수개의 제어 신호 중 하나의 제어 신호의 반전 신호(/A)에 따라 전원 전압에 의한 전류를 도통/차단시키는 스위칭 동작을 수행하는 역할을 한다. 여기서, 상기 제1 스위치부(211)는, 소스 단자는 상기 전원 전압에 연결되고, 게이트 단자는 상기 복수개의 제어 신호 중 하나의 제어 신호의 반전 신호(/A)를 입력받으며, 드레인 단자는 후술하는 제1 저항(R1a)의 제1 단자에 연결된 PMOS 트랜지스터일 수 있다.
또한, 상기 전압 분배부(210) 내에 장착된 제1 저항(R1a)은, 제1 단자는 상기 제1 스위치부(211)에 연결되고, 제2 단자는 상기 전압 분배부(210)의 출력 단자에 연결되어, 저항을 제공하는 역할을 한다.
한편, 상기 전압 분배부(210) 내에 장착된 제2 저항(R2a)은, 제1 단자가 상기 전압 분배부(210)의 출력 단자에 연결되어, 저항을 제공하는 역할을 한다.
또한, 상기 전압 분배부(210) 내에 장착된 제2 스위치부(212)는, 상기 제2 저항(R2a) 및 접지 사이에 장착되고, 상기 복수개의 제어 신호 중 하나의 제어 신호(A)에 따라 전류를 도통/차단시키는 스위칭 동작을 수행하는 역할을 한다. 여기서, 상기 제2 스위치부(212)는, 소스 단자는 접지되고, 게이트 단자는 상기 복수개의 제어 신호(A)를 입력받으며, 드레인 단자는 상기 제2 저항(R2a)의 제2 단자에 연결된 NMOS 트랜지스터일 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 의한 가변 전압 분배 회로의 적용을 나타낸 회로도로서, 이를 참조하여 본 발명의 가변 전압 분배 회로의 동작을 설명하면 다음과 같다.
도 3은, 복수개의 제어 신호(A,B)에 의하여 아날로그 레벨의 출력 전압이 결정되는 회로이다. 제1 제어 신호(A)가 제2 논리 단계(High)로 선택될 경우, 출력 전압은 하기 수학식에 따르게 된다.
이 때, 사용되는 저항(R1a, R2a)의 저항값이 PMOS 및 NMOS 트랜지스터의 턴온 저항값보다 커야한다. 만약, 제2 제어 신호(B)가 제2 논리 단계(High)로 선택될 경우, 출력 전압은 하기 수학식에 따르게 된다.
이러한 방식으로, 복수개의 제어 신호 선택을 통하여 복수개의 출력 전압을 하나의 출력 단자에 구현할 수 있다. 이에 따라, 각각의 경로가 독립성을 가지므로, 각 경로마다 여러 가지 기능을 추가할 수 있다. 만약, 제2 제어 신호(B) 대신에 제1 제어 신호의 반전값(/A)이 입력되도록 조정하면, 제1 제어 신호의 논리 단계 값에 따라 다른 전압 분배 경로를 제공하게 된다.
이상에서 설명한 본 발명은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 있어 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지로 치환, 변형 및 변경이 가능하므로 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니다.
본 발명은 제어 신호와 MOS 트랜지스터를 이용하여 제어 신호에 따라 패스를 선택함으로써, 하나의 출력단에 여러 전압 레벨을 구현하고, 이를 통하여 다음 단의 회로 특성으로 인한 의존성을 감소시킬 수 있는 이점이 있다.

Claims (4)

  1. 각각 출력 단자를 공유하고, 복수개의 제어 신호에 따라 각각의 전압 분배 경로를 제공하며, 내부 저항값에 따른 고유의 레벨의 전압을 인가하는 복수개의 전압 분배부
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 가변 전압 분배 회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전압 분배부는,
    상기 복수개의 제어 신호 중 하나의 제어 신호의 반전 신호에 따라 전원 전압에 의한 전류를 도통/차단시키는 스위칭 동작을 수행하는 제1 스위치부;
    제1 단자는 상기 제1 스위치부에 연결되고, 제2 단자는 상기 전압 분배부의 출력 단자에 연결된 제1 저항;
    제1 단자가 상기 전압 분배부의 출력 단자에 연결된 제2 저항; 및
    상기 제2 저항의 제2 단자 및 접지 사이에 장착되고, 상기 복수개의 제어 신호 중 하나의 제어 신호에 따라 전류를 도통/차단시키는 스위칭 동작을 수행하는 제2 스위치부
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 가변 전압 분배 회로.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1 스위치부는, 소스 단자는 상기 전원 전압에 연결되고, 게이트 단자는 상기 복수개의 제어 신호 중 하나의 제어 신호의 반전 신호를 입력받으며, 드레인 단자는 상기 제1 저항의 제1 단자에 연결된 PMOS 트랜지스터인
    것을 특징으로 하는 가변 전압 분배 회로.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 제2 스위치부는, 소스 단자는 접지되고, 게이트 단자는 상기 복수개의 제어 신호를 입력받으며, 드레인 단자는 상기 제2 저항의 제2 단자에 연결된 NMOS 트랜지스터인
    것을 특징으로 하는 가변 전압 분배 회로.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100558457B1 (ko) * 2004-07-27 2006-03-10 삼성전기주식회사 전압 가변 회로
US8633681B2 (en) 2011-01-13 2014-01-21 SK Hynix Inc. Voltage regulator and voltage regulation method
KR101422922B1 (ko) * 2012-09-27 2014-07-23 삼성전기주식회사 게이트 구동 회로 및 이를 갖는 인버터

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