KR20040018939A - A sputtering target and a producing method therefor - Google Patents

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KR20040018939A
KR20040018939A KR1020030058307A KR20030058307A KR20040018939A KR 20040018939 A KR20040018939 A KR 20040018939A KR 1020030058307 A KR1020030058307 A KR 1020030058307A KR 20030058307 A KR20030058307 A KR 20030058307A KR 20040018939 A KR20040018939 A KR 20040018939A
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미츠이 긴조쿠 고교 가부시키가이샤
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Abstract

PURPOSE: To provide a sputtering target which does not occur arcing, permits stable deposition, and obviates the occurrence of nodules and the deterioration of the quality of a substrate, etc., by particles. CONSTITUTION: The sputtering target is formed by joining a target material composed of a plurality of divided target materials and a backing plate by means of a bonding material. Horizontal portions having a thickness approximately the same as the thickness of the divided target materials of a smaller thickness are formed in the adjacent portions of the divided target materials of a larger thickness among the divided target materials, and inclined portions continuous with the upper target surfaces from the horizontal portions are formed on the divided target materials of the larger thickness.

Description

스퍼터링 타겟 및 그 제조 방법 {A SPUTTERING TARGET AND A PRODUCING METHOD THEREFOR}Sputtering target and manufacturing method {A SPUTTERING TARGET AND A PRODUCING METHOD THEREFOR}

본 발명은, 스퍼터링법에 의해 반도체 등의 박막을 제조할 때에 사용되는,타겟재와 배킹 플레이트를 본딩재를 통하여 접합한 스퍼터링(sputtering) 타겟, 특히, 복수의 타겟재가 배킹(backing) 플레이트 상에 배치된 다분할 타입의 스퍼터링 타겟에 관한 것이다.According to the present invention, a sputtering target, in particular, a plurality of target materials, is a sputtering target obtained by bonding a target material and a backing plate to a backing plate, which is used when manufacturing a thin film such as a semiconductor by the sputtering method. It relates to a multisplit type sputtering target arranged.

종래로부터, 예를 들면, 반도체 등의 전자·전기 부품용 재료의 성막법으로서, 막두께나 성분을 용이하게 제어할 수 있기 때문에, 스퍼터링법이 광범위하게 이용되고 있다.Conventionally, the sputtering method is widely used, for example, because the film thickness and the component can be easily controlled as a film forming method for materials for electronic and electronic parts such as semiconductors.

이러한 스퍼터링법에 있어서 사용하는 스퍼터링 타겟은, 박막을 형성하려고 하는 재료로 이루어지는 타겟재와, 도전성·열전도성이 우수한 재질로 이루어지는 배킹 플레이트를, 본딩재를 통하여 접합한 구성의 것이 일반적으로 사용되고 있다.As for the sputtering target used in such a sputtering method, the thing of the structure which joined the target material which consists of a material which is going to form a thin film, and the backing plate which consists of a material excellent in electroconductivity and thermal conductivity through the bonding material is generally used.

그런데, 이러한 스퍼터링법은, 대면적으로 균일한 막을 성막할 수 있기 때문에, 특히, 액정 플랫 패널 디스플레이의 분야에서 많이 사용되고 있다.By the way, since such a sputtering method can form a film | membrane with a large area uniformly, it is especially used in the field of the liquid crystal flat panel display especially.

이러한 액정 플랫 패널 디스플레이의 분야에서는, 대형화하고 있는 것이 현재의 상태이며, 이 때문에, 복수의 타겟재가 배킹 플레이트 상에 배치된 다분할 타입의 스퍼터링 타겟이 제안되어 있다.In the field of such a liquid crystal flat panel display, the state of enlargement is the current state, and for this reason, the multi-split type sputtering target by which the several target material is arrange | positioned on the backing plate is proposed.

이러한 대면적의 다분할 타입의 스퍼터링 타겟에 대해서, 스퍼터링을 행하는 방법으로서, 타겟 배후에 배치한 자석을 요동 시켜 타겟 전체에 스퍼터링하는 방법이 행해지고 있다.As a method of sputtering with respect to such a large area | region multisplit target, the method of sputtering the whole target by rocking the magnet arrange | positioned behind a target is performed.

그렇지만, 이러한 요동 자석 타입의 스퍼터링 장치에서는, 어느 특정의 개소에 있어서, 타겟재의 이로전(erosion)의 진행이 빠르고, 이 이로전의 진행이 빠른 부분이, 타겟재와 배킹 플레이트를 접합하고 있는 본딩층에 도달해 버리면, 다른부분의 타겟재가 대량으로 남아 있어도, 스퍼터링 타겟 전체를 사용할 수 없게 되어 버리게 된다.However, in such a swinging magnet type sputtering apparatus, the bonding layer in which the progress of the erosion of the target material is quick and the progress of the erosion is fastened at any particular location is bonded to the target material and the backing plate. When it reaches to, even if the target material of another part remains in large quantities, the whole sputtering target will become unavailable.

이 때문에, 종래로부터, 도 7에 나타낸 것처럼, 이로전의 진행이 빠른 부분의 타겟재(102)의 두께를, 이로전의 진행이 늦은 부분의 타겟재(104)의 두께보다 두껍게 한 구조의 스퍼터링 타겟(100)이 제안되어 있다.For this reason, conventionally, as shown in FIG. 7, the sputtering target of the structure which made thickness of the target material 102 of the fast progression of the erosion thicker than the thickness of the target material 104 of the slow progress of the erosion ( 100) is proposed.

그렇지만, 이러한 타겟재(102)와 타겟재(104)의 두께(높이)가 상이하여, 이들의 스퍼터링면(102a, 104a)에 단차(106)가 형성되게 된다. 따라서, 이러한 스퍼터링 타겟(100)에서는, 이 단차(106)의 부분에 있어서, 서로 인접한 타겟재 중, 두께가 얇은 타겟재(104)로부터, 스퍼터링에 의해 뛰쳐나온 입자가, 인접하는 두께가 두꺼운 타겟재(102)의 측면(102b)에 부착해 버리는 현상이 발생하는 것이 있다.However, the thickness (height) of such target material 102 and target material 104 differs, and the step 106 is formed in these sputtering surfaces 102a and 104a. Therefore, in such a sputtering target 100, in the part of this step 106, the particle | grains which protruded by the sputtering from the thin target material 104 among the target materials adjacent to each other are thick targets adjacent to each other. The phenomenon which adheres to the side surface 102b of the ash 102 may arise.

이 두께가 두꺼운 타겟재(102)의 측면(102b)에 부착된 입자는, 부착량의 증가에 따라 박리되기 쉬워져, 박리한 박편이 기판에 부착되면 파티클로 되어 버린다. 이러한 파티클이 부착되면, 액정 표시 소자(LCD) 등의 품질이 열화하게 되어 있다.Particles adhering to the side surface 102b of the thick target material 102 tend to be peeled off with an increase in the deposition amount, and become particles when the peeled flakes adhere to the substrate. If such particles are attached, the quality of the liquid crystal display device (LCD) or the like deteriorates.

또, 이와 같이 두께가 두꺼운 타겟재(102)의 에지부(102c)에서는, 아크가 발생하기 쉽고, 안정된 성막을 얻는 것이 곤란했다.Moreover, in the edge part 102c of the target material 102 which is thick in this way, an arc was easy to generate | occur | produce and it was difficult to obtain stable film-forming.

그러므로, 일본국 특개 2000-204468호공보에서는, 다분할 스퍼터링 타겟이며, 스퍼터링되는 면의 높이가 분할된 부재간에 상이한 타겟에 있어서, 발생하는 파티클의 발생량을 저감시키도록 구성한 스퍼터링 타겟이 제안되어 있다.Therefore, Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2000-204468 proposes a sputtering target which is a multi-sputtered sputtering target and configured to reduce the amount of generated particles in a target that is different among members whose heights of sputtered surfaces are divided.

이 일본국 특개 2000-204468호공보에서는, 도 8에 나타낸 것처럼, 서로 인접한 타겟재(202, 204)의 사이 중, 두께가 두꺼운 타겟재(202)에 대해서 경사부(206)를 형성하여, 단차를 없앰으로써, 분할부에서의 파티클의 발생을 저감하도록 구성한 스퍼터링 타겟(200)이 개시되어 있다.In Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2000-204468, as shown in Fig. 8, among the target materials 202 and 204 adjacent to each other, an inclined portion 206 is formed with respect to the thick target material 202, and the step The sputtering target 200 which is comprised so that generation | occurrence | production of the particle | grains in a dividing | dividing part is reduced by this is disclosed.

그런데, 전술한 일본국 특개 2000-204468호공보에 개시된 것 같은 스퍼터링 타겟(200)에서는, 도 8에 나타낸 것처럼, 두께가 얇은 타겟재(204)로부터, 직접 경사부(206)를 통하여, 두께가 두꺼운 타겟재(202)가 일어선 상태로 되어 있다.By the way, in the sputtering target 200 which was disclosed by the above-mentioned Unexamined-Japanese-Patent No. 2000-204468, as shown in FIG. 8, from the thin target material 204 through the inclination part 206 directly, The thick target material 202 is in a standing state.

이 때문에, 도 7에 나타낸 스퍼터링 타겟(100)과 비교하면, 약간의 개선은 보여지지만, 경사부(206)에의 입자의 부착이 여전히 발생하고, 이와 같은 일어선 상태의 개소에서는, 방전이 불안정하게 되어, 아크가 발생하여 안정된 성막을 얻지 못하고, 노듈(nodule;덩어리)이 발생하여, 파티클에 의한 품질의 열화를 초래하게 되어 있는 것이 실정이다.For this reason, compared with the sputtering target 100 shown in FIG. 7, a slight improvement is seen, but the adhesion of the particles to the inclined portion 206 still occurs, and discharge is unstable at such a point in the raised state. As a result, an arc is generated to prevent stable film formation, and nodule is generated, causing deterioration of quality due to particles.

본 발명은, 이러한 현재의 상태를 감안하여, 아크가 발생하지 않고, 안정되게 성막하는 것이 가능하고, 노듈이 발생하여, 파티클에 의한 기판 등의 품질의 열화를 초래하지 않는 스퍼터링 타겟 및 스퍼터링 타겟의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.In view of such a current state, the present invention provides a sputtering target and a sputtering target which can be formed stably without arcing, and where nodules are generated and do not cause deterioration of the quality of a substrate or the like due to particles. It is an object to provide a manufacturing method.

도 1은, 본 발명의 스퍼터링 타겟의 제1 실시예의 사시도이다.1 is a perspective view of a first embodiment of a sputtering target of the present invention.

도 2는 도 1의 II-II선에서의 단면도이다.FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line II-II of FIG. 1.

도 3은, 도 2의 부분 확대 단면도이다.3 is a partially enlarged cross-sectional view of FIG. 2.

도 4는, 본 발명의 스퍼터링 타겟의 제2 실시예를 나타낸 도 3과 같은 부분 확대 단면도이다.4 is a partially enlarged cross-sectional view as in FIG. 3 showing a second embodiment of the sputtering target of the present invention.

도 5는, 본 발명의 스퍼터링 타겟의 제3의 실시예를 나타낸 도 3과 같은 부분 확대 단면도이다.5 is a partially enlarged cross-sectional view as in FIG. 3 showing a third embodiment of the sputtering target of the present invention.

도 6은, 본 발명의 스퍼터링 타겟의 다른 실시예를 나타내는 부분 확대 개략도이다.6 is a partially enlarged schematic view showing another embodiment of the sputtering target of the present invention.

도 7은, 종래의 스퍼터링 타겟의 부분 확대 단면도이다.7 is a partially enlarged cross-sectional view of a conventional sputtering target.

도 8은, 종래의 스퍼터링 타겟의 부분 확대 단면도이다.8 is a partially enlarged cross-sectional view of a conventional sputtering target.

본 발명은, 전술한 것 같은 종래 기술에서의 과제 및 목적을 달성하기 위해서 발명된 것이며, 본 발명의 스퍼터링 타겟은, 복수의 분할 타겟재로 구성되는 타겟재와 배킹 플레이트를, 본딩재를 통하여 접합한 스퍼터링 타겟으로서,This invention was invented in order to achieve the subject and object in the prior art as mentioned above, The sputtering target of this invention joins the target material and backing plate which consist of a several split target material through a bonding material. As a sputtering target,

상기 분할 타겟재 중, 서로 인접하는 두께가 상이한 분할 타겟재의 인접부에 있어서,In the adjacent part of the division | segmentation target material from which the thickness adjacent to each other among the said division target materials differs,

두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 인접 부분에, 두께가 얇은 분할 타겟재의 두께와 대략 동일한 두께를 가지는 수평 부분을 형성하는 동시에,While forming a horizontal portion having a thickness approximately equal to the thickness of the thinner divided target material in the adjacent portion of the divided target material having the thicker thickness,

상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재에, 상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 수평 부분으로부터 상부 타겟면에 연속하는 경사 부분을 형성한 것을 특징으로 한다.It is characterized in that the inclined portion continuous to the upper target surface is formed in the split target material in the thicker side from the horizontal portion of the split target material in the thicker side.

또, 본 발명의 스퍼터링 타겟의 제조 방법은, 복수의 분할 타겟재로 구성되는 타겟재와 배킹 플레이트를, 본딩재를 통하여 접합한 스퍼터링 타겟의 제조 방법으로서,Moreover, the manufacturing method of the sputtering target of this invention is a manufacturing method of the sputtering target which joined the target material and backing plate which consist of a several split target material through a bonding material,

상기 분할 타겟재 중, 서로 인접하는 두께가 상이한 분할 타겟재의 인접부에 있어서,In the adjacent part of the division | segmentation target material from which the thickness adjacent to each other among the said division target materials differs,

두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 인접 부분에, 두께가 얇은 분할 타겟재의 두께와 대략 동일한 두께를 가지는 수평 부분을 형성하는 동시에,While forming a horizontal portion having a thickness approximately equal to the thickness of the thinner divided target material in the adjacent portion of the divided target material having the thicker thickness,

상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재에, 상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 수평 부분으로부터 상부 타겟면에 연속하는 경사 부분을 형성하는 것을 특징으로 한다.In the split target material on the thicker side, an inclined portion continuous from the horizontal portion of the split target material on the thicker side to the upper target surface is formed.

이와 같이 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 인접 부분에, 두께가 얇은 분할 타겟재의 두께와 대략 동일한 두께를 가지는 수평 부분을 형성하고, 또한, 수평 부분에서 상부 타겟면에 연속하는 경사 부분을 형성되어 있으므로, 인접 부분에서의 단차가 없어지므로, 경사면에 입자가 부착되지 않고, 노듈이 발생하지 않게 되어, 파티클에 의한 기판 등의 품질의 열화를 초래하지 않는다.In this way, a horizontal portion having a thickness substantially the same as the thickness of the thinner divided target material is formed in the adjacent portion of the thicker divided target material, and an inclined portion continuous from the horizontal portion to the upper target surface is formed. Since the step in the adjacent portion is eliminated, particles do not adhere to the inclined surface, and nodules do not occur, and deterioration of the quality of the substrate or the like due to particles is not caused.

또, 본 발명은, 상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 수평 부분의 폭이, 1mm 이상인 것을 특징으로 한다.Moreover, this invention is characterized in that the width | variety of the horizontal part of the division | segmentation target material of the said thickness is 1 mm or more.

이와 같이 경사 부분을 분할부로부터 이간함으로써 방전이 안정되어, 아크가 발생하지 않게 되어, 그 결과, 안정되게 성막하는 것이 가능하다.By separating the inclined portion from the divided portion in this manner, the discharge is stabilized and no arc is generated. As a result, the film can be formed stably.

또, 본 발명은, 상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 경사 부분과 수평 부분과의 이루는 각도가, 45˚ 이하인 것을 특징으로 한다.Moreover, the present invention is characterized in that the angle formed between the inclined portion and the horizontal portion of the divided target material having the thicker thickness is 45 degrees or less.

이와 같이 함으로써, 인접 부분에서의 단차가 없어지므로, 경사면에 입자가 부착되지 않고, 노듈이 발생하지 않아, 파티클에 의한 기판 등의 품질의 열화를 초래하지 않는다. 또한, 경사 부분과 수평 부분과의 이루는 각도가, 45˚ 이하이면, 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 에지부에서의 아크가 발생하지 않아, 그 결과, 안정되게 성막하는 것이 가능하다.By doing in this way, since the level | step difference in an adjacent part is eliminated, particle | grains do not adhere to an inclined surface, a nodule does not generate | occur | produce, and particle | grains do not deteriorate the quality of a board | substrate. Moreover, if the angle formed between the inclined portion and the horizontal portion is 45 degrees or less, no arc occurs at the edge portion of the divided target material with a thicker thickness, and as a result, it is possible to form the film stably.

또, 본 발명은, 상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 수평 부분과 경사 부분 사이의 부분에 R부분이 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.In addition, the present invention is characterized in that the R portion is formed at a portion between the horizontal portion and the inclined portion of the divided target material having the thicker thickness.

이와 같이 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 수평 부분과 경사 부분 사이의 부분에 R부분이 형성되어 있으므로, 수평 부분과 경사 부분 사이에 에지 부분이 존재하지 않게 되므로, 이 부분에서의 아크의 발생을 방지할 수 있다.Thus, since the R portion is formed in the portion between the horizontal portion and the inclined portion of the divided target material of the thicker side, the edge portion does not exist between the horizontal portion and the inclined portion, thereby preventing the occurrence of an arc in this portion. can do.

또, 본 발명은, 상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 수평 부분과 경사 부분 사이에 형성된 R부분이, R 0.1mm 이상인 것을 특징으로 한다.In addition, the present invention is characterized in that the R portion formed between the horizontal portion and the inclined portion of the divided target material having the thicker thickness is R 0.1 mm or more.

이와 같이, 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 수평 부분과 경사 부분 사이에 형성된 R부분이, R 0.1mm 이상이므로, 수평 부분과 경사 부분 사이가 보다 스무스한 곡선 형상을 이루게 되고, 수평 부분과 경사 부분 사이에 에지 부분이 존재하지 않게 되므로, 이 부분에서의 아크의 발생을 보다 효과적으로 방지할 수 있다.As described above, since the R portion formed between the horizontal portion and the inclined portion of the thicker divided target material is R 0.1 mm or more, a smoother curved shape is formed between the horizontal portion and the inclined portion, and the horizontal portion and the inclined portion Since an edge portion does not exist in between, generation of an arc in this portion can be prevented more effectively.

또, 본 발명은, 상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 상부 타겟면과 경사 부분 사이의 부분에 R부분이 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.In addition, the present invention is characterized in that the R portion is formed at a portion between the upper target surface and the inclined portion of the divided target material having the thicker thickness.

이와 같이 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 상부 타겟면과 경사 부분 사이의 부분에 R부분이 형성되어 있으므로, 상부 타겟면과 경사 부분 사이에 에지 부분이 존재하지 않게 되므로, 이 부분에서의 아크의 발생을 방지할 수 있다.Thus, since the R portion is formed at the portion between the upper target surface and the inclined portion of the divided target material having the thicker thickness, the edge portion does not exist between the upper target surface and the inclined portion, so that an arc is generated at this portion. Can be prevented.

또, 본 발명은, 상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 상부 타겟면과 경사 부분 사이에 형성된 R부분이, R 0.1mm 이상인 것을 특징으로 한다.In addition, the present invention is characterized in that the R portion formed between the upper target surface and the inclined portion of the divided target material having the thicker thickness is R 0.1 mm or more.

이와 같이, 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 상부 타겟면과 경사 부분 사이에 형성된 R부분이, R 0.1mm 이상이므로, 상부 타겟면과 경사 부분 사이가 보다 스무스한 곡선 형상을 이루게 되고, 상부 타겟면과 경사 부분 사이에 에지 부분이 존재하지 않게 되므로, 이 부분에서의 아크의 발생을 보다 효과적으로 방지할 수 있다.As described above, since the R portion formed between the upper target surface and the inclined portion of the divided target material having the thicker thickness is R 0.1 mm or more, the upper target surface and the inclined portion have a smoother curved shape, and the upper target surface Since there is no edge portion between the and inclined portions, it is possible to more effectively prevent the occurrence of an arc in this portion.

또, 본 발명은, 상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 수평 부분과 경사 부분 사이의 부분이, 상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 수평 부분과의 이루는 각도가 45˚ 이하이며, 길이가 0.1mm 이상의 직선(C 0.1mm 이상)에 의해 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.Moreover, in this invention, the angle which the part between the horizontal part of the division | segmentation target material of the said thickness thick side and the inclined part forms with the horizontal part of the division | segmentation target material of the thick thickness is 45 degrees or less, and length is 0.1 mm It is formed by the above straight line (C 0.1 mm or more), It is characterized by the above-mentioned.

이와 같이, 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 수평 부분과 경사 부분 사이의 부분이, 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 수평 부분과의 이루는 각도가 45˚ 이하이며, 길이가 O.1mm 이상의 직선(C O.1mm 이상)에 의해 형성되어 있으므로, 수평 부분과 경사 부분 사이가 보다 스무스하게 되어, 이 부분에서의 아크의 발생을 방지할 수 있다.In this way, the angle between the horizontal portion and the inclined portion of the thicker divided target material is 45 ° or less and the straight line C having a length of 0.1 mm or more. 0.1 mm or more), the smoothness between the horizontal portion and the inclined portion can be prevented, and generation of an arc in this portion can be prevented.

또, 본 발명은, 상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 수평 부분과 경사 부분 사이의 부분이, 연속적으로 변화하는 직선군(直線群)에 의해 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.In addition, the present invention is characterized in that the portion between the horizontal portion and the inclined portion of the divided target material having the thicker thickness is formed by a group of straight lines that continuously change.

이와 같이 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 수평 부분과 경사 부분 사이의 부분이, 연속적으로 변화하는 직선군에 의해 형성되어 있으므로, 수평 부분과 경사 부분 사이가 보다 스무스한 곡선 형상에 가까운 형상을 이루게 되고, 이 부분에서의 아크의 발생을 보다 효과적으로 방지할 수 있다.Thus, since the portion between the horizontal portion and the inclined portion of the thicker divided target material is formed by a continuously changing straight line group, the portion between the horizontal portion and the inclined portion is closer to the smoother curved shape. Therefore, it is possible to more effectively prevent the occurrence of arcs in this part.

또, 본 발명은, 상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 상부 타겟면과 경사 부분 사이의 부분이, 상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 상부 타겟면과의 이루는 각도가 45˚ 이하이며, 길이가 0.1mm 이상의 직선(C 0.1mm 이상)에 의해 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.Moreover, in this invention, the angle which the part between the upper target surface and the inclined part of the said split target material of the thick thickness makes with the upper target surface of the divided target material of thicker thickness is 45 degrees or less, and the length is It is formed by the straight line (C 0.1mm or more) of 0.1 mm or more. It is characterized by the above-mentioned.

이와 같이, 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 상부 타겟면과 경사 부분 사이의 부분이, 상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 상부 타겟면과의 이루는 각도가 45˚ 이하이며, 길이가 0.1mm 이상의 직선(C 0.1mm 이상)에 의해 형성되어 있으므로, 상부 타겟면과 경사 부분 사이가 보다 스무스하게 되어, 이 부분에서의 아크의 발생을 방지할 수 있다.Thus, the part which the part between the upper target surface of the division | segmentation target material of thick thickness, and the inclination part makes with the upper target surface of the division target material of thicker thickness is 45 degrees or less, and the straight line is 0.1 mm or more in length (C 0.1 mm or more), the smoother between the upper target surface and the inclined portion makes it possible to prevent generation of an arc in this portion.

또, 본 발명은, 상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 상부 타겟면과 경사 부분 사이의 부분이, 연속적으로 변화하는 직선군에 의해 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.In addition, the present invention is characterized in that the portion between the upper target surface and the inclined portion of the divided target material having the greater thickness is formed by a straight group that continuously changes.

이와 같이 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 상부 타겟면과 경사 부분 사이의 부분이, 연속적으로 변화하는 직선군에 의해 형성되어 있으므로, 상부 타겟면과 경사 부분 사이가 보다 스무스한 곡선 형상에 가까운 형상을 이루게 되어, 상부 타겟면과 경사 부분 사이에 에지 부분이 존재하지 않게 되므로, 이 부분에서의 아크의 발생을 보다 효과적으로 방지할 수 있다.Thus, since the part between the upper target surface and the inclined part of the divided target material of the thicker thickness is formed by the linear group which changes continuously, the shape between the upper target surface and the inclined part is closer to the smooth curve shape. As a result, an edge portion does not exist between the upper target surface and the inclined portion, so that generation of an arc in this portion can be prevented more effectively.

또, 본 발명은, 상기 분할 타겟재 중, 서로 인접하는 두께가 상이한 분할 타겟재의 인접부의 코너 각부에, 에지 처리가 행해지는 것을 특징으로 한다.Moreover, this invention is characterized in that an edge process is performed in the corner corners of the adjoining part of the division | segmentation target material from which the thickness which adjoins mutually is different among the said divisional target materials.

이와 같이 구성함으로써, 분할 타겟재의 인접부의 코너 각부 에지 처리가 행해지고 있으므로, 이 부분에 에지 부분이 존재하지 않게 되므로, 이 부분에서의 아크의 발생을 보다 효과적으로 방지할 수 있다.With this configuration, since edge corner portions edge processing of the adjacent portions of the split target material is performed, the edge portion does not exist in this portion, and generation of arcs in this portion can be prevented more effectively.

또, 본 발명은, 상기 에지 처리가, R 0.1mm ~ 5mm의 R면 처리인 것을 특징으로 한다.In addition, the present invention is characterized in that the edge treatment is an R surface treatment of R 0.1 mm to 5 mm.

이와 같이 구성함으로써, 분할 타겟재의 인접부의 코너 각부가 보다 스무스한 곡선 형상을 이루게 되어, 분할 타겟재의 인접부의 코너 각부에 에지 부분이 존재하지 않게 되므로, 이 부분에서의 아크의 발생을 보다 효과적으로 방지할 수 있다.By configuring in this way, the corner corners of the adjacent portions of the divided target material have a smoother curve shape, and the edge portions do not exist at the corner corners of the adjacent portions of the divided target material, thereby more effectively preventing the occurrence of arcs in these portions. Can be.

또, 본 발명은, 상기 에지 처리가, C 0.1mm~ 5mm의 C면 처리인 것을 특징으로 한다.Moreover, this invention is characterized in that the said edge process is C surface treatment of C 0.1mm-5mm.

이와 같이 구성함으로써, 에지부가 스무스하게 되어, 아크의 발생을 방지할 수 있다.By configuring in this way, the edge part becomes smooth, and generation | occurrence | production of an arc can be prevented.

또, 본 발명은, 상기 분할 타겟재의 서로 인접하는 인접부 간에, 간극이 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.In addition, the present invention is characterized in that a gap is formed between adjacent portions of the division target material adjacent to each other.

스퍼터링을 행하면 Ar 이온이 타겟재에 내던져 질 수 있으므로, 타겟재에 열이 가해지게 된다. 이 때에, 분할 타겟재의 인접부 간에 간극이 존재하지 않는 경우에는, 타겟재가 팽창했을 때에, 분할부로부터 치핑(chipping) 등이 발생하여, 파티클, 아크의 발생 원인으로 된다. 또, 타겟재의 장착시 등에 약간 비틀었을 때에도 치핑 등이 발생하여 버리게 된다.Since sputtering may cause Ar ions to be thrown onto the target material, heat is applied to the target material. At this time, when there is no gap between adjacent portions of the split target material, when the target material is expanded, chipping or the like occurs from the split portion, which causes particles and arcs. In addition, chipping or the like occurs even when the target material is slightly twisted at the time of attachment.

그렇지만, 이와 같이 분할 타겟재의 서로 인접하는 인접부 간에, 간극이 형성되어 있으므로, 팽창, 장착시에서의 뒤틀림을 간극에 의해 흡수할 수 있게 되어, 이러한 치핑 등의 발생에 의한, 파티클, 아크를 효과적으로 방지하는 것이 가능하다.However, since gaps are formed between adjacent portions of the split target material adjacent to each other, it is possible to absorb the warpage during expansion and mounting by the gaps, thereby effectively preventing particles and arcs caused by such chipping or the like. It is possible to prevent.

또, 본 발명은, 상기 분할 타겟재의 인접부 간의 간극이, 0.05mm ~ 0.7mm의 간극인 것을 특징으로 한다.Moreover, this invention is characterized by the clearance gap between adjacent parts of the said split target material being a clearance gap of 0.05 mm-0.7 mm.

이러한 치핑 등의 발생에 의한, 파티클, 아크를 효과적으로 방지하는 것이 가능하다.It is possible to effectively prevent particles and arcs due to the occurrence of such chipping.

이러한 범위의 크기의 간극을 가지는 것에 의해, 팽창, 장착시에서의 뒤틀림을 간극에 의해로부터 효과적으로 흡수 할 수 있고, 이러한 치핑 등의 발생에 의한, 파티클, 아크를 효과적으로 방지하는 것이 가능하다.By having a gap of this size, it is possible to effectively absorb the warpage during expansion and mounting from the gap, and to effectively prevent particles and arcs caused by such chipping or the like.

또, 본 발명에서는, 상기 타겟재가, In 또는 Sn를 주성분으로 하는 금속 산화물인 것이 바람직하다.Moreover, in this invention, it is preferable that the said target material is a metal oxide which has In or Sn as a main component.

이하, 본 발명의 실시예를 도면에 따라 보다 상세하게 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the drawings.

도 1은, 본 발명의 스퍼터링 타겟의 제1 실시예의 사시도, 도 2는 도 1의 II-II선에서의 단면도, 도 3은, 도 2의 부분 확대 단면도이다.1 is a perspective view of a first embodiment of a sputtering target of the present invention, FIG. 2 is a sectional view taken along the line II-II of FIG. 1, and FIG. 3 is a partially enlarged sectional view of FIG. 2.

도 1에 있어서, (10)은, 전체로 본 발명의 스퍼터링 타겟을 나타내고 있다.In FIG. 1, (10) has shown the sputtering target of this invention as a whole.

도 1 및 도 2에 나타낸 것처럼, 스퍼터링 타겟(10)은, 직사각형 판형의 배킹 플레이트(12)와, 배킹 플레이트(12)의 상면에, 본딩재(14)를 통하여 접합된 이로전부를 구성하는 복수개의 직사각형의 분할된 타겟재(16)으로 구성되어 있다.As shown in FIG. 1 and FIG. 2, the sputtering target 10 has a plurality of constituent teeth that are joined to the rectangular backing plate 12 and the upper surface of the backing plate 12 via the bonding material 14. The target material 16 is divided into four rectangles.

이 경우, 타겟재(16)의 재료는, 특히 한정되는 것은 아니지만, 타겟 사이즈가 커지는 것이 예상되는 플랫 패널 디스플레이의 제조에 사용되는 재료로서 매우 적합하다, 예를 들면, ITO(In-Sn 산화물), IZO(In-Zn의 산화물), 크롬, 몰리브덴, ZAO(Al-Zn 산화물), 산화 마그네슘 등이 사용 가능하다.In this case, although the material of the target material 16 is not specifically limited, it is very suitable as a material used for manufacture of a flat panel display in which target size is expected to become large, for example, ITO (In-Sn oxide) , IZO (oxide of In-Zn), chromium, molybdenum, ZAO (Al-Zn oxide), magnesium oxide and the like can be used.

또, 배킹 플레이트(12)의 재질로서는, 특히 한정되지 않고, 예를 들면, 도전성·열전도성이 우수한 강철, 스테인레스 등을 사용할 수 있다. 이 경우, 배킹 플레이트(12)의 두께 D는, 특히 한정되는 것은 아니지만, 강도를 고려하면, 예를 들면, 재질이, Cu(JISC1020)의 경우에는, 1Omm~ 50mm로 하는 것이 바람직하다.Moreover, as a material of the backing plate 12, it does not specifically limit, For example, steel, stainless steel, etc. which are excellent in electroconductivity and thermal conductivity can be used. In this case, the thickness D of the backing plate 12 is not particularly limited, but considering the strength, for example, in the case of Cu (JISC1020), the thickness D is preferably 10 mm to 50 mm.

또한, 타겟재(16)과 배킹 플레이트(12)의 접합에 사용되는 본딩재(14)로서는, 타겟재(16)과 배킹 플레이트(12)의 재질에, 특히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면, In계, Sn계 등의 금속으로 이루어지는 본딩재를 사용할 수 있다.In addition, as the bonding material 14 used for joining the target material 16 and the backing plate 12, although it does not specifically limit to the material of the target material 16 and the backing plate 12, For example, The bonding material which consists of metals, such as In type and Sn type, can be used.

도 2 및 도 3에 나타낸 것처럼, 이 스퍼터링 타겟(10)에서는, 타겟재(16)로서, 이로전의 진행이 빠른 부분인 단부의 단부 분할 타겟재(18)의 두께를, 이로전의 진행이 늦은 중앙 부분의 중앙부 분할 타겟재(20)의 두께보다 두껍게 하고 있다.2 and 3, in the sputtering target 10, as the target material 16, the thickness of the end splitting target material 18 at the end, which is the portion where the advancement of the erosion is rapid, is performed at the center of the late progression of the erosion. It is thicker than the thickness of the center part division target material 20 of a part.

그리고, 도 3에 나타낸 것처럼, 서로 인접하는 두께가 상이한 단부 분할 타겟재(18)와 중앙부 분할 타겟재(20)의 인접 부분(24, 36)에 있어서, 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재인 단부 분할 타겟재(18)의 인접 부분(24)에, 수평 부분(26)이 형성되어 있다.And as shown in FIG. 3, in the adjacent part 24 and 36 of the edge part division target material 18 and the center part division target material 20 from which thickness mutually differs, the edge part which is a split target material of thickness is thicker. The horizontal part 26 is formed in the adjacent part 24 of the target material 18.

이 수평 부분(26)의 두께 T1는, 두께가 얇은 분할 타겟재인 중앙부 분할 타겟재(20)의 두께 T2와 대략 동일한 두께로 하는 것이 바람직하다.It is preferable to make thickness T1 of this horizontal part 26 into thickness substantially the same as thickness T2 of the center part division target material 20 which is a thin division target material.

이 수평 부분(26)의 폭W로서는, 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재인 단부 분할 타겟재(18)의 에지부(28)가, 두께가 얇은 타겟재인 중앙부 분할 타겟재(20)의 단부(30)와 충분히 이간함으로써, 아크의 발생을 억제하여, 안정되게 성막할 수 있도록 하기 위해서는, 1mm 이상, 바람직하게는, 5mm 이상으로 하는 것이 바람직하다.As the width W of this horizontal part 26, the edge part 28 of the edge part division target material 18 which is a split target material of thickness thick is the edge part 30 of the center part division target material 20 which is a thin target material. In order to suppress generation | occurrence | production of an arc and to make it film-forming stable by space | separating enough from), it is preferable to set it as 1 mm or more, Preferably it is 5 mm or more.

그리고, 이 수평 부분(26)으로부터, 단부 분할 타겟재(18)의 상부 타겟면(32)에 연속하는 경사 부분(34)이 형성되어 있다.And from this horizontal part 26, the inclination part 34 which is continuous to the upper target surface 32 of the edge part target material 18 is formed.

이와 같이, 수평 부분(26)으로부터 상부 타겟면(32)에 연속하는 경사부분(34)이 형성되어 있어, 인접 부분(24, 36)에서의 단차가 없어지므로, 경사면에 입자가 부착되지 않고, 노듈이 발생하지 않아, 파티클에 의한 기판 등의 품질의 열화를 초래하지 않는다.In this way, the inclined portion 34 continuous from the horizontal portion 26 to the upper target surface 32 is formed, so that the step in the adjacent portions 24 and 36 is eliminated, so that particles do not adhere to the inclined surface, Nodules do not occur and do not cause deterioration of the quality of the substrate or the like due to particles.

이 경우, 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재인 단부 분할 타겟재(18)의 에지부(28)에서의 아크의 발생을 억제하여, 그 결과, 안정되게 성막하는 것을 가능하게 하는 동시에, 경사면에 입자가 부착되는 것이 없게 하기 위해서는, 경사 부분(34)과 수평 부분(26)의 이루는 각도 α가, 45˚ 이하, 바람직하게는, 30˚ 이하인 것이 바람직하다.In this case, generation | occurrence | production of the arc in the edge part 28 of the edge part division target material 18 which is a split target material with a thick thickness is suppressed, As a result, it becomes possible to form into a film stably, and the particle | grains in an inclined surface In order not to adhere, it is preferable that the angle (alpha) which consists of the inclination part 34 and the horizontal part 26 is 45 degrees or less, Preferably it is 30 degrees or less.

또한, 도 3에 나타낸 것처럼, 분할 타겟재(18, 20)의 서로 인접하는 인접 부분(24, 36)의 사이에는, 간극(38)이 형성되어 있다.3, the clearance gap 38 is formed between adjacent parts 24 and 36 of the division | segmentation target materials 18 and 20 mutually adjacent.

즉, 스퍼터링을 행하면 Ar 이온이 타겟재(16)에 내던져 질 수 있으므로, 타겟재(16)에 열이 가해지게 된다. 이 때에, 분할 타겟재(18, 20)의 인접 부분(24, 36) 사이에 간극이 존재하지 않는 경우에는, 타겟재가 팽창했을 때에, 분할부로부터 치핑 등이 발생하여, 파티클, 아크의 발생 원인으로 된다. 또, 타겟재의 장착시 등에 약간 비틀었을 때에도 치핑 등이 발생하여 버리게 된다.That is, since sputtering may cause Ar ions to be thrown onto the target material 16, heat is applied to the target material 16. At this time, if there is no gap between the adjacent portions 24 and 36 of the divided target materials 18 and 20, when the target material is inflated, chipping or the like occurs from the divided portion, and causes generation of particles and arcs. Becomes In addition, chipping or the like occurs even when the target material is slightly twisted at the time of attachment.

그렇지만, 이와 같이 분할 타겟재(18, 20)의 서로 인접하는 인접 부분(24, 36) 사이에, 간극(38)이 형성되어 있으므로, 팽창, 장착시에서의 뒤틀림을 간극에 의해 흡수할 수 있게 되어, 이러한 치핑 등의 발생에 의한, 파티클, 아크를 효과적으로 방지하는 것이 가능하다.However, since the gap 38 is formed between the adjacent adjacent parts 24 and 36 of the division | segmentation target materials 18 and 20 in this way, the distortion at the time of expansion and mounting can be absorbed by the gap. Thus, it is possible to effectively prevent particles and arcs due to the occurrence of such chipping.

이러한 간극(38)의 크기 S로서는, 상기의 치핑 등의 발생에 의한, 파티클,아크를 효과적으로 방지하기 위해서는, 0.05mm~ 0.7mm, 바람직하게는, 0.1mm~ 0.5mm로 하는 것이 바람직하다.The size S of the gap 38 is preferably 0.05 mm to 0.7 mm, preferably 0.1 mm to 0.5 mm in order to effectively prevent particles and arcs caused by the occurrence of chipping or the like.

도 4는, 본 발명의 스퍼터링 타겟의 제2 실시예를 나타낸 도 3과 같은 부분 확대 단면도이다.4 is a partially enlarged cross-sectional view as in FIG. 3 showing a second embodiment of the sputtering target of the present invention.

이 실시예의 스퍼터링 타겟은, 도 1에 나타낸 스퍼터링 타겟(10)과 기본적으로는 동일한 구성이며, 동일한 구성 부재에는 동일한 참조 번호를 부여하여, 그 상세한 설명을 생략한다.The sputtering target of this embodiment is basically the same structure as the sputtering target 10 shown in FIG. 1, the same structural member is attached | subjected, and the detailed description is abbreviate | omitted.

이 실시예의 스퍼터링 타겟(10)에서는, 단부 분할 타겟재(18)의 수평 부분(26)과 경사 부분(34) 사이의 부분에 R부분(40)이 형성되어 있다.In the sputtering target 10 of this embodiment, the R portion 40 is formed at a portion between the horizontal portion 26 and the inclined portion 34 of the end split target material 18.

이와 같이 수평 부분(26)과 경사 부분(34) 사이의 부분에 형성된 R부분(40)이 형성되어 있으므로, 수평 부분(26)과 경사 부분(34) 사이에 에지 부분이 존재하지 않게 되므로, 이 부분에서의 아크의 발생을 방지할 수 있다.Since the R portion 40 formed in the portion between the horizontal portion 26 and the inclined portion 34 is formed, the edge portion does not exist between the horizontal portion 26 and the inclined portion 34. The occurrence of an arc in the part can be prevented.

이 경우, 수평 부분(26)과 경사 부분(34) 사이의 부분에 R부분(40)이, R 0.1mm 이상, 바람직하게는, R 0.5mm~ R 50mm인 것이 바람직하다.In this case, the portion R between the horizontal portion 26 and the inclined portion 34 is preferably at least R 0.1 mm, preferably at least R 0.5 mm to R 50 mm.

이와 같이, 수평 부분(26)과 경사 부분(34) 사이에 형성된 R부분(40)이, R 0.1mm 이상이므로, 수평 부분(26)과 경사 부분(34) 사이가 보다 스무스한 곡선 형상을 이루게 되고, 수평 부분(26)과 경사 부분(34) 사이에 에지 부분이 존재하지 않게 되므로, 이 부분에서의 아크의 발생을 보다 효과적으로 방지할 수 있다.In this way, since the R portion 40 formed between the horizontal portion 26 and the inclined portion 34 is R 0.1 mm or more, the horizontal portion 26 and the inclined portion 34 have a smoother curved shape. In addition, since the edge portion does not exist between the horizontal portion 26 and the inclined portion 34, generation of an arc in this portion can be prevented more effectively.

또, 이 실시예의 스퍼터링 타겟(10)에서는, 단부 분할 타겟재(18)의 상부 타겟면(32)과 경사 부분(34) 사이의 부분에 R부분(42)이 형성되어 있다.In the sputtering target 10 of this embodiment, the R portion 42 is formed at a portion between the upper target surface 32 and the inclined portion 34 of the end split target material 18.

또, 이와 같이 상부 타겟면(32)과 경사 부분(34) 사이의 부분에 R부분(42)이 형성되어 있으므로, 상부 타겟면(32)과 경사 부분(34) 사이에 에지 부분이 존재하지 않게 되므로, 이 부분에서의 아크의 발생을 방지할 수 있다.In addition, since the R portion 42 is formed at the portion between the upper target surface 32 and the inclined portion 34 in this manner, the edge portion does not exist between the upper target surface 32 and the inclined portion 34. Therefore, it is possible to prevent the occurrence of arcs in this part.

또, 이 실시예의 스퍼터링 타겟(10)에서는, 상부 타겟면(32)과 경사 부분(34) 사이에 형성된 R부분(42)이, R 0.1mm 이상, 바람직하게는, R 0.5mm~R 50mm인 것이 바람직하다.In addition, in the sputtering target 10 of this embodiment, the R portion 42 formed between the upper target surface 32 and the inclined portion 34 is R 0.1 mm or more, preferably R 0.5 mm to R 50 mm. It is preferable.

이와 같이, 상부 타겟면(32)과 경사 부분(34) 사이에 형성된 R부분(42)이, R 0.1mm 이상이므로, 상부 타겟면(32)과 경사 부분(34) 사이가 보다 스무스한 곡선 형상을 이루게 되어, 상부 타겟면(32)과 경사 부분(34) 사이에 에지 부분이 존재하지 않게 되므로, 이 부분에서의 아크의 발생을 보다 효과적으로 방지할 수 있다.As described above, since the R portion 42 formed between the upper target surface 32 and the inclined portion 34 is R 0.1 mm or more, the curved shape between the upper target surface 32 and the inclined portion 34 is smoother. Since the edge portion does not exist between the upper target surface 32 and the inclined portion 34, it is possible to more effectively prevent the occurrence of an arc in this portion.

그리고, 이 실시예에서는, 수평 부분(26)과 경사 부분(34) 사이의 부분의 R부분(40)과, 상부 타겟면(32)과 경사 부분(34) 사이의 R부분(42)와의 양쪽 모두 R부분을 형성했지만, 어느 한쪽의 R부분만 형성하는 것도 가능하다.In this embodiment, both the R portion 40 of the portion between the horizontal portion 26 and the inclined portion 34 and the R portion 42 between the upper target surface 32 and the inclined portion 34 are both. Although all R portions were formed, it is also possible to form only one R portion.

또, 수평 부분(26)과 경사 부분(34) 사이의 부분의 R부분(40) 대신에, 도 6에 나타낸 것처럼, 수평 부분(26)과 경사 부분(34) 사이의 부분(48)이, 수평 부분(26)과의 이루는 각도 β이 45˚ 이하이며, 길이 L1가 O.1mm 이상의 직선(C 0.1mm 이상)(50)에 의해 형성되어 있어도 된다. 그리고, 도 6의 실시예에서는, β 이 30˚인 경우를 나타내고 있다.In addition, instead of the R portion 40 of the portion between the horizontal portion 26 and the inclined portion 34, as shown in FIG. 6, the portion 48 between the horizontal portion 26 and the inclined portion 34, The angle β formed with the horizontal portion 26 may be 45 degrees or less, and the length L1 may be formed by a straight line (C 0.1 mm or more) 50 of 0.1 mm or more. And in the Example of FIG. 6, the case where (beta) is 30 degrees is shown.

이와 같이, 이들의 수평 부분(26)과 경사 부분(34) 사이의 부분(48)이, 수평 부분(26)과의 이루는 각도 β가 45˚ 이하이며, 길이 L1가 0.1mm 이상의 직선(C0.1mm 이상)(50)으로 형성되어 있으므로, 각도가 완화되므로, 이들의 수평 부분(26)과 경사 부분(34) 사이에 예각 부분이 존재하지 않게 되므로, 이 부분에서의 아크의 발생을 방지할 수 있다.In this manner, the portion 48 between the horizontal portion 26 and the inclined portion 34 has an angle β of the horizontal portion 26 with the horizontal portion 26 of 45 ° or less, and the length L1 is a straight line C0. 1 mm or more), so that the angle is relaxed, so that there is no acute angle portion between the horizontal portion 26 and the inclined portion 34, thereby preventing the occurrence of an arc in this portion. have.

또, 상부 타겟면(32)과 경사 부분(34) 사이의 R부분(42) 대신에, 도 6에 나타낸 것처럼, 상부 타겟면(32)과 경사 부분(34) 사이의 부분(52)이, 상부 타겟면과의 이루는 각도 Y가 45˚ 이하이며, 길이 L2가 0.1mm 이상의 직선(C 0.1mm 이상)(54)에 의해 형성되어 있어도 된다. 그리고, 도 6의 실시예에서는, Y가30˚인 경우를 나타내고 있다.In addition, instead of the R portion 42 between the upper target surface 32 and the inclined portion 34, as shown in FIG. 6, the portion 52 between the upper target surface 32 and the inclined portion 34, The angle Y which forms the upper target surface is 45 degrees or less, and the length L2 may be formed of the straight line (C 0.1 mm or more) 54 or more of 0.1 mm. In addition, in the Example of FIG. 6, the case where Y is 30 degrees is shown.

이와 같이, 상부 타겟면(32)과 경사 부분(34) 사이의 부분(52)이, 상부 타겟면과의 이루는 각도 Y가 45˚ 이하이며, 길이 L2가 0.1mm 이상의 직선(C 0.1mm 이상)(54)에 의해 형성되어 있어, 각도가 완화되므로, 이들 상부 타겟면(32)과 경사 부분(34) 사이에 예각 부분이 존재하지 않게 되므로, 이 부분에서의 아크의 발생을 방지할 수 있다.Thus, the angle Y which the part 52 between the upper target surface 32 and the inclined part 34 makes with the upper target surface is 45 degrees or less, and the length L2 is the straight line (C 0.1 mm or more) 0.1 mm or more. It is formed by 54, and since the angle is relaxed, an acute angle portion does not exist between these upper target surfaces 32 and the inclined portion 34, and the occurrence of arcs in this portion can be prevented.

그리고, 이 경우에도, 수평 부분(26)과 경사 부분(34) 사이의 부분, 및 상부 타겟면(32)과 경사 부분(34) 사이의 부분의 어느쪽이든 한쪽을, 각도가 45˚ 이하이며, 길이가 O.1mm 이상의 직선(C O.1mm 이상)에 의해 형성하는 것도 가능하다.And also in this case, either one of the portion between the horizontal portion 26 and the inclined portion 34 and the portion between the upper target surface 32 and the inclined portion 34 has an angle of 45 ° or less, It is also possible to form by a straight line having a length of 0.1 mm or more (C 0.1 mm or more).

또한, 도시하지 않지만, 수평 부분(26)과 경사 부분(34) 사이의 부분의 R부분(40) 대신에, 이 수평 부분(26)과 경사 부분(34) 사이의 부분이, 상기와 같은 각도가 45˚ 이하이며, 길이가 0.1mm 이상의 직선(C 0.1mm 이상)으로 이루어지는 연속적으로 변화하는 직선군에 의해 형성되어 있어도 된다.In addition, although not shown, instead of the R portion 40 of the portion between the horizontal portion 26 and the inclined portion 34, the portion between the horizontal portion 26 and the inclined portion 34 has the same angle as described above. It is 45 degrees or less, and may be formed of the continuously changing linear group which consists of a straight line (C 0.1 mm or more) of 0.1 mm or more in length.

또, 마찬가지로, 상부 타겟면(32)과 경사 부분(34) 사이의 R부분(42) 대신에, 이 상부 타겟면(32)과 경사 부분(34) 사이의 부분이, 상기와 같은 각도가 45˚ 이하이며, 길이가 0.1mm 이상의 직선(C 0.1mm 이상)으로 이루어지는 연속적으로 변화하는 직선군에 의해 형성되어 있어도 된다.Similarly, instead of the R portion 42 between the upper target surface 32 and the inclined portion 34, the portion between the upper target surface 32 and the inclined portion 34 has the same angle as described above. It may be formed by a group of continuously varying straight lines, each of which is equal to or less than a straight line and has a length of 0.1 mm or more (C 0.1 mm or more).

이와 같이, 이들 수평 부분(26)과 경사 부분(34) 사이의 부분, 및 상부 타겟면(32)과 경사 부분(34) 사이의 부분이, 상기와 같은 각도가 45˚ 이하이며, 길이가 O.1mm 이상의 직선(C O.1mm 이상)으로 이루어지는 연속적으로 변화하는 직선군에 의해 형성되어 있으므로, 이들의 수평 부분(26)과 경사 부분(34) 사이의 부분, 및 상부 타겟면(32)과 경사 부분(34) 사이의 부분이 보다 스무스한 곡선 형상에 가까운 형상을 이루게 되어, 이들의 부분에 예각인 에지 부분이 존재하지 않게 되므로, 이 부분에서의 아크의 발생을 보다 효과적으로 방지할 수 있다.Thus, the part between these horizontal part 26 and the inclined part 34, and the part between the upper target surface 32 and the inclined part 34 are 45 degrees or less as mentioned above, and length is O Since it is formed by a continuously changing group of straight lines consisting of straight lines (C 0.11 mm or more), the portion between these horizontal portions 26 and the inclined portion 34, and the upper target surface 32 and The portions between the inclined portions 34 form a shape closer to the smoother curved shape, and the sharp edge portion does not exist in these portions, so that the occurrence of arcs in these portions can be prevented more effectively.

그리고, 이 경우에도, 수평 부분(26)과 경사 부분(34) 사이의 부분, 및 상부 타겟면(32)과 경사 부분(34) 사이의 부분의 어느쪽이든 한쪽을, 이러한 연속적으로 변화하는 직선군에 의해 형성하는 것도 가능하다.Also in this case, either of the portion between the horizontal portion 26 and the inclined portion 34 and the portion between the upper target surface 32 and the inclined portion 34 is a group of straight lines that continuously change. It is also possible to form by.

또한, 수평 부분(26)과 경사 부분(34) 사이의 부분, 및 상부 타겟면(32)과 경사 부분(34) 사이의 부분을, 이들 R부분, 각도가 45˚ 이하이며, 길이가 O.1mm 이상의 직선(C O.1mm 이상), 연속적으로 변화하는 직선군을 조합하여 사용하는 것도 가능하다.In addition, the portion between the horizontal portion 26 and the inclined portion 34, and the portion between the upper target surface 32 and the inclined portion 34, these R portions, the angle is 45 degrees or less, the length is 0. It is also possible to use a combination of straight lines of 1 mm or more (C 0.1 mm or more) and a group of straight lines that continuously change.

도 5는, 본 발명의 스퍼터링 타겟의 제3 실시예를 나타낸 도 3과 같은 부분 확대 단면도이다.FIG. 5 is a partially enlarged cross-sectional view as in FIG. 3 showing a third embodiment of the sputtering target of the present invention. FIG.

이 실시예의 스퍼터링 타겟은, 도 1에 나타낸 스퍼터링 타겟(10)과 기본적으로는 동일한 구성이며, 동일한 구성 부재에는 동일한 참조 번호를 부여하여, 그 상세한 설명을 생략한다.The sputtering target of this embodiment is basically the same structure as the sputtering target 10 shown in FIG. 1, the same structural member is attached | subjected, and the detailed description is abbreviate | omitted.

이 실시예의 스퍼터링 타겟(10)에서는, 분할 타겟재 중, 서로 인접하는 두께가 상이한 단부 분할 타겟재(18)과 중앙 분할 타겟재(20)의 인접 부분(24, 36)의 코너 각부(44, 46)에, 에지 처리가 행해져 있다.In the sputtering target 10 of this embodiment, the corner angle portions 44 of the end split target material 18 and the adjacent portions 24 and 36 of the center split target material 20 having different thicknesses adjacent to each other among the split target materials. 46), edge processing is performed.

이와 같이 구성함으로써, 분할 타겟재(18, 20)의 인접 부분(24, 36)의 코너 각부(44, 46)에, 에지 처리가 행해지고 있으므로, 이 부분에 에지 부분이 존재하지 않게 되므로, 이 부분에서의 아크의 발생을 보다 효과적으로 방지할 수 있다.In this configuration, since edge processing is performed on the corner corner portions 44 and 46 of the adjacent portions 24 and 36 of the divided target materials 18 and 20, the edge portion does not exist in this portion, so this portion It is possible to more effectively prevent the occurrence of arcs in the.

이 경우, 에지 처리로서는, R 0.1mm~ 5mm의 R면 처리인 것이 바람직하다.In this case, it is preferable that it is R surface treatment of R 0.1 mm-5 mm as an edge process.

이와 같이 에지 처리로서, R 0.1mm~ 5mm의 R면 처리로 함으로써, 분할 타겟재(18, 20)의 인접 부분(24, 36)의 코너 각부(44, 46)가 보다 스무스한 곡선 형상을 이루게 되어, 분할 타겟재(18, 20)의 인접 부분(24, 36)의 코너 각부(44, 46)에 에지 부분이 존재하지 않게 되므로, 이 부분에서의 아크의 발생을 보다 효과적으로 방지할 수 있다.In this manner, as the edge treatment, the R surface treatment of R 0.1 mm to 5 mm allows corner corners 44 and 46 of the adjacent portions 24 and 36 of the split target material 18 and 20 to have a smoother curved shape. Thus, the edge portion does not exist in the corner corner portions 44 and 46 of the adjacent portions 24 and 36 of the split target material 18 and 20, so that the generation of arcs in this portion can be prevented more effectively.

또, 에지 처리로서, C 0.1mm~ 5mm의 C면 처리인 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that it is C surface treatment of C 0.1 mm-5 mm as an edge process.

이와 같이 구성함으로써, 예각인 에지가 없어져, 아크의 발생을 보다 효과적으로 방지할 수 있다.By configuring in this way, an acute edge is eliminated and generation | occurrence | production of an arc can be prevented more effectively.

그리고, 이 경우에도, 상기의 제2 실시예와 같이, 수평 부분(26)과 경사 부분(34) 사이의 부분, 및 상부 타겟면(32)과 경사 부분(34) 사이의 부분을, R부분,각도가 45˚ 이하이며, 길이가 0.1mm 이상의 직선(C 0.1mm 이상), 연속적으로 변화하는 직선군을 조합하여 사용하는 것도 가능하다.Also in this case, the portion between the horizontal portion 26 and the inclined portion 34, and the portion between the upper target surface 32 and the inclined portion 34, as in the second embodiment, are R portions. It is also possible to use a combination of a straight line group having an angle of 45 ° or less, a length of 0.1 mm or more (C 0.1 mm or more) and a continuously changing straight line.

[실시예1]Example 1

도 3에 나타낸 것처럼, 폭 127mm×길이 406.4mm의 직사각형의 ITO 타겟재(산화 인듐·산화 주석 타겟재, SnO2=(1O.Owt%, 상대 밀도 99% 이상)의 양단의 길이 1/3를 각각 , 두께 10mm의 단부 분할 타겟재(18, 18)로 하고, 나머지 1/3의 길이를, 두께 5mm의 중앙 분할 타겟재(20)로 되도록 제작했다.As shown in Fig. 3, the length 1/3 of both ends of a rectangular ITO target material (indium oxide / tin oxide target material, SnO 2 = (10.Owt%, relative density of 99% or more) having a width of 127 mm × length of 406.4 mm Each was made into the edge part division target materials 18 and 18 of thickness 10mm, respectively, and the remaining 1/3 length was produced so that it might become the center division target material 20 of thickness 5mm.

도 3에 나타낸 것처럼, 10mm두께의 단부 분할 타겟재(18)의 인접 부분(분할부)(24)에, 폭W가 5mm의 수평 부분(26)과, 경사 부분(34)을 형성했다.As shown in FIG. 3, the horizontal part 26 and the inclined part 34 of width 5mm were formed in the adjacent part (dividing part) 24 of the 10-mm-thick end division target material 18. As shown in FIG.

이 경사 부분(34)은, 경사 부분(34)과 수평 부분(26)의 이루는 각도 α가, 60˚, 45˚, 30˚로 되도록, 연마 가공을 행하여 경사 부분(34)을 제작했다.The inclined portion 34 was polished so that the angle α formed between the inclined portion 34 and the horizontal portion 26 was 60 degrees, 45 degrees, and 30 degrees to produce the inclined portion 34.

그리고, 무산소 동제 배킹 플레이트(12)(150mm×440mm×두께 7mm)를, 미리 핫 플레이트 상에서 가열하여, 저융점 핸더(순In)(99.9%~ 99.99%정도의 순도)로 이루어지는 본딩재(14)를 용해했다.And the bonding material 14 which consists of an oxygen free copper backing plate 12 (150 mm x 440 mm x thickness 7 mm) previously heated on a hot plate, and consists of a low melting | fusing point hand (pure In) (purity of about 99.9%-about 99.99%). Dissolved.

이어서, 미리 서서히 가열한 이들 분할 타겟재(18, 20)을 사용하여, 개재물을 말려들게 하지 않게 주의하면서 배킹 플레이트(12)의 소정 위치에 분할 간격 0.4mm로 되도록 탑재하여 가압하고, 냉풍을 배킹 플레이트(12)의 배면 측으로부터 냉각함으로써 접합하여, 본 발명의 스퍼터링 타겟을 제작했다.Subsequently, using these division target materials 18 and 20 which were heated gradually beforehand, it mounts and presses to predetermined position of the backing plate 12 so that it may become 0.4 mm, and is careful not to roll up an interference | inclusion, and backs a cold air. It joined by cooling from the back side of the plate 12, and produced the sputtering target of this invention.

또, 비교예로서, 수평 부분을 형성하지 않고, 도 8에 나타낸 것처럼,경사부(206)로서, 경사 부분(34)과 마찬가지로 하여, 각도 α가 45˚로 되도록 제작한 이외는 마찬가지로 하여, 종래의 스퍼터링 타겟(200)을 제작했다.In addition, as a comparative example, as shown in FIG. 8, without forming a horizontal portion, as in the inclined portion 206, the same as the inclined portion 34, except that the angle α is made to be 45 °, The sputtering target 200 of was produced.

이들의 스퍼터링 타겟에 대하여, 아크 카운터(랜드 마크 테크놀로지 사제)에 의해, 아크의 발생 회수를 모니터링 하였다.About these sputtering targets, the number of generation | occurrence | production of an arc was monitored by the arc counter (made by the landmark technology company).

스퍼터 조건으로서는, 아래와 같은 조건으로 행하였다.As sputter | spatter conditions, it performed on the following conditions.

프로세스 압력= 3m Torr(Ar)Process pressure = 3m Torr (Ar)

투입 전력량= 1.2W/cm2 Input power = 1.2 W / cm 2

스퍼터 시간= 40시간Sputter time = 40 hours

성막 온도= 실온Deposition temperature = room temperature

그 결과를 아래와 같은 표 1에 나타냈다. 표 1로부터 명백한 바와 같이, 종래의 스퍼터링 타겟(200)과 비교하여, 본 발명의 스퍼터링 타겟(10)은, 아크의 발생 회수도 적었다. 특히, 경사 부분(34)과 수평 부분(26)과의 이루는 각도 α가 45˚ 이하인 것이, 아크의 발생 회수가 적고 양호했다.The results are shown in Table 1 below. As apparent from Table 1, compared with the conventional sputtering target 200, the sputtering target 10 of the present invention also had fewer arc generation times. In particular, it was favorable that the incidence angle α formed between the inclined portion 34 and the horizontal portion 26 was 45 degrees or less, and the number of occurrences of arc was small.

[실시예 2]Example 2

수평 부분(26)의 폭W를, 0.5mm, 1mm로 하고, 경사 부분(34)과 수평 부분(26)과의 이루는 각도 α가 45˚로 한 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 본 발명의 스퍼터링 타겟(10)을 제작했다.The width W of the horizontal portion 26 is set to 0.5 mm and 1 mm, and the same as in Example 1 except that the angle α formed between the inclined portion 34 and the horizontal portion 26 is 45 °. The sputtering target 10 was produced.

이들의 본 발명의 스퍼터링 타겟(10)에 대해, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 아크 카운터에 의해, 아크의 발생 회수를 모니터링 했다.About the sputtering target 10 of these this invention, it carried out similarly to Example 1, and monitored the number of generation | occurrence | production of an arc with an arc counter.

그 결과를 아래와 같은 표 1에 나타냈다. 표 1로부터 명백한 바와 같이, 수평 부분(26)의 폭W가, 1.0mm 이상이면, 아크의 발생 회수가 적고 양호했다.The results are shown in Table 1 below. As apparent from Table 1, when the width W of the horizontal portion 26 was 1.0 mm or more, the number of occurrences of arc was small and good.

[실시예 3]Example 3

도 4의 실시예와 같이, 수평 부분(26)과 경사 부분(34) 사이의 부분에 R부분(40), 상부 타겟면(32)과 경사 부분(34) 사이의 부분에 R부분(42)을 형성하는 동시에, 경사 부분(34)과 수평 부분(26)과의 이루는 각도 α를 45˚로 한 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 본 발명의 스퍼터링 타겟(10)을 제작했다.As in the embodiment of FIG. 4, the R portion 40 in the portion between the horizontal portion 26 and the inclined portion 34, the R portion 42 in the portion between the upper target surface 32 and the inclined portion 34. The sputtering target 10 of the present invention was produced in the same manner as in Example 1 except that the angle α formed between the inclined portion 34 and the horizontal portion 26 was 45 °.

그리고, 이들의 R부분(40, 42)에 대해, R 0.1mm, R 5mm로 한 스퍼터링 타겟(10)을 제작했다.And about these R part 40 and 42, the sputtering target 10 which made R 0.1 mm and R 5 mm was produced.

이들 본 발명의 스퍼터링 타겟(10)에 대해, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 아크 카운터에 의해, 아크의 발생 회수를 모니터링 했다.About the sputtering target 10 of these this invention, it carried out similarly to Example 1, and monitored the generation | occurrence | production frequency of an arc with an arc counter.

그 결과를 하기의 표 1에 나타냈다. 표 1로부터 명백한 바와 같이, R부분(40, 42)의 R이 R 0.1mm 이상이면, 아크의 발생 회수가 적고 양호했다.The results are shown in Table 1 below. As apparent from Table 1, when R of the R portions 40 and 42 was R 0.1 mm or more, the number of occurrences of arc was small and good.

[실시예 4]Example 4

도 5의 실시예와 같이, 분할 타겟재(18, 20)의 인접 부분(24, 36)의 코너 각부(44, 46)에, R을 부여하는 에지 처리를 행하는 것과 동시에, 경사 부분(34)과 수평 부분(26)과의 이루는 각도 α가 45˚로 한 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 본 발명의 스퍼터링 타겟(10)을 제작했다.As in the embodiment of FIG. 5, the edge portions 44 and 46 of the corner portions 44 and 46 of the adjacent portions 24 and 36 of the divided target materials 18 and 20 are subjected to the edge treatment of giving R, and the inclined portion 34 is provided. And sputtering target 10 of the present invention were produced in the same manner as in Example 1 except that the angle α formed by the horizontal portion 26 was 45 °.

그리고, 이들 R부분의 R을, R 0.1mm, R 2mm으로 한 스퍼터링 타겟(10)을 제작했다.And the sputtering target 10 which made R of these R parts into R 0.1 mm and R 2 mm was produced.

이들 본 발명의 스퍼터링 타겟(10)에 대해, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 아크 카운터에 의해, 아크의 발생 회수를 모니터링 했다.About the sputtering target 10 of these this invention, it carried out similarly to Example 1, and monitored the generation | occurrence | production frequency of an arc with an arc counter.

그 결과를 아래와 같은 표 1에 나타냈다. 표 1로부터 명백한 바와 같이, 분할 타겟재(18, 20)의 인접 부분(24, 36)의 코너 각부(44, 46)의 R부분의 R이, R 0.1mm로부터 1Omm이면, 아크의 발생 회수가 적고 양호했다.The results are shown in Table 1 below. As apparent from Table 1, when the R of the R portion of the corner portions 44 and 46 of the adjacent portions 24 and 36 of the split target material 18 and 20 is R from 0.1 mm to 10 mm, the number of occurrences of the arc is It was little and good.

[표 1]TABLE 1

그리고, 상기의 실시예에서는, 수평 부분(26)을 수평으로 하였으나, 서서히 하강하는 완만한 경사면으로 하는 것도 물론 가능하다.Incidentally, in the above embodiment, the horizontal portion 26 is made horizontal, but of course, it is also possible to set it as a gentle inclined surface which gradually descends.

또, 상기 실시예에서는, 배킹 플레이트(12)의 상면이 평탄한 실시예에 대하여 설명했지만, 단부 분할 타겟재(18)의 수평 부분(26)과 중앙부 분할 타겟재(20)의 상면이 같은 높이가 되면 되고, 배킹 플레이트(12)의 두께가, 단부 분할 타겟재(18)와 중앙부 분할 타겟재(20)의 부분에서 높이가 상이하도록(단차가 있도록) 하는 것도 가능하다.Moreover, in the said Example, although the Example where the upper surface of the backing plate 12 was flat was demonstrated, the same height as the upper surface of the horizontal part 26 of the edge part division target material 18 and the center part division target material 20 is the same. It is also possible to make the thickness of the backing plate 12 differ so that height may differ in the part of the edge part division target material 18 and the center part division target material 20 (there exists a step).

이상, 본 발명의 바람직한 실시예를 설명했지만, 본 발명은 이것으로 한정되지 않고, 예를 들면, 상기의 실시예에서는, 직사각형의 타겟재에 대하여 설명했지만, 원반 형상의 타겟재의 경우에도 적용할 수 있는 등 본 발명의 목적을 일탈하지 않는 범위에서 여러 가지의 변경이 가능하다.As mentioned above, although preferred embodiment of this invention was described, this invention is not limited to this, For example, in the said Example, although the rectangular target material was demonstrated, it is applicable also in the case of a disk shaped target material. Various modifications are possible without departing from the object of the present invention.

본 발명에 의하면, 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 인접 부분에, 두께가 얇은 분할 타겟재의 두께와 대략 동일한 두께를 가지는 수평 부분을 형성함으로써, 이 수평 부분이 존재함으로, 두께가 두꺼운 쪽의 경사가, 타겟 분할부로부터 이간됨으로써, 방전이 안정되어, 아크가 발생하지 않아, 그 결과, 안정되게 성막하는 것이 가능하다.According to the present invention, a horizontal portion having a thickness approximately equal to the thickness of the thinner divided target material is formed in an adjacent portion of the divided target material having a thicker thickness, whereby the horizontal portion is present, whereby the inclination of the thicker one is increased. By separating from the target division part, the discharge is stabilized and no arc is generated. As a result, the film can be formed stably.

또한, 수평 부분으로부터 상부 타겟면에 연속하는 경사 부분을 형성되어 있으므로, 인접 부분에서의 단차가 없어지므로, 경사면에 입자가 부착되지 않고, 노듈이 발생하지 않아, 파티클에 의한 기판 등의 품질의 열화를 초래하지 않는다.In addition, since the inclined portion continuous from the horizontal portion to the upper target surface is formed, there is no step in the adjacent portion, so that no particles adhere to the inclined surface, no nodule is generated, and deterioration of the quality of the substrate or the like due to particles. Does not cause.

또, 본 발명에 의하면, 수평 부분과 경사 부분 사이의 부분, 상부 타겟면과 경사 부분 사이의, 양쪽 또는 어느 한쪽이, R부분, 각도가 45°이하이며, 길이가 O.1mm 이상의 직선(C O.1mm 이상), 또는, 연속적으로 변화하는 직선군에 의해 형성되어 있으므로, 보다 스무스한 곡선 형상을 이루게 되고, 상부 타겟면과 경사 부분 사이에 예각인 에지 부분이 존재하지 않게 되므로, 이 부분에서의 아크의 발생을 보다 효과적으로 방지할 수 있다.Further, according to the present invention, a portion between the horizontal portion and the inclined portion, both or one of the upper target surface and the inclined portion, the R portion, the angle is 45 degrees or less, and the straight line C having a length of 0.1 mm or more. 0.1 mm or more), or because it is formed by a group of straight lines that are continuously changing, this results in a smoother curved shape and no sharp edge portion exists between the upper target surface and the inclined portion. The generation of arcs can be prevented more effectively.

또한, 본 발명에 의하면, 분할 타겟재의 인접부의 코너 각부에, 에지 처리가 행해져 있어, 이 부분에 에지 부분이 존재하지 않게 되므로, 이 부분에서의 아크의 발생을 보다 효과적으로 방지할 수 있는 등의 현저하고 특유한 작용 효과를 얻을 수 있는 극히 우수한 발명이다.Further, according to the present invention, edge processing is performed at corner portions of adjacent portions of the split target material, and the edge portion does not exist in this portion, so that the occurrence of arcs in this portion can be prevented more effectively. It is an extremely excellent invention that can achieve a distinctive effect.

Claims (34)

복수의 분할 타겟재로 구성되는 타겟재와 배킹(backing) 플레이트를 본딩재를 통하여 접합하는 스퍼터링 타겟으로서,As a sputtering target which joins the target material which consists of a several split target material, and a backing plate through a bonding material, 상기 분할 타겟재 중 서로 인접하는 두께가 상이한 분할 타겟재의 인접부에 있어서, 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 인접 부분에는 두께가 얇은 분할 타겟재의 두께와 대략 동일한 두께를 가지는 수평 부분을 형성하는 동시에, 상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재에는 상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 수평 부분으로부터 상부 타겟면에 연속되는 경사 부분을 형성하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟.In the adjacent portions of the divided target materials having different thicknesses adjacent to each other among the divided target materials, a horizontal portion having a thickness substantially equal to the thickness of the thinner divided target material is formed in the adjacent portions of the divided target materials with the thicker thicknesses, The sputtering target characterized by forming the inclined part which continues in the upper target surface from the horizontal part of the said split thickness target material in the thicker thickness division target material. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 수평 부분의 폭은 1mm 이상인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟.The width | variety of the horizontal part of the division | segmentation target material of the thicker side is 1 mm or more, The sputtering target characterized by the above-mentioned. 제1항 또는 제2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 경사 부분과 수평 부분이 이루는 각도는 45˚ 이하인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟.A sputtering target, wherein the angle formed by the inclined portion and the horizontal portion of the divided target material having the thicker thickness is 45 degrees or less. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 3, 상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 수평 부분과 경사 부분 사이의 부분에는 R부분이 형성되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟.A sputtering target, wherein an R portion is formed in a portion between the horizontal portion and the inclined portion of the split target material having the thicker side. 제4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 수평 부분과 경사 부분 사이에 형성되는 R부분은 R 0.1mm 이상인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟.A sputtering target, wherein the R portion formed between the horizontal portion and the inclined portion of the divided target material having the thicker thickness is R 0.1 mm or more. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 5, 상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 상부 타겟면과 경사 부분 사이의 부분에는 R부분이 형성되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟.A sputtering target, wherein an R portion is formed in a portion between the upper target surface and the inclined portion of the split target material having the thicker side. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 상부 타겟면과 경사 부분 사이에 형성되는 R부분은 R 0.1mm 이상인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟.A sputtering target, wherein an R portion formed between the upper target surface and the inclined portion of the divided target material having the thicker thickness is R 0.1 mm or more. 제1항 내지 제3항, 제6항 및 제7항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 3, 6 and 7, 상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 수평 부분과 경사 부분 사이의 부분은 상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 수평 부분이 이루는 각도가 45˚ 이하이며, 길이가 0.1mm 이상의 직선(C 0.1mm 이상)에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟.The portion between the horizontal portion and the inclined portion of the thicker divided target material has an angle formed by the horizontal portion of the thicker divided target material of 45 degrees or less, and a straight line having a length of 0.1 mm or more (C 0.1 mm or more). A sputtering target, characterized in that formed by. 제1항 내지 제5항 및 제8항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 5 and 8, 상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 상부 타겟면과 경사 부분 사이의 부분은 상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 상부 타겟면이 이루는 각도가 45˚ 이하이며, 길이가 0.1mm 이상의 직선(C 0.1mm 이상)에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟.The portion between the upper target surface and the inclined portion of the divided target material of the thicker side has an angle formed by the upper target surface of the divided target material of the thicker side of 45 ° or less, and has a straight line of 0.1 mm or more in length (C 0.1 mm or more). The sputtering target characterized by the above). 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 9, 상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 수평 부분과 경사 부분 사이의 부분은 연속적으로 변화하는 직선군(直線群)에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟.A sputtering target, wherein the portion between the horizontal portion and the inclined portion of the divided target material having the thicker thickness is formed by a group of straight lines that continuously change. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 10, 상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 상부 타겟면과 경사 부분 사이의 부분은 연속적으로 변화하는 직선군에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟.A sputtering target, wherein the portion between the upper target surface and the inclined portion of the divided target material having the thicker thickness is formed by a group of straight lines that continuously change. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 11, 상기 분할 타겟재 중 서로 인접하는 두께가 상이한 분할 타겟재의 인접부의 코너 각부에는 에지 처리가 행해지는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟.A sputtering target, wherein edge treatment is performed at corner portions of adjacent portions of the divided target materials having different thicknesses adjacent to each other among the divided target materials. 제12항에 있어서,The method of claim 12, 상기 에지 처리는 R 0.1mm ~ 5mm의 R면 처리인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟.The edge treatment is a sputtering target, characterized in that the R surface treatment of R 0.1mm ~ 5mm. 제12항에 있어서,The method of claim 12, 상기 에지 처리는 C 0.1mm ~ 5mm의 C면 처리인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟.The edge treatment is a sputtering target, characterized in that the C surface treatment of C 0.1mm ~ 5mm. 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 14, 상기 분할 타겟재의 서로 인접하는 인접부 간에는 간극이 형성되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟.A sputtering target, characterized in that a gap is formed between adjacent portions of the split target material. 제15항에 있어서,The method of claim 15, 상기 분할 타겟재의 인접부 간의 간극은 0.05mm ~ 0.7mm의 간극인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟.The gap between adjacent portions of the split target material is a sputtering target, characterized in that the gap of 0.05mm ~ 0.7mm. 제1항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 16, 상기 타겟재는 In 또는 Sn을 주성분으로 하는 금속 산화물인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟.The target material is a sputtering target, which is a metal oxide containing In or Sn as a main component. 복수의 분할 타겟재로 구성되는 타겟재와 배킹 플레이트를 본딩재를 통하여 접합하는 스퍼터링 타겟의 제조 방법으로서,As a manufacturing method of the sputtering target which joins the target material and backing plate which consist of a several split target material through a bonding material, 상기 분할 타겟재 중 서로 인접하는 두께가 상이한 분할 타겟재의 인접부에 있어서, 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 인접 부분에는 두께가 얇은 분할 타겟재의 두께와 대략 동일한 두께를 가지는 수평 부분을 형성하는 동시에, 상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재에는 상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 수평 부분으로부터 상부 타겟면에 연속되는 경사 부분을 형성하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟의 제조 방법.In the adjacent portions of the divided target materials having different thicknesses adjacent to each other among the divided target materials, a horizontal portion having a thickness substantially equal to the thickness of the thinner divided target material is formed in the adjacent portions of the divided target materials with the thicker thicknesses, And a slanted portion that is continuous from the horizontal portion of the thicker divided target material to the upper target surface is formed on the thicker divided target material. 제18항에 있어서,The method of claim 18, 상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 수평 부분의 폭은 1mm 이상인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟의 제조 방법.The width | variety of the horizontal part of the division | segmentation target material of the thicker one is 1 mm or more, The manufacturing method of the sputtering target characterized by the above-mentioned. 제18항 또는 제19항에 있어서,The method of claim 18 or 19, 상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 경사 부분과 수평 부분이 이루는 각도는 45˚ 이하인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟의 제조 방법.An angle formed by the inclined portion and the horizontal portion of the divided target material in the thicker side is 45 ° or less, characterized in that the sputtering target manufacturing method. 제18항 내지 제20항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 18 to 20, 상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 수평 부분과 경사 부분 사이의 부분에는 R부분이 형성되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟의 제조 방법.The R part is formed in the part between the horizontal part and the inclined part of the said division | segmentation target material of thicker thickness, The manufacturing method of the sputtering target characterized by the above-mentioned. 제21항에 있어서,The method of claim 21, 상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 수평 부분과 경사 부분 사이에 형성되는 R부분은 R 0.1mm 이상인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟의 제조 방법.The R portion formed between the horizontal portion and the inclined portion of the divided target material having a thicker thickness is R 0.1 mm or more. 제18항 내지 제22항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 18 to 22, 상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 상부 타겟면과 경사 부분 사이의 부분에는 R부분이 형성되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟의 제조 방법.The R part is formed in the part between the upper target surface and the inclined part of the divided target material of the thicker one, and the thickness is greater. 제23항에 있어서,The method of claim 23, wherein 상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 상부 타겟면과 경사 부분 사이에 형성되는 R부분은 R 0.1mm 이상인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟의 제조 방법.The R portion formed between the upper target surface and the inclined portion of the divided target material having the thicker thickness is R 0.1 mm or more. 제18항 내지 제20항, 제23항 및 제24항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 18 to 20, 23 and 24, 상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 수평 부분과 경사 부분 사이의 부분은 상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 수평 부분이 이루는 각도가 45˚ 이하이며, 길이가 0.1mm 이상의 직선(C 0.1mm 이상)에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟의 제조 방법.The portion between the horizontal portion and the inclined portion of the thicker divided target material has an angle formed by the horizontal portion of the thicker divided target material of 45 degrees or less, and a straight line having a length of 0.1 mm or more (C 0.1 mm or more). It is formed by the manufacturing method of the sputtering target characterized by the above-mentioned. 제18항 내지 제22항 및 제25항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 18 to 22 and 25, 상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 상부 타겟면과 경사 부분 사이의 부분은 상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 상부 타겟면이 이루는 각도가 45˚ 이하이며, 길이가 0.1mm 이상의 직선(C 0.1mm 이상)에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟의 제조 방법.The portion between the upper target surface and the inclined portion of the divided target material of the thicker side has an angle formed by the upper target surface of the divided target material of the thicker side of 45 ° or less, and has a straight line of 0.1 mm or more in length (C 0.1 mm or more). The method of manufacturing a sputtering target characterized by the above). 제18항 내지 제26항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 18 to 26, 상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 수평 부분과 경사 부분 사이의 부분은 연속적으로 변화하는 직선군에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟의 제조 방법.A portion between the horizontal portion and the inclined portion of the divided target material having a thicker thickness is formed by a group of straight lines that change continuously. 제18항 내지 제27항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 18 to 27, 상기 두께가 두꺼운 쪽의 분할 타겟재의 상부 타겟면과 경사 부분 사이의 부분은 연속적으로 변화하는 직선군에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟의 제조 방법.A portion between the upper target surface and the inclined portion of the split target material having the thicker thickness is formed by a linear group that continuously changes. 제18항 내지 제28항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 18 to 28, 상기 분할 타겟재 중 서로 인접하는 두께가 상이한 분할 타겟재의 인접부의 코너 각부에는 에지 처리가 행해지는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟의 제조 방법.An edge treatment is performed at corner corners of adjacent portions of the divided target materials having different thicknesses adjacent to each other among the divided target materials. 제29항에 있어서,The method of claim 29, 상기 에지 처리는 R 0.1mm ~ 5mm의 R면 처리인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟의 제조 방법.The edge treatment is an R surface treatment of R 0.1 mm to 5 mm. 제29항에 있어서,The method of claim 29, 상기 에지 처리는 C 0.1mm ~ 5mm의 C면 처리인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟의 제조 방법.The edge treatment is a C surface treatment of C 0.1mm ~ 5mm, the manufacturing method of the sputtering target. 제18항 내지 제31항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 18 to 31, 상기 분할 타겟재의 서로 인접하는 인접부 간에는 간극이 형성되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟의 제조 방법.A gap is formed between adjacent portions of the split target material adjacent to each other. 제32항에 있어서,33. The method of claim 32, 상기 분할 타겟재의 인접부 간의 간극은 0.05mm ~ 0.7mm의 간극인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟의 제조 방법.A gap between adjacent portions of the split target material is a gap of 0.05 mm to 0.7 mm. 제18항 내지 제33항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 18 to 33, 상기 타겟재는 In 또는 Sn을 주성분으로 하는 금속 산화물인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟의 제조 방법.The said target material is a metal oxide which has In or Sn as a main component, The manufacturing method of the sputtering target characterized by the above-mentioned.
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