KR20040018746A - 게인이 증가하는 주파수 대역의 변화가 가능한 저잡음 증폭기 - Google Patents
게인이 증가하는 주파수 대역의 변화가 가능한 저잡음 증폭기 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20040018746A KR20040018746A KR1020020050713A KR20020050713A KR20040018746A KR 20040018746 A KR20040018746 A KR 20040018746A KR 1020020050713 A KR1020020050713 A KR 1020020050713A KR 20020050713 A KR20020050713 A KR 20020050713A KR 20040018746 A KR20040018746 A KR 20040018746A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- gain
- noise amplifier
- low noise
- frequency band
- amplifying transistor
- Prior art date
Links
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 17
- 230000003321 amplification Effects 0.000 abstract description 9
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 abstract description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G3/00—Gain control in amplifiers or frequency changers
- H03G3/20—Automatic control
- H03G3/30—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices
- H03G3/3036—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in high-frequency amplifiers or in frequency-changers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/26—Modifications of amplifiers to reduce influence of noise generated by amplifying elements
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/193—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/294—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a low noise amplifier [LNA]
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/451—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
Abstract
본 발명은 게인이 증가하는 주파수 대역의 변화가 가능한 저잡음 증폭기에 관한 것으로, 상세하게는 증폭용 트랜지스터와, 상기 증폭용 트랜지스터의 베이스에 연결되어 입력되는 RF 신호중 직류 성분의 신호를 차단하는 제 1콘덴서와, 상기 증폭용 트랜지스터의 컬렉터에 연결되어 이로부터 출력되는 RF 신호중 직류 성분의 신호를 차단하는 제 2콘덴서와, 상기 증폭용 트랜지스터의 에미터에 연결되는 접지 저항을 포함하는 튜너의 저잡음 증폭기에 있어서, 상기 접지 저항과 증폭용 트랜지스터의 에미터 사이에 연결되어 외부로부터 입력되는 제어 전압에 따라 용량값이 가변되어 상기 저잡음 증폭기의 게인이 증가하는 주파수 대역이 변화시키는 용량값 가변수단과, 상기 증폭용 트랜지스터의 컬렉터와 베이스에 연결되어 상기 증폭용 트랜지스터의 게인이 전 주파수 밴드내에서 일정한 출력을 갖도록 하는 피드백 회로를 포함하는 것을 특징으로 한다.
따라서 상기와 같이 구성된 본 발명에 따르면, 외부의 제어 전압의 크기에 따라 용량값의 변화가 가능한 용량값 가변용 트랜지스터를 삽입함으로써 용량값 변화에 따라 게인이 증가하는 주파수 대역이 변화할 수 있다.
Description
본 발명은 저잡음 증폭기에 관한 것으로, 상세하게는 용량값 변화에 따라 게인이 증가하는 주파수 대역이 변화할 수 있도록 외부의 제어 전압의 크기에 따라용량값의 변화가 가능한 용량값 가변용 트랜지스터를 삽입하는 게인이 증가하는 주파수 대역의 변화가 가능한 저잡음 증폭기에 관한 것이다.
일반적으로 RF 수신단에서 수신된 전력은 감쇄 및 잡음의 영향으로 인해 매우 낮은 전력레벨을 갖고 있기 때문에 반드시 증폭이 필요한 데, 이미 외부에서 많은 잡음을 포함해서 날아온 신호이기 때문에 무엇보다도 잡음을 최소화하는 증폭 기능이 필요하다.
저잡음 증폭기(LNA : Low Noise Amplifier)는 NF(잡음지수)가 낮도록 동작점과 매칭포인트를 잡아서 설계된 증폭기이다.
이러한 저잡음 증폭기는 도 1에 도시된 바와 같이 증폭용 트랜지스터(Q1)와, 증폭용 트랜지스터(Q1)의 베이스에 연결되어 입력되는 RF 신호중 직류 성분의 신호를 차단하는 제 1콘덴서(C1)와, 증폭용 트랜지스터(Q1)의 컬렉터에 연결되어 이로부터 출력되는 RF 신호중 직류 성분의 신호를 차단하는 제 2콘덴서(C2)와, 증폭용 트랜지스터(Q1)의 에미터에 연결되는 접지 저항(R1)과, 접지 저항(R1)과 증폭용 트랜지스터(Q1)의 에미터 사이에 연결되어 용량값에 따라 특정 주파수 대역의 게인을 증가시키는 제 3콘덴서(C3)로 이루어진다. 여기에서 도면중 미설명 부호 R2는 증폭용 트랜지스터(Q1)의 베이스와 컬렉터 사이에 연결된 전류 제한 저항이다.
그러나 이러한 종래의 저잡음 증폭기는 제 3콘덴서(C3)의 용량값에 따라서 특정 주파수 대역의 게인이 증가하기 때문에 도 2에 도시된 바와 같이 용량값이 고정되면 특정 주파수(f1)에서만 게인이 증가하여 이득편차가 없는 특성을 구현하기가 어려운 문제점이 있다.
따라서 본 발명의 목적은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 외부의 제어 전압의 크기에 따라 용량값의 변화가 가능한 용량값 가변용 트랜지스터를 삽입함으로써 용량값 변화에 따라 게인이 증가하는 주파수 대역이 변화할 수 있도록 하는데 있다.
도 1은 종래의 저잡음 증폭기의 구성을 개략적으로 나타낸 블록도
도 2는 종래의 저잡음 증폭기의 이득/주파수 특성을 나타낸 그래프
도 3은 본 발명에 따른 게인이 증가하는 주파수 대역의 변화가 가능한 저잡음 증폭기의 구성을 개략적으로 나타낸 블록도
도 4는 본 발명에 따른 게인이 증가하는 주파수 대역의 변화가 가능한 저잡음 증폭기의 이득/주파수 특성을 나타낸 그래프
<도면중 주요부분에 대한 부호의 설명>
110 : 피드백 회로C1~C3 : 제 1~3콘덴서
R1 : 접저 저항Q1 : 증폭용 트랜지스터
Q2 : 용량값 가변용 트랜지스터
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징은,
증폭용 트랜지스터와, 상기 증폭용 트랜지스터의 베이스에 연결되어 입력되는 RF 신호중 직류 성분의 신호를 차단하는 제 1콘덴서와, 상기 증폭용 트랜지스터의 컬렉터에 연결되어 이로부터 출력되는 RF 신호중 직류 성분의 신호를 차단하는 제 2콘덴서와, 상기 증폭용 트랜지스터의 에미터에 연결되는 접지 저항을 포함하는 튜너의 저잡음 증폭기에 있어서,
상기 접지 저항과 증폭용 트랜지스터의 에미터 사이에 연결되어 외부로부터 입력되는 제어 전압에 따라 용량값이 가변되어 상기 저잡음 증폭기의 게인이 증가하는 주파수 대역이 변화시키는 용량값 가변수단과,
상기 증폭용 트랜지스터의 컬렉터와 베이스에 연결되어 상기 증폭용 트랜지스터의 게인이 전 주파수 밴드내에서 일정한 출력을 갖도록 하는 피드백 회로를 포함하는 것을 특징으로 한다.
여기에서 상기 용량값 가변수단은,
상기 접지 저항과 증폭용 트랜지스터의 에미터 사이에 에미터가 연결되고,외부의 제어 단자에 베이스가 연결되며, 에미터가 오픈되는 용량값 가변용 트랜지스터이다.
여기에서 또한 상기 용량값 가변용 트랜지스터의 베이스로 입력되는 전압은,
상기 튜너 내부의 OSC의 튜닝 전압이다.
여기에서 또 상기 피드백 회로는,
저항과, 코일과, 콘덴서가 직렬 연결되는 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명에 의한 게인이 증가하는 주파수 대역의 변화가 가능한 저잡음 증폭기의 구성을 도 3을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다. 도 3에 있어서 도 1에 나타낸 저잡음 증폭기와 동일 부분에 대해서는 도 1과 동일한 부호를 부여한다.
도 3은 본 발명에 따른 게인이 증가하는 주파수 대역의 변화가 가능한 저잡음 증폭기의 구성을 개략적으로 나타낸 블록도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 게인이 증가하는 주파수 대역의 변화가 가능한 저잡음 증폭기(100)는, 증폭용 트랜지스터(Q1)와, 증폭용 트랜지스터(Q1)의 베이스에 연결되어 입력되는 RF 신호중 직류 성분의 신호를 차단하는 제 1콘덴서(C1)와, 증폭용 트랜지스터(Q1)의 컬렉터에 연결되어 이로부터 출력되는 RF 신호중 직류 성분의 신호를 차단하는 제 2콘덴서(C2)와, 증폭용 트랜지스터(Q1)의 에미터에 연결되는 접지 저항(R1)과, 접지 저항(R1)과 증폭용 트랜지스터(Q1)의 에미터 사이에 에미터가 연결되고, 외부의 제어 단자에 베이스가 연결되며, 에미터가 오픈되어 외부로부터 입력되는 제어 전압에 따라 용량값이 가변되어 저잡음 증폭기(100)의 게인이 증가하는 주파수 대역이 변화시키는 용량값 가변용 트랜지스터(Q2)와, 증폭용 트랜지스터(Q1)의 컬렉터와 베이스에 연결되어 증폭용 트랜지스터(Q1)의 게인이 전 주파수 밴드(50~900MHz)내에서 일정한 출력을 갖도록 게인을 조절하는 피드백 회로(110)로 구성된다.
여기에서 용량값 가변용 트랜지스터(Q2)의 베이스에는 원하는 주파수 대역에서 더 큰 이득을 얻을 수 있도록 튜너 내부의 OSC(도시 생략)의 튜닝 전압이 인가된다.
여기에서 또한 피드백 회로(110)는 저항(R3)과, 코일(L1)과, 콘덴서(C4)가 직렬 연결된다. 한편 피드백 회로(110)가 없으면 높은 주파수쪽에서는 게인이 낮아서 낮은 주파수대의 게인과 차이가 심해지기 때문에 사용되고, 피드백 회로(110)가 사용됨으로써 게인은 상대적으로 떨어지지만 대역폭이 넓어져서 게인의 감소도가 줄어들게 된다.
여기에서 또 도면중 미설명 부호 R2는 증폭용 트랜지스터(Q1)의 베이스와 컬렉터 사이에 연결된 전류 제한 저항이고, L2는 게인이 출력측으로만 흐를 수 있도록 전원단(+5V)의 임피던스를 키우는 초크 코일이다.
이하 본 발명에 따른 게인이 증가하는 주파수 대역의 변화가 가능한 저잡음 증폭기의 동작을 도 3 및 도 4를 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 4는 본 발명에 따른 게인이 증가하는 주파수 대역의 변화가 가능한 저잡음 증폭기의 이득/주파수 특성을 나타낸 그래프이다.
먼저 용량값 가변용 트랜지스터(Q2)는 자체 특성상 결합 용량값을 갖게 되는데, 이의 베이스에 튜너 내부의 OSC의 튜닝 전압을 인가되면, 튜닝 전압의 크기에따라 결합 용량값이 가변된다.
이에 따라 도 4에 도시된 바와 같이 다수의 특정 주파수(f1, f2, fn)에서 게인이 변화된다.
한편 튜닝 전압 외에 사용자의 조정이 가능한 전압을 인가하여 사용자가 원하는 특정 주파수에서 게인이 변화되게 할 수도 있다.
따라서 용량값 가변용 트랜지스터의 베이스로 입력되는 전압의 크기를 조절하여 희망하는 주파수 대역에서 더 큰 이득을 얻을 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 게인이 증가하는 주파수 대역의 변화가 가능한 저잡음 증폭기에 의하면, 외부의 제어 전압의 크기에 따라 용량값의 변화가 가능한 용량값 가변용 트랜지스터를 삽입함으로써 용량값 변화에 따라 게인이 증가하는 주파수 대역이 변화할 수 있다.
Claims (4)
- 증폭용 트랜지스터와, 상기 증폭용 트랜지스터의 베이스에 연결되어 입력되는 RF 신호중 직류 성분의 신호를 차단하는 제 1콘덴서와, 상기 증폭용 트랜지스터의 컬렉터에 연결되어 이로부터 출력되는 RF 신호중 직류 성분의 신호를 차단하는 제 2콘덴서와, 상기 증폭용 트랜지스터의 에미터에 연결되는 접지 저항을 포함하는 튜너의 저잡음 증폭기에 있어서,상기 접지 저항과 증폭용 트랜지스터의 에미터 사이에 연결되어 외부로부터 입력되는 제어 전압에 따라 용량값이 가변되어 상기 저잡음 증폭기의 게인이 증가하는 주파수 대역이 변화시키는 용량값 가변수단과,상기 증폭용 트랜지스터의 컬렉터와 베이스에 연결되어 상기 증폭용 트랜지스터의 게인이 전 주파수 밴드내에서 일정한 출력을 갖도록 하는 피드백 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 게인이 증가하는 주파수 대역의 변화가 가능한 저잡음 증폭기.
- 제 1 항에 있어서,상기 용량값 가변수단은,상기 접지 저항과 증폭용 트랜지스터의 에미터 사이에 에미터가 연결되고, 외부의 제어 단자에 베이스가 연결되며, 에미터가 오픈되는 용량값 가변용 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 게인이 증가하는 주파수 대역의 변화가 가능한 저잡음증폭기.
- 제 2 항에 있어서,상기 용량값 가변용 트랜지스터의 베이스로 입력되는 전압은,상기 튜너 내부의 OSC의 튜닝 전압인 것을 특징으로 하는 게인이 증가하는 주파수 대역의 변화가 가능한 저잡음 증폭기.
- 제 1 항에 있어서,상기 피드백 회로는,저항과, 코일과, 콘덴서가 직렬 연결되는 것을 특징으로 하는 게인이 증가하는 주파수 대역의 변화가 가능한 저잡음 증폭기.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020020050713A KR20040018746A (ko) | 2002-08-27 | 2002-08-27 | 게인이 증가하는 주파수 대역의 변화가 가능한 저잡음 증폭기 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020020050713A KR20040018746A (ko) | 2002-08-27 | 2002-08-27 | 게인이 증가하는 주파수 대역의 변화가 가능한 저잡음 증폭기 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20040018746A true KR20040018746A (ko) | 2004-03-04 |
Family
ID=37323957
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020020050713A KR20040018746A (ko) | 2002-08-27 | 2002-08-27 | 게인이 증가하는 주파수 대역의 변화가 가능한 저잡음 증폭기 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20040018746A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100952666B1 (ko) * | 2008-02-01 | 2010-04-13 | (주)에프씨아이 | 커패시터 피드백을 이용한 재구성 가능 저잡음 증폭기 |
-
2002
- 2002-08-27 KR KR1020020050713A patent/KR20040018746A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100952666B1 (ko) * | 2008-02-01 | 2010-04-13 | (주)에프씨아이 | 커패시터 피드백을 이용한 재구성 가능 저잡음 증폭기 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6424222B1 (en) | Variable gain low noise amplifier for a wireless terminal | |
| JP2002344266A (ja) | 可変利得増幅器 | |
| US6630861B2 (en) | Variable gain amplifier | |
| US6239659B1 (en) | Low power gain controlled amplifier with high dynamic range | |
| US4160953A (en) | Self-oscillation mixer circuits | |
| US8467749B2 (en) | Monolithic FM-band transmit power amplifier for mobile cellular devices and method of operation thereof | |
| US8073419B2 (en) | Coherent tunable filter apparatus and wireless communication front-end circuit thereof | |
| KR100789918B1 (ko) | 광대역 저잡음 증폭기의 입력 매칭 회로 | |
| KR100985473B1 (ko) | 가변 용량 다이오드를 이용한 저잡음 증폭기 및 이의 구동 방법 | |
| US7548116B2 (en) | High-frequency circuit of reduced circuit scale | |
| KR100407492B1 (ko) | 텔레비젼튜너 | |
| KR20040018746A (ko) | 게인이 증가하는 주파수 대역의 변화가 가능한 저잡음 증폭기 | |
| KR20000061474A (ko) | 선형 이득제어 증폭기 | |
| EP1850472A1 (en) | High-frequency circuit | |
| CN111988004A (zh) | 放大电路、高频前端电路以及通信装置 | |
| US7221916B2 (en) | Signal enhancement device for phase lock loop oscillator | |
| JP2002141758A (ja) | 利得可変低雑音増幅器 | |
| KR100303309B1 (ko) | 이동통신단말기에서전류제어를통한증폭기의선형성개선장치 | |
| JP5347992B2 (ja) | 高周波増幅回路 | |
| US20230179242A1 (en) | Radio frequency device and multi-band matching circuit | |
| KR100423406B1 (ko) | 텔레비전 튜너의 고주파 증폭 스위칭회로 | |
| CN112073030A (zh) | 一种电调滤波器 | |
| JPH066249A (ja) | Ｆｍラジオ受信機 | |
| KR100190639B1 (ko) | 브이에이취에프 고주파증폭기의 바이어스공급회로 | |
| KR20040051797A (ko) | 에이지씨 이득 감쇄회로를 구비하는 튜너 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application |