KR20040017621A - 액정 표시 장치의 정전기 처리 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 이온 주입 공정을 통해 글래스 표면의 정전기를 분산시켜 정전기에 의한 패턴의 파괴를 방지한 액정 표시 장치의 정전기 처리 방법에 관한 것으로, 일정 간격을 갖고 서로 이격된 제 1 유리 기판 및 제 2 유리 기판과, 상기 제 1, 제 2 유리 기판 사이에 충진되는 액정층으로 이루어진 액정 표시 장치에 있어서, 상기 액정층에 대향되지 않는 제 1, 제 2 유리 기판 표면에 각각 이온 주입하여 정전기가 분산되도록 함을 특징으로 한다. 또한, 그 이온 주입은 상기 이온 주입은 0.1KeV 내지 100MeV의 에너지를 인가하여 진행하며, 상기 이온 주입시 분위기는 유리 기판 성분의 Si, O2와 불순물 도핑 이온의 B, P, As, BF2중 적어도 어느 하나의 혼합 기체로 하며, 상기 이온 주입의 도즈량은 단위 면적(㎠)당 1.0E05 내지 1.0E20으로 진행한다.

Description

액정 표시 장치의 정전기 처리 방법{Method for Processing Static-electricity in Liquid Crystal Display}
본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것으로 특히, 이온 주입 공정을 통해 유리 기판 표면의 정전기를 분산시켜 정전기에 의한 패턴의 파괴를 방지한 액정 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
정보화 사회가 발전함에 따라 표시 장치에 대한 요구도 다양한 형태로 점증하고 있으며, 이에 부응하여 근래에는 LCD(Liquid Crystal Display Device), PDP(Plasma Display Panel), ELD(Electro Luminescent Display), VFD(Vacuum Fluorescent Display) 등 여러 가지 평판 표시 장치가 연구되어 왔고, 일부는 이미 여러 장비에서 표시 장치로 활용되고 있다.
그 중에, 현재 화질이 우수하고 경량, 박형, 저소비 전력의 특징 및 장점으로 인하여 이동형 화상 표시 장치의 용도로 CRT(Cathode Ray Tube)을 대체하면서LCD가 가장 많이 사용되고 있으며, 노트북 컴퓨터의 모니터와 같은 이동형의 용도 이외에도 방송 신호를 수신하여 디스플레이하는 텔레비젼 및 컴퓨터의 모니터 등으로 다양하게 개발되고 있다.
이와 같은 액정 표시 장치가 여러 분야에서 화면 표시 장치로서의 역할을 하기 위해 여러 가지 기술적인 발전이 이루어졌음에도 불구하고 화면 표시 장치로서화상의 품질을 높이는 작업은 상기 특징 및 장점과 배치되는 점이 많이 있다. 따라서, 액정 표시 장치가 일반적인 화면 표시 장치로서 다양한 부분에 사용되기 위해서는 경량, 박형, 저 소비 전력의 특징을 유지하면서도 고정세, 고휘도, 대면적 등 고품위 화상을 얼마나 구현할 수 있는가에 관건이 걸려 있다고 할 수 있다.
이와 같은 액정 표시 장치는, 화상을 표시하는 액정 패널과 상기 액정 패널에 구동 신호를 인가하기 위한 구동부로 크게 구분될 수 있으며, 상기 액정 패널은 일정 공간을 갖고 합착된 제 1, 제2 유리 기판과, 상기 제 1, 제 2 유리 기판 사이에 주입된 액정층으로 구성된다.
여기서, 상기 제 1 유리 기판(TFT 어레이 유리 기판)에는 일정 간격을 갖고 일 방향으로 배열되는 복수개의 게이트 라인과, 상기 각 게이트 라인과 수직한 방향으로 일정한 간격으로 배열되는 복수개의 데이터 라인과, 상기 각 게이트 라인과 데이터 라인이 교차되어 정의된 각 화소 영역에 매트릭스 형태로 형성되는 복수개의 화소 전극과 상기 게이트 라인의 신호에 의해 스위칭되어 상기 데이터 라인의 신호를 각 화소 전극에 전달하는 복수개의 박막 트랜지스터가 형성된다.
그리고, 상기 제 2 유리 기판(칼라 필터 어레이 유리 기판)에는, 상기 화소 영역을 제외한 부분의 빛을 차단하기 위한 차광층과, 칼라 색상을 표현하기 위한 R, G, B 칼라 필터층과 화상을 구현하기 위한 공통 전극이 형성된다. 여기서, IPS(In Plane Switching) 모드의 액정 표시 장치는 상기 공통 전극이 제 1 유리 기판(TFT 어레이 유리 기판)에 형성된다.
이와 같은 상기 제 1, 제 2 유리 기판은 스페이서(spacer)에 의해 일정 공간을 갖고 액정 주입구를 갖는 씨일(seal)재에 의해 합착되어 상기 두 유리 기판 사이에 액정이 주입된다.
이 때, 액정 주입 방법은 상기 씨일재에 의해 합착된 두 유리 기판 사이를 진공상태를 유지하여 액정액에 상기 액정 주입구가 잠기도록 하면 삼투압 현상에 의해 액정이 두 유리 기판 사이에 주입된다. 이와 같이 액정이 주입되면 상기 액정 주입구를 밀봉재로 밀봉하면 된다.
한편, 상기와 같이 상하 유리 기판 내에 고밀도 회로와 액정이 내장되는 액정 표시 장치는, 표면막인 유리 기판이 얇은 면광판으로 되어 있어 상당히 민감하여 여타한 작은 충격이나, 정전기 이물질 등에 의해서도 쉽게 불량이 될 수 있어, 취급시 상당한 주의가 요망된다. 특히, 정전기는 상기 액정 표시 장치의 상하 유리 기판이 여러 공정을 거치는 과정에서 면 마찰 등으로 인하여 상기 유리 기판 내에 정전기가 차징(charging)되어 있다가 제품 완성 후 노이즈(noise) 등과 같은 불량을 유발시키기 때문에, 공정 중에 유리 기판에 차징(charging)되어 있는 정전기를 적절하게 방전시켜야 함은 필수적이라 할 것이다.
이하, 일반적인 액정 표시 장치의 정전기 처리를 위한 처리 방법을 살펴본다.
도 1은 종래의 패시브 매트릭스형 액정 표시 장치의 정전기를 방지하는 패턴을 나타낸 평면도이다.
도 1과 같이, 절단선(scribe line) 밖의 배선에서 방전이 일어나게 하는 방법은 주로 패시브 매트릭스(passive matrix)형 액정 표시 장치에서 주로 사용하는방법으로, 합착 공정 후, 절단 공정(scribing and breaking)을 거쳐 제거되는 부위에 패턴 형성 공정 중에 방전 유도 영역을 형성하여 공정 중에 발생하는 정전기의 방전을 돕는다.
도 1에 도시된 패턴은 화소 전극 패턴으로, 패널 안쪽 부분에서는 화소 전극(ITO막 또는 IZO막) 사이를 10 내지 20㎛로 이격하여 형성하고, 절단선 밖의 화소 전극은 공정이 허용하는 한 가까이 두고 또한 전하가 잘 모이도록 각진 모양을 만든다.
이 때, 공정 진행 중에 생긴 정전기는 대부분이 방전 유도 영역에서 방전되며, 절단면 바깥 쪽의 화소 전극이 손상되지만 이는 패널 유효 영역이 아니므로 문제가 되지 않는다.
도 2a는 종래의 박막 트랜지스터형 액정 표시 장치의 정전기 처리 회로이며, 도 2b는 도 2a의 A(다이오드)를 박막 트랜지스터로 구현한 회로도이다.
정전기 불량을 막는 방법에는, 도 2와 같이, 배선 전체를 저항으로 연결하여 전하를 퍼뜨려 방전이 서서히 일어나도록 유도하는 방법도 있다.
이는 박막 트랜지스터형 액정 표시 장치에서는 이용하는 방법으로, 제 2 유리 기판, 즉, TFT(Thin Film Transistor) 어레이가 생성되는 기판 상에 쇼팅 바(shorting bar)를 두어 정전기로 생기는 불량을 막는다. 배선들을 바로 쇼팅 바로 연결하면 온(on)/오프(off) 테스트를 할 수 없으므로 비선형 저항을 각각의 배선과 쇼팅 바(shorting bar) 사이에 둔다.
도 2b와 같이, 비선형 저항은 박막 트랜지스터의 게이트와 드레인을 연결하여 형성한 다이오드 2개가 서로 다른 방향을 가지며 병렬 연결된 형상으로 구현한다.
내부 쇼팅 바(shorting bar)만으로도 대부분의 정전기의 피해를 막을 수 있지만 쇼팅 바와 비선형 저항 소자가 차지하는 면적이 작으므로 쇼팅 바를 에지 그라인딩 라인(edge grinding line), 즉, 절단 공정시 절단면이 되는 라인밖에 두기도 한다. 이 경우, 절단 공정을 완료한 후에는, 외부 쇼팅 바 부분이 제거됨으로 이 때부터는 정전기에 대책이 없다.
반면, 내부 쇼팅바를 이용한 정전기 처리 회로는 절단 공정 이후의 공정에서 생기는 정전기 피해를 막을 수 있다. 이 때는 상기 비선형 저항의 다이오드를 구성하는 박막 트랜지스터의 면적을 조절하여 쇼팅 바에 연결된 비선형 저항 값을 조절한다.
한편, 상기와 같이, 유리 기판 상에 패턴을 형성하는 공정 외에도, 상하 유리 기판이 다음 공정을 진행하기 위해 이동 중에 있을 때나 러빙(Rubbing) 공정에 있어서도 역시, 정전기가 상기 유리 기판 표면에 대전될 수 있다. 따라서, 도전성 척(Chuck)과 정전기 처리 카세트 등 정전기가 생기지 않도록 생산라인을 형성하고 있다.
일반적으로 공정 중에 발생하는 정전기에 대해서는 각종 로드/언로드 장비에서 유리 기판을 적재한 상태에서 공정간 이동 및 대응을 같이하는 기판 적재용 카세트의 불소수지면(내화학성과 내식성이 우수한 불소수지로 이루어짐)에 접지선을 갖는 집게로 클램핑하여 방전을 하고 있다.
그러나, 이 경우 절연체인 불소수지에 접지한 것임에 따라서 신속한 정전기 방전이 되지 못할 뿐 아니라, 완전 방전하기에는 역부족이어서 정전기로 인한 불량률의 비중이 커 상당한 문제점으로 대두되고 있다.
또한, 실제 유리 기판은 +, - 전기가 불균일하게 분포되어 장소에 따라 전위의 높낮이가 있는 곳과 없는 곳이 섞여 있으므로 대전된 정전기를 방전시킬 경우 방전이 상당히 느리게 방전될 뿐만 아니라 그 방전량이 극히 조금밖에 방전되지 못한다.
이러한 정전기의 개념을 정확하게 인식하지 못함에 따라서 종래에는 상기와 같은 문제점을 알면서도 해결방안을 찾지 못하고 방치된 상태에 있었다.
이는 상기 액정 표시장치의 유리 기판이 상당히 고가인 점을 감안할 때, 불량발생에 따른 막대한 원가 손실뿐 아니라 품질을 저해시키는 주요 원인이 되는 것이다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로 이온 주입 공정을 통해 유리 기판 표면의 정전기를 분산시켜 정전기에 의한 패턴의 파괴를 방지한 액정 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 데, 그 목적이 있다.
도 1은 종래의 패시브 매트릭스형 액정 표시 장치의 정전기를 방지하는 패턴을 나타낸 평면도
도 2a는 종래의 박막 트랜지스터형 액정 표시 장치의 정전기 처리 회로이며, 도 2b는 도 2a의 A(다이오드)를 박막 트랜지스터로 구현한 회로도
도 3a 및 도 3b는 제 1 유리 기판 및 제 2 유리 기판 각각에 이온 주입 공정을 진행하는 공정 단면도
도 4는 이온 주입 공정을 완료한 상하 유리 기판의 합착 후의 공정 단면도
도 5는 제 1, 제 2 유리 기판을 합착한 후 이온 주입 공정을 진행하는 공정 단면도
도면의 주요 부분에 대한 부호 설명
11 : 제 1 유리 기판 12 : 게이트 전극
13 : 게이트 절연막 14 : 반도체층
15a/15b : 소오스/드레인 전극 16 : 보호막
17 : 화소 전극 18 : 제 1 배향막
21 : 제 2 유리 기판 22 : 차광층
23 : 칼라 필터층 24 : 공통 전극
25 : 제 2 배향막
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 액정 표시 장치의 정전기 처리 방법은 일정 간격을 갖고 서로 이격된 제 1 유리 기판 및 제 2 유리 기판과, 상기 제 1, 제 2 유리 기판 사이에 충진되는 액정층으로 이루어진 액정 표시 장치에 있어서, 상기 액정층에 대향되지 않는 제 1, 제 2 유리 기판 표면에 각각 이온 주입하여 정전기가 분산되도록 함에 그 특징이 있다.
상기 이온 주입은 0.1KeV 내지 100MeV의 에너지를 인가하여 진행함이 바람직하다.
상기 분위기는 유리 기판 성분의 Si, O2와 불순물 도핑 이온의 B, P, As, BF2중 적어도 어느 하나의 혼합 기체로 함이 바람직하다.
상기 이온 주입의 도즈량은 단위 면적(㎠)당 1.0E05 내지 1.0E20으로 함이 바람직하다.
상기 이온 주입 후 애슁 및 세정을 진행하는 단계를 더 포함함이 바람직하다.
또한, 상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명 액정 표시 장치의 정전기 처리 방법의 제 1 실시예는 제 1 유리 기판의 제 1 표면에 박막 트랜지스터 어레이를 형성하는 공정과, 제 2 유리 기판의 제 1 표면에 칼라 필터 어레이를 형성하는 공정과, 상기 제 1 유리 기판의 제 2 표면 및 상기 제 2 유리 기판의 제 2 표면에 각각 정전기가 분산되도록 이온 주입하는 공정을 포함하여 이루어짐에 그 특징이 있다.
본 발명 액정 표시 장치의 정전기 처리 방법의 제 1 실시예는, 상기 박막 트랜지스터 어레이 및 칼라 필터 어레이가 서로 대향되도록 일정 공간을 갖고 상기 제 1 유리 기판 및 제 2 유리 기판을 합착하는 공정과, 상기 합착된 제 1 유리 기판 및 제 2 유리 기판 사이에 액정을 형성하는 공정을 더 포함함이 바람직하다.
또한, 상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명 액정 표시 장치의 정전기 처리 방법의 제 2 실시예는 제 1 유리 기판의 제 1 표면에 정전기가 분산되도록 이온 주입하는 공정과, 상기 제 1 유리 기판의 제 2 표면에 박막 트랜지스터 어레이를 형성하는 공정과, 제 2 유리 기판의 제 1 표면에 정전기가 분산되도록 이온 주입하는 공정과, 상기 제 2 유리 기판의 제 2 표면에 칼라 필터 어레이를 형성하는 공정과, 상기 제 1 유리 기판 및 제 2 유리 기판을 합착하는 공정, 그리고, 액정을 주입하는 공정을 포함하여 이루어짐에 그 특징이 있다.
또한, 상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 액정 표시 장치의 제 3 실시예는 제 1 유리 기판의 제 1 표면에 박막 트랜지스터 어레이를 형성하는 공정과, 제 2 유리 기판 제 1 표면에 칼라 필터 어레이를 형성하는 공정과, 상기 제 1, 제 2 유리 기판을 합착하는 공정, 그리고, 상기 제 1, 제 2 유리 기판의 제 2 표면에 각각 정전기를 분산하기 위한 이온 주입 공정을 하는 공정을 포함하여 이루어짐에 그 특징이 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 액정 표시 장치의 정전기 처리 방법을 상세히 설명하면 다음과 같다.
먼저, 본 발명 제 1 실시예의 액정 표시 장치의 정전기 처리 방법에 대해 설명한다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명에 따른 제 1 유리 기판 및 제 2 유리 기판 각각에 이온 주입 공정을 진행하는 공정 단면도이다.
제 1 유리 기판(11) 상에는, 도 3a와 같이, 복수개의 게이트 전극(12)을 구비하여 일정 간격을 갖고 일방향으로 배열되는 게이트 라인(도면에는 도시하지 않음)과, 상기 게이트 전극(12) 및 게이트 라인을 포함한 제 1 유리 기판(11) 전면에 형성되는 게이트 절연막(13)과, 상기 각 게이트 전극(12) 상측의 게이트 절연막(13) 상에 섬(island) 모양으로 형성되는 반도체층(14)과, 상기 각 게이트 라인에 수직한 방향으로 배열되고 상기 반도체층(14) 일측에서 소오스 전극(15a)이 돌출되고 상기 반도체층(14) 타측에 드레인 전극(15b)을 구비한 데이터 라인(15)과, 상기 드레인 전극(15b)에 콘택홀을 갖도록 상기 데이터 라인(15)을 포함한 제 1 유리 기판 전면에 형성되는 보호막(16)과, 상기 콘택홀을 통해 드레인 전극(15b)에 연결되도록 화소 영역에 형성되는 화소 전극(17)과, 상기 화소 전극(17)을 포함한 제 1 유리 기판(11) 전면에 형성되는 제 1 배향막(18) 등이 구비되어 있다.
이러한 제 1 유리 기판에, 게이트 전극, 소오스/드레인 전극 등의 패턴이 형성되지 않은 제 1 유리 기판 표면에 이온 주입 공정을 진행한다.
이 때, 이온 주입 에너지는 0.1KeV 내지 100MeV로 하여 이온 주입 깊이가 표면으로부터 수십㎛ 정도로 조절하고, 주입되는 가스는 유리 기판을 구성하는 Si, O2를 베이스로 하고, 실제 도핑 이온으로 이용되는 B, P, As, BF2중 적어도 하나의 혼합 기체로 한다.
이 경우 도즈량은 단위 면적(㎠)당 1.0E05 내지 1.0E20으로 하여 유리 기판 표면 저항을 불순물 이온이 주입되기 전의 수 Mega Ω에서 1내지 9Ω레벨로 낮춘다.
따라서, 불순물 이온을 유리 기판 전면에 주입하게 되면, 표면은 등전위가 되어, 정전기가 입사되더라도 기판 전체에 분산하게 되어, 정전기로 인해 고압이 발생하여 패턴이 파괴되는 문제점을 방지할 수 있다.
이어, 애슁(Ashing)과 세정을 진행하여 제 1 유리 기판(11) 표면에 남아있는 불순물을 제거한다.
한편, 상기 제 1 유리 기판(11)에 대응되는 제 2 유리 기판(21)에는, 도 3b와 같이, 상기 화소 영역을 제외한 부분에 빛을 차단하기 위해 형성되는 차광층(22)과, 상기 각 화소 영역에 상응하는 부분에 형성되는 레드(Red), 블루(Blue), 그린(Green)의 칼라 필터층(23)과, 상기 칼라 필터층(23)을 포함한 제 2 유리 기판(21) 전면에 형성되는 공통 전극(24)과, 상기 공통 전극(24) 위에 형성되는 제 2 배향막(25) 등이 구비된다.
상기 제 2 유리 기판(21)도 상기 제 1 유리 기판(11)에 패턴이 형성되지 않은 표면에 전면적으로 이온 주입 공정을 진행한다.
이 때의 이온 주입 공정 조건은 제 1 유리 기판(11)에 진행한 것과 동일하다.
이어, 애슁(Ashing)과 세정을 진행하여 제 2 유리 기판(21) 표면에 남아있는 불순물을 제거한다.
이어, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 제 1, 제 2 유리 기판(11, 21)의 패턴이 형성된 부위가 서로 대향되도록 상기 제 1, 제 2 유리 기판(11, 21) 어느하나에 씰재를 도포하여, 합착한 후, 상기 제 1, 제 2 유리 기판(11, 21) 사이에 액정층을 주입한다.
이 때, 상기 제 1, 제 2 유리 기판(11, 21)의 두께는 각각 0.4㎜내지 1㎜범위에 있고, 유리 기판 표면에 불순물을 주입시켜 도핑되는 영역은 수십 ㎛이내이므로, 도핑된 영역에 생긴 도전성으로 인해 패터닝 영역의 동작에 영향을 주는 일은 없다.
본 발명 제 1 실시예는 액정 표시 장치 제조 공정에서 상하 기판을 합착하기 전에 박막 트랜지스터 어레이 또는 칼라 필터 어레이가 형성되지 않는 면에 이온을 주입한 것이다. 이와 같이, 합착 전 이온 주입을 할 수도 있고, 제 1, 제 2 유리 기판을 합착한 후에 이온 주입을 할 수도 있다.
본 발명 제 2 실시예의 액정 표시 장치의 정전기 처리 방법에 대해 설명한다.
도 5는 제 1, 제 2 유리 기판을 합착한 후 이온 주입 공정을 진행하는 공정 단면도이다.
도 5와 같이, 본 발명의 제 2 실시예는 상제 2 유리 기판(21, 11)의 합착 공정을 완료한 후, 이온 주입 공정을 상하 유리 기판(21, 11) 표면에 이온 주입을 1번에 진행하는 방식이다.
이 경우 이온 주입 조건은 제 1 실시예와 같고, 제 2실시예가 제 1 실시예와 다른 점은 단지 상기 제 1, 제 2 유리 기판에 각각 진행하던 이온 주입을, 합착 공정을 먼저 완료한 후, 1번에 이온 주입을 진행한 점이다.
또한, 본 발명 제 1 실시예에서는 제 1, 제 2 유리 기판에 박막 트랜지스터 어레이 및 칼라 필터 어레이를 형성하고 상기 상하 유리 기판을 합착하기 전에 정전기를 방지하기 위해 상기 박막 트랜지스터 어레이 및 칼라 필터 어레이가 형성되지 않은 유리 기판 면에 이온 주입을 하였고, 본 발명 제 2 실시예에서는 상기 제 1, 제 2 유리 기판을 합착한 후 이온 주입을 하였으나, 그 밖의 액정 표시 장치의 정전기 처리 방법으로 상기 박막 트랜지스터 어레이 및 칼라 필터 어레이를 형성하기 전에 상기 상하 유리 기판의 일측면(어레이가 형성되지 않은면)에 정전기를 방지하기 위한 이온 주입을 먼저 할 수도 있다.
상기와 같은 본 발명의 액정 표시 장치는 다음과 같은 효과가 있다.
상하 유리 기판의 표면 저항을 낮추거나 반도체화하여 정전기가 발생하더라도 유리 기판 표면 전체에 이를 분산시킴으로써, 정전기로 영향으로 발생하는 전압을 낮추어 유리 기판에 형성된 패턴의 파괴를 방지한다.
또한, 액정 패널의 유리 기판을 이온 주입을 통해 등전위화 함으로써 합착과 절단 공정 이후에도 액정 패널 표면에 발생하는 정전기에 대책이 될 수 있다.

Claims (8)

  1. 일정 간격을 갖고 서로 이격된 제 1 유리 기판 및 제 2 유리 기판과, 상기 제 1, 제 2 유리 기판 사이에 충진되는 액정층으로 이루어진 액정 표시 장치에 있어서,
    상기 액정층에 대향되지 않는 제 1, 제 2 유리 기판 표면에 각각 이온 주입하여 정전기가 분산되도록 함을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 정전기 처리 방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 이온 주입은 0.1KeV 내지 100MeV의 에너지를 인가하여 진행함을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 정전기 처리 방법.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 이온 주입시 분위기는 유리 기판 성분의 Si, O2와 불순물 도핑 이온의 B, P, As, BF2중 적어도 어느 하나의 혼합 기체로 함을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 정전기 처리 방법.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 이온 주입의 도즈량은 단위 면적(㎠)당 1.0E05 내지 1.0E20임을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 정전기 처리 방법.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 이온 주입 후 애슁 및 세정을 진행하는 단계를 더 포함함을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 정전기 처리 방법.
  6. 제 1 유리 기판의 제 1 표면에 박막 트랜지스터 어레이를 형성하는 공정;
    제 2 유리 기판의 제 1 표면에 칼라 필터 어레이를 형성하는 공정; 그리고,
    상기 제 1 유리 기판의 제 2 표면 및 상기 제 2 유리 기판의 제 2 표면에 각각 정전기가 분산되도록 이온 주입하는 공정을 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 정전기 처리 방법.
  7. 제 1 유리 기판의 제 1 표면에 정전기가 분산되도록 이온 주입하는 공정;
    상기 제 1 유리 기판의 제 2 표면에 박막 트랜지스터 어레이를 형성하는 공정;
    제 2 유리 기판의 제 1 표면에 정전기가 분산되도록 이온 주입하는 공정;
    상기 제 2 유리 기판의 제 2 표면에 칼라 필터 어레이를 형성하는 공정;
    상기 제 1 유리 기판 및 제 2 유리 기판을 합착하는 공정; 그리고,
    액정을 주입하는 공정을 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 정전기 처리 방법.
  8. 제 1 유리 기판의 제 1 표면에 박막 트랜지스터 어레이를 형성하는 공정;
    제 2 유리 기판 제 1 표면에 칼라 필터 어레이를 형성하는 공정;
    상기 제 1, 제 2 유리 기판을 합착하는 공정; 그리고,
    상기 제 1, 제 2 유리 기판의 제 2 표면에 각각 정전기를 분산하기 위한 이온 주입 공정을 하는 공정을 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 정전기 처리 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR101313651B1 (ko) * 2006-11-29 2013-10-02 엘지디스플레이 주식회사 액정표시소자

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