KR20040008476A - Manufacturing Method of Semiconductor Device - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 반도체소자 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 실린더형 캐패시터를 제조하는데 있어서 세정공정시 저장전극의 브리지 (bridge) 발생을 방지하기 위하여 이소프로필 알코올 건조기 (IPA dryer)를 사용하는 대신에, 마란고니 건조기 (Marangoni dryer)를 사용하여 건조하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 세정방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device, and more particularly, to manufacturing a cylindrical capacitor, instead of using an isopropyl alcohol dryer (IPA dryer) to prevent the generation of a bridge of a storage electrode during a cleaning process. It relates to a cleaning method comprising the step of drying using a Marangoni dryer (Marangoni dryer).
반도체소자의 집적도가 높아짐에 따라 캐패시터의 정전용량 증대를 위해 일반적으로 실린더형 캐패시터가 많이 이용되고 있다. 이때 소자의 미세화와 더불어 저장전극의 표면적 증대를 위해 그 높이 또한 점차적으로 높아지고 있는 추세에 있는데, 이로 인해 저장전극 형성시 세정공정에서 브리지가 발생하여 비트 페일 (bit fail)의 주요원인으로 작용하고 있다.As the degree of integration of semiconductor devices increases, cylindrical capacitors are generally used to increase capacitance of capacitors. At this time, the height of the storage electrode is gradually increasing to increase the surface area of the storage electrode as well as the miniaturization of the device. As a result, a bridge is generated in the cleaning process during the formation of the storage electrode, which acts as a main cause of bit fail. .
이러한 저장전극의 브리지는 건조과정시 두 개의 저장전극 사이에서 발생하는 물 반점 (water mark)에 의해 유발되는 것으로 알려져 있다. 즉, 저장전극의 높이 증가로 인해 저장전극의 벤딩 스트레스 (bending stress)는 가중되고, 이때 발생되는 물 반점에 기인한 표면장력의 영향으로 브리지가 발생하는 것이다.Such storage electrode bridges are known to be caused by water marks that occur between two storage electrodes during the drying process. That is, the bending stress of the storage electrode is increased due to the increase of the height of the storage electrode, and the bridge is generated due to the surface tension caused by the water spot generated at this time.
이를 방지하기 위한 방법은 표면을 최대한 친수성 (hydrophilic) 표면으로 만든 후 빠른 시간 내에 건조시킴으로써, 물 반점의 발생을 막아 저장전극 사이의표면장력 영향을 최소화시키는 것이다. 따라서 여러 건조방법 중 이소프로필 알코올 건조기가 많이 이용되어지고 있는데, 이는 파티클 제어에 매우 취약할 뿐만 아니라, 최종 저장전극의 표면을 친수성으로 가져가기 위한 에스.씨.-1 (SC-1) 용액 (NH4OH + H2O2+ H2O)을 이용한 세정처리로 인해 저유전율을 가지는 옥사이드층이 형성되기 때문에, Ta2O5와 같은 고유전율 박막을 증착하여 캐패시터를 제조하더라도 정전용량이 저하되는 문제점이 있다.The method to prevent this is to make the surface as hydrophilic as possible and to dry it in a short time, thereby preventing the occurrence of water spots and minimizing the effect of surface tension between the storage electrodes. Therefore, among many drying methods, isopropyl alcohol dryer is widely used, which is not only vulnerable to particle control, but also to make the surface of the final storage electrode hydrophilic. Since the oxide layer having a low dielectric constant is formed by the cleaning process using NH 4 OH + H 2 O 2 + H 2 O), the capacitance decreases even when a capacitor is manufactured by depositing a high dielectric constant thin film such as Ta 2 O 5. There is a problem.
본 발명은 상기 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 실린더형 캐패시터를 제조하는데 있어서 세정공정시 저장전극의 브리지 발생을 방지하기 위하여 저장전극의 표면을 소수성 (hydrophobic)으로 만든 상태에서 마란고니 건조기를 사용하여 건조하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 세정방법에 의해 진행되는 반도체소자 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention is to solve the above problems, in the manufacture of a cylindrical capacitor in order to prevent the bridge of the storage electrode in the cleaning process using a Marangoni dryer in the state made the surface of the storage electrode hydrophobic (hydrophobic) An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a semiconductor device by a cleaning method comprising the step of drying by.
도 1a 내지 도 1g는 본 발명에 따른 실린더형 캐피시터의 제조공정도.Figure 1a to 1g is a manufacturing process of the cylindrical capacitor according to the present invention.
도 2는 본 발명에 따른 마란고니 건조기의 개략도.2 is a schematic view of a marangoni dryer according to the present invention.
도 3a는 저장전극의 표면이 친수성인 상태에서 마란고니 건조기에 의해 건조공정이 진행된 경우를 나타내는 개략도.Figure 3a is a schematic diagram showing a case where the drying process by the Marangoni dryer in the state that the surface of the storage electrode is hydrophilic.
도 3b는 도 3a에 따른 결과를 나타내는 SEM 사진.3b is a SEM photograph showing the results according to FIG. 3a.
도 4a는 본 발명에 따라 저장전극의 표면이 소수성인 상태에서 마란고니 건조기에 의해 건조공정이 진행된 경우를 나타내는 개략도.Figure 4a is a schematic diagram showing a case where the drying process is carried out by the Marangoni dryer in the state that the surface of the storage electrode is hydrophobic in accordance with the present invention.
도 4b는 도 4a에 따른 결과를 나타내는 SEM 사진.4b is a SEM photograph showing the results according to FIG. 4a.
< 도면의 주요부분에 대한 부호 설명 ><Explanation of Signs of Major Parts of Drawings>
10 : 반도체기판 12 : 저장전극 콘택10: semiconductor substrate 12: storage electrode contact
14 : 층간절연막 16 : 질화막14 interlayer insulating film 16 nitride film
18 : 코아산화막 20 : 하드마스크18: core oxide film 20: hard mask
22 : 포토레지스트막 24 : 저장전극22: photoresist film 24: storage electrode
26 : 포토레지스트막 28 : 유전막26 photoresist film 28 dielectric film
30 : 상부전극 32 : 가아드링 (guard ring)30: upper electrode 32: guard ring
100 : 하우징 110 : 액체탱크100: housing 110: liquid tank
120 : 이소프로필 알코올 증기 130 : 물 반점 (water mark)120: isopropyl alcohol vapor 130: water mark
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체소자 제조방법은 하기의 단계를 포함한다.The semiconductor device manufacturing method of the present invention for achieving the above object comprises the following steps.
(a) 저장전극이 형성되어 있는 셀영역과 포토레지스트막이 형성되어 있는 셀 주변영역을 포함하는 반도체 기판의 셀영역 코아산화막을 습식식각하는 단계;(a) wet etching a cell region core oxide film of a semiconductor substrate including a cell region in which a storage electrode is formed and a cell peripheral region in which a photoresist film is formed;
(b) 상기 포토레지스트막을 제거하는 단계;(b) removing the photoresist film;
(d) 상기 결과물을 에스.씨.-1 용액 (NH4OH + H2O2+ H2O)조에서 세정하는 단계;(d) washing the resulting product in an S. C.-1 solution (NH 4 OH + H 2 O 2 + H 2 O) bath;
(e) 상기 결과물을 HF를 포함하는 용액조에서 세정하는 단계;(e) washing the resultant in a solution bath containing HF;
(f) 상기 결과물을 순수 세정조에서 최종 세정하는 단계; 및(f) final cleaning of the resultant in a pure water cleaning bath; And
(g) 상기 결과물을 마란고니 건조기를 이용하여 건조하는 단계.(g) drying the resultant using a Marangoni dryer.
상기 단계를 포함하는 본 발명의 반도체소자 제조방법에서, 상기 저장전극은 불순물이 주입되지 않는 폴리실리콘층 및 불순물이 주입된 폴리실리콘층이 순차적으로 증착되어 형성되고, 상기 저장전극은 350∼500Å의 두께로 형성되고, 상기 불순물이 주입된 폴리실리콘층은 PH3를 소스로 하여 510∼630℃에서 20∼40분간 수행된 이온주입 공정에 의해 형성된 인(P)이 주입된 폴리실리콘층이고, 상기 (a) 내지 (g)로 이루어지는 모든 단계는 웨트스테이션 (wet station) 내에서 수행되고, 상기 반도체기판은 웨트스테이션 내에 로딩 (loading)될 때 저장전극 사이의 단축(短軸) 바 (bar) 씨.디.(Critical Dimension; 이하 "CD"라 약칭함)가 웨트스테이션 내의 모든 용액의 계면에 수직이 되도록 얼라인 (align)하고, 상기 HF를 포함하는 용액은 H2O : HF의 부피비가 50∼100 : 1인 HF 수용액 또는 NH4F : HF의 부피비가 9∼300 : 1인 NH4F 및 HF로 이루어진 용액이고, 상기 최종 세정단계는 5∼10분간 수행하고, 상기 반도체기판은 최종 세정조에서 마란고니 건조기를 통과하는데 0.3∼0.5㎜/초의 속도로 이동하며, 상기 마란고니 건조기는 버블링 (bubbling) 기체 및 캐리어 (carrier) 기체로 핫 질소 기체를 사용하는 것을 특징으로 한다.In the method of manufacturing a semiconductor device of the present invention comprising the above step, the storage electrode is formed by sequentially depositing a polysilicon layer which is not implanted with impurities and a polysilicon layer implanted with impurities, wherein the storage electrode is 350 to 500 The polysilicon layer formed to a thickness and implanted with impurities is a polysilicon layer implanted with phosphorus (P) formed by an ion implantation process performed at 510 to 630 ° C. for 20 to 40 minutes using PH 3 as a source. All steps consisting of (a) to (g) are performed in a wet station, and the semiconductor substrate is a short bar between the storage electrodes when loaded in the wet station. (Critical Dimension; hereinafter abbreviated as "CD") is aligned to be perpendicular to the interface of all solutions in the wet station, the solution containing the HF is a volume ratio of H 2 O: HF 50 ~ 100: 1 person HF Liquid or NH 4 F: HF is a solution consisting of NH 4 F and HF having a volume ratio of 9 to 300: 1, the final cleaning step is performed for 5 to 10 minutes, the semiconductor substrate is a Marangoni dryer in a final cleaning tank Moving at a speed of 0.3-0.5 mm / sec to pass, the Marangoni dryer is characterized by using hot nitrogen gas as a bubbling gas and a carrier gas.
이하 도면에 의거하여 본 발명을 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1a 내지 도 1g는 본 발명에 따른 실린더형 캐패시터의 제조공정을 나타내는 것으로, 그 제조공정을 순서대로 살펴보면 다음과 같다.1A to 1G illustrate a manufacturing process of a cylindrical capacitor according to the present invention, and the manufacturing process will be described below in order.
먼저, 소정의 반도체기판(10) 상부에 저장전극 콘택(12)을 구비하는 층간절연막(14)을 형성시키고, 그 상부에 질화막(16), 코아산화막(18), 하드마스크(20) 및 포토레지스트막을 순차적으로 형성시킨 다음, 포토레지스트막을 포토리소그래피 공정으로 패터닝하여 포토레지스트 패턴(22)을 얻는다 (도 1a 참조).First, an interlayer insulating film 14 having a storage electrode contact 12 is formed on a predetermined semiconductor substrate 10, and a nitride film 16, a core oxide film 18, a hard mask 20, and a photo are formed thereon. After the resist film is formed sequentially, the photoresist film is patterned by a photolithography process to obtain a photoresist pattern 22 (see FIG. 1A).
다음, 상기 포토레지스트 패턴(22)을 마스크로 하여 통상의 방법에 따라 하부의 하드마스크(20), 코아산화막(18) 및 질화막(16)을 순차적으로 건식식각하여 셀영역(C)과 주변영역(P)을 정의한다 (도 1b 참조). 여기서, 셀영역(C)과 셀 주변영역(P)의 사이에 정의되는 가아드링(32)은 후속공정인 셀영역(C)의 코아산화막(18) 습식식각 공정시 셀 주변영역(P)의 코아산화막(18)이 습식식각되는 것이 방지되도록 하기 위하여 포토레지스트막으로 막아야 하는 부분이다.Next, using the photoresist pattern 22 as a mask, the lower hard mask 20, the core oxide film 18, and the nitride film 16 are sequentially dry-etched according to a conventional method, and then the cell region C and the peripheral region. (P) is defined (see FIG. 1B). Here, the guard ring 32 defined between the cell region C and the cell peripheral region P is formed in the cell peripheral region P during the wet etching process of the core oxide film 18 of the cell region C. In order to prevent the core oxide film 18 from being wet etched, the core oxide film 18 must be covered with a photoresist film.
다음, 상기 건식식각 공정 후에 잔류하는 포토레지스트 패턴(22) 및 하드마스크(20)를 제거한 다음 (도 1c 참조), 그 결과물 상부에 폴리실리콘층을 증착한 후 포토레지스트를 이용하여 폴리실리콘층을 분리함으로써 저장전극(24)을 형성시킨다 (도 1d 참조).Next, after removing the photoresist pattern 22 and the hard mask 20 remaining after the dry etching process (see FIG. 1C), a polysilicon layer is deposited on the resultant, and then the polysilicon layer is formed using photoresist. By separating, the storage electrode 24 is formed (see FIG. 1D).
이때 상기 폴리실리콘층은 불순물이 주입되지 않는 폴리실리콘층을 먼저 증착한 다음, 그 상부에 불순물이 주입된 폴리실리콘층을 증착하여 350∼500Å의 전체 두께를 가지도록 형성시키는데, 바람직하게는 불순물이 주입되지 않는 폴리실리콘층을 400Å으로 증착한 다음, 그 상부에 불순물이 주입된 폴리실리콘층을 100Å으로 증착한다.At this time, the polysilicon layer is formed to have a total thickness of 350 ~ 500Å by depositing a polysilicon layer that is not implanted with impurities first, and then a polysilicon layer implanted with impurities thereon, preferably impurities The non-implanted polysilicon layer is deposited at 400 mW, and then the polysilicon layer implanted with impurities is deposited at 100 mW.
또한 상기 불순물은 인(P)인 것이 바람직하며, 상기 인이 주입된 폴리실리콘층은 PH3를 소스로 하여 510∼630℃에서 20∼40분간 이온주입 공정을 수행함으로써, 그 표면이 크리스탈에 가까운 특성을 갖도록 하여 후속 세정공정에서 저장전극의 브리지 발생을 억제할 수 있다.In addition, the impurity is preferably phosphorus (P), and the polysilicon layer into which the phosphorus is implanted is subjected to an ion implantation process at 510 to 630 ° C. for 20 to 40 minutes using PH 3 as a source, so that its surface is close to crystal. It is possible to suppress the bridge generation of the storage electrode in the subsequent cleaning process by having a characteristic.
다음, 상기 결과물의 가아드링(32) 및 셀 주변영역(P)에 포토레지스트막(26)을 형성시키는데, 이는 셀영역(C)의 코아산화막(18)만을 습식식각하기 위한 것이다 (도 1e 참조).Next, a photoresist film 26 is formed in the guard ring 32 and the cell periphery region P of the resultant, for wet etching only the core oxide film 18 of the cell region C (see FIG. 1E). ).
그 다음, 상기 결과물을 웨트스테이션을 이용한 습식식각 공정으로 셀영역(C)의 코아산화막(18)만을 습식식각한 다음 (도 1f 참조), 상기 가아드링(32) 및 셀 주변영역(P)의 포토레지스트막(26)을 제거한다 (도 1g 참조).Then, the resultant is wet etched only the core oxide film 18 of the cell region C by a wet etching process using a wet station (see FIG. 1F), and then the guard ring 32 and the cell peripheral region P The photoresist film 26 is removed (see FIG. 1G).
이때 셀영역(C)의 코아산화막(18) 습식식각은 BOE 용액 (NH4F : HF = 9 : 1, 부피비)에 의해 수행되고, 상기 셀 주변영역(P)의 포토레지스트막(26) 제거는 120℃의 피란하 (Piranha) 용액 (H2SO4: H2O2= 4 : 1, 부피비)에 의해 20분 이상 수행된다.At this time, the wet etching of the core oxide film 18 in the cell region C is performed by a BOE solution (NH 4 F: HF = 9: 1, volume ratio), and the photoresist layer 26 in the cell peripheral region P is removed. Is carried out for at least 20 minutes by Piranha solution (H 2 SO 4 : H 2 O 2 = 4: 1, volume ratio) at 120 ℃.
또한, 상기 셀영역(C)의 코아산화막(18) 습식식각 공정부터 후속의 세정 및 건조공정까지의 모든 공정이 웨트스테이션 내에서 진행되는데, 상기 저장전극(24)이 형성된 반도체기판(10)을 웨트스테이션 내에 로딩할 때에는 저장전극(24) 사이의 단축 바 CD가 웨트스테이션 내의 모든 용액의 계면에 수직이 되도록 얼라인한다.In addition, all processes from the wet etching process of the core oxide film 18 of the cell region C to the subsequent cleaning and drying process are performed in the wet station. The semiconductor substrate 10 having the storage electrode 24 is formed. When loading into the wet station, the short bar CD between the storage electrodes 24 is aligned so that it is perpendicular to the interface of all solutions in the wet station.
상기한 바와 같이, 실린더형 캐패시터 제조를 위한 저장전극(24)을 형성시키기 위하여 마지막 공정으로서 셀영역(C)의 코아산화막(18)을 습식식각하고, 포토레지스트막(26)을 제거하게 되고, 이렇게 하여 얻어지는 최종 저장전극(24)에 대한 세정공정을 실시한 후, 그 상부에 유전물질을 증착하여 유전막을 형성시키고, 유전막 상부에 상부전극을 형성시킴으로써 실린더형 캐패시터 제조가 종료된다.As described above, in order to form the storage electrode 24 for manufacturing the cylindrical capacitor, the core oxide film 18 of the cell region C is wet-etched and the photoresist film 26 is removed as a final process. After the cleaning process is performed on the final storage electrode 24 obtained in this way, a dielectric material is deposited on the dielectric film to form a dielectric film, and the upper electrode is formed on the dielectric film, thereby completing the manufacture of the cylindrical capacitor.
본 발명은 상기 셀영역(C)의 코아산화막(18) 습식식각 및 포토레지스트막(26) 제거 후의 최종 저장전극(24)의 세정공정시 저장전극(24)의 표면을 소수성으로 만든 상태에서 마란고니 건조기를 사용하여 건조하는 것을 특징으로 한다.According to the present invention, during the cleaning process of the final storage electrode 24 after wet etching the core oxide film 18 of the cell region C and removing the photoresist film 26, the surface of the storage electrode 24 is made hydrophobic. It is characterized by drying using a Cygnus dryer.
상기 세정 및 건조공정은 셀영역(C)의 코아산화막(18) 습식식각 공정부터 사용되는 웨트스테이션 내에서 수행하는 것으로 먼저, 상기 최종 저장전극(24)이 형성된 반도체기판(10)을 에스.씨.-1 용액조에서 약 10분간 세정하는데, 이는 잔류하는 포토레지스트 찌꺼기 및 파티클을 제거하기 위해서이다.The cleaning and drying process is performed in a wet station used in the wet etching process of the core oxide film 18 in the cell region C. First, the semiconductor substrate 10 having the final storage electrode 24 is formed. .-1 The solution bath is rinsed for about 10 minutes to remove residual photoresist debris and particles.
이때 상기 에스.씨.-1 용액으로는 NH4OH : H2O2: H2O의 부피비가 1 : 4 : 20이고, 온도가 25℃인 것을 사용한다.At this time, as the S. C.-1 solution, a volume ratio of NH 4 OH: H 2 O 2 : H 2 O is 1: 4: 20, and the temperature is 25 ° C.
다음, 상기 결과물을 HF를 포함하는 용액조에서 세정하는데, 이는 에스.씨.-1 용액에 의한 세정 과정에서 생성되는 옥사이드층을 제거하여 저장전극(24)의 표면이 최대한 소수성이 되도록 하기 위한 것으로, 후속 공정에서 마란고니 건조기를이용할 때에 마란고니 포스 (Marangoni force)의 영향을 거의 받지 않게 한다.Next, the resultant is washed in a solution bath containing HF, which is to remove the oxide layer generated during the cleaning process with S. C.-1 solution so that the surface of the storage electrode 24 is as hydrophobic as possible. When the Marangoni dryer is used in a subsequent process, it is hardly affected by Marangoni force.
이때 상기 HF를 포함하는 용액으로는 H2O : HF의 부피비가 50∼100 : 1인 HF 수용액을 사용하거나, NH4F : HF의 부피비가 9∼300 : 1인 NH4F 및 HF로 이루어진 용액을 사용하는데, 일례로 H2O : HF의 부피비가 50 : 1인 HF 수용액을 사용하는 경우에는 그 세정시간을 20∼50초로 하면 상기 에스.씨.-1 용액에 의한 세정 과정에서 생성되는 옥사이드층이 완전히 제거된다.At this time, as a solution containing HF, H 2 O: HF aqueous solution having a volume ratio of 50 to 100: 1 is used, or NH 4 F: HF consisting of NH 4 F and HF having a volume ratio of 9 to 300: 1 For example, in the case of using an HF aqueous solution having a volume ratio of H 2 O: HF of 50: 1, the cleaning time is 20 to 50 seconds, which is generated during the cleaning process using the S. C.-1 solution. The oxide layer is completely removed.
다음, 상기 결과물을 순수 세정조에서 5∼10분간 최종 세정한다.Next, the resultant is finally cleaned in a pure water washing tank for 5 to 10 minutes.
그 다음, 상기 결과물을 마란고니 건조기를 이용하여 건조한다.The resultant is then dried using a Marangoni dryer.
도 2는 본 발명에 따른 마란고니 건조기의 개략도로서, 탈이온수가 충전되어 있는 하우징(100) 및 이소프로필 알코올이 충전되어 있는 액체탱크(110)로 이루어진다. 이때 상기 하우징(100) 내에는 저장전극(24)이 형성된 반도체기판(10)이 내장되고, 액체탱크(110)에는 이소프로필 알코올 증기(120)를 발생시키는 버블러(bubbler)(미도시)가 설치되어 있다.2 is a schematic diagram of a Marangoni dryer according to the present invention, which comprises a housing 100 filled with deionized water and a liquid tank 110 filled with isopropyl alcohol. In this case, a semiconductor substrate 10 having a storage electrode 24 is embedded in the housing 100, and a bubbler (not shown) for generating isopropyl alcohol vapor 120 is formed in the liquid tank 110. It is installed.
상기 마란고니 건조기는 표면장력이 낮은 이소프로필 알코올 증기(120)를 저장전극(24)의 표면에 분사하여 저장전극(24)의 표면에 존재하는 탈이온수를 건조시키는 것으로, 마란고니 건조기에 의한 건조방법은 2개의 다른 표면장력 영역이 존재할 경우, 표면장력이 작은 영역으로부터 표면장력이 큰 영역으로 액이 흐르는 원리를 이용하여 소정의 표면을 건조시키는 것이다.The marangoni dryer is to dry the deionized water present on the surface of the storage electrode 24 by injecting isopropyl alcohol vapor 120 having a low surface tension on the surface of the storage electrode 24, the drying by the marangoni dryer The method is to dry a given surface using the principle that the liquid flows from a region having a small surface tension to a region having a large surface tension when two different surface tension regions exist.
이러한 마란고니 효과에 의해, 건조공정이 완료된 후 상기 저장전극(24)의표면에는 탈이온수의 물 반점(130)이 발생하지 않게 된다.By this marangoni effect, after the drying process is completed, the water spot 130 of deionized water does not occur on the surface of the storage electrode 24.
그러나, 마란고니 건조기에 의한 건조공정시 발생하는 마란고니 포스는 중력이 작용하는 방향으로 작용하기 때문에 저장전극 브리지 유발에 가장 큰 영향을 미치는 요인중 하나로 작용한다.However, since the marangoni force generated during the drying process by the marangoni dryer acts in a direction in which gravity acts, it acts as one of the most influential factors in causing storage electrode bridges.
상기의 이유로 전술한 바와 같이, 상기 저장전극(24)이 형성된 반도체기판(10)을 웨트스테이션 내에 로딩할 때 저장전극(24) 사이의 단축 바 CD가 웨트스테이션 내의 모든 용액의 계면에 수직이 되도록 얼라인함으로써, 마란고니 포스의 영향을 최대한 줄일 수 있다.As described above, as described above, when loading the semiconductor substrate 10 on which the storage electrode 24 is formed in the wet station, the short bar CD between the storage electrodes 24 is perpendicular to the interface of all the solutions in the wet station. By aligning, the influence of a marangoni force can be reduced as much as possible.
상기 저장전극(24)이 형성된 반도체기판(10)은 최종 세정조에서 마란고니 건조기를 통과할 때 0.3∼0.5㎜/초의 속도로 이동하도록 하는데, 이는 공기중 표면의 노출시간을 줄여 저장전극(24) 표면의 소수성 특성이 최대한 유지되도록 하기 위함이다.The semiconductor substrate 10 on which the storage electrode 24 is formed moves at a speed of 0.3 to 0.5 mm / sec when passing through the marangoni dryer in the final cleaning tank, which reduces the exposure time of the surface in the air and thus the storage electrode 24. This is to maintain the hydrophobic property of the surface to the maximum.
또한 상기 액체탱크(110)에 설치되어 있는 버블러에는 질소공급원으로부터 공급되어 버블링 역할을 하는 핫 질소 기체가 적절하게 조절됨으로써 이소프로필알코올 버블을 생성하여 이소프로필 알코올 증기(120)를 발생시키고, 또한 질소공급원으로부터 공급되어 캐리어 역할을 하는 핫 질소 기체가 적절하게 조절됨으로써 상기 버블러에 의해 발생된 이소프로필 알코올 증기(120)를 저장전극(24)이 형성된 반도체기판(10) 표면에 고르게 분산되도록 한다.In addition, in the bubbler installed in the liquid tank 110, hot nitrogen gas supplied from a nitrogen source and acting as a bubbling is properly adjusted to generate isopropyl alcohol bubbles to generate isopropyl alcohol vapor 120, In addition, the hot nitrogen gas supplied from the nitrogen source serving as a carrier is appropriately adjusted so that the isopropyl alcohol vapor 120 generated by the bubbler is evenly distributed on the surface of the semiconductor substrate 10 having the storage electrode 24 formed thereon. do.
도 3a는 저장전극의 표면이 친수성인 상태에서 마란고니 건조기에 의해 건조공정이 진행된 경우를 나타내는 개략도이고, 도 3b는 도 3a에 따른 결과를 나타내는 SEM 사진으로, 저장전극(24)이 형성된 반도체기판(10)의 표면이 친수성이기 때문에 하우징(100)의 탈이온수 및 액체탱크(110)의 이소프로필 알코올을 통과할 때까지 마란고니 포스를 강하게 받게 되어 결과적으로 저장전극(24)의 브리지 ("A"로 표시됨) 발생이 용이함을 보여준다.3A is a schematic view showing a case where a drying process is performed by a Marangoni dryer in a state where the surface of the storage electrode is hydrophilic, and FIG. 3B is a SEM photograph showing the result according to FIG. 3A, wherein the semiconductor substrate on which the storage electrode 24 is formed Since the surface of 10 is hydrophilic, Marangoni force is strongly received until it passes through deionized water of the housing 100 and isopropyl alcohol of the liquid tank 110, resulting in a bridge of the storage electrode 24 ("A It is easy to generate.
반면, 도 4a는 본 발명에 따라 저장전극의 표면이 소수성인 상태에서 마란고니 건조기에 의해 건조공정이 진행된 경우를 나타내는 개략도이고, 도 4b는 도 4a에 따른 결과를 나타내는 SEM 사진으로, 저장전극(24)이 형성된 반도체기판(10)의 표면이 소수성이기 때문에 하우징(100)의 탈이온수 및 액체탱크(110)의 이소프로필 알코올을 통과할 때까지 탈이온수가 저장전극(24) 표면으로부터 쉽게 분리되어 상대적으로 마란고니 포스의 영향을 거의 받지 않기 때문에 저장전극(24)의 브리지가 발생하지 않음을 보여준다.On the other hand, Figure 4a is a schematic diagram showing a case where the drying process by the marangoni dryer in the state that the surface of the storage electrode is hydrophobic according to the present invention, Figure 4b is a SEM picture showing the result according to Figure 4a, the storage electrode ( Since the surface of the semiconductor substrate 10 having the 24 formed thereon is hydrophobic, deionized water is easily separated from the storage electrode 24 surface until it passes through the deionized water of the housing 100 and the isopropyl alcohol of the liquid tank 110. It is shown that the bridge of the storage electrode 24 does not occur because it is relatively unaffected by the marangoni force.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에서는 실린더형 캐패시터를 제조하는데 있어서 세정공정시 저장전극의 표면을 소수성으로 만든 상태에서 마란고니 건조기를 사용하여 건조함으로써, 두 저장전극 사이의 물 반점 발생을 억제시켜 저장전극의 브리지 발생을 방지할 뿐만 아니라, 파티클 제어가 쉽고, 저장전극의 표면이 마지막 세정공정 진행시 HF처리에 의해 옥사이드와 같은 저유전율 층이 제거된 상태이기 때문에 Ta2O5와 같은 고유전율 박막의 증착시 캐패시터의 정전용량 감소를 억제할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.As described above, in the present invention, in the manufacture of the cylindrical capacitor, the storage electrode is dried by using a marangoni dryer in a state in which the surface of the storage electrode is made hydrophobic during the cleaning process, thereby suppressing the occurrence of water spots between the two storage electrodes. because of being not only to prevent the bridge occurs, which the particle control easy, and the storage electrode surface is the low-dielectric layer such as oxide by HF treatment during progress last washing step removed the high-k thin film such as Ta 2 O 5 The effect of suppressing the capacitance reduction of the capacitor during deposition can be obtained.
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Cited By (3)
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|---|---|---|---|---|
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| KR101045375B1 (en) * | 2009-08-25 | 2011-06-30 | 주식회사 하이닉스반도체 | Method for cleaning in semiconductor device |
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