KR200387671Y1

KR200387671Y1 - Ring typed probe for high speed test

Info

Publication number: KR200387671Y1
Application number: KR20-2005-0007415U
Authority: KR
Inventors: 박인재; 김형익; 이건범
Original assignee: 김형익; 이건범; 박인재
Priority date: 2005-03-18
Filing date: 2005-03-18
Publication date: 2005-06-21

Abstract

개시된 본 고안은 도체를 링(ring)형상으로 제작하여 반도체의 소켓, 프로브카드, LCD 및 유기 EL 테스트시 컨택(contact)에 유용하게 사용하여 고속으로 테스트할 수 있도록 하기 위한 고속 테스트용 링형 프로브에 관한 것으로서, 반도체의 소켓, 프로브카드, LCD 및 유기 EL 등을 고속으로 테스트할 수 있는 프로브에 있어서, 오링 형상의 도체; 상기 도체의 일측 소정 부위에 일체로 형성되는 컨택트부; 및 상기 도체에서 상기 컨택트부와 대향되는 위치에 형성되는 패드 접합부로 구비되는 것을 특징으로 한다.Disclosed is a ring probe for a high speed test for manufacturing a conductor in a ring shape so that the conductor can be usefully used for contact in a socket, a probe card, an LCD, and an organic EL test. A probe capable of testing a socket of a semiconductor, a probe card, an LCD and an organic EL at high speed, comprising: an O-ring conductor; A contact unit integrally formed at a predetermined portion of one side of the conductor; And a pad joint formed at a position opposite to the contact portion in the conductor.

Description

RING TYPED PROBE FOR HIGH SPEED TEST}

본 고안은 고속 테스트용 링형 프로브에 관한 것이다.The present invention relates to a ring probe for high speed test.

보다 상세하게는, 도체를 링(ring)형상으로 제작하여 반도체의 소켓, 프로브카드, LCD 및 유기 EL 테스트시 컨택(contact)에 유용하게 사용하여 고속으로 테스트할 수 있도록 하기 위한 고속 테스트용 링형 프로브에 관한 것이다.More specifically, a ring-type probe for high speed test to manufacture a conductor in a ring shape so that the conductor can be usefully used for contact during testing of sockets, probe cards, LCDs, and organic EL. It is about.

반도체기술이 진보하면서 메모리를 비롯한 전자부품의 단자피치가 갈수록 미세화되고 있으며 이러한 전자부품이 출하되기 전에는 완성된 전자부품이 제성능을 발휘하는지에 대한 테스트가 이루어진다. 그리고 이러한 성능테스트를 통과한 부품만이 출하된다. As semiconductor technology advances, terminal pitches of electronic components, including memories, are becoming increasingly finer. Before these electronic components are shipped, tests are conducted on whether the finished electronic components perform well. Only parts that pass these performance tests are shipped.

도 1은 반도체소자 고속 테스트용 링형 프로브를 도시한 도면이다.1 is a diagram illustrating a ring probe for a high speed test of a semiconductor device.

반도체소자를 고속으로 테스트하기 위한 프로브는, 첨부 도면 도 1에 도시된 바와 같이 중공의 원통형 도체(6)의 양측단으로 플런저(2)(4)가 삽입, 결합되고, 상기 중공 내의 플런저(2)(4) 사이에는 스프링(8)이 구비되어 있다.Probes for testing the semiconductor device at high speed, the plunger (2) 4 is inserted and coupled to both ends of the hollow cylindrical conductor 6, as shown in Figure 1 of the accompanying drawings, the plunger 2 in the hollow A spring 8 is provided between the (4).

상기 중공에 삽입된 상기 플런저(2)(4)의 양단은 중공으로부터 외부로 이탈되지 않도록 돌기가 형성되어 있다.Both ends of the plunger (2) (4) inserted into the hollow is formed with a projection so as not to be separated from the hollow to the outside.

상기 스프링(8)은 상기 플런저(2)의 일단에 구비되는 니들(도면에 미도시)의 일측이 피검사물과 접촉시 자체의 탄성력을 이용하여 접촉을 확고히 할 수 있다. 상기 플런저(2)(4)는 상기 스프링(8)의 탄성력에 의해 원통형 도체(6) 내에서 상하로 이동가능하게 된다.The spring 8 may be firmly in contact with one side of the needle (not shown in the drawing) provided at one end of the plunger 2 by using its own elastic force. The plungers 2 and 4 are movable up and down in the cylindrical conductor 6 by the elastic force of the spring 8.

따라서, 피검사물과 접촉시 상기 니들이 하강위치가 정확하지 않더라도 모든 테스트 포인트에 대해 정확하게 접촉하게 된다.Therefore, when the needle comes into contact with the test object, the needle comes into precise contact with all test points even if the lowering position is not correct.

그러나, 상기와 같은 종래 기술에 따른 프로브는 원통형 도체 내부에 스프링을 구비시켜야 하기 때문에 프로브를 제작하는 공정이 복잡하고, 까다롭다는 문제점이 있다.However, the probe according to the prior art as described above has a problem that the manufacturing process of the probe is complicated and difficult because the spring must be provided inside the cylindrical conductor.

또한, 작업공정이 까다롭기 때문에 제작단가 및 제작시간이 많이 소요된다는 문제점이 있다.In addition, there is a problem in that the production cost and production time is very high because the work process is difficult.

본 고안은 상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 본 고안의 목적은 도체를 링(ring)형상으로 제작하여 반도체의 소켓, 프로브카드, LCD 및 유기 EL 테스트시 컨택(contact)에 유용하게 사용하여 고속으로 테스트할 수 있도록 하기 위한 고속 테스트용 링형 프로브를 제공함에 있다.The present invention was devised to solve the problems of the prior art as described above, and an object of the present invention is to manufacture a conductor in a ring shape to contact a semiconductor socket, probe card, LCD and organic EL test. The present invention provides a ring probe for a high speed test to be used at a high speed so that the test can be performed at high speed.

상기와 같은 기술적 과제를 해결하기 위하여 제안된 본 고안의 일 실시예는, 반도체의 소켓, 프로브카드, LCD 및 유기 EL 등을 고속으로 테스트할 수 있는 프로브에 있어서, 오링 형상의 도체; 상기 도체의 일측 소정 부위에 일체로 형성되는 컨택트부; 및 상기 도체에서 상기 컨택트부와 대향되는 위치에 형성되는 패드 접합부로 구비되는 것을 특징으로 한다.One embodiment of the present invention proposed to solve the technical problem as described above, in the probe that can test a socket, a probe card, an LCD and an organic EL of a semiconductor at high speed, O-ring-shaped conductors; A contact unit integrally formed at a predetermined portion of one side of the conductor; And a pad joint formed at a position opposite to the contact portion in the conductor.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 고속 테스트용 링형 프로브에 대해 상세하게 설명한다.Hereinafter, a high speed test ring probe will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 고안의 상세하게 설명하기 이전에 본 고안을 통해 언급되는 용어를 정의하면, 먼저 링형 도체(14)에 접촉부(10) 및 패드 접합부(12)가 구비되어 있는 상태를 링형 프로브(16)로 지칭하고, 패드(20)에 소정 배열로 정렬되어 상기 링형 프로브(16)가 접합되어 있는 상태를 프로브카드(30)로 지칭하기로 한다.If the terms mentioned through the present invention are defined before explaining the present invention in detail, the state in which the ring portion 14 is provided with the contact portion 10 and the pad junction portion 12 is referred to as the ring probe 16. The state in which the ring-shaped probe 16 is bonded to the pad 20 in a predetermined arrangement will be referred to as a probe card 30.

본 고안에 따른 고속 테스트용 링형 프로브는, 첨부 도면 도 2 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 링형 도체(14)와, 상기 링형 도체(14)의 일측 소정 부위에 일체로 형성되는 접촉부(10)와, 상기 링형 도체(14)에서 상기 컨택트부(10)와 대향되는 위치에 형성되는 패드 접합부(12)로 구성된다.The ring-shaped probe for a high speed test according to the present invention, as shown in the accompanying drawings 2 to 5, the contact portion 10 formed integrally with the ring-shaped conductor 14 and a predetermined portion on one side of the ring-shaped conductor 14 And a pad joining portion 12 formed at a position opposite to the contact portion 10 in the ring-shaped conductor 14.

상기 링형 도체(14)는 파이프형의 원재료를 가공하여 패키지공정을 통해 소정 두께로 절단되어 형성된다.The ring-shaped conductor 14 is formed by cutting a pipe-shaped raw material to a predetermined thickness through a packaging process.

상기 링형 도체(14)의 임피던스는 상기 파이프의 지름, 파이프의 두께 및 절단두께에 의해 결정된다. The impedance of the ring conductor 14 is determined by the diameter of the pipe, the thickness of the pipe and the cutting thickness.

상기 임피던스 중 저항성분은 도체의 길이에 비례하고 표면적에 반비례하는 특정을 가진다. 따라서, 링형 도체(14)에서 링의 지름을 작게 하면 저항성분을 줄일 수 있게 되며, 링형 도체(14)는 양 단의 접점(10)(12)에 의하여 링의 좌우가 연결되어 있으므로 표면적이 증가하여 저항을 작게 갖는 구조로 되어 있다.The resistance component of the impedance has a specificity which is proportional to the length of the conductor and inversely proportional to the surface area. Therefore, if the diameter of the ring in the ring-shaped conductor 14 is reduced, the resistance component can be reduced, and the ring-shaped conductor 14 has an increased surface area since the left and right sides of the ring are connected by the contacts 10 and 12 at both ends. Therefore, the structure has a small resistance.

그리고, 상기 링형 도체(14)의 재질은 베릴륨 카파 또는 텅스텐 등과 같이 탄성 및 복원력이 좋은 재료를 사용하고 전도성을 향상시키기 위해 도금공정을 실시하여 도체 표면에 금도금층을 형성시킨다.The ring-shaped conductor 14 is formed of a gold plated layer on the surface of the conductor by using a material having good elasticity and resilience such as beryllium kappa or tungsten, and performing a plating process to improve conductivity.

상기와 같이 고속 테스트용 링형 프로브는 패드에 링형 도체를 접합함으로써 제조된다(첨부 도면 도 3 및 도 4 참조). 상기 패드는 세라믹 또는 엔지니어링 플라스틱 또는 PCB 기판에 위치하게 되며, 상기 패드 상부에 링형 프로브를 금속접합 또는 레이저 접합 또는 전기접합 등과 같은 접합방식을 이용하여 붙이게 된다.As described above, the ring-shaped probe for a high speed test is manufactured by bonding a ring-shaped conductor to a pad (see attached drawings FIGS. 3 and 4). The pad is placed on a ceramic or engineering plastic or PCB substrate, and the ring-shaped probe is attached to the pad by using a bonding method such as metal bonding, laser bonding, or electrical bonding.

상기 링형 프로브(16)는 첨부 도면 도 5에 도시된 바와 같이 접촉부(10)가 피검사물과 접촉시 링형 도체(14) 자체의 탄성력을 이용하여 접촉을 확고히 할 수 있다. 즉, 접촉부(10)가 피검사물과 접촉시 접촉부(10)의 하강위치가 정확하지 않더라도 오링 형상의 도체(14)가 가지는 탄성력에 의해 모든 테스트 포인트에 대해 정확하게 접촉된다. As shown in FIG. 5, the ring-shaped probe 16 may firmly contact by using the elastic force of the ring-shaped conductor 14 itself when the contact portion 10 is in contact with the object under test. That is, even when the contact portion 10 is in contact with the object to be inspected, even if the lowered position of the contact portion 10 is not accurate, the contact portion 10 is accurately contacted with respect to all test points by the elastic force of the O-ring conductor 14.

상기 패드에 금속 접합된 링형 프로브(16)는 반도체의 리드 또는 웨이퍼의 패드에 접촉부(10)가 접촉하게 된다. 이때 적정한 힘을 받게 되므로 프로브의 링형 도체(14)가 좌우로 퍼지며 접촉하게 된다. 이때 적정한 힘은 반도체의 리드 특성 및 웨이퍼의 접촉시 필요한 힘에 따라 조정이 가능하다.In the ring-shaped probe 16 metal-bonded to the pad, the contact portion 10 comes into contact with a pad of a semiconductor lead or a wafer. At this time, since the appropriate force is received, the ring-shaped conductor 14 of the probe spreads from side to side and contacts. At this time, the appropriate force can be adjusted according to the lead characteristics of the semiconductor and the force required when contacting the wafer.

이상의 본 고안은 상기 실시예들에 의해 한정되지 않고, 당업자에 의해 다양한 변형 및 변경을 가져올 수 있으며, 이는 첨부된 청구항에서 포함되는 본 고안의 취지와 범위에 포함된다.The present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications and changes can be made by those skilled in the art, which are included in the spirit and scope of the present invention included in the appended claims.

상기와 같은 구성 및 작용 그리고 바람직한 실시예를 가지는 본 고안은 도체를 오링(O-ring)형상으로 제작하여 반도체의 소켓, 프로브카드, LCD 및 유기 EL 테스트시 접촉(contact)에 유용하게 사용할 수 있도록 하는 효과가 있다.The present invention having the above-described configuration, operation, and preferred embodiments can be used to make a conductor in an O-ring shape so that it can be usefully used for contacting sockets, probe cards, LCDs, and organic EL tests of semiconductors. It is effective.

또한, 본 고안은 저가격이면서 높은 품질을 갖는 프로브를 제공할 수 있도록 하는 효과가 있다.In addition, the present invention has the effect of providing a probe having a low cost and high quality.

또한, 본 고안은 파이프 지름과 파이프의 두께, 절단 두께를 조절함으로써 임피던스를 조절을 할 수 있어, 사용자가 프로브의 임피던스를 조절하기가 용이할 뿐만 아니라 컨택 포스(contact force)를 조정하기 용이하다는 효과가 있다.In addition, the present invention can adjust the impedance by adjusting the pipe diameter, the thickness of the pipe, the thickness of the cut, so that the user can easily adjust the impedance of the probe, it is easy to adjust the contact force (contact force) There is.

또한, 본 고안은 도체의 표면적을 증가시켜 저항을 줄일 수 있는 구조로 되어 있어 양방향 신호의 통로로서 신호 특성을 개선시킬 수 있도록 하는 효과가 있다. In addition, the present invention has a structure that can reduce the resistance by increasing the surface area of the conductor has the effect of improving the signal characteristics as a bidirectional signal passage.

도 1는 종래 기술에 따른 고속 테스트용 링형 프로브를 도시한 도면,1 is a view showing a ring-shaped probe for a high speed test according to the prior art,

도 2는 본 고안에 따른 고속 테스트용 링형 프로브를 도시한 도면,2 is a view showing a ring-type probe for a high speed test according to the present invention,

도 3은 본 고안에 따른 고속 테스트용 링 프로브가 구비된 프로브 소자의 평면도,3 is a plan view of a probe device having a ring probe for high speed test according to the present invention;

도 4는 본 고안에 따른 고속 테스트용 링 프로브가 구비된 프로브 소자의 사시도,4 is a perspective view of a probe device having a ring probe for high speed test according to the present invention;

도 5는 본 고안에 따른 링형 프로브가 사용 상태도이다.5 is a state diagram using the ring-shaped probe according to the present invention.

*** 도면의 주요부분에 대한 부호 설명 ****** Explanation of symbols on main parts of drawing ***

10 : 컨텍부 12 : 패드 접합부10 contact part 12 pad connection part

14 : 링형 도체 16 : 링형 프로브14 ring-shaped conductor 16 ring-shaped probe

20 : 패드 30 : 프로브카드20: pad 30: probe card

Claims

Probes that can test sockets, probe cards, LCDs, organic ELs, etc. of semiconductors at high speed,

O-ring conductor;

A contact unit integrally formed at a predetermined portion of one side of the conductor; And

A pad junction formed at a position opposite to the contact portion in the conductor;

Ring-type probe for high speed test, characterized in that provided with.

According to claim 1, wherein the O-ring conductor,

Ring-type probe for high-speed test, characterized in that the raw material of the pipe-type is processed and cut to a predetermined thickness through a packaging process.

The impedance of the O-ring conductor,

Ring type probe for high speed test, characterized in that determined by the diameter of the pipe, the thickness of the pipe and the cutting thickness.