KR200368349Y1 - Cleaning bath for a wafer - Google Patents

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KR200368349Y1
KR200368349Y1 KR20-2004-0024229U KR20040024229U KR200368349Y1 KR 200368349 Y1 KR200368349 Y1 KR 200368349Y1 KR 20040024229 U KR20040024229 U KR 20040024229U KR 200368349 Y1 KR200368349 Y1 KR 200368349Y1
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박주형
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(주)스마트에이시스템
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    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles

Abstract

몸체, 샤워부, 배출부 및 받침부재를 구비하는 세정 베스에 내장부재를 구비함으로써, 세정 작업중 세정된 웨이퍼에 화학물질이 재흡착 되는 것을 방지하여 생산성을 향상시킬 수 있는 웨이퍼용 세정조가 개시된다. 웨이퍼용 세정조는 내부에 작업공간이 형성되고, 저면이 중심방향으로 경사지게 형성되는 몸체가 제공된다. 샤워부는 작업공간의 상부에 배치되며, 받침부재는 샤워부의 하단에 배치되고 상단에 웨이퍼가 안착된다. 제 1배출부는 저면에 형성된 제 1관통공에 연결되며, 제 1지지부재는 제 1배출부를 관통하여 받침부재에 결합된다. 제 2배출부는 저면에 형성된 제 2관통공에 연결된다. 내장부재는 일정길이로 형성된 제 2지지부재에 결합되어 저면으로부터 일정간격 이격되어 배치되며, 몸체의 측면과 일정거리만큼 떨어져 배치된다.By providing a built-in member in a cleaning bath including a body, a shower, a discharge part, and a support member, a cleaning tank for a wafer can be prevented from being resorbed to a cleaned wafer during a cleaning operation, thereby improving productivity. The wafer cleaning bath is provided with a body in which a working space is formed and the bottom is inclined toward the center. The shower unit is disposed at the upper part of the workspace, the support member is disposed at the lower part of the shower unit, and the wafer is seated at the upper part. The first discharge portion is connected to the first through hole formed in the bottom surface, and the first support member is coupled to the support member through the first discharge portion. The second discharge portion is connected to a second through hole formed in the bottom surface. The built-in member is coupled to the second support member formed to a predetermined length and spaced apart from the bottom by a predetermined distance, and is spaced apart from the side of the body by a predetermined distance.

Description

웨이퍼용 세정조{CLEANING BATH FOR A WAFER}Wafer cleaning tank {CLEANING BATH FOR A WAFER}

본 발명은 세정조에 관한 것으로서, 구체적으로는 웨이퍼, 평판판넬(FPD) 등을 세정하기 위하여 사용되는 웨이퍼용 세정조에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a cleaning tank, and more particularly, to a wafer cleaning tank used for cleaning a wafer, a flat panel (FPD), and the like.

도 4에는 종래 기술에 따른 웨이퍼용 세정조의 정단면도가 도시되어 있다.4 is a front cross-sectional view of a cleaning bath for a wafer according to the prior art.

도 4를 참조 하면 종래 기술에 따른 웨이퍼용 세정조는 몸체(10), 샤워부(25), 받침부재(20) 및 배출부(17)를 구비한다.Referring to FIG. 4, a wafer cleaning tank according to the related art includes a body 10, a shower 25, a support member 20, and a discharge unit 17.

몸체(10)는 내부에 작업공간이 형성되고, 저면(11)은 중심을 향하여 단면이 좁아지도록 경사지게 형성되고, 샤워부(25) 와 받침부재(20)는 몸체(10) 내부의 작업공간에 배치된다.The body 10 has a work space formed therein, the bottom 11 is formed to be inclined to narrow the cross section toward the center, the shower portion 25 and the support member 20 in the work space inside the body 10 Is placed.

샤워부(25)는 몸체(10)의 작업공간 상측에 배치되고, 배출부(17)는 저면(11)의 중앙에 형성되는 제 1관통공(16)에 일체 또는 분리 가능하게 결합된다.The shower unit 25 is disposed above the work space of the body 10, and the discharge unit 17 is integrally or detachably coupled to the first through hole 16 formed at the center of the bottom surface 11.

받침부재(20)는 작업공간 내부에 배치되고, 하단에는 배출부(17)를 관통하여 연결되는 지지부재(21)가 결합된다.Support member 20 is disposed in the working space, the lower end is coupled to the support member 21 is connected through the discharge unit 17.

상기와 같은 구성을 갖는 종래기술에 따른 세정 베스의 작용 및 효과를 설명하면 다음과 같다.Referring to the operation and effect of the cleaning bath according to the prior art having the configuration as described above are as follows.

다시 도 4를 참조하면, 웨이퍼용 세정조에서 웨이퍼의 세정 작업을 하는 경우, 웨이퍼(W)는 받침부재(20)의 상단에 배치되고, 샤워부(25)로부터 웨이퍼(W)가 배치되어 있는 방향으로 웨이퍼(W)의 세정용 가스 및 액체가 분사된다. 이때 샤워부(25)로부터 분사된 세정용 가스 및 액체는 웨이퍼(W)에 잔류하고 있는 화학 물질을 웨이퍼(W)에서 제거하게 된다.Referring back to FIG. 4, when the wafer is cleaned in the wafer cleaning tank, the wafer W is disposed on the upper end of the support member 20, and the wafer W is disposed from the shower portion 25. Cleaning gas and liquid of the wafer W are injected in the direction. At this time, the cleaning gas and the liquid injected from the shower 25 remove the chemical substances remaining on the wafer W from the wafer W.

한편, 웨이퍼(W)를 세정한 세정용 가스 및 액체는 웨이퍼(W) 상에 잔류하는 화학 물질을 세정하면서 섞이게 된다. 세정용 가스 및 액체는 화학물질을 포함한 상태에서 저면(11)에 연결되는 배출부(17)를 통하여 몸체(10)의 외부로 유출된다.On the other hand, the cleaning gas and liquid cleaning the wafer W are mixed while cleaning the chemical substances remaining on the wafer W. The cleaning gas and the liquid are discharged to the outside of the body 10 through the discharge portion 17 connected to the bottom 11 in the state containing the chemical.

그런데, 종래기술의 웨이퍼용 세정조는, 세정공정을 마치고 세정용 가스 및 액체가 배출부를 통하여 몸체의 외부로 유출되는 경우, 몸체의 작업공간 내에 잔류하는 화학 물질이 배출부를 통하여 배출되게 된다. 이때, 작업공간 내에 잔류하는 화학 물질은 배출부를 빠져나가는 배출물에 의하여 형성되는 기류의 흐름에 영향을 받게된다. 한편, 화학 물질의 일부가 웨이퍼에 재흡착하게 되어 웨이퍼의 세정공정을 반복해서 실시해야 한다. 따라서, 웨이퍼의 생산효율이 떨어지게 되어 반도체의 제조 원가가 상승하게 되는 등의 문제점이 있다.By the way, in the prior art wafer cleaning tank, when the cleaning gas and the liquid are discharged to the outside of the body through the discharge portion, the chemical substance remaining in the working space of the body is discharged through the discharge portion. At this time, the chemicals remaining in the workspace are affected by the flow of airflow formed by the discharge exiting the discharge. On the other hand, some of the chemicals are reabsorbed on the wafer, and the cleaning process of the wafer must be repeated. Therefore, there is a problem that the production efficiency of the wafer is lowered and the manufacturing cost of the semiconductor is increased.

본 고안은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 고안의 목적은 웨이퍼의 세정 작업이 완료된 후에 웨이퍼에 불순분 및 화학 물질이 재흡착되는 것을 방지함으로써 반도체의 불량률을 줄일 수 있고, 반도체의 제조 원가를 줄일 수 있으며, 웨이퍼의 세정효과를 향상 시킬 수 있는 웨이퍼용 세정조를 제공하는데 있다.The present invention is devised to solve the problems of the prior art as described above, the object of the present invention is to reduce the defect rate of the semiconductor by preventing the impurities and chemicals re-adsorbed on the wafer after the cleaning operation of the wafer is completed. To reduce the manufacturing cost of the semiconductor, and to improve the cleaning effect of the wafer to provide a cleaning tank for the wafer.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 웨이퍼용 세정조의 정단면도,1 is a front sectional view of a cleaning bath for a wafer according to a preferred embodiment of the present invention;

도 2는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 웨이퍼용 세정조의 측단면도,2 is a side cross-sectional view of a cleaning bath for a wafer according to a preferred embodiment of the present invention;

도 3은 도 2의 "A"부분의 확대단면도, 그리고3 is an enlarged cross-sectional view of portion “A” of FIG. 2, and

도 4는 종래 기술에 따른 웨이퍼용 세정조의 정단면도이다.4 is a front sectional view of a cleaning bath for a wafer according to the prior art.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

100 : 몸체 110 : 저면100: body 110: bottom

160 : 샤워부 170 : 제 1배출부160: shower unit 170: the first discharge unit

171 : 제 1관통공 180 : 받침부재171: first through hole 180: support member

185 : 제 1지지부재 190 : 제 2배출부185: first support member 190: second discharge portion

191 : 제 2관통공 210 : 내장부재191: second through hole 210: interior member

215 : 제 2지지부재 W : 웨이퍼215: second support member W: wafer

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 고안은 몸체, 샤워부, 제 1배출부, 제 2배출부, 받침부재 및 내장부재를 구비한다.In order to achieve the above object, the present invention includes a body, a shower unit, a first discharge unit, a second discharge unit, a support member, and a built-in member.

몸체는 내부에 작업공간이 형성되고, 저면이 중심을 향하여 단면이 좁아지도록 경사지게 형성되고, 샤워부, 받침부재 및 내장부재는 몸체 내부의 작업공간에 배치된다.The body is formed inside the work space, the bottom surface is formed to be inclined to narrow the cross section toward the center, the shower, the supporting member and the built-in member is disposed in the working space inside the body.

샤워부는 몸체의 작업공간 상측에 배치되고, 제 1배출부는 저면의 중앙에 형성되는 제 1관통공에 일체 또는 분리 가능하게 결합되며, 제 2배출부는 저면에 형성되는 제 2관통공에 일체 또는 분리 가능하게 결합된다.The shower part is disposed above the work space of the body, the first discharge part is integrally or detachably coupled to the first through hole formed at the center of the bottom, and the second discharge part is integrally or separated from the second through hole formed at the bottom of the body. Possibly combined.

받침부재는 작업공간 내부에 배치되고, 하단에는 제 1배출부를 관통하여 연결되는 제 1지지부재가 결합되며, 내장부재는 받침부재의 하단에 배치되며, 하단에 저면 및 몸체의 측면과 일정거리만큼 이격되도록 지지하는 제 2지지부재가 결합된다.The supporting member is disposed inside the work space, and a lower end of the first supporting member coupled to the first discharge part is coupled, and the inner member is disposed at the lower end of the supporting member, and at a lower end of the lower surface and the side of the body by a predetermined distance. A second support member for supporting spaced apart is coupled.

이상에서 설명한 바와 같이 본 고안에 따른 웨이퍼용 세정조는, 몸체내의 저면과 받침부재 사이에 내장부재를 배치하고 내장부재가 몸체의 측면에서 일정거리만큼 떨어지도록 배치하게 된다. 이러한 구조로 인하여 웨이퍼용 세정조의 작업공간의 기류가 흐르는 방향에 변화를 주어 웨이퍼에 화학물질이 재흡착되는 것을 방지할 수 있다.As described above, in the wafer cleaning bath according to the present invention, an interior member is disposed between a bottom surface of the body and a support member, and the interior member is disposed to be separated by a predetermined distance from the side of the body. Due to this structure, the direction of air flow in the working space of the wafer cleaning tank can be changed to prevent the chemicals from being resorbed onto the wafer.

이하, 첨부된 도면들을 참조로 하여 본 고안의 바람직한 실시 예에 따른 웨이퍼용 세정조에 대하여 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in more detail with respect to the wafer cleaning bath according to a preferred embodiment of the present invention.

도 1에는 본 고안의 바람직한 실시 예에 따른 웨이퍼용 세정조를 정면에서 바라본 단면도가 도시되어 있고, 도 2에는 본 고안의 바람직한 실시 예에 따른 웨이퍼용 세정조를 측면에서 바라본 단면도가 도시되어 있으며, 도 3에는 도 2의 "A" 부분의 확대단면도가 도시되어 있다.1 is a cross-sectional view of the wafer cleaning tank according to a preferred embodiment of the present invention from the front, and FIG. 2 is a cross-sectional view of the wafer cleaning tank according to a preferred embodiment of the present invention from the side, 3 is an enlarged cross-sectional view of the portion “A” of FIG. 2.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 고안의 바람직한 실시 예에 따른 웨이퍼용 세정조는 몸체(100), 샤워부(160), 제 1배출부(170), 받침부재(180), 내장부재(210) 및 제 2배출부(190)를 포함한다.1 and 2, the cleaning tank for a wafer according to a preferred embodiment of the present invention is the body 100, the shower unit 160, the first discharge unit 170, the support member 180, the interior member 210 ) And a second discharge unit 190.

몸체(100)는 내부에 작업공간이 형성되고, 저면(110)은 중심을 향하여 단면이 작아지도록 형성된다. 이때, 저면(110)의 중심에는 제 1관통공(171)이 형성된다.The body 100 has a working space formed therein, and the bottom surface 110 is formed to have a smaller cross section toward the center. At this time, a first through hole 171 is formed at the center of the bottom surface 110.

샤워부(160)는 작업공간의 상부에 배치되고, 받침부재(180)는 샤워부(160)의 하단에 배치되어 제 1배출부(170) 및 제 1관통공(171)을 관통하여 작업공간으로 배치되는 제 1지지부재(185)의 상단에 연결된다.The shower unit 160 is disposed at the upper portion of the work space, and the support member 180 is disposed at the lower end of the shower unit 160 to penetrate the first discharge unit 170 and the first through hole 171 to the workspace. It is connected to the upper end of the first support member 185 disposed as.

내장부재(210)는 일정한 높이를 가지는 제 2지지부재(215)에 결합되어 저면(110) 및 몸체(100)의 측면으로부터 일정거리만큼 떨어지도록 배치되고, 중앙부에 제 1지지부재(185)가 관통하는 관통공이 형성된다.The interior member 210 is coupled to the second support member 215 having a predetermined height and disposed to be separated from the side surface of the bottom surface 110 and the body 100 by a predetermined distance, and the first support member 185 is disposed at the center thereof. Through holes are formed therethrough.

한편, 도 3을 참조하면, 제 1배출부(170)는 제 1관통공(171)에 일체 또는 분리 가능하게 결합되어 몸체(100)의 외부로 연장되며, 제 2배출부(190)는 저면(110)에 형성되는 제 2관통공(191)에 일체 또는 분리 가능하게 연결되어 몸체(100)의 외부로 연장된다.On the other hand, referring to Figure 3, the first discharge portion 170 is integrally or detachably coupled to the first through-hole 171 extends to the outside of the body 100, the second discharge portion 190 is the bottom surface It is integrally or detachably connected to the second through hole 191 formed in the 110 and extends to the outside of the body 100.

이와 같이 구성된 본 고안의 바람직한 실시 예에 따른 웨이퍼용 세정조의 작용 및 효과를 간략하게 설명한다.The operation and effects of the cleaning bath for a wafer according to the preferred embodiment of the present invention configured as described above will be briefly described.

다시 도 1 및 도 2를 참조하면, 세정조에서 웨이퍼의 세정 작업을 하는 경우, 샤워부(160)는 웨이퍼(W)를 세정하기 위한 세정용 액체 및 가스를 작업공간 내부에 배치된 웨이퍼가 배치된 방향으로 분사하게 된다. 이때, 웨이퍼(W)는 받침부재(180)의 상단에 배치 된다. 한편, 웨이퍼(W)상에 흡착되어 있던 파티클(PARTICLE)과 같은 불순물은 세정용 액체 및 가스와 함께 웨이퍼(W)에서 이탈하게되어 웨이퍼(W)가 세정된다.Referring back to FIGS. 1 and 2, when the wafer is cleaned in the cleaning bath, the shower unit 160 includes a wafer having a cleaning liquid and gas for cleaning the wafer W disposed inside the work space. Spray in the direction indicated. At this time, the wafer W is disposed on the upper end of the support member 180. On the other hand, impurities such as particles PARTICLE adsorbed on the wafer W are released from the wafer W together with the cleaning liquid and gas, and the wafer W is cleaned.

다음으로, 불순물이 포함한 상태에서 세정용 액체 및 가스는 몸체(100)의 측면과 내장부재(210)의 측면사이로 흘러내린 후 중심을 향하여 경사지게 형성된 몸체(100)의 저면(110)과 내장부재(210)의 저면 사이로 흐르게 된다.Next, the liquid and gas for cleaning in the state containing impurities flows down between the side of the body 100 and the side of the interior member 210, and then the bottom surface 110 and the interior member (100) of the body 100 formed to be inclined toward the center. It flows between the bottom of 210.

다음으로, 세정용 액체 및 가스에 포함된 불순물은 저면(110)의 중심에 형성된 제 1관통공(171)에 결합되는 제 1배출부(170)를 통하여 몸체(100)의 외부로 배출된다.Next, impurities included in the cleaning liquid and gas are discharged to the outside of the body 100 through the first discharge unit 170 coupled to the first through hole 171 formed at the center of the bottom surface 110.

한편, 저면(110)에는 제 2관통공(191)이 형성되고, 제 2관통공(191)에 제 2배출부(190)가 연결되어 저면(110)을 따라 흐르는 세정용 액체 및 가스의 일부를 세정조의 외부로 유출시키게 된다. 이때, 제 2배출부(190)를 통하여 배출되는 흐름에 따라 몸체(100)의 측면과 내장부재(210) 사이로 흐르는 세정용 액체 및 가스는 몸체(100)의 측면에 근접하여 흐르게 된다.Meanwhile, a second through hole 191 is formed in the bottom surface 110, and a second discharge part 190 is connected to the second through hole 191 so that a part of the cleaning liquid and gas flowing along the bottom surface 110 is formed. To the outside of the cleaning tank. At this time, the cleaning liquid and gas flowing between the side of the body 100 and the interior member 210 in accordance with the flow discharged through the second discharge unit 190 flows close to the side of the body (100).

전술한 바와 같이, 종래의 웨이퍼용 세정조는 웨이퍼를 세정 한 후 세정용 액체 및 가스를 배출부를 통하여 몸체의 외부로 유출시키는 경우, 배출되는 세정용 액체 및 가스의 흐름에 의하여 작업공간 내에 남아있는 화학 물질이 웨이퍼에 재흡착 되어 웨이퍼의 불량률이 증가하여 생산성이 떨어진다. 따라서, 본 고안에 따른 웨이퍼용 세정조는 받침부재 및 저면 사이에 내장부재를 설치하여 배출되는 세정용 가스 및 액체가 흐르는 방향을 몸체의 측면으로 유도하여 웨이퍼에 화학 물질이 재흡착되는 것을 방지 할 수 있어 생산성을 향상 시킬 수 있다.As described above, in the case of the conventional cleaning chamber for wafers, when the cleaning liquid and gas flow out of the body through the discharge unit after cleaning the wafer, the chemical remaining in the work space by the flow of cleaning liquid and gas discharged is discharged. The material is resorbed onto the wafer, increasing the defect rate of the wafer and reducing productivity. Therefore, the wafer cleaning tank according to the present invention can prevent the chemicals from being resorbed to the wafer by installing a built-in member between the support member and the bottom surface to guide the flowing direction of the cleaning gas and liquid discharged to the side of the body. It can improve productivity.

상기에서는 본 고안의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 본 고안은 이러한 실시 예로 제한되지 않으며 하기의 실용신안 청구범위에서 나타난 본 고안의 사상 및 영역내에서 다양하게 수정 및 변경될 수 있음을 해당 기술분야의 숙련된 당업자는 용이하게 이해할 수 있을 것이다.In the above description with reference to a preferred embodiment of the present invention, the present invention is not limited to these embodiments, and it can be variously modified and changed within the spirit and scope of the present invention shown in the utility model claims below Those skilled in the art will readily understand.

Claims (2)

내부에 작업공간이 형성되며 저면이 경사지게 이루어지는 몸체(100), 상기 몸체(100)의 작업공간에 배치되는 샤워부(160), 상기 저면(110)에 형성되는 제 1관통공(171)에 연결되는 제 1배출부(170) 및 상기 몸체(100)의 저면(110)에 근접하여 위치되어 웨이퍼(W)가 배치되는 받침부재(180)를 구비하는 웨이퍼용 세정조에 있어서,The work space is formed therein and the bottom surface is inclined to the body 100, the shower unit 160 disposed in the work space of the body 100, connected to the first through-hole 171 formed in the bottom surface 110 In the cleaning tank for a wafer having a first discharge portion 170 and the support member 180 is located close to the bottom surface 110 of the body 100, the wafer W is disposed, 상기 몸체(100)의 저면(110)과 상기 받침부재(180) 사이에 배치되는 내장부재(210); 및A built-in member 210 disposed between the bottom surface 110 of the body 100 and the support member 180; And 상기 내장부재(210)를 상기 몸체(100)의 저면(110)에 지지하기위한 제 2지지부재(215)를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼용 세정조.And a second support member (215) for supporting the internal member (210) on the bottom surface (110) of the body (100). 제 1항에 있어서, 상기 몸체(100)의 저면(110)에 제 2관통공(191)이 형성되고, 상기 제 2관통공(191)에는 제 2배출부(190)가 결합되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼용 세정조.According to claim 1, wherein the second through-hole 191 is formed on the bottom surface 110 of the body 100, the second discharge hole 190 is characterized in that the second discharge portion 190 is coupled to Wafer cleaning tank to perform.
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