KR200357133Y1 - 스핀 코터 - Google Patents
스핀 코터 Download PDFInfo
- Publication number
- KR200357133Y1 KR200357133Y1 KR20-2004-0012370U KR20040012370U KR200357133Y1 KR 200357133 Y1 KR200357133 Y1 KR 200357133Y1 KR 20040012370 U KR20040012370 U KR 20040012370U KR 200357133 Y1 KR200357133 Y1 KR 200357133Y1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- wafer
- photoresist
- solvent
- cover
- spin coater
- Prior art date
Links
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 87
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 63
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims abstract description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 21
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 6
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 11
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 abstract description 10
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract description 8
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 abstract description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 241000239290 Araneae Species 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000003116 impacting effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000935 solvent evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000004148 unit process Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
- B05C11/02—Apparatus for spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to a surface ; Controlling means therefor; Control of the thickness of a coating by spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to the coated surface
- B05C11/08—Spreading liquid or other fluent material by manipulating the work, e.g. tilting
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
- H01L21/782—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, each consisting of a single circuit element
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
Abstract
본 고안은 스핀 코터에 관한 것으로서, 웨이퍼 표면에 포토레지스트를 코팅하는 스핀 코터에 있어서, 상면에 웨이퍼를 진공으로 흡착하며, 모터에 의해 회전하는 웨이퍼 회전척과, 웨이퍼 회전척에 흡착된 웨이퍼를 감싸도록 웨이퍼의 하측과 상측에 각각 설치되는 하부 및 상부커버와, 하부 및 상부커버 내측으로 포토레지스트의 용제를 공급하는 용제공급수단과, 하부 및 상부커버 내측으로부터 외측으로 포토레지스트와 용제의 배출을 위한 통로를 제공하는 배출통로부와, 하부 및 상부커버의 외측에 설치되는 포토레지스트회수컵을 포함한다. 따라서, 본 고안은 포토레지스트의 코팅을 위한 웨이퍼가 위치하는 내측 공간으로 용제를 공급하여 웨이퍼의 회전으로 인해 분리되는 포토레지스트가 경화되지 않고 외부로 배출되도록 함으로써 스핀 코팅시 내측 공간이 클리닝되도록 하여 별도의 클리닝작업을 크게 감소시켜서 생산성을 향상시키고, 포토레지스트의 경화로 인해 발생하는 파티클로 인한 웨이퍼의 결함을 방지하여 웨이퍼의 수율을 향상시키며, 용제의 공급으로 인해 웨이퍼 표면에 존재하는 포토레지스트의 휘발성을 약화시켜서 웨이퍼 표면의 포토레지스트막의 유니포미티(uniformity)를 향상시키는 효과를 가지고 있다.
Description
본 고안은 스핀 코터에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 웨이퍼의 회전으로 인해 분리되는 포토레지스트가 경화되지 않고 외부로 배출되도록 함으로써 스핀 코팅시 내측 공간이 클리닝되도록 하여 별도의 클리닝작업을 크게 감소시켜서 생산성을 향상시키는 스핀 코터에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 기판, 유리 기판, 액정 패널 등과 같은 기판상에 원하는 전자회로를 형성하기 위해서 포토리소그래피(photo lithography), 확산, 식각, 화학기상증착 등 다양한 단위공정을 실시하며, 이러한 단위공정중 포토리소그래피 공정은 웨이퍼상에 소정의 패턴을 형성시키기 위한 공정으로서, 웨이퍼 상면에 포토레지스트(photoresist: "PR"이라고도 함)층을 균일하게 도포 형성시킨 후 소정 레이아웃으로 형성된 레티클(reticle)을 위치시켜 조도가 높은 파장의 광을 조사하여 불필요한 포토레지스트층을 분리 세정함으로써 웨이퍼상에 요구되는 패턴을 형성한다.
포토리소그래피 공정에 있어서 웨이퍼 표면에 포토레지스트막을 형성하는 포토레지스트 도포처리에 있어서 웨이퍼 표면에 포토레지스트를 균일하게 도포하기 위한 방법으로서 웨이퍼를 회전시켜서 웨이퍼상에 포토레지스트를 원심력에 의해 고르게 도포하는 스핀 코팅(spin coating)법 등이 많이 이용되고 있다.
스핀 코팅시 웨이퍼를 100에서 10000RPM까지 고속 회전시키게 되는데, 이러한 스핀 코팅을 실시하는 스핀 코터(spin coater)는 회전하는 웨이퍼 상부가 대기에 노출되는 오픈 타입(open type)이 일반적이나, 일부 공정에서는 포토레지스트가 고가이므로 적은 양을 사용하기 위해서 그리고, 유니포머티(uniformity)를 향상시키기 위해서 회전하는 웨이퍼 상부를 밀폐시키는 클로즈 타입(close type)을 사용한다.
클로즈 타입의 스핀 코터는 포토레지스트의 용제가 주로 신나와 같은 휘발성이 강하므로 용제의 증발성을 줄여 적은 양의 포토레지스트를 사용하여 스핀 코팅 공정을 실시하게 된다.
종래의 스핀 코팅 공정을 실시하는 클로즈 타입의 스핀 코터를 첨부된 도면을 이용하여 설명하면 다음과 같다.
도 1은 종래의 기술에 따른 스핀 코터의 일실시예를 도시한 단면도이다. 도시된 바와 같이, 종래의 일실시예에 따른 스핀 코터(10)는 모터(미도시)에 의해 회전함과 아울러 진공으로 웨이퍼(W)를 흡착하는 웨이퍼 척(11)과, 웨이퍼 척(11)에 결합되어 웨이퍼(W) 하측에 설치되는 하부커버(12)와, 하부커버(12)의 상측에 분리가능하게 억지 끼워지는 상부커버(13)와, 하부커버(12) 및 상부커버(13) 외측에 설치되는 포토레지스트회수컵(14)을 포함한다.
도 2는 종래의 기술에 따른 스핀 코터의 다른 실시예를 도시한 단면도이다. 도시된 바와 같이, 종래의 다른 실시예에 따른 스핀 코터(20)는 모터(미도시)에 의해 회전함과 아울러 진공으로 웨이퍼(W)를 흡착하는 웨이퍼 척(21)과, 웨이퍼 척(21)의 외측에 설치되는 포토레지스트회수컵(22)과, 포토레지스트회수컵(22)의 상측에 결합되는 상부커버(23)를 포함한다.
이와 같은 종래의 실시예들에 따른 스핀 코터(10,20)는 상부커버(13,23)를 개방시킨 다음 웨이퍼 척(11,21)에 진공으로 흡착된 웨이퍼(W) 표면에 포토레지스트를 수동 또는 자동으로 공급한 다음 모터(미도시)의 회전에 의해 고속으로 회전시키면 포토레지스트가 원심력에 의해 웨이퍼(W) 표면에 고르게 도포하게 된다.
그러나, 이러한 종래의 실시예들에 따른 스핀 코터(10,20)는 웨이퍼(W)를 회전시 웨이퍼(W)로부터 분리된 포토레지스트(a,b)가 도 1의 일실시예에서는 하부 및 상부커버(12,13) 내측, 도 2의 다른 실시예에서는 포토레지스트회수컵(22)의 회수공간(22a)에 부착됨으로써 하부 및 상부커버(12,13), 포토레지스트회수컵(22) 등의클리닝작업을 자주 하게 함으로써 장비의 가동율을 감소시켜서 생산성을 저하시키는 문제점을 가지고 있다.
또한, 하부 및 상부커버(12,13) 내측, 포토레지스트회수컵(22)의 회수공간(22a)에 부착된 포토레지스트가 경화되어 공정상 새로운 형태의 파티클(particle)을 형성하게 되어 웨이퍼(W)의 결함을 유발하여 수율을 저하시키는 문제점을 가지고 있었다.
특히, 도 2의 다른 실시예에 따른 스핀 코터(20)는 웨이퍼(W)로부터 이탈된 포토레지스트(b)가 포토레지스트회수컵(22)의 회수공간(22a)에 부착되어 쌓이게 됨에도 불구하고 회수된 포토레지스트(b)의 배출을 위한 구조를 가지지 못함으로써 회수공간(22a)내에 부착된 포토레지스트(b)로 인한 클리닝작업에 따른 불편과 수율의 저하가 현저하다.
또한, MEMS, BUMP 공정 등의 일부에서는 고점도의 포토레지스트를 사용하게 되는데, 이 때, 웨이퍼(W)의 고속 회전으로 인해 포토레지스트가 거미줄처럼 형성되는 현상이 발생함으로써 내측을 오염시키는 문제점을 가지고 있었다.
본 고안은 상술한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 고안의 목적은 포토레지스트의 코팅을 위한 웨이퍼가 위치하는 내측 공간으로 용제를 공급하여 웨이퍼의 회전으로 인해 분리되는 포토레지스트가 경화되지 않고 외부로 배출되도록 함으로써 스핀 코팅시 내측 공간이 클리닝되도록 하여 별도의 클리닝작업을 크게 감소시켜서 생산성을 향상시키는 스핀 코터를 제공하는데 있다.
또한, 본 고안의 목적은, 포토레지스트의 경화로 인해 발생하는 파티클로 인한 웨이퍼의 결함을 방지하여 웨이퍼의 수율을 향상시키는 스핀 코터를 제공하는데 있다.
또한, 본 고안의 목적은, 용제의 공급으로 인해 웨이퍼 표면에 존재하는 포토레지스트의 휘발성을 약화시켜서 웨이퍼 표면의 포토레지스트막의 유니포미티(uniformity)를 향상시키는 스핀 코터를 제공하는데 있다.
이와 같은 목적을 실현하기 위한 본 고안은, 웨이퍼 표면에 포토레지스트를 코팅하는 스핀 코터에 있어서, 상면에 웨이퍼를 진공으로 흡착하며, 모터에 의해 회전하는 웨이퍼 회전척과, 웨이퍼 회전척에 흡착된 웨이퍼를 감싸도록 웨이퍼의 하측과 상측에 각각 설치되는 하부 및 상부커버와, 하부 및 상부커버 내측으로 포토레지스트의 용제를 공급하는 용제공급수단과, 하부 및 상부커버 내측으로부터 외측으로 포토레지스트와 용제의 배출을 위한 통로를 제공하는 배출통로부와, 하부 및 상부커버의 외측에 설치되는 포토레지스트회수컵을 포함하는 것을 특징으로 한다.
도 1은 종래의 기술에 따른 스핀 코터의 일실시예를 도시한 단면도이고,
도 2는 종래의 기술에 따른 스핀 코터의 다른 실시예를 도시한 단면도이고,
도 3은 본 고안에 따른 스핀 코터를 도시한 단면도이고,
도 4는 본 고안에 따른 스핀 코터의 용제유입홀의 일실시예를 도시한 단면도이고,
도 5는 본 고안에 따른 스핀 코터의 용제유입홀의 다른 실시예를 도시한 단면도이고,
도 6은 본 고안에 따른 스핀 코터의 배출통로부의 일실시예를 도시한 단면도이고,
도 7은 본 고안에 따른 스핀 코터의 배출통로부의 다른 실시예를 도시한 단면도이고,
도 8은 본 고안에 따른 스핀 코터에서 용제의 공급경로를 도시한 도면이다.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
110 : 웨이퍼 회전척 111 : 모터
112 : 회전플레이트 113 : 진공공급라인
114 : 진공공급구 120 : 하부커버
121 : 결합볼트 130 : 상부커버
131 : 베어링 132 : 회전샤프트
133 : 방진부재 140 : 커버로딩수단
141 : 연결아암 141a : 베어링하우징
141b : 연결부재 142 : 액츄에이터
150 : 용제공급수단 151 : 용제공급노즐
152,154 : 용제유입홀 153 : 가이드부재
160 : 포토레지스트회수컵 161 : 회수공간
162 : 배출구 170 : 배출통로부
171 : 돌출부 172 : 갭플레이트
180 : 차단커버 181 : 결합볼트
이하, 본 고안의 가장 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 본 고안의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 더욱 상세히 설명하기로 한다.
도 3은 본 고안에 따른 스핀 코터를 도시한 단면도이다. 도시된 바와 같이, 본 고안에 따른 스핀 코터(100)는 웨이퍼(W) 표면에 포토레지스트(photoresist:"PR"이라고도 함)를 코팅하는 것으로서, 웨이퍼(W)를 진공 흡착하여 회전시키는 웨이퍼 회전척(110)과, 웨이퍼 회전척(110)에 흡착된 웨이퍼(W) 하측과 상측에 각각 설치되는 하부 및 상부커버(120,130)와, 하부 및 상부커버(120,130) 내측으로 포토레지스트의 용제를 공급하는 용제공급수단(150)과, 하부 및 상부커버(120,130) 내측으로부터 외측으로 포토레지스트의 배출을 위한 통로를 제공하는 배출통로부(170)와, 하부 및 상부커버(120,130)의 외측에 설치되는 포토레지스트회수컵(160)을 포함한다.
웨이퍼 회전척(110)은 진공공급부(미도시)로부터 진공공급라인(113)을 통해 진공이 공급되도록 내측에 진공공급구(114)가 형성되며, 진공공급구(114)로의 진공 공급에 의해 상면에 웨이퍼(W)를 진공으로 흡착한다. 또한 웨이퍼 회전척(110)은 진공으로 흡착된 웨이퍼(W)를 회전시키기 위하여 모터(111)의 회전축(미도시)에 연결됨으로써 회전가능하게 설치되는 회전플레이트(112)상에 고정됨으로써 모터(111)의 구동에 의해 100 내지 10000RPM으로 고속 회전하게 된다.
하부 및 상부커버(120,130)는 웨이퍼 회전척(110)에 흡착된 웨이퍼(W)를 감싸도록 웨이퍼(W)의 하측과 상측에 각각 설치된다. 하부커버(120)는 웨이퍼(W) 회전시 웨이퍼(W)로부터 분리되는 포토레지스트가 후술하는 배출통로부(170)를 통해 용이하게 배출되도록 웨이퍼 회전척(110)과 함께 회전하는 것이 바람직하므로 웨이퍼 회전척(110)에 결합볼트(121)로 결합된다. 상부커버(130), 역시 같은 이유로 하부커버(120)와 함께 회전함이 바람직하므로, 하부커버(120)와의 마찰에 의해 회전하도록 하나 또는 그 이상의 베어링(131)에 의해 회전가능하게 설치되는 회전샤프트(132)가 상부에 연결된다. 또한, 상부커버(130)는 회전샤프트(132)와의 사이에 진동을 흡수하기 위해 고무나 우레탄재질로 형성되거나 탄성력을 가지는 코일스프링과 같은 방진부재(133)가 설치된다.
용제공급수단(150)은 하부 및 상부커버(120,130) 내측으로 포토레지스트를 용해시키기 위한 신나 등과 같은 용제를 공급한다. 용제공급수단(150)은 상부커버(130)의 상측에 설치되어 상부커버(130)로 용제를 공급하는 용제공급노즐(151)과, 용제공급노즐(151)로부터 공급되는 용제가 내측으로 유입되도록 상부커버(130)에 형성되는 용제유입홀(152)을 포함한다. 용제유입홀(152)은 도 4에서 나타낸 바와 같이, 가장자리를 따라 일정간격으로 복수로 나열된 원형의 홀로 형성되며, 도 5에서 나타낸 바와 같이, 다른 실시예에 따른 용제유입홀(154)은 가장자리를 따라 일정 간격으로 복수로 나열되되 장공으로 형성된다.
용제공급수단(150)은 상부커버(130) 상측면에 마련되어 용제공급노즐(151)로부터 공급되는 용제의 흐름을 용제유입홀(152)로 가이드하는 가이드부재(153)를 더 포함할 수 있다. 가이드부재(153)는 환상의 플레이트 형상을 가지고, 상부커버(153) 상측면에 이격되도록 테두리가 연결되어 중심부로부터 외측을 향하여 용제유입홀(152)까지 경로를 제공함으로써 중심부에 인접하게 설치되는 용제공급노즐(151)로부터 공급되는 용제를 용제유입홀(152)로 유입되도록 가이드한다.
배출통로부(170)는 하부 및 상부커버(120,130) 내측으로부터 외측으로 포토레지스트의 배출을 위한 통로를 제공한다. 배출통로부(170)는 하부커버(120)의 가장자리를 따라 형성될 수 있으나, 바람직하게 일실시예로 도 6에서 나타낸 바와 같이, 플레이트 형상을 가지는 하부커버(120)와 하부커버(120)를 덮은 상부커버(130)사이에 형성되는 갭(gap)으로서, 하부커버(120)와 상부커버(130)가 서로 접하는 부위중 어느 일측에 돌출하여 형성되는 돌출부(171)에 의해 이격됨으로써 하부커버(120)와 상부커버(130)사이에 형성된다. 또한, 배출통로부(170)는 다른 실시예로 도 7에서 나타낸 바와 같이, 하부커버(120)와 상부커버(130)가 서로 접하는 부위에 설치되는 환상의 갭플레이트(172) 일측면에 가장자리를 따라 일정 간격으로 복수로 형성되는 홈이다.
포토레지스트회수컵(160)은 하부 및 상부커버(120,130)의 외측에 설치되고, 웨이퍼(W)로부터 분리되어 배출통로부(170)를 통해 배출되는 포토레지스트를 저장하기 위해 내주면을 따라 회수공간(161)이 형성되며, 회수된 포토레지스트를 외부로 배출하기 위한 배출구(162)가 하측에 형성된다.
상부커버(130)는 작업자에 의해 수동으로 하부커버(120)상에 로딩 또는 언로딩되나, 바람직하게는 커버로딩수단(140)에 의해 자동으로 하부커버(120)로 로딩 또는 언로딩된다. 커버로딩수단(140)은 상부커버(130)의 일측에 연결되는 연결아암(141)과, 연결아암(141)을 상하로 이송시키는 액츄에이터(142)를 포함한다. 연결아암(141)은 상부커버(130) 일측에 연결되기 위하여 상부커버(130)의 상측에 결합되는 회전샤프트(132)가 베어링(131)을 매개로 하여 내측에 설치되는 베어링하우징(141a)과, 베어링하우징(141a)과 액츄에이터(142)를 기계적으로 연결하는 연결부재(141b)를 포함한다. 액츄에이터(142)는 연결아암(141)의 연결부재(141b)에 기계적으로 연결되어 연결부재(141b)를 상하로 이송시키는 공압실린더 또는 유압실린더이거나, 회전력을 직선운동으로 전환하는 부재에 기계적으로 연결되는 모터일 수 있다.
커버로딩수단(140)은 포토레지스트회수컵(160)의 상측을 차단 또는 개방시키는 차단커버(180)를 구비함이 바람직하다. 따라서, 차단커버(180)는 커버로딩수단(140)에 의해 포토레지스트회수컵(160)의 상측을 폐쇄시킴으로써 포토레지스트회수컵(160) 내측의 용제가 쉽게 증발되는 것을 차단한다. 차단커버(180)는 결합볼트(181)에 의해 커버로딩수단(140)의 베어링하우징(141a) 하단에 고정된다.
이와 같은 구조로 이루어진 스핀 코터(100)의 동작은 다음과 같이 이루어진다.
커버로딩수단(140)의 액츄에이터(142)의 구동에 의해 차단커버(180)와 상부커버(130)가 상측으로 이송됨으로써 포토레지스회수컵(160)과 하부커버(120) 상측이 개방되면 웨이퍼(W)는 웨이퍼이송로봇(미도시)에 의해 웨이퍼 회전척(110)으로 로딩되고, 웨이퍼 회전척(110)은 외부의 진공공급부(미도시)로부터 진공공급라인(113)을 통해 진공공급구(114)로 진공이 공급됨으로써 웨이퍼(W)를 진공 흡착한다. 웨이퍼 회전척(110)에 웨이퍼(W)가 진공 흡착되면 작업자가 수동으로, 또는 자동에 의해 웨이퍼(W)에 포토레지스트를 공급한 다음 커버로딩수단(140)의 액츄에이터(142)의 구동에 의해 차단커버(180)와 상부커버(130)가 하강함으로써 포토레지스트회수컵(160) 상측과 하부커버(130) 상부를 차단하고, 모터(111)의 구동에 의해 웨이퍼 회전척(110)이 회전하게 된다.
웨이퍼 회전척(110)이 회전시 하부커버(120)도 함께 회전하게 되며, 이 때 하부커버(120)에 배출통로부(170)를 제외한 부분이 접하는 상부커버(130)도 하부커버(120)와의 마찰력에 의해 베어링(131)으로 지지된 회전샤프트(132)와 함께 회전을 일으킨다. 웨이퍼(W)가 회전을 일으키면 도 8에서 나타낸 바와 같이, 용제공급수단(150)의 용제공급노즐(151)로부터 신나와 같은 용제(c)가 상부커버(130) 상측으로 공급되고, 상부커버(130) 상측으로 공급된 용제(c)는 원심력에 의해 외측으로 이동하면서 가이드부재(153)에 의해 가이드되어 용제유입홀(152)을 통과하여 하부커버(120)와 상부커버(130) 내측으로 공급된다.
하부커버(120)와 상부커버(130) 내측으로 공급되는 용제(c)는 회전하는 웨이퍼(W) 표면으로부터 원심력에 의해 분리되는 포토레지스트와 혼합됨으로써 포토레지스트의 경화를 방지하여 포토레지스트가 용제(c)와 함께 상부커버(130) 내측의 가장자리를 따라 배출통로부(170), 즉 하부커버(120)와 상부커버(130)사이에 형성되는 홈을 통해 배출되어 포토레지스트회수컵(160)의 회수공간(161)에 저장된다.
그러므로, 하부 및 상부커버(120,130) 내측에 포토레지스트가 경화로 인해 부착되는 것을 방지함과 아울러 스핀 코팅으로 인해 하부 및 상부커버(120,130) 내측이 클리닝되도록 함으로써 별도의 클리닝작업을 크게 감소시켜서 생산성을 향상시킨다. 또한, 포토레지스트의 경화로 인해 발생하는 파티클로 인한 웨이퍼(W)에 결함이 발생하는 것을 방지하여 웨이퍼(W)의 수율을 향상시킨다. 그리고, 용제(c)의 공급으로 인해 웨이퍼(W) 표면에 존재하는 포토레지스트의 휘발성을 약화시켜서 웨이퍼(W) 표면의 포토레지스트막의 유니포미티(uniformity)를 향상시킨다.
포토레지스트회수컵(160)의 회수공간(161)에 저장된 포토레지스트와 용제(c)는 배출구(162)를 통해 외부로 배출됨으로써 포토레지스트회수컵(160)의 회수공간(161)에 포토레지스트가 머물게 됨으로써 경화되는 것을 방지함과 아울러 포토레지스트를 제거하기 위한 별도의 작업을 필요로 하지 않는다.
한편, 방진부재(133)에 의해 상부커버(130)가 하부커버(120)로 로딩시 상부커버(130)가 하부커버(120)에 충격을 가하는 것을 방지하며, 커버로딩수단(140)으로부터 상부커버(130)를 통해 가해지는 진동을 흡수하여 하부커버(120)로 진동이 전달되 지 않도록 함으로써 웨이퍼(W)에 균일한 포토레지스트막이 형성토록 한다. 하부커버(120)뿐만 아니라 상부커버(130)도 함께 회전토록 함으로써 하부 및 상부커버(120,130) 내측의 포토레지스트를 원심력에 의해 깨끗하게 배출통로부(170)를 통해 배출되도록 한다. 포토레지스트와 용제가 함께 배출되는 배출통로부(170)가 하부커버(120)와 상부커버(130)사이에 형성되어 외부로 노출됨으로써 잦은 사용에 의해 경화되는 포토레지스트잔유물의 제거를 용이하게 할 수 있다. 차단커버(180)에 의해 포토레지스트회수컵(160) 상부를 차단함으로써 용제(c)가 쉽게 휘발되는 것을 방지하여 포토레지스트의 유동성을 안정적으로 확보한다.
상술한 바와 같이, 본 고안에 따른 스핀 코터는 포토레지스트의 코팅을 위한 웨이퍼가 위치하는 내측 공간으로 용제를 공급하여 웨이퍼의 회전으로 인해 분리되는 포토레지스트가 경화되지 않고 외부로 배출되도록 함으로써 스핀 코팅시 내측 공간이 클리닝되도록 하여 별도의 클리닝작업을 크게 감소시켜서 생산성을 향상시키는 효과를 가지고 있다.
또한, 본 고안에 따른 스핀 코터는 포토레지스트의 경화로 인해 발생하는 파티클로 인한 웨이퍼의 결함을 방지하여 웨이퍼의 수율을 향상시키는 효과를 가지고 있다.
또한, 본 고안에 따른 스핀 코터는 용제의 공급으로 인해 웨이퍼 표면에 존재하는 포토레지스트의 휘발성을 약화시켜서 웨이퍼 표면의 포토레지스트막의 유니포미티(uniformity)를 향상시키는 효과를 가지고 있다.
이상에서 설명한 것은 본 고안에 따른 스핀 코터를 실시하기 위한 하나의 실시예에 불과한 것으로서, 본 고안은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 실용신안등록청구범위에서 청구하는 바와 같이 본 고안의 요지를 벗어남이 없이 당해 고안이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 고안의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.
Claims (12)
- 웨이퍼 표면에 포토레지스트를 코팅하는 스핀 코터에 있어서,상면에 웨이퍼를 진공으로 흡착하며, 모터에 의해 회전하는 웨이퍼 회전척과,상기 웨이퍼 회전척에 흡착된 웨이퍼를 감싸도록 상기 웨이퍼의 하측과 상측에 각각 설치되는 하부 및 상부커버와,상기 하부 및 상부커버 내측으로 포토레지스트의 용제를 공급하는 용제공급수단과,상기 하부 및 상부커버 내측으로부터 외측으로 포토레지스트와 용제의 배출을 위한 통로를 제공하는 배출통로부와,상기 하부 및 상부커버의 외측에 설치되는 포토레지스트회수컵을 포함하는 스핀 코터.
- 제 1 항에 있어서,상기 하부커버는,상기 웨이퍼 회전척과 함께 회전하도록 상기 웨이퍼 회전척에 결합되는 것을 특징으로 하는 스핀 코터.
- 제 2 항에 있어서,상부커버는,상기 하부커버와의 마찰에 의해 상기 하부커버와 함께 회전하도록 베어링에 의해 회전가능하게 설치되는 회전샤프트가 상부에 연결되는 것을 특징으로 하는 스핀 코터.
- 제 3 항에 있어서,상기 상부커버는,상기 회전샤프트와의 사이에 진동을 흡수하기 위한 방진부재가 설치되는 것을 특징으로 하는 스핀 코터.
- 제 1 항에 있어서,상기 용제공급수단은,상기 상부커버로 용제를 공급하는 용제공급노즐과,상기 용제공급노즐로부터 공급되는 용제가 내측으로 유입되도록 상기 상부커버에 형성되는 용제유입홀을 포함하는 것을 특징으로 하는 스핀 코터.
- 제 5 항에 있어서,상기 용제공급수단은,상기 상부커버 상측면에 마련되어 상기 용제공급노즐로부터 공급되는 용제의흐름을 상기 용제유입홀로 가이드하는 가이드부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 스핀 코터.
- 제 1 항에 있어서,상기 배출통로부는,상기 하부커버와 상기 상부커버가 서로 접하는 부위중 어느 일측에 형성되는 돌출부에 의해 이격됨으로써 상기 하부커버와 상기 상부커버사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 스핀 코터.
- 제 1 항에 있어서,상기 배출통로부는,상기 하부커버와 상기 상부커버가 서로 접하는 부위에 설치되는 환상의 갭플레이트 일측에 형성되는 홈인 것을 특징으로 하는 스핀 코터.
- 제 1 항에 있어서,상기 포토레지스트회수컵은,회수된 포토레지스트를 외부로 배출하기 위한 배출구가 형성되는 것을 특징으로 하는 스핀 코터.
- 제 1 항에 있어서,상기 상부커버를 상기 하부커버로 로딩 또는 언로딩하는 커버로딩수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 스핀 코터.
- 제 10 항에 있어서,상기 커버로딩수단은,상기 상부커버의 일측에 연결되는 연결아암과,상기 연결아암을 상하로 이송시키는 액츄에이터를 포함하는 것을 특징으로 하는 스핀 코터.
- 제 11 항에 있어서,상기 커버로딩수단에 의해 포토레지스트회수컵의 상측을 차단 또는 개방시키는 차단커버를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 스핀 코터.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR20-2004-0012370U KR200357133Y1 (ko) | 2004-05-03 | 2004-05-03 | 스핀 코터 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR20-2004-0012370U KR200357133Y1 (ko) | 2004-05-03 | 2004-05-03 | 스핀 코터 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020040028197A Division KR100563911B1 (ko) | 2004-04-23 | 2004-04-23 | 스핀 코터 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR200357133Y1 true KR200357133Y1 (ko) | 2004-07-21 |
Family
ID=49434366
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR20-2004-0012370U KR200357133Y1 (ko) | 2004-05-03 | 2004-05-03 | 스핀 코터 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR200357133Y1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110941143A (zh) * | 2018-09-21 | 2020-03-31 | 长鑫存储技术有限公司 | 光阻旋涂装置以及光阻旋涂方法 |
-
2004
- 2004-05-03 KR KR20-2004-0012370U patent/KR200357133Y1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110941143A (zh) * | 2018-09-21 | 2020-03-31 | 长鑫存储技术有限公司 | 光阻旋涂装置以及光阻旋涂方法 |
| CN110941143B (zh) * | 2018-09-21 | 2023-11-17 | 长鑫存储技术有限公司 | 光阻旋涂装置以及光阻旋涂方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3518948B2 (ja) | 基板の回転処理装置 | |
| US6447608B1 (en) | Spin coating apparatus | |
| CN102479736B (zh) | 基板处理系统及基板处理方法 | |
| KR102008061B1 (ko) | 기판 세정 장치, 기판 처리 장치, 기판 세정 방법 및 기판 처리 방법 | |
| US8343284B2 (en) | Film removing device and film removing method | |
| JPH10294261A (ja) | レジスト塗布装置 | |
| KR20190141587A (ko) | 기판 처리 방법 | |
| JP3518953B2 (ja) | 回転式基板処理装置 | |
| KR20030081453A (ko) | 처리 도구내 기판상의 입자 오염물질의 저감 장치 및 방법 | |
| WO2017169019A1 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| KR200357133Y1 (ko) | 스핀 코터 | |
| KR100563911B1 (ko) | 스핀 코터 | |
| JPH07263325A (ja) | 吸引チャック式基板回転処理装置 | |
| TW201820406A (zh) | 基板處理方法及基板處理裝置 | |
| JP3133735B2 (ja) | 回転式塗布装置 | |
| TWI231950B (en) | Substrate processing apparatus and cleaning method | |
| JP3628830B2 (ja) | 塗布装置 | |
| JP3421557B2 (ja) | 塗布処理方法および塗布処理装置 | |
| JP4040906B2 (ja) | スピン処理装置 | |
| JPH03256677A (ja) | 薄片吸着保持装置 | |
| WO2004036633A1 (ja) | 液処理装置 | |
| KR100740239B1 (ko) | 도포처리장치 및 도포처리방법 | |
| JPH0888163A (ja) | 基板処理装置 | |
| JPH08206570A (ja) | 回転式基板処理装置 | |
| TWI748279B (zh) | 基板處理裝置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| U107 | Dual application of utility model | ||
| REGI | Registration of establishment | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20050714 Year of fee payment: 3 |
|
| EXTG | Extinguishment |