KR200339181Y1 - Diamond electrodeposited conditioner for CMP pad - Google Patents

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KR200339181Y1
KR200339181Y1 KR20030029176U KR20030029176U KR200339181Y1 KR 200339181 Y1 KR200339181 Y1 KR 200339181Y1 KR 20030029176 U KR20030029176 U KR 20030029176U KR 20030029176 U KR20030029176 U KR 20030029176U KR 200339181 Y1 KR200339181 Y1 KR 200339181Y1
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KR
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masking
non
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diamond particles
shank
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Application number
KR20030029176U
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Korean (ko)
Inventor
장성만
이재우
Original Assignee
장성만
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Abstract

본 고안은 화학적-기계적-연마(CMP)용 폴리싱 패드의 평탄화를 향상시킴과 동시에, 이 패드의 컨디셔닝을 효과적으로 행하는 기능을 가지고, 더구나 컨디셔닝 성능이 우수하고, 수명이 길며, 컨디셔너의 제조가 용이하여 제조시의 불량률을 현저히 감소시킬 수 있는 CMP 장치용 컨디셔너를 제공함에 그 목적이 있다. The subject innovation is chemical-mechanical-polishing improved planarization of the polishing pads (CMP) Sikkim and at the same time, has a function of performing the conditioning of the pad effectively, Moreover, excellent conditioning performance, and long lifetime, by the production of conditioners facilitate it is an object to provide a conditioner for CMP apparatus which can significantly reduce the defect rate in the manufacturing process.
이러한 목적을 달성하기 위한 본 고안은, 샹크(3)의 표면에 구멍 형상의 비마스킹부(1)를 가지는 마스킹 시트(2)를 점착하고, 하나의 비마스킹부(1)에 하나의 다이아몬드 입자(4) 만을 예비 고정한 후에 마스킹 시트(2)를 박리시키고, 이어서 도금액 안에 넣어서 다이아몬드 입자 직경의 40∼60% 정도의 두께를 가지도록 Ni 도금층(6)을 석출시키며, 더욱이 1개 구멍 형상의 비마스킹부(1)의 면적이 다이아몬드 입자(4)의 투영 면적의 110∼160%배로 하고, 상기한 마스킹 시트(2)의 비마스킹부(1)의 전면적이 바스킹 시트(2)의 전면적의 0.04∼0.2배의 범위로 하는 것이 특징으로 된 화학적-기계적-연마 패드용 다이아몬드 전착 컨디셔너를 제공한다. The invented for achieving this object is achieved and the adhesive masking sheet (2) having a non-masking part (1) of the hole feature to the surface of the shank (3), one of the diamond particles in a non-masking part (1) (4) only after a pre-fixed and peeling off the masking sheet 2, then sikimyeo precipitating Ni plating layer 6 to have a thickness of about 40 to 60% of the diamond particle diameter put in a plating solution, and further the one hole aspect ratio 110-160 of the projected area of ​​the diamond particles (4) the area of ​​the masking area (1)% and times, the entire area of ​​the full bath King sheet (2) of the non masking area (1) of the masking sheet (2) it is in the range of 0.04 to 0.2 times the chemical characterized in - providing a diamond electro-deposition conditioning the polishing pad mechanically.
본 고안에 의해 치수 정밀도가 엄격한 패턴 형상을 재현성 높게 용이하게 형성시킬 수 있고, 마스킹 시트(2)의 샹크(3)에 대한 밀착력이 높으며, 또한 샹크(3)에 전착되는 80∼120메쉬의 다이아몬드 입자(4)가, 구멍형의 비마스킹부(1)에 한 개씩 분산된다. It is possible to easily form a high reproducibility of dimensional accuracy is strict pattern shape by to the present invention, a high adhesion to the shank (3) of the masking sheet (2), also of 80 to 120 mesh is deposited on shank 3 diamond particles 4 are, one by one is dispersed in the non-masking part (1) of the caliber. 따라서 CMP용 폴리싱 패드의 평탄화를 향상시킴과 동시에, 이 패드의 컨디셔닝을 효과적으로 행하는 기능을 가지고, 더구나 컨디셔닝 성능이 우수하고, 수명이 길며, 컨디셔너의 제조가 용이하기 때문에 제조시의 불량률을 현저히감소시킬 수 있다. Therefore, at the same time improving the planarization of the polishing pad for CMP, having a function of performing the conditioning of the pad effectively, Moreover, the conditioning performance is to be excellent, and long service life, significantly reduce the defect rate in the manufacturing process because the production of conditioners facilitate can.

Description

화학적-기계적-연마 패드용 다이아몬드 전착 컨디셔너{Diamond electrodeposited conditioner for CMP pad} Chemical-mechanical-polishing pad conditioner deposition diamond {Diamond electrodeposited conditioner for CMP pad}

본 고안은 반도체의 웨이퍼 가공에 사용되는 CMP(Chemical mechanical planarization) 장치의 패드 컨디셔너에 관한 것이다. The subject innovation relates to a pad conditioner for CMP (Chemical mechanical planarization) apparatus used in wafer processing of a semiconductor. 보다 상세하게는, 본 고안은CMP용 폴리싱 패드의 평탄화를 향상시킴과 동시에, 이 패드의 컨디셔닝을 효과적으로 행하는 기능을 가지고, 더구나 컨디셔닝 성능이 우수하고, 수명이 긴 CMP 장치용 컨디셔너에 관한 것이다. More specifically, the subject innovation is at the same time improving the planarization of the polishing pad for CMP, having a function of performing the conditioning of the pad effectively, Moreover, excellent conditioning performance, lifetime relates to a CMP conditioner for long device.

반도체 웨이퍼의 연마를 반복하기 위하여, 연마 입자나 연마칩 등이 폴리싱 패드의 미세한 구멍에 들어가서 눈메움이 일어난다든지, 연마 입자와 웨이퍼와의 화학 반응열에 의해 폴리싱 패드의 표면이 경면화하여 연마 속도를 저하시키게 된다. In order to repeat the polishing of a semiconductor wafer, such as abrasive particles or polishing chip enters the fine pores of the polishing pad antiloading takes place any time, the removal rate by the mirror screen surface of the polishing pad by a chemical reaction heat of the abrasive particles to the wafer thereby reduced. 이 때문에 폴리싱 패드의 표면을 재생시켜 연마 속도를 회복시키는 컨디셔너라고 불리는 공구가 사용된다. Therefore, by reproducing the surface of the polishing pad of the tool it is called the conditioner to restore the polishing speed is used. 다이아몬드 입자는 우수한 컨디셔닝 재료이며, 다이아몬드 입자를 이용한 컨디셔닝이 실용화되어 있다. Diamond particles are excellent conditioning materials, are put to practical use is conditioned using the diamond particles. 이와 같은 CMP용 폴리싱 패드의 컨디셔너에 대해서는, 폴리싱 패드의 마멸을 가급적 억제할 수 있으며, 더욱이 패드의 표면 상태를 항상 소정의 연마속도가 얻어지도록 일정하게 유지되는 것과, 다이아몬드 입자의 탈락이 없고, 패드면에 눈메움을 일으키지 않는 것이 요구된다. For this conditioning of such a polishing pad for CMP, it can preferably suppress the wear of the polishing pad, and, moreover, the surface conditions of the pad always no that is kept constant so as to achieve a predetermined removal rate, dropping of the diamond particles, the pad it does not cause eyes filling is required in the face.

다이아몬드 입자를 컨디셔너 본체의 작용면에 금속 결합제를 사용하여 고착하는 방법에는 여러 가지가 있으나, 전착법은 비교적 용이하고 더욱이 다이아몬드 입자를 컨디셔너 본체의 작용면에 확실하게 고착시킬 수 있으므로 많이 사용되고 있다. Method for the diamond particles adhered to the working face by using the metal binder of the conditioner main body, but a number of, electro-deposition method is widely used because it is relatively easy, and furthermore can be reliably fixed to the diamond particles to the working face of the conditioner unit. 전착법에 의해 다이아몬드 입자를 고착하는 경우는, 컨디셔너 본체의 작용면에 다이아몬드 입자의 고정면을 남겨 두고서, 절연성의 마스킹 재료로 피복한다. When adhering the diamond particles by the deposition method, dugoseo leaving a fastening surface of the diamond particles to the working surface of the conditioner body are covered by the insulating mask material. 컨디셔너의 본체를 도금액에 담그고 입자 고정면에 입자를 놓고서 컨디셔너의 본체에 음극을 접속하고, 도금액에 양극을 접속하여 전기 도금을 행하여 다이아몬드 입자를 예비 고정한다. Immerse the main body of the conditioner to the plating liquid notgoseo the particles in the particle fixing surface connecting the cathode to the main body of the conditioner, and connecting the anode to the plating liquid is performed by electroplating the diamond particles and pre-fixed. 다이아몬드 입자를 예비 고정한 후에 대부분의 입자는 그 일부가 본체의 입자 고정면에 접한 상태에서 예비 고정되지만, 본체의 입자 고정면에 접하지 않은 상태에 부착하여, 부유하는 입자가 존재하는 경우도 있다. Most particles of the diamond particles after fixing reserves in some cases to partially, but pre-fixed in a state in contact with the particle holding surface of the main body, attached to a non-contact state to the particle holding surface of the main body, the suspended particles are present. 컨디셔너의 본체를 다시 도금액에 넣어서, 본체에 음극을 접속하고 도금액에 양극을 접속하여 다이아몬드 입자 고정면의 도금을 행한다. Placing a body of the conditioner again with the plating liquid, by connecting the cathode to the main body and connecting the anode to the plating liquid is carried out the coating of the diamond particles holding surface.

그러나 종래의 전착 숫돌의 제조에 있어서, 컨디셔너 본체의 작용면에 다이아몬드 입자의 고정면을 남겨 두고서, 절연성의 마스킹 재료로 피복하는 경우에 미세한 크기의 적절한 치수 정밀도로 피복하는 것이 곤란하여 마스킹 되어 있지 않은 곳에 두 개 이상의 다이아몬드 입자가 동시에 들어가는 문제가 발생하였고, 마스킹 위치가 어긋나서 동일한 형상으로 재현하는 것이 곤란하였고, 피복층이 평활하게 되지않고 요철(凹凸)이 심하였으며, 피복층의 밀착력이 약하여 이후에 공정에서 벗겨지는 경우가 있었기 때문에, CMP 패드를 컨디셔닝 하는데 있어서 불량률이 매우 높았다. However, in the production of conventional electrodeposited grindstone, conditioner dugoseo leaving a fastening surface of the diamond particles to the working face of the body, that is not masked to difficult to coat with an appropriate dimensional accuracy of the fine size if covered with the insulating masking material there was a problem that more than one diamond particles entering at the same time, was difficult to deviate the masking position standing reproduced in the same shape, the covering layer a was not smooth seam irregularities (凹凸), the process after the adhesion of the coating layer is weak because the case was peeling off from, the defect rate is very high according to condition the CMP pad. 또한 종래의 컨디셔너는, 패드의 표면 상태를 항상 소정의 연마속도가 얻어지도록 일정하게 유지시키는 것이 곤란하였으며, 다이아몬드 입자의 탈락이 많고, 패드면에 눈메움을 일으키는 경우가 많았으며, 종래의 컨디셔너를 사용하여 패드를 컨디셔닝하면, 웨이퍼의 표면거칠기 값 및 스크래치 개수가 높은 것이 큰 문제로 되어왔다. In addition, conventional conditioners, the surface conditions of the pad always been difficult to keep constant so as to achieve a predetermined removal rate, a lot the loss of the diamond particles, were the case, causing the antiloading the pad side common, the conventional conditioner When the conditioning pad use, it has a surface roughness value and the number of scratches high wafer is a big problem.

본 고안은 CMP용 폴리싱 패드의 평탄화를 향상시킴과 동시에, 이 패드의 컨디셔닝을 효과적으로 행하는 기능을 가지고, 더구나 컨디셔닝 성능이 우수하고, 수명이 길며, 컨디셔너의 제조가 용이하여 제조시의 불량률을 현저히 감소시킬 수 있는 CMP 장치용 컨디셔너를 제공함에 그 목적이 있다. The subject innovation is at the same time improving the planarization of the polishing pad for CMP, having a function of performing the conditioning of the pad effectively, Moreover, a long-conditioning performance is excellent, and the life, significantly reduce the defect rate in the manufacturing process is easy to manufacture by the conditioner to provide a CMP conditioner for a device which can have the purpose.

도 1은 마스킹 시트를 점착한 샹크의 부분 평면도 1 is a partial plan view of the shank a pressure-sensitive adhesive sheet for masking

도 2는 다이아몬드 입자가 예비 고정된 샹크의 부분 평면도 Figure 2 is a partial plan view of the shank of the diamond particles are pre-fixed

도 3은 본 고안 컨디셔너의 연삭면의 부분 단면도 Figure 3 is a cross-sectional view of a portion of the grinding surface of the designed conditioners

도 4는 본 고안에 의한 일실시예인 컨디셔너의 작용면의 평면도 Figure 4 is a plan view of the working face of an embodiment conditioner according to the present invention

도 5는 본 고안에 의한 다른 실시예인 컨디셔너의 작용면의 평면도 5 is a plan view of the working face of another embodiment conditioner according to the present invention

〈도면의 주요부분에 대한 부호의 설명〉 <Description of the Related Art>

1 : 구멍형상의 비마스킹부 2 : 마스킹 시트 1: the hole-shaped non masking area 2 masking sheet

3 : 샹크 4 : 다이아몬드 입자 3: Shank 4: diamond particles

5 : 예비 도금층 6 : Ni 도금층 5: pre-plating layer 6: Ni plating layer

7 : 컨디셔너 8 : 비전착 영역 7: Conditioner 8: Vision mounting area

본 고안자들은, 상기의 과제를 해결하기 위하여 실험적인 연구를 거듭한 결과, 전착 컨디셔너의 연삭면에 있어서, 하나의 비마스킹부에 한 개씩의 다이아몬드 입자를 분산시키는 것에 의해, 연삭 저항을 감소시키고 컨디셔너의 수명이 증가되며, 연마속도비와 컨디셔닝 속도가 높아지며, 웨이퍼의 표면거칠기 값이 낮아지며, 웨이퍼의 스크래치 개수가 감소됨을 확인하였다. The present inventor are the result of extensive experimental studies in order to solve the above problems, in the grinding surface of the electrodeposited conditioner, by dispersing the diamond particles of the one-by-one to a non-masking part, reduce the grinding resistance and conditioner the life is increased, the polishing rate ratio to increase the amount and speed condition, lowers the surface roughness of the wafer, the number of scratches was confirmed that the wafer is reduced. 즉, 본 고안은, 샹크(3)의 표면에 구멍 형상의 비마스킹부(1)를 가지는 마스킹 시트(2)를 점착하고, 하나의 비마스킹부(1)에 하나의 다이아몬드 입자(4) 만을 예비 고정한 후에 마스킹 시트(2)를 박리시키고, 이어서 도금액 안에 넣어서 다이아몬드 입자 직경의 40∼60% 정도의 두께를 가지도록 Ni 도금층을 석출시키며, 더욱이 1개의 구멍 형상의 비마스킹부(1)의 면적이 다이아몬드 입자(4)의 투영 면적의 110∼160%배로 하고, 상기한 마스킹 시트(2)의 비마스킹부(1)의 전면적이 마스킹 시트(2)의 전면적의 0.04∼0.2배의 범위로 하는 것이 특징으로 된 화학적-기계적-연마 패드 컨디셔너를 제공하는 것이다. That is, the present design is a shank 3, the adhesive masking sheet (2) having a non-masking part (1) of the hole feature in the surface, and only a single diamond particle (4) on one of the non masking area (1) of after preliminary fixation and peeling off the masking sheet 2, then sikimyeo precipitating Ni plating layer to have a thickness of about 40 to 60% of the diamond particle diameter put in a plating solution, and furthermore the area of ​​the non masking area (1) on the one slot-like 110-160 of the projected area of ​​the diamond particles 4% and times, all-out of the non-masking part (1) of the masking sheet (2) to a full range of 0.04 to 0.2 times that of the masking sheet (2) to provide a polishing pad conditioners - to chemically characterized mechanical.

아래에, 도면을 참고하여 본 고안을 상세히 설명한다. Reference to the figures below, the subject innovation will be described in detail. 그림 1은 마스킹 시트(2)를 점착한 샹크의 부분 평면도이다. Figure 1 is a partial plan view of the shank a pressure-sensitive adhesive masking sheet (2). 그림 1에서 원으로 표시되는 부분이 비마스킹부(1)로서, 한 개의 비마스킹부(1)에 1개의 다이아몬드 입자(4)가 고착된다. The part represented by the circle in Figure 1 as a non-masking part (1), and one diamond particles 4 are adhered to one non masking area (1). 1개의 비마스킹부(1)에 고착되는 다이아몬드 입자(4)가 2개를 넘으면, 패드에 의한 연마에서 웨이퍼의 표면거칠기 값이 낮아지며, 웨이퍼의 스크래치 개수가 감소되기 쉽다. One diamond particles 4 are adhered to the non-masking part (1) is more than two, lowered and the surface roughness of the wafer from the polishing pad by, susceptible to scratching count of the wafer decrease. 그림 1에서 비마스킹부(1)의 전면적이 다이아몬드 입자(4)를 고착한 연삭면적의 0.04∼0.2배이다. In Figure 1, the entire area of ​​the non masking area (1) it is 0.04 to 0.2 times the area of ​​fixing the diamond abrasive particles (4). 비마스킹부(1)의 전면적이 다이아몬드 입자(4)를 고착한 연삭면의 전면적의 0.04배 미만이면, 컨디셔너(7)로서의 연삭력이 부족한 문제가 있으며, 컨디셔너(7)의 수명이 짧아지게 된다. When the entire area of ​​the non masking area (1) the diamond particles (4) having less than full 0.04 times that of the grinding surface adhered to, there is a problem that the grinding force as a conditioner (7) is low, the life of the conditioner (7) is shortened . 또한 비마스킹부(1)의 전면적이 다이아몬드 입자(4)를 고착한 연삭면의 전면적의 0.3배 이상이면 패드에 의한 연마에서 웨이퍼의 표면거칠기 값이 낮아지며, 웨이퍼의 스크래치 개수가 감소되기 쉽다. Also it lowers the surface roughness value of the ratio of the masking part (1) is entirely the diamond particles (4) having at least 0.3 times the full-scale of the grinding surface adhered to the wafer from the polishing pad by, susceptible to scratching count of the wafer decrease. 본 고안의 컨디셔너의 샹크(3) 재료로는, 스테인레스 강재인 STS 304를 사용하는 것이 바람직하나, 경우에 따라서는 예를 들면 알루미늄 합금 등이 사용될 수 있다. A shank (3) of the material of the subject innovation conditioner, one preferred to use a stainless gangjaein STS 304, in some cases, and the like can be used, for example aluminum alloy.

본 고안의 컨디셔너를 제조하기 위해서는, 우선 샹크(3)의 탈지를 행하는 것이 바람직하다. In order to produce a conditioner of the present design, it is preferable to first perform the degreasing of the shank (3). 탈지를 종료한 샹크면에, 구멍 형상의 비마스킹부(1)를 가지는 마스킹 시트(2)를 점착한다. The shank side, shut down the degreasing, the adhesive masking sheet (2) having a non-masking part (1) of the hole feature. 그림 1에서, 원형의 구멍 형상의 비마스킹부(1)를 가지는 마스킹 시트(2)가 샹크(3)에 점착되고, 샹크(3)의 일부가 비마스킹부(1)의 형상으로 노출되어 있다. In Figure 1, a portion of the masking sheet (2) having a non-masking part (1) of circular hole shape is adhered to the shank 3, the shank (3) is exposed in the image of the non masking area (1) . 본 고안에서는, 마스킹 시트(2)를 점착한 상태에서, 컨디셔너의 연삭면으로 되는 샹크면에 예비 도금층(5)을 형성시키는 것이 바람직하다. In the present design, in which the pressure-sensitive adhesive masking sheet (2) state, it is preferred to form the pre-plating layer 5 on the shank side is the grinding surface of the conditioner. 예비 도금을 실시하는 것에 의해, 다이아몬드 입자(4)와 샹크(3)가 직접 접촉하는 것이 아니고, 다이아몬드 입자(4)의 샹크(3)에 대한 고착성이 개량된다. By performing a pre-coated, diamond particles 4 and the shank (3) is not intended to directly contact, the stickiness of the shank 3 of the diamond particles 4 is improved. 예비 도금하는 금속으로는 니켈 및 니켈 합금을 사용할 수가 있다. In which pre-coated metal can be used with nickel and nickel alloys. 본 고안에서는, 예비 도금을 실시한 샹크를, 마스킹 시트(2)를 점착한 상태에서 도금 용기에 넣고, 도금 용기 중에서 샹크의 마스킹 시트(2)를 점착한 면의 부분에 다이아몬드 입자(4)를 충진한다. In the present design, insert the shank subjected to pre-plating, the plating vessel from a pressure-sensitive adhesive masking sheet (2) state, filled with diamond particles 4 in the portion of the one side adhesive masking sheet (2) of the shank from the plating vessel do. 이어서, 샹크에 음극을 접속하고, 도금액에 양극을 접속하여, 예비 도금층(5)의 형성을 위한 전기 도금을 실시한다. Then, connect the cathode to the shank and, by connecting the anode to the plating solution, subjected to electroplating for the formation of the pre-coating layer (5). 예비 도금을 위한 금속은 다이아몬드입자(4)를 샹크(3)에 예비 고정할 수 있는 것이라면 제한이 없으나, 니켈 및 니켈 합금을 사용할 수가 있다. Metal for pre-plating, so long as it can be pre-fixing the diamond particles 4 on the shank (3) Although there is no limitation, it is possible to use nickel and nickel alloys. 각 다이아몬드 입자(4)의 일부분이 비마스킹부(1)에서 예비 도금층(5)을 사이에 두고 예비고정되며, 샹크 표면에서 탈락하지 않는 상태로 되면, 예비 고정을 위한 도금을 종료하고, 샹크를 도금 용기로부터 꺼낸다. The portion of each diamond particle (4) across the pre-plating layer 5 on the non masking area (1) is pre-fixed, when the state is not eliminated in the shank surface, end the plated for the preliminary fixing, and a shank It is taken out from the plating vessel. 그림 2는, 다이아몬드 입자가 예비 고정된 샹크의 부분 단면도이다. Figure 2 is a partial cross-sectional view of the diamond particles are pre-fixed shank. 본 그림에서, 샹크(3)에 마스킹 시트(2)가 점착되고, 마스킹 시트의 구멍 형상의 비마스킹부(1)에 다이아몬드 입자(4)가 예비 도금층(5)에 의해 예비 고정되어 있다. In this illustration, the masking sheet (2) adhered to the shank (3), the non masking area (1) the diamond particles 4 on the hole shape of the masking sheet is fixed by the pre-pre-plated layer (5).

이어서 샹크(3)의 표면으로부터 마스킹 시트(2)를 박리시키고, 더욱이 마스킹부의 탈지와 활성화 처리를 행한 후에, 다시 샹크(3)를 도금 용기에 담그서 음극을 접속하고, 도금액에 양극을 접속하여 도금을 계속하며, 다이아몬드 입자(4)를 샹크(3)에 전착하여 연삭면을 형성하고, 컨디셔너를 완성하게 된다. It was then peeling the masking sheet 2 from the surface of the shank (3), and further after performing the masked portion degreasing and activation treatment, wall geuseo connecting the cathode back shank (3) in the plating vessel, by connecting the anode to the plating liquid continue the plating, and the electrodeposition of diamond particles 4 on the shank (3) to form a grinding surface, thereby to complete the conditioning. 도금에 사용하는 금속은, 예비 고정의 경우와 마찬가지로 다이아몬드 입자(4)를 샹크(3)에 고착할 수 있는 것이면 제한이 없고, 예를 들면 니켈 및 니켈 합금을 사용할 수 있다. The metal used for the plating is not limited as long as it is capable of fixing the diamond particles 4, as in the case of the pre-fixed to the shank (3), can be used, for example, nickel and nickel alloys. 그림 3은 본 고안의 컨디셔너의 연삭면의 부분 단면도이다. Figure 3 is a partial cross-sectional view of the grinding surface conditioner of the present invention; 본 그림에서 다이아몬드 입자(2)는 샹크(3)에 예비 도금층(5)에 의해 예비 고정되며, 더욱이 도금에 의해 형성된 Ni 도금층(6)에 의해 완전히 고착되어 있다. Diamond particles in the picture (2) is pre-fixed by the shank (3) pre-plating layer 5 on, and moreover is completely secured by the Ni plating layer 6 formed by plating. 본 고안에서 이용하는 마스킹 시트(2)는, 도금 조건에 견딜 수 있는 것이면 제한은 없으며, 예를 들면 폴리 염화비닐 등의 수지 시트의 일면에 아크릴계 또는 비닐 에테르계 등의 점착제를 도포한 뒤에 박리시트를 적층시키고, 또한 구멍 형상의 비마스킹부(1)의 가공을 실시한 것을 용이하게 사용할 수가 있다. Masking sheet (2) used in the present design as long as limited to withstand to the plating conditions are not, for example, a poly peeled after applying the pressure-sensitive adhesive such as an acrylic or a vinyl ether type on a surface of a resin sheet such as a vinyl chloride sheet and laminating, can also readily be subjected to the processing of the non masking area (1) of the hole feature. 마스킹 시트(2)의 두께란, 수지 시트 및 점착제 층의 두께의 합이 되며 이러한 마스킹 시트의 두께는 다이아몬드 입자 직경의 60%∼140%의 범위로 하는 것이 바람직하다. And the sum of the thickness is, the resin sheet and the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer of the masking sheet (2) thickness of the masking sheet is preferably in the range of 60% to 140% of diamond grain size. 또한 더욱이 1개의 구멍 형상의 비마스킹부(1)의 면적이 다이아몬드 입자의 투영 면적의 110∼160%배의 범위로 되어야 한다. Moreover also the area of ​​the one slot-like non masking area (1) to be in the range of 110-160% times the projected area of ​​the diamond particles. 마스킹 시트의 두께를 다이아몬드 입자 직경의 60% 미만으로 한다든지, 또는 한 개의 비마스킹부의 면적이 다이아몬드 입자의 투영 면적의 160%를 초과하면, 한 개의 비마스킹부에 2개 이상의 다이아몬드 입자가 고착되어서 균등한 분산이 이루어지지 않는다. It also may the thickness of the masking sheet to less than 60% of diamond grain size, or if one non-masked parts of surface area is more than 160% of the projected area of ​​the diamond particles, be at least two diamond particles are fixed to the sub-one non-masked the even distribution does not occur. 또한 비마스킹부의 면적이 다이아몬드 입자의 투영 면적의 110% 미만에서는, 다이아몬드 입자의 샹크에 대한 부착이 곤란하게 된다. In the less than 110% of the non masking area portion projected area of ​​the diamond particles is attached to the shank of the diamond particles becomes difficult. 따라서 마스킹의 두께를 전착할 다이아몬드 입자경의 60∼140%의 범위로 하고, 마스킹하지 않는 구멍의 직경을 전착할 입자경의 110∼160%의 범위로 하는 것에 의해, 컨디셔너 금속에 전착되는 다이아몬드 입자(4)가, 비마스킹부(1)에 한 개씩 분산되도록 된다. Thus, diamond particles (4 that by making the thickness of the mask in the range of 110-160% of the particle size to the deposition diameter of the hole is not masked, and in the range of 60-140% of the diamond particle size to deposition, electro-deposition on the metal conditioner ) is, is to be distributed one by one to the non-masking part (1). 다이아몬드 입자의 평균 투영 면적은, 다이아몬드 입자가 분산된 상태에서 확대 사진을 촬영하는 것에 의해 구할 수 있다. The average projected area of ​​the diamond particles can be determined by the diamond particle is taken to enlarge in a dispersed state. 본 고안에서는, 상기한 마스킹 시트의 비마스킹부의 전면적이 마스킹 시트의 전면적의 0.04∼0.2배의 범위이다. In the subject innovation, in the range of 0.04 to 0.2 times the full-scale of the non-masking portion of the masking sheet full masking sheet. 마스킹 시트의 비마스킹부의 전면적은, 본 고안의 컨디셔너의 연삭면에서 다이아몬드 입자가 고착된 부분의 전면적에 대응한다. Non-masking portion of the masking sheet across the board corresponds to the entire area of ​​the diamond particles are fixed to part of the grinding surface of a conditioner according to the present invention; 마스킹 시트의 비마스킹부의 전면적이 마스킹 시트의 전면적의 0.04배 미만이면, 구멍 형상의 비마스킹부의 전면적이 다이아몬드 입자를 고착한 연삭면의 전면적의 0.04배 미만으로 되어, 컨디셔너로서의 연삭력이 부족할 염려가 있다. If the non-masked parts of entire area of ​​the masking sheet is less than full-scale of 0.04 times that of the masking sheet, is a full-scale less than 0.04 times the surface by the non-masked portions of the hole-shaped full adhere a diamond grain grinding, they are concerned there is insufficient grinding force as a conditioner have. 마스킹 시트의 비마스킹부의 전면적이 마스킹 시트의 전면적의 0.2배를 초과하면, 구멍 형상의 비마스킹부의 전면적이 다이아몬드 입자를 고착한 연삭면의 전면적의 0.2배를 초과하여, 연삭시에 눈메움이 발생할 염려가 있다. If the non-masked parts of entire area of ​​the masking sheet exceeds the full-scale of 0.2 times that of the masking sheet, and a hole-shaped non-masked parts of full exceed full-scale of 0.2 times that of the grinding surface fixing the diamond particles, the antiloading encounter during a grinding there is the possibility.

〈실시예〉 <Example>

컨디셔너 샹크(3)의 연삭면으로 되는 작용면을 탈지하고, 마스킹 시트를 점착한 후에, 니켈에 의한 예비 도금층(5)을 형성하였다. After degreasing the working face that the grinding surface of the shank conditioner 3, and the mask pressure-sensitive adhesive sheet, to form a pre-plating layer 5 by nickel. 마스킹 시트(2)의 두께를 전착할 #120 메쉬 다이아몬드 입자경의 80%로 하였으며, 더욱이 다이아몬드 입자(4)를 전착시키기 위해 비마스킹부(1)의 직경을 전착할 다이아몬드 입자경의 140%로 하였다. It was the thickness of the masking sheet (2) to 80% of the # 120 mesh diamond particle size to electrodeposition, and moreover was to 140% of the diamond particle size to be electrodeposited to the diameter of the non masking area (1) to the electrodeposition of diamond particles 4. 구멍 형상의 비마스킹부(1)의 전면적을 마스킹 시트(2)의 전면적의 0.1배가 되도록 하였다. The entire area of ​​the non masking area (1) of the hole shape was adjusted to 0.1 times the full-scale of the masking sheet (2). 그 후에 컨디셔너의 본체를 도금액에 담그고 입자 고정면에 다이아몬드 입자(4)를 놓고서 컨디셔너의 본체에 음극을 접속하고, 도금액에 양극을 접속하여 전기 도금을 행하여 다이아몬드 입자(4)를 예비 고정하였다. After dipping the body of the conditioner in the plating liquid diamond particles 4 in the particle support surface notgoseo was connected to the negative electrode to the body of the conditioner, and the stationary connect the anode to the plating liquid by the diamond particles 4 subjected to electroplating spare. 샹크를 도금액으로부터 빼내고, 마스킹 시트(2)를 박리시키며, 탈지를 행한 후에 컨디셔너의 본체를 다시 도금액에 담그며, 본체에 음극을 접속하고 도금액에 양극을 접속하여 다이아몬드 입자 고정면의 최종 Ni 도금을 행함에 의해 다이아몬드 입자(4)를 샹크의 연삭면에 고착하였다. To pull out the shank from the plating solution, sikimyeo peeling off the masking sheets (2), after performing a degreasing connecting the cathode to the main body of the conditioner unit, damgeumyeo again with the plating liquid, and connecting the anode to the plating liquid doing a final Ni plating of the diamond particles holding surface the diamond particles 4 was fixed to the ground by the side of the shank.

컨디셔너의 형상은 실시예 1에서는 도 4와 같은 다이아몬드 입자의 분포를 가지도록 하였으며, 실시예 2에서는 도 5와 같이 전착부가 스파이럴 형상이 되도록 하였고, 실시예 2에는 비전착 영역(8)이 형성되도록 하였다. So that the shape of the conditioner of Example 1 in Figure 4 were to have a distribution of such diamond particles as in Example 2, were such that the electrodeposited portion spiral shape as shown in Figure 5, the second embodiment has non-mounting region 8 is formed It was. 실시예 1 및 실시예 2는 컨디셔너의 형상을 제외하고는 다른 모든 제조 조건은 동일하였다. Examples 1 and 2 and all the other production conditions were the same except for the shape of the conditioner. 비교예는 실시예 1 및 실시예 2의 컨디셔너의 성능과 비교를 행하기 위하여 당사에서 종래의 제조방법으로 제조되어 시중에서 판매되는 것으로, 비교예 1은 실시예 1과 동일 형상이며, 비교예 2는 실시예 2와 동일 형상의 컨디셔너를 사용하였다. Comparative Examples Examples 1 and us to the second of the conditioner to perform the power and comparison is made of the conventional manufacturing method to be commercially available, Comparative Example 1 is the Example 1 and the same shape, Comparative Example 2 It was used as the conditioner of example 2 with the same shape. 실시예 1, 실시예 2, 비교예 1 및 비교예 2의 컨디셔너를 사용하여, 반도체의 웨이퍼 가공에 사용되는 화학-기계-연마 장치의 패드 컨디셔닝을 행한 결과를 표 1에 나타낸다. Example 1, Example 2, Comparative Example 1 and Comparative Example 2 using the conditioners of the chemical used in the processing of a semiconductor wafer - shows the result of the conditioning pad of the polishing apparatus shown in Table 1 - Machine.

[표 1] TABLE 1

실시예 1 및 실시예 2의 패드 연마속도비, 컨디셔닝 속도 및 컨디셔너 수명이 비교예에 비해 현저히 높으며, 웨이퍼의 표면거칠기 및 스크래치 개수의 경우에서도 실시예 1과 실시예 2가 비교예에 비해 현저히 낮은 값을 보이며, 실시예 1 및 실시예 2의 컨디셔너를 사용한 경우 패드의 연삭흔이 거의 나타나지 않았으나, 비교예의 컨디셔너를 사용한 경우는 패드의 표면에 연삭흔이 많이 나타났다. Examples 1 and 2 of the pad removal rate ratio, the conditioning rate and conditioning life exemplary embodiment in significantly higher than the comparative example, in the case of the surface roughness and scratches number of the wafer in Example 1 and Example 2 are significantly lower than in Comparative Example If the value showed in example 1 and example 2 when using a conditioner of the grinding traces of the pad did not substantially, with the comparative example conditioning appeared a lot of grinding traces on the surface of the pad.

이상에서 서술한 바와 같이 본 고안은, 마스킹 시트(2)의 점착에 의해 마스킹을 행하므로 치수 정밀도가 엄격한 패턴 형상을 재현성 높게 용이하게 형성시킬 수 있으며, 마스킹 시트(2)의 컨디셔너 금속에 대한 밀착력이 높으며, 또한 컨디셔너 금속에 전착되는 80∼120메쉬의 다이아몬드 입자(4)가, 비마스킹부(1)에 한 개씩 분산된다. The subject innovation as described in the above, the masking sheet (2), so performing the masking by the adhesive may be the reproducibility of easily forming a higher dimensional accuracy is strict pattern shape, adhesion to the conditioner metal of the masking sheet (2) of is high, and also the diamond particles (4) of 80 to 120 mesh is deposited on the metal conditioner, are distributed one by one to the non-masking part (1). 따라서 CMP용 폴리싱 패드의 평탄화를 향상시킴과 동시에, 이 패드의 컨디셔닝을 효과적으로 행하는 기능을 가지고, 더구나 컨디셔닝 성능이 우수하고, 수명이 길며, 컨디셔너의 제조가 용이하기 때문에 제조시의 불량률을 현저히 감소시킬 수 있다. Therefore, at the same time improving the planarization of the polishing pad for CMP, having a function of performing the conditioning of the pad effectively, Moreover, the conditioning performance is to be excellent, and long service life, significantly reduce the defect rate in the manufacturing process because the production of conditioners facilitate can.

Claims (1)

  1. Ni 도금층이 다이아몬드 입자 직경의 40∼60% 정도의 두께를 가지며, 샹크의 표면에 있어서, 1개의 구멍 형상의 비마스킹부의 면적이 다이아몬드 입자의 투영 면적의 110∼160%배로 하고, 마스킹 시트의 비마스킹부의 전면적이 마스킹 시트의 전면적의 0.04∼0.2배의 범위로 하는 것이 특징으로 된 화학적-기계적-연마 패드 컨디셔너. Ni plating layer having a thickness of about 40 to 60% of the diamond particle size, in the surface of the shank, the area of ​​the non-masked parts of a single hole-shaped fold 110-160% of the projected area of ​​the diamond particles, and the ratio of the masking sheet the masking parts of the full-scale is characterized as a full-scale range of 0.04 to 0.2 times that of the masking sheet chemical-mechanical-polishing pad conditioner.
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Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009064677A2 (en) * 2007-11-13 2009-05-22 Chien-Min Sung Cmp pad dressers
US8622787B2 (en) 2006-11-16 2014-01-07 Chien-Min Sung CMP pad dressers with hybridized abrasive surface and related methods
US8777699B2 (en) 2010-09-21 2014-07-15 Ritedia Corporation Superabrasive tools having substantially leveled particle tips and associated methods
US8974270B2 (en) 2011-05-23 2015-03-10 Chien-Min Sung CMP pad dresser having leveled tips and associated methods
US9067301B2 (en) 2005-05-16 2015-06-30 Chien-Min Sung CMP pad dressers with hybridized abrasive surface and related methods
US9138862B2 (en) 2011-05-23 2015-09-22 Chien-Min Sung CMP pad dresser having leveled tips and associated methods
US9199357B2 (en) 1997-04-04 2015-12-01 Chien-Min Sung Brazed diamond tools and methods for making the same
US9221154B2 (en) 1997-04-04 2015-12-29 Chien-Min Sung Diamond tools and methods for making the same
US9238207B2 (en) 1997-04-04 2016-01-19 Chien-Min Sung Brazed diamond tools and methods for making the same
US9409280B2 (en) 1997-04-04 2016-08-09 Chien-Min Sung Brazed diamond tools and methods for making the same
US9463552B2 (en) 1997-04-04 2016-10-11 Chien-Min Sung Superbrasvie tools containing uniformly leveled superabrasive particles and associated methods
US9475169B2 (en) 2009-09-29 2016-10-25 Chien-Min Sung System for evaluating and/or improving performance of a CMP pad dresser
US9724802B2 (en) 2005-05-16 2017-08-08 Chien-Min Sung CMP pad dressers having leveled tips and associated methods
US9868100B2 (en) 1997-04-04 2018-01-16 Chien-Min Sung Brazed diamond tools and methods for making the same

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9199357B2 (en) 1997-04-04 2015-12-01 Chien-Min Sung Brazed diamond tools and methods for making the same
US9463552B2 (en) 1997-04-04 2016-10-11 Chien-Min Sung Superbrasvie tools containing uniformly leveled superabrasive particles and associated methods
US9409280B2 (en) 1997-04-04 2016-08-09 Chien-Min Sung Brazed diamond tools and methods for making the same
US9238207B2 (en) 1997-04-04 2016-01-19 Chien-Min Sung Brazed diamond tools and methods for making the same
US9221154B2 (en) 1997-04-04 2015-12-29 Chien-Min Sung Diamond tools and methods for making the same
US9868100B2 (en) 1997-04-04 2018-01-16 Chien-Min Sung Brazed diamond tools and methods for making the same
US9067301B2 (en) 2005-05-16 2015-06-30 Chien-Min Sung CMP pad dressers with hybridized abrasive surface and related methods
US9724802B2 (en) 2005-05-16 2017-08-08 Chien-Min Sung CMP pad dressers having leveled tips and associated methods
US8622787B2 (en) 2006-11-16 2014-01-07 Chien-Min Sung CMP pad dressers with hybridized abrasive surface and related methods
WO2009064677A2 (en) * 2007-11-13 2009-05-22 Chien-Min Sung Cmp pad dressers
WO2009064677A3 (en) * 2007-11-13 2009-08-27 Chien-Min Sung Cmp pad dressers
US9475169B2 (en) 2009-09-29 2016-10-25 Chien-Min Sung System for evaluating and/or improving performance of a CMP pad dresser
US8777699B2 (en) 2010-09-21 2014-07-15 Ritedia Corporation Superabrasive tools having substantially leveled particle tips and associated methods
US9138862B2 (en) 2011-05-23 2015-09-22 Chien-Min Sung CMP pad dresser having leveled tips and associated methods
US8974270B2 (en) 2011-05-23 2015-03-10 Chien-Min Sung CMP pad dresser having leveled tips and associated methods

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