KR200336937Y1 - Waste gas scrubber integral with vaccum pump - Google Patents

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KR200336937Y1
KR200336937Y1 KR20-2003-0030754U KR20030030754U KR200336937Y1 KR 200336937 Y1 KR200336937 Y1 KR 200336937Y1 KR 20030030754 U KR20030030754 U KR 20030030754U KR 200336937 Y1 KR200336937 Y1 KR 200336937Y1
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Abstract

본 고안은 반도체공정 또는 엘씨디 제조공정 중에 발생하는 유해한 폐기가스의 처리를 일괄처리할 수 있는 폐기가스처리장치를 제공하는 것으로서,The present invention is to provide a waste gas treatment apparatus that can collectively process the hazardous waste gas generated during the semiconductor process or the LCD manufacturing process,

반도체제조 공정에서 사용된 배기가스들을 처리하기 위해 가스처리부로 가스를 인도하며, 저온에서 부적절한 가스들의 혼합방지를 위한 분리 N2를 공급하고 또한 산화반응을 위한 공기를 공급하는 가스도입부와, 공정에서 사용되어 상기 가스도입부를 통해 도입된 배기가스들을 산화반응 또는 열분해처리를 위한 열분해 및 산화반응부와, 상기 열분해 및 산화반응부에서 열분해 및 산화반응처리된 후 배기되는 고온의 가스를 다음 단계로 진행시키기 전에 급속히 냉각시키는 냉각부와, 상기에서 냉각된 가스와 열분해 및 산화반응처리에 의해 발생된 부산물을 이동시키며 또한 부산물들을 처리하는 가스 및 부산물 이동경로부와, 상기 이동경로부를 통해 이동한 가스와 이동경로부에 미처리된 부산물들을 처리하는 주 습식 세정부로서의 수용성 가스 및 부산물 처리부와, 상기 주 습식세정부에서 처리된 가스를 메인 덕트로 도입하기 전에 수분을 제거하는 수분제거부와, 그리고 본 고안의 장치를 제어하는 전기제어부로 구성된다.A gas introduction part which delivers gas to the gas treatment part to treat the exhaust gases used in the semiconductor manufacturing process, provides separation N 2 for preventing the mixing of inappropriate gases at low temperature, and also supplies air for the oxidation reaction, Pyrolysis and oxidation reaction section for oxidative reaction or pyrolysis treatment of exhaust gases introduced through the gas introduction section, and hot gas exhausted after the pyrolysis and oxidation reaction treatment in the pyrolysis and oxidation reaction section proceeds to the next step. A cooling unit which rapidly cools the gas, a gas and by-product moving path unit for moving the by-product generated by the pyrolysis and oxidation reaction treatment and treating the by-products, and a gas moved through the moving path unit, Water-soluble gas as main wet scrubber for treating untreated by-products And a by-product processing unit, a water removing unit for removing moisture before introducing the gas treated in the main wet cleaning unit into the main duct, and an electric control unit for controlling the apparatus of the present invention.

Description

진공펌프 일체형 폐기가스 처리장치{WASTE GAS SCRUBBER INTEGRAL WITH VACCUM PUMP}Waste gas treatment system integrated with vacuum pump {WASTE GAS SCRUBBER INTEGRAL WITH VACCUM PUMP}

본 고안은 반도체 공정 중에 발생하는 유해 폐기가스를 처리하는 가스 스크루버에 관한 것으로서, 특히 진공펌프와 일체화되고 또한 건식처리와 습식처리를 동시에 수행할 수 있도록 구성된 진공펌프 일체형 폐기가스 처리장치에 관한 것이다. 이와 같은 폐기가스 처리장치에 있어서, 연소를 필요로 하는 건식처리와 수처리를 필요로 하는 습식처리를 한 장치로 수행함으로써 보다 확실한 폐기가스의 처리가 이루어질 수 있고 또한 처리의 효율성이 증대하게 된다.The present invention relates to a gas scrubber for treating hazardous waste gas generated during a semiconductor process, and more particularly, to a vacuum pump-integrated waste gas treating apparatus integrated with a vacuum pump and configured to simultaneously perform dry and wet treatment. . In such a waste gas treatment apparatus, by performing a dry treatment requiring combustion and a wet treatment requiring water treatment with one apparatus, more reliable treatment of waste gas can be achieved and the efficiency of treatment is increased.

반도체 재료, 소자, 제품 및 메모리의 제조에 따른 부산물로서의 가스 배출물은 공정 설비로부터 광범위한 화학종을 발생시키고 있는데, 아르신(AsH3; 수소화비소)과, 포스핀(PH3)과, 디보란(B2H6)과, 모노실란(SiH4)으로 대표되는 가스상의 독성물질을 포함하는 폐기가스가 반도체제조 공정중 여러 단계에서 발생되게 된다. 이들 화학종에는 유기 및 무기 화합물, 감광제 및 기타 반응제의 분해 생성물, 그리고 공정 설비로부터 대기중으로 배출되기 이전-에 폐기가스류에서 제거하여야 할 광범위한 종류의 기타 가스들이 포함되어 있다.Gas emissions as a by-product of the manufacture of semiconductor materials, devices, products and memories generate a wide range of chemical species from process facilities, including arsine (AsH3; arsenic hydride), phosphine (PH3), and diborane (B2H6). And, waste gas containing gaseous toxic substances represented by monosilane (SiH 4) is generated at various stages in the semiconductor manufacturing process. These species include decomposition products of organic and inorganic compounds, photosensitizers and other reactants, and a wide variety of other gases that need to be removed from the waste gas stream before it is released into the atmosphere from the process equipment.

이와 같이 제거대상이 되는 폐기가스성분을 정화시키기 위해 다양한 처리기법이 적용되는데, 일례로 반도체 디바이스 제조 공정 동안 배출되는 유해성 가스를 처리하는 방법은 대표적으로 다음의 세 가지가 있다. 첫째, 주로 수소기 등을 함유한 발화성 가스를 연소실에서 약 500℃ 내지 800℃의 고온에서 분해, 반응 또는 연소시키는 버닝(burning)방식이 있다. 둘째, 주로 수용성 가스를 수조에 저장된 물을 통과시키는 동안 물에 용해하여 처리하는 웨팅(wetting)방식이다. 셋째, 발화되지 않거나 물에 녹지 않는 유해성 가스가 흡착제를 통과하는 동안, 흡착제에 물리적 또는 화학적인 흡착에 의하여 정화하는 흡착 방식이 있다.As described above, various treatment techniques are applied to purify the waste gas component to be removed. As one example, there are three methods for treating harmful gases emitted during a semiconductor device manufacturing process. First, there is a burning method of decomposing, reacting or combusting a ignitable gas mainly containing a hydrogen group at a high temperature of about 500 ° C to 800 ° C in a combustion chamber. Second, wetting is a method of dissolving and dissolving a water-soluble gas in water while passing water stored in a tank. Third, there is an adsorption method for purifying by physical or chemical adsorption to the adsorbent while the harmful gas which does not ignite or is insoluble in water passes through the adsorbent.

여기서, 배출 가스 처리는 예컨대, 배출 가스류에서 산성 가스 성분 및/또는 입자를 제거하는 스크루빙 처리(scrubbing)를 포함한다. 가스는 배출물을 고순도 산소, 공기 또는 아산화질소와 같은 산화제에 혼합하고 그 생성 가스혼합물을 열 산화 반응 챔버를 통해 유동시키는 것에 의해 유기 화합물과 기타 산화성 화합물을 제거하도록 열 산화 처리를 받을 수도 있다.The exhaust gas treatment here includes, for example, scrubbing to remove acidic gas components and / or particles from the exhaust gas stream. The gas may be subjected to thermal oxidation to remove organic and other oxidative compounds by mixing the effluent with an oxidant such as high purity oxygen, air or nitrous oxide and flowing the resulting gas mixture through a thermal oxidation reaction chamber.

특히, 이러한 폐기가스 처리시스템에서, 불소(F2) 및 불소화 화합물과 같은 할로겐 성분은 다른 어느 성분보다도 제거해야만 하는 대상이다. 이 물질은 대기중에 오래동안 잔류할 뿐만 아니라 온난화의 주범으로 인식되고 있기 때문이다. 전자 산업에 쓰이는 과플루오르화물(PFCs)은 성막(成膜) 단계로부터의 잔류물을 제거하고 박막을 에칭하기 위해 웨이퍼 처리 장치에 사용되는 화합물로서, 지구 온난화를 발생시키는 주된 성분으로 인식되고 있어서, 업계에서는 이들 가스의 배출을 감소시키기 위해 노력하고 있다.In particular, in such a waste gas treatment system, halogen components such as fluorine (F2) and fluorinated compounds are to be removed more than any other components. Not only does this material remain in the atmosphere for a long time, but it is also recognized as a major culprit of warming. Perfluorides (PFCs) used in the electronics industry are compounds used in wafer processing equipment to remove residues from film formation and etch thin films, and are recognized as a major component of global warming. Is working to reduce emissions of these gases.

이상과 같은 반도체제조 공정 중의 폐기가스 처리는, 폐기가스의 특성에 따라 개별적으로 처리를 행하기 때문에, 즉 수용성인 폐기가스의 처리를 위한 습식처리장치와, 열분해로 처리해야 하는 폐기가스 처리를 위한 열분해처리장치를 개별적으로 설치하여 사용하기 때문에, 장치의 숫자가 증가하고 또한 장치가 차지하게 되는 장소의 면적 또한 과도하게 되어 장치의 유지관리가 힘들고 또한 큰 장소의 사용으로 장치의 운영비용이 증가하게 되는 단점이 있다.The waste gas treatment in the semiconductor manufacturing process as described above is performed separately according to the characteristics of the waste gas, that is, a wet treatment apparatus for the treatment of water-soluble waste gas and a waste gas treatment to be treated by pyrolysis. Since the pyrolysis treatment unit is installed and used separately, the number of devices increases and the area of the place occupied by the device is also excessive, making it difficult to maintain the device and increasing the operating cost of the device by using a large place. There is a disadvantage.

따라서, 가스의 종류에 관계없이 일관적으로 폐기가스를 처리할 수 있는 장치가 제공된다면 유지관리 비용이 절감되는 한편, 유지보수가 한층 더 간결해질 수가 있다.Therefore, maintenance costs can be reduced and maintenance can be further simplified if a device is provided that can process waste gas consistently regardless of the type of gas.

따라서, 본 고안의 목적은 현재 가스의 특성에 따라 개별적으로 이루어지고 있는 폐기가스의 처리를 일괄처리할 수 있는 폐기가스처리장치를 제공하는 것이다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide a waste gas treatment apparatus capable of collectively treating the waste gas which is individually made according to the characteristics of the current gas.

이와 같은 본 고안의 목적을 위해, 반도체제조 공정에서 사용된 배기가스들을 처리하기 위해 가스처리부로 가스를 인도하며, 저온에서 부적절한 가스들의 혼합방지를 위한 분리 N2를 공급하고 또한 산화반응을 위한 O2를 공급하는 가스도입부와, 공정에서 사용되어 상기 가스도입부를 통해 도입된 배기가스들을 산화반응 또는 열분해처리를 위한 열분해 및 산화반응부와, 상기 열분해 및 산화반응부에서열분해 및 산화반응처리된 후 배기되는 고온의 가스를 다음 단계로 진행시키기 전에 급속히 냉각시키는 냉각부와, 상기에서 냉각된 가스와 열분해 및 산화반응처리에 의해 발생된 부산물을 이동시키며 또한 부산물들을 처리하는 가스 및 부산물 이동경로부와, 상기 이동경로부를 통해 이동한 가스와 이동경로부에 미처리된 부산물들을 처리하는 주 습식 세정부로서의 수용성 가스 및 부산물 처리부와, 상기 주 습식세정부에서 처리된 가스를 메인 덕트로 도입하기 전에 수분을 제거하는 수분제거부와, 그리고 본 고안의 장치를 제어하는 전기제어부로 구성된다.For this purpose of the present invention, to lead the gas to the gas treatment unit for treating the exhaust gases used in the semiconductor manufacturing process, supply a separation N 2 for preventing the mixing of inappropriate gases at low temperature and also O for oxidation reaction A gas induction unit for supplying 2 and an exhaust gas used in the process and introduced into the gas introduction unit through pyrolysis and oxidation reaction for oxidation reaction or pyrolysis treatment, and after pyrolysis and oxidation treatment in the pyrolysis and oxidation reaction section A cooling unit which rapidly cools the exhausted hot gas before proceeding to the next step, and a gas and by-product movement path unit which moves the by-product generated by the pyrolysis and oxidation reaction treatment and processes the by-products. , The main processing of the untreated by-products and the gas moved through the moving path portion It is composed of a water-soluble gas and by-product processing unit as a wet cleaning unit, a water removing unit for removing moisture before introducing the gas treated in the main wet cleaning unit into the main duct, and an electric control unit for controlling the device of the present invention.

도 1은 본 고안의 진공펌프 일체형 폐기가스 처리장치의 개략적인 구성을 보여주는 도면.1 is a view showing a schematic configuration of a vacuum pump integrated waste gas treatment apparatus of the present invention.

도 2는 본 고안의 진공펌프 일체형 폐기가스 처리장치 중의 열분해 및 산화반응 처리부의 세부적인 구성을 보여주는 도면.Figure 2 is a view showing the detailed configuration of the pyrolysis and oxidation reaction treatment unit in the vacuum pump integrated waste gas treatment apparatus of the present invention.

도 3은 열분해 및 산화반응 처리부의 다공성 반응기(30)의 세부를 보여주는, 도 2 중의 A부분 확대도.3 is an enlarged view of a portion A of FIG. 2 showing the details of the porous reactor 30 of the pyrolysis and oxidation treatment.

도 4는 열분해 및 산화반응 처리부에서 나온 고온의 가스를 냉각시키는 냉각부를 보여주는 도면.4 is a view showing a cooling unit for cooling the hot gas from the pyrolysis and oxidation treatment.

도 5는 냉각부를 거쳐 냉각된 가스와 부산물을 다음 처리 장치로 인도하는 가스 및 부산물 이동경로부를 보여주는 도면.5 is a view showing a gas and by-product movement path leading the gas and by-products cooled through the cooling unit to the next treatment apparatus.

도 6은 가스의 주 습식세정 처리가 이루어지는 주 습식 세정부를 보여주는 도면.6 is a view showing a main wet cleaning unit in which a main wet cleaning process of gas is performed.

도 7은 주 습식 세정부로부터 배출된 가스 중의 수분을 제거하고 또한 미처리된 부산물을 처리하는 수분 제거부를 보여주는 도면.7 is a view showing a water removal unit for removing water in the gas discharged from the main wet cleaning unit and also treating untreated by-products.

도 1은 본 고안의 진공펌프 일체형 폐기가스 처리장치(1000)를 개략적으로 보여주는 도면이다. 참조부호 VP는 폐기가스를 처리장치로 도입하는 수단으로서의 진공펌프를 나타내고, 참조번호 200은 진공펌프를 통해 인도된 폐기가스를 도입하여 폐기가스 중에서 열분해 및 산화반응이 가능한 가스를 처리하기 위한 가스도입 및 열분해, 산화반응 처리부이고, 참조번호 300은 열분해 및 산화반응 처리부를 거친 고온의 가스를 1차적으로 냉각시키기 위한 냉각부이고, 참조번호 400은 냉각부에서 냉각된 가스를 재차 냉각시켜 다음 단계로 이동시키고 또한 열분해 및 산화반응부에서 발생한 부산물을 일차적으로 제거하는 가스 및 부산물 이동경로부이고, 참조번호 500은 상기 이동경로부를 통해 이동한 가스와 이동경로부에 미처리된 부산물들을 처리하는 주 습식 세정부로서의 수용성 가스 및 부산물 처리부이고, 그리고 참조번호 600은 상기 주 습식세정부에서 처리된 가스를 메인 덕트로 도입하기 전에 수분을 제거하는 수분제거부이다. 또한, 도면 중에서 p1은 유입되는 가스의압력을 조절하기 위한 조절계이고, p2는 처리가 되어 방출되는 가스의 압력을 조절하는 압력조절계이다. 그리고 펌프1과 펌프 2는 처리된 폐기가스를 냉각시키거나 또는 습식을 처리하기 위한 물을 순환공급하는 펌프이고, 탱크는 펌프를 통해 공급,순환되는 물을 저장하는 탱크이다.1 is a view schematically showing a vacuum pump integrated waste gas treatment apparatus 1000 of the present invention. Reference numeral VP denotes a vacuum pump as a means for introducing waste gas into the treatment apparatus, and reference numeral 200 denotes a gas introduction for treating a gas capable of pyrolysis and oxidation reaction in the waste gas by introducing waste gas delivered through the vacuum pump. And a pyrolysis and oxidation treatment unit, reference numeral 300 denotes a cooling unit for primarily cooling the hot gas passed through the pyrolysis and oxidation treatment unit, and reference numeral 400 denotes a cooling unit for cooling to the next step. A gas and by-product moving path part which moves and also removes by-products generated from the pyrolysis and oxidation reaction part, and reference numeral 500 denotes a main wet type that processes untreated by-products and gas moved through the moving path part. Water-soluble gas and by-product processing unit as the government, and reference numeral 600 denotes the main wet cleaning. It is a water removal unit that removes water before introducing the gas treated in the unit into the main duct. In addition, p1 in the figure is a control system for adjusting the pressure of the gas to be introduced, p2 is a pressure control system for controlling the pressure of the gas discharged by treatment. The pump 1 and the pump 2 are pumps for circulating water for cooling the treated waste gas or for treating the wet process, and the tanks are tanks for storing water supplied and circulated through the pump.

상기 도 1과 다른 첨부도면을 참조하여 본 고안의 각 부분별 동작을 설명하면 다음과 같다.The operation of each part of the present invention will be described with reference to FIG. 1 and other accompanying drawings.

도 2는 본 고안의 장치에 따라서 반도체 제조공정 중의 산화성 폐기가스를 도입하여 제일 먼저 처리하는 가스도입 및 열분해, 산화반응 처리부를 상세하게 도시한 도면이다. 가스도입 및 열분해, 산화반응 처리부는, 진공펌프(VP)를 통해 유입되는 폐기가스를 열분해 및 산화반응부 내로 인입시키기 위한 폐기가스 인입관(10)과, 저온에서 부적절한 가스들의 혼합방지를 위한 분리 N2를 공급하는 N2 인입구(15)와, 인코넬 등의 소재로 구성되어 폐기가스의 산화연소처리에 필요한 열을 공급하는 열원(히터)(20)과, 상기 열원의 외부를 감싸며 폐기가스의 산화연소 반응이 일어나는 다공성 세라믹 반응기(30)와, 폐기가스의 적절한 산화연소처리를 위한 온도를 조절하기 위해 반응기의 온도를 측정하는 온도센서(40)와, 연소식 폐기가스 처리기의 측면에 설치되어 측면에서 폐기가스의 산화연소처리를 위한 공기를 공급하는 공기분배기(50)와, 인입관을 통해 주입된 폐기가스와 공기 분배기를 통해 공급된 공기와의 산화연소반응이 일어나는 반응기의 외부관(60)과, 반응기 내부열의 외부방출을 차단하기 위한 단열재(70), 반응기 내부로 공기를 주입하기 위한 공기 인입용 블로워(80)와, 인입용 공기중에서 산화연소에 방해되고 또한 반응기에 손상을 줄 수 있는 미세 입자를 제거하기 위한 입자 제거필터(90)와, 반응기 내부로 공급하는 공기를 단속하기 위한 솔레노이드 밸브(100)와, 반응기 내부에 공급되는 공기의 압력을 제어하기 위한 압력스위치(110)와, 그리고 반응기 내부로 공급되는 공기의 량을 확인하기 위한 공기 유량계(120 및 130)로 구성된다.FIG. 2 is a diagram illustrating in detail a gas introduction, pyrolysis, and oxidation treatment unit in which an oxidative waste gas in a semiconductor manufacturing process is introduced and treated first according to an apparatus of the present invention. Gas introduction and pyrolysis and oxidation treatment unit, the waste gas inlet pipe 10 for introducing the waste gas introduced through the vacuum pump (VP) into the pyrolysis and oxidation reaction unit and separation for preventing mixing of inappropriate gases at low temperature N2 inlet 15 for supplying N2, a heat source (heater) 20 composed of a material such as Inconel, and supplying heat for oxidative combustion treatment of waste gas, and an oxidative combustion of waste gas surrounding the outside of the heat source. The porous ceramic reactor 30 in which the reaction takes place, the temperature sensor 40 for measuring the temperature of the reactor to adjust the temperature for the proper oxidative combustion treatment of the waste gas, and is installed on the side of the combustion waste gas processor Oxidation combustion reaction between the air distributor 50 for supplying air for oxidative combustion treatment of the waste gas, and the waste gas injected through the inlet pipe and the air supplied through the air distributor The outer tube 60 of the reactor, the heat insulating material 70 to block the external discharge of the internal heat of the reactor, the air inlet blower 80 for injecting air into the reactor, and the air in the In addition, the particle removal filter 90 for removing fine particles that may damage the reactor, the solenoid valve 100 for controlling the air supplied into the reactor, and to control the pressure of the air supplied to the reactor It consists of a pressure switch 110, and air flowmeters 120 and 130 for checking the amount of air supplied into the reactor.

종래의 연소식 폐기가스 처리장치 대부분은 한쪽 방향으로, 폐기가스 처리장치의 위쪽에서 공기를 주입하게 되어 있지만, 도 1과 도 2에 도시되어 있듯이, 일반적인 열분해 및 폐기가스 처리장치와 같이 폐기가스 처리장치의 위쪽에서 공기 인입구(I)를 통해 공기를 공급할 뿐만 아니라, 폐기가스 처리장치의 측면부에 공기분배기(50)를 설치하여 공기를 공급함으로써 반응기 내부에서 폐기가스의 완전한 산화연소처리가 이루어질 수 있게 한다.Most of the conventional combustion waste gas treatment devices are configured to inject air from one side of the waste gas treatment device in one direction, but as shown in FIGS. 1 and 2, waste gas treatment is performed as in a general pyrolysis and waste gas treatment device. In addition to supplying air through the air inlet (I) from the top of the apparatus, an air distributor 50 is installed at the side of the waste gas treatment device to supply air so that complete oxidative combustion treatment of the waste gas can be performed inside the reactor. do.

또한, 도 2의 열분해 및 산화반응부(200)에서 폐기가스와 공기의 산화연소 반응이 일어나는 반응기의 구성은, 통상적으로 인코넬로 이루어진 열원(히터)과 그리고 열원을 감싸는 인코넬 또는 석영 등의 반응기 외피로 구성된다. 따라서, 폐기가스와 공기의 산화반응이 일어나게 되면, 폐기가스의 종류에 따라서 그 부산물로써 미세한 입자들이 발생하여 이들이 반응기 내피에 부착하게 되어, 반응기의 효율을 떨어뜨리게 된다. 그러므로, 자주 반응기 내피를 청소해주어야 하는 단점이 있었다. 이에 따라, 본 고안에서는 공기가 자유롭게 통과할 수 있지만, 서브마이크론 정도의 미세 입자들이 통과할 수 있는 다수의 공간을 가지는 다공성의 세라믹재를 상기 반응기의 외피(40)로 사용하므로, 연소식 폐기가스 처리장치의 작동시에, 폐기가스 처리장치의 내부로 도입되는 낮은 압력의 공기들이 상기 반응기 외피의 다공(多孔)을 통해 반응기 내부로 도입된 다음에 다시 상기 다공을 통해 내부로 인입되기 때문에 반응기 내피에 폐기가스와 공기의 산화연소 반응의 생성물인 미세한 입자들이 부착되지 않게 된다. 따라서, 종래 폐기가스 연소장치의 반응기 내피에 비해, 미세한 입자들이 부착될 확률이 적어져 종래의 기술처럼 반응기 내피를 자주 청소할 필요가 없게 된다. 이러한 개념을 도 3에 간략하게 도시하여 놓았다.In addition, the configuration of the reactor in which the oxidative combustion reaction of the waste gas and air in the pyrolysis and oxidation reaction unit 200 of FIG. 2 is typically a heat source (heater) made of inconel and a reactor shell such as Inconel or quartz surrounding the heat source. It consists of. Therefore, when oxidation reaction of waste gas and air occurs, fine particles are generated as by-products depending on the type of waste gas, and they are attached to the reactor endothelium, thereby reducing the efficiency of the reactor. Therefore, there has been a disadvantage in that the reactor endothelium should be cleaned frequently. Accordingly, in the present invention, although air can pass freely, a porous ceramic material having a plurality of spaces through which fine particles, such as submicron, can pass, is used as the shell 40 of the reactor. At the time of operation of the treatment apparatus, the reactor endothelium is introduced because low pressure air introduced into the waste gas treatment apparatus is introduced into the reactor through the pores of the reactor shell and then introduced again through the pores. The fine particles, which are the products of the oxidative combustion reaction of the waste gas and the air, do not adhere. Therefore, compared with the reactor endothelium of the conventional waste gas combustion device, the probability of attachment of fine particles is less, so that the reactor endothelium does not need to be cleaned as often as the conventional technique. This concept is briefly shown in FIG.

도 2의 A부분의 부분확대도인 도 3에 도시되어 있듯이, 다공성 세라믹 반응기 외피(30)는 열원(20)을 감싸고 있으며 그 표면과 내부에는 서브 마이크론의 미세 입자들이 통과할 수 있는 수많은 미세한 다공들이 형성되어 있다. 이러한 다공들은 서로 연결되어 있는 관계로, 도면에 도시되어 있듯이, 연소식 폐기가스 처리장치 내로 주입된 공기들은 다공성 세라믹 반응기 외피(30)에 형성된 다공을 통해 외피 내측으로 도입되고, 이렇게 도입된 공기들은 다시 다공을 통해 외피 바깥으로, 즉 반응기 외피 외부로 방출되게 된다. 이와 같이, 공기들이 다공성 세라믹 반응기 외피의 다공을 통해 반응기 외피 내외측을 자유롭게 드나들 수 있게 되므로, 폐기가스와 공기의 산화연소 결과물인 미세한 입자들이 상기 세라믹 반응기 외피에부착되기가 어렵게 된다. 상기 세라믹 반응기 외피는 알루미나(Al2O3)와 같이 상업적으로 입수가 용이하거나 또는 제작이 용이한 세라믹 재질을 사용하고, 상기에서 사용하는 열원(20)은 세라믹히터를 사용할 수도 있다.As shown in FIG. 3, which is a partial enlarged view of the portion A of FIG. 2, the porous ceramic reactor shell 30 encloses the heat source 20, and on the surface and the inside, numerous fine pores through which fine particles of submicron can pass. Are formed. Since the pores are connected to each other, as shown in the drawing, the air injected into the combustion waste gas treatment apparatus is introduced into the shell through the pores formed in the porous ceramic reactor shell 30, and the introduced air Again through the pores it is released out of the shell, ie outside the reactor shell. As such, since the air can freely move in and out of the reactor envelope through the pores of the porous ceramic reactor shell, it is difficult for the fine particles resulting from the combustion gas of the waste gas and air to adhere to the ceramic reactor shell. The ceramic reactor shell may be made of a commercially available ceramic material such as alumina (Al 2 O 3 ) or easily manufactured, and the heat source 20 may be a ceramic heater.

이와 같이 구성된 열분해 및 산화반응부(200)에서 열분해성 및 산화반응성 폐기가스들이 처리되게 된다. 예컨대, 열분해와 산화반응이 일어나는 SiF4와 C2F6의 경우를 살펴보면, SiF4의 경우에는, 먼저 열분해에 의해 Si + 2F2로 변환되고, 이는 다시 산화반응에 의해 SiO2 + 2F2가 되게 된다. C2F6의 경우에는, 먼저 열분해에 의해 2C + 3F2가 되고, 이는 다시 산화반응에 의해 2CO2 + 3F2가 되게 된다. SiH4는 열분해가 일어나지 않고 단순히 산화반응에 의해서만 SiO2 +2H2O가 되게 된다.The pyrolytic and oxidation reactive waste gases are treated in the pyrolysis and oxidation reaction unit 200 configured as described above. For example, in the case of SiF4 and C2F6, in which pyrolysis and oxidation occur, in the case of SiF4, first of all, it is converted into Si + 2F2 by pyrolysis, which in turn becomes SiO2 + 2F2. In the case of C2F6, it first becomes 2C + 3F2 by pyrolysis, which in turn becomes 2CO2 + 3F2 by oxidation. SiH4 is not pyrolyzed and becomes SiO2 + 2H2O only by oxidation.

이와 같이 일차적으로 열분해 및 산화반응을 거친 가스와 산화반응에 의해 생성된 부산물들은 냉각부(300)로 전달되게 된다. 통상적으로 열분해와 산화반응을 통해 나오는 가스들은 통상적으로 약 600 내지 1200℃ 가 되기 때문에, 습식처리 및 세정 전에 급속히 냉각되어야만 한다. 이러한 냉각은 상기 냉각부(300)에서 이루어지게 된다. 도 4는 냉각부를 보여주는 도면이다.As such, the gases undergoing thermal decomposition and oxidation and by-products generated by the oxidation reaction are transferred to the cooling unit 300. Typically, gases exiting from pyrolysis and oxidation are typically about 600 to 1200 ° C., so they must be cooled rapidly before wet treatment and cleaning. This cooling is made in the cooling unit 300. 4 is a view showing a cooling unit.

도 1과 도 4에 도시되어 있듯이, 펌프2를 통해 탱크로부터 물을 냉각부(300)로 공급하고 냉각부로 공급되는 물을 다시 탱크로 순환되게 된다. 이와 같이 물을 사용하여 열분해 및 산화반응을 거친 가스를 냉각시킴과 동시에, 가스의 1차 습식처리의 기능도 가지게 된다. 또한, 펌프를 통해 순환수를 공급함으로서 산화반응에 의해 발생한 고형의 부산물이 내벽에 부착되는 것을 방지하는 기능도 하게 된다.As shown in FIG. 1 and FIG. 4, water is supplied from the tank to the cooling unit 300 through the pump 2, and the water supplied to the cooling unit is circulated back to the tank. As such, water is used to cool the gas that has undergone pyrolysis and oxidation, and at the same time, it has a function of primary wet treatment of the gas. In addition, by supplying the circulating water through the pump it is also to prevent the solid by-products generated by the oxidation reaction to adhere to the inner wall.

상기 냉각부(300)를 거친 가스와 고형의 부산물들은 가스 및 부산물 이동 경로부(400)를 지나게 된다. 도 5는 가스 및 부산물 이동 경로부(400)를 간략히 보여주는 도면이다.Gas and solid by-products passed through the cooling unit 300 pass through the gas and by-product moving path 400. FIG. 5 is a view schematically illustrating a gas and a by-product movement path 400.

도 5에 도시되어 있듯이, 냉각부(300)를 거쳐 경로부(400)에 도입되는 가스와 부산물에 펌프를 이용하여 탱크로부터 순환수를 노즐(410) 분무형태로 공급하게 된다. 이와 같이, 이동경로부(400)를 통과하는 가스와 부산물에 순환수를 공급하게 되면, 냉각부(300)를 거쳤지만 아직까지 고온의 상태인 가스를 2차 냉각시키는 기능을 하게 되고, 또한 수용성의 부산물에 저효율의 습식처리를 행하게 되는 기능을 가지게 된다. 또한, 순환수를 공급함으로서, 산화반응에 의해 생성된 고형의 부산물들이 관로내에 고착되는 것을 방지하게도 된다.As shown in FIG. 5, the circulating water is supplied from the tank in the form of a nozzle 410 by spraying the gas and by-products introduced into the path part 400 through the cooling part 300. As such, when the circulating water is supplied to the gas and the by-product passing through the movement path part 400, the gas passes through the cooling part 300 but functions to secondaryly cool the gas which is still at a high temperature. It will have the function of performing low-efficiency wet treatment on by-products of. In addition, by supplying the circulating water, it is possible to prevent the solid by-products produced by the oxidation reaction to settle in the pipeline.

이동경로부(400)의 끝단에서 가스와 부산물들은 서로 분리가 되게 된다. 도면에 도시되어 있듯이, 부산물들은 도면의 아래쪽 방향으로 향하게 되어 도 1의 탱크 상단부에 그물형태로 도시된 거름망에 의해서 걸러지게 되고, 수용성 가스는 도면에서 상단방향으로 향하여 주 습식세정부(500)에 공급되게 된다.Gas and by-products are separated from each other at the end of the movement path 400. As shown in the figure, by-products are directed downward in the figure and filtered by a strainer shown in a net form at the top of the tank of FIG. 1, and water soluble gas is directed upward in the figure to the main wet cleaner 500. Will be supplied.

이동경로부(400)를 통과한 가스와 미처리된 부산물들은 수용성 가스 및 부산물처리부인 주 습식 세정부(500)로 공급되어 처리되게 된다.The gas and the untreated by-products passing through the movement path part 400 are supplied to and treated by the main wet cleaning part 500 which is a water-soluble gas and by-product treating part.

도 6은 주 습식 세정부를 간략하게 보여주는 도면이다. 주 습식 세정부(500)는 가스와 부산물을 흡착할 수 있는 흡착제(510)와, 수용성 가스를 처리하기 위한 순환수를 공급하는 순환수 공급부(520)와, 그리고 수용성 가스가 용해되어 있는 순환수를 통해 용해되지 않은 수용성 가스들을 처리하기 위한 순수(또는 일반수돗물)을 공급하는 순수 공급부(530)로 구성된다. 이와 같은 구성에서, 상기 이동경로부(400)를 통과한 가스와 미처리 부산물들은 흡착제(510)를 통과하면서 흡착제에 흡착이 됨과 동시에, 흡착제(510) 위에서 위쪽에서 분무형태로 분사되는 순환수에 의해 수용성 가스들이 순환수 내로 용해되게 된다. 또한 순환수에 의해 용해되지 않고 잔손하는 미소한 량의 가스들은 순환수 공급부 위쪽의 순수 공급부(530)가 분무형태로 분사하는 물에 의해 용해가 된다. 이와 같이, 유독성 가스들은 흡착제와, 순환수와, 순수(일반수돗물)에 의해 다 처리가 되고, 무독성 가스가 세정부(500)를 통해 배출된다. 유독성 가스들이 용해된 관계로 산성 및 염기성을 띄는 폐수들은 부산물들과 함께 순환수 탱크로 이동하고, 부산물들은 탱크에 있는 거름망에 의해 걸러지게 된다.6 is a view briefly showing the main wet cleaning unit. The main wet cleaning unit 500 includes an adsorbent 510 capable of adsorbing gas and by-products, a circulating water supply unit 520 for supplying circulating water for treating a water-soluble gas, and a circulating water in which a water-soluble gas is dissolved. It consists of a pure water supply unit 530 for supplying pure water (or general tap water) for treating the water-soluble gases that are not dissolved through. In such a configuration, the gas and the untreated by-products passing through the movement path part 400 are adsorbed to the adsorbent while passing through the adsorbent 510, and at the same time, by the circulating water sprayed in the spray form from above the adsorbent 510. Aqueous gases are dissolved into the circulating water. In addition, the minute amount of gas remaining without being dissolved by the circulating water is dissolved by water sprayed by the pure water supply unit 530 above the circulating water supply unit in the form of a spray. As such, the toxic gases are all treated by the adsorbent, the circulating water, and the pure water (general tap water), and the non-toxic gases are discharged through the washing unit 500. Acid and basic wastewater with toxic gases dissolves into the circulating water tank along with the byproducts, which are filtered out by the strainer in the tank.

이와 같이 주 습식 세정부에서 처리된 가스들은, 도 7에 도시된 바와 같이 수분제거부(600)를 통과하여 메인 덕트로 배출되게 된다. 도면에 도시되어 있듯이, 주 습식 세정부에서 처리된 무독성 가스들은 수분 제거부(600)의 상부에서부터 아래쪽으로 공급되면서, 습식 세정부를 통과하면서 함유한 수분들이 제거가 되고, 수분이 제거된 가스들은 외부의 메인 덕트(도시되 않음)와 연결된 관로(610)를 통해 외부로 배기되게 된다. 또한, 수분제거부에서는 주 습식 세정부로부터 공급되는 무독성 가스중의 수분을 처리한 폐수뿐만 아니라, 주 습식 세정부에서 처리되지 않고 남은 미소량의 잔존 부산물도 함께 순환수 탱크로 보내 처리하게 된다.As such, the gases processed in the main wet cleaning unit are discharged to the main duct through the water removing unit 600 as shown in FIG. 7. As shown in the figure, the non-toxic gases processed in the main wet cleaning unit is supplied from the top of the water removing unit 600 to the bottom, while the water contained in the wet cleaning unit is removed, the water is removed It is exhausted to the outside through a duct 610 connected to an external main duct (not shown). In addition, the water removal unit not only treats wastewater treated with moisture in the non-toxic gas supplied from the main wet scrubbing unit, but also sends a small amount of residual by-products left untreated by the main wet scrubbing unit to be treated.

상기에서 설명한 모든 과정을 거쳐 처리가 완료된 가스들은 인체에 유해함이 없는 완전한 무독성의 순수 가스이다.Gases that have been processed through all the processes described above are completely non-toxic pure gas without harm to the human body.

상기에서 설명한 바와 같이, 반도체제조 공정중에 발생하는 각 종의 폐기가스를 개별적으로 처리하는 열분해 및 산화반응 처리장치와 습식 처리장치를 일체로 형성하고, 또한 폐기가스의 인입을 진공펌프로 행함으로써, 장치의 크기가 작아지게 되어 유지관리가 용이하게 되고 또한 폐기가스의 인입이 용이해진다. 또한 장치의 규모가 작아지므로 설치면적이 작아지게 되어, 작업장 공간 사용효율이 증대하게 되어 경제적 이득이 발생하게 된다.As described above, the pyrolysis and oxidation treatment apparatus and the wet treatment apparatus for individually treating each kind of waste gas generated during the semiconductor manufacturing process are integrally formed, and the introduction of the waste gas is performed by a vacuum pump, The small size of the device facilitates maintenance and facilitates the introduction of waste gas. In addition, since the size of the device is smaller, the installation area is smaller, and the use of workplace space is increased, resulting in economic benefits.

또한, 열분해 및 산화반응 처리부에서 나온 가스와 부산물들은 냉각시키는냉각부에서 일차적인 습식세정이 이루어지고, 냉각부를 거쳐 가스를 주 습식세정부로 이동시키는 이동경로부에서 순환수를 이용하여 물을 분무형태로 분사함으로써 이차적인 습식세정이 이루어지고, 그리고 주 습식 세정부에서 주 습식세정이 이루어지게 됨으로써, 폐기가스 중 수용성 폐기가스의 완벽한 처리를 기할 수 있는 효과도 있다.In addition, gas and by-products from the pyrolysis and oxidation reaction treatment are primarily wet-cleaned in the cooling section for cooling, and water is sprayed using the circulating water in the moving path section for moving the gas through the cooling section to the main wet cleaning unit. The secondary wet cleaning is performed by spraying in the form, and the main wet cleaning is performed in the main wet cleaning unit, so that there is an effect of allowing complete treatment of the water-soluble waste gas in the waste gas.

또한, 가스 및 부산물 이동경로부에서 순환수를 이용하여 물을 분무형태로 분사하기 때문에, 부산물들이 관로에 협착되는 것을 방지할 수 있는 효과도 있다.In addition, since the water is sprayed in the form of a spray using the circulating water in the gas and the by-product moving path portion, there is an effect that can prevent the by-products are caught in the pipeline.

또한, 수분제거부에서, 처리된 가스 중의 수분처리뿐만 아니라, 미처리된 부산물도 처리함으로써, 가스가 외부로 배기되기 전에 완벽한 클린가스 상태로 만들고 또한 유해할 수 있는 부산물들을 완벽하게 처리함으로써, 기존의 장비보다 한층 더 진보된 폐기가스의 처리가 이루어지게 되는 효과도 있다.In addition, in the water removal unit, by treating not only the water in the treated gas, but also untreated by-products, the gas is completely clean before being exhausted to the outside, and also by completely treating the by-products that may be harmful, There is also the effect of more advanced waste gas treatment than equipment.

Claims (4)

반도체공정 및 엘씨디 제조공정 중에 발생하게 되는 독성가스 함유 폐기가스를 처리하기 위한 진공펌프 일체형 폐기가스 처리장치에 있어서,A vacuum pump integrated waste gas treatment apparatus for treating waste gas containing toxic gas generated during a semiconductor process and an LCD manufacturing process, 반도체공정 장치에서 발생하게 되는 폐기가스를 폐기가스 처리장치에 원활하게 공급하기 위한 진공펌프(VP)와;A vacuum pump (VP) for smoothly supplying waste gas generated in the semiconductor processing apparatus to the waste gas treating apparatus; 열분해 및 산화반응처리를 위한 폐기가스를 상기 진공펌프(VP)로부터 인입받는 인입과(10)과, 저온에서 부적절한 가스들의 혼합 방지를 위한 분리 N2를 공급하는 N2 공급관(15)과, 폐기가스의 열분해 및 산화반응처리에 필요한 열을 발생하는 히터(20)와, 상기 히터를 감싸며 또한 폐기가스의 열분해 및 산화반응이 일어나는 다공성의 반응기(30)와, 반응기의 온도제어를 위해 온도를 측정하는 온도센서(40)와, 폐기가스의 산화반응을 위해 공기를 적절히 공급하기 위한 공기 주입관(I) 및 공기 분배기(50)와, 열분해 및 산화반응 처리부의 외부관(60)과, 처리장치의 내부열이 외부로 방출되는 것을 차단하기 위한 단열재(70)와, 폐기가스의 산화반응에 필요한 공기를 인입시키는 공기 인입용 블로워(80)와, 공기중의 불순물 입자를 제거하기 위한 필터(90)와, 공기의 인입을 단속하는 솔레노이드 밸브(100)와, 인입용 공기의 압력을 제어하기 위한 압력스위치(100)와, 유입되는 공기의 량을 제어하기 위해 공기의 량을 측정하는 공기 유량계(120, 130)로 구성되어, 상기 진공펌프(VP)를 통해 인입된 폐기가스를 처리하는 열분해 및 산화반응 처리부(200)와;An inlet (10) receiving waste gas for pyrolysis and oxidation reaction from the vacuum pump (VP), an N2 supply pipe (15) for supplying separation N2 for preventing mixing of inappropriate gases at low temperature, and waste gas A heater 20 generating heat required for pyrolysis and oxidation reaction, a porous reactor 30 surrounding the heater and undergoing pyrolysis and oxidation of waste gas, and a temperature measuring temperature for temperature control of the reactor Sensor 40, air inlet tube I and air distributor 50 for adequately supplying air for oxidation reaction of the waste gas, outer tube 60 of the pyrolysis and oxidation reaction treatment unit, and internal heat of the treatment apparatus. A heat insulating material (70) for blocking the discharge to the outside, an air inlet blower (80) for introducing air necessary for the oxidation reaction of the waste gas, a filter (90) for removing impurity particles in the air, Air The solenoid valve 100 to control the mouth, the pressure switch 100 for controlling the pressure of the incoming air, and the air flow meter (120, 130) for measuring the amount of air to control the amount of the incoming air And, the pyrolysis and oxidation reaction processing unit 200 for processing the waste gas introduced through the vacuum pump (VP); 상기 열분해 및 산화반응 처리부(200)에서 처리된 고온의 폐기가스를 순환수로 냉각시키는 냉각부(300)와;Cooling unit 300 for cooling the high-temperature waste gas treated in the pyrolysis and oxidation reaction treatment unit 200 with circulating water; 순환수를 분무형태로 분무하는 노즐(410)을 이용하여 상기 냉각부(300)에서 냉각처리된 가스를 재차 냉각처리하며, 또한 상기 열분해 및 산화반응 처리부(200)에서 산화반응의 결과로 생성된 부산물과 가스를 분리를 하여 가스를 다음 처리부로 인도하는 가스 및 부산물 이동경로부(400)와;By cooling the gas cooled in the cooling unit 300 again using the nozzle 410 for spraying the circulating water in a spray form, and also generated as a result of the oxidation reaction in the pyrolysis and oxidation treatment unit 200. A gas and by-product moving path unit 400 which separates the by-product and the gas to lead the gas to the next processing unit; 아래에서부터 흡착제(510)와, 순환수 분무노즐(520), 및 순수 분무노즐(530)을 순차적으로 구성하여 흡착제 위쪽에서부터 아래쪽으로 순환수와 순수를 분무함으로써 상기 가스 및 부산물 이동경로부(400)를 통해 공급된 가스를 습식처리하는 한편 부산물을 처리,제거하는 주 습식 세정부(500)와;From the bottom, the adsorbent 510, the circulating water spray nozzle 520, and the pure water spray nozzle 530 are sequentially configured to spray the circulating water and the pure water from the upper side of the adsorbent to the gas and the by-product moving path part 400. A main wet cleaning unit 500 for wet treating the gas supplied through the same and treating and removing byproducts; 수분 제거장치가 설치되어, 주 습식 세정부에서 처리되어 배출되는 가스를 외부의 메인 덕트로 배출하기 전에 가스 중의 수분을 처리하고, 또한 상기 과정에서 미처리된 부산물을 포획하여 제거하는 수분제거부(600)와;Moisture removal unit 600 is installed, the moisture removal unit 600 to process the moisture in the gas before discharged to the main main duct discharged from the main wet cleaning unit, and to capture and remove the untreated by-products in the process 600 )Wow; 순환수를 저장하는 탱크와;A tank for storing circulating water; 상기 순환수를 냉각부(300)와, 가스 및 부산물 이동경로부(400)와 그리고 주 습식세정부(500)에 제공하는 펌프(펌프1 및 펌프2)로 구성되는 것을 특징으로 하는, 진공펌프 일체형 폐기가스 처리장치.A vacuum pump, characterized in that consisting of the pump (pump 1 and pump 2) for providing the circulating water to the cooling unit 300, the gas and by-product movement path 400 and the main wet cleaning unit 500. Integrated waste gas treatment device. 제1항에 있어서, 상기 열분해 및 산화반응 처리부(200)의 다공성 반응기(30)는 미세한 구멍들이 다수 형성되어 있는 알루미나 등의 세라믹 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 진공펌프 일체형 폐기가스 처리장치.The apparatus of claim 1, wherein the porous reactor (30) of the pyrolysis and oxidation reaction treatment unit (200) is made of a ceramic material such as alumina in which a plurality of fine pores are formed. 제1항에 있어서, 상기 냉각부(300)에서, 열분해 및 산화반응처리부(200)로 나온 가스 중 수용성 가스의 일차적 습식세정이 이루어지는 것을 특징으로 하는 진공펌프 일체형 폐기가스 처리장치.According to claim 1, The cooling unit 300, vacuum pump-integrated waste gas treatment apparatus, characterized in that the first wet cleaning of the water-soluble gas in the gas from the pyrolysis and oxidation reaction treatment unit 200 is performed. 제1항에 있어서, 상기 가스 및 부산물 이동경로부(400)에서 순환수 분무노즐(410)을 사용하여 순환수를 분무형태로 분사함으로써, 냉각부(300)로부터의 가스를 재차 냉각처리할 뿐만 아니라, 상기 가스 중의 수용성 가스를 이차적으로 습식 세정처리하고 또한 부산물들이 관로에 협착되는 것을 방지하는 것을 특징으로 하는 진공펌프 일체형 폐기가스 처리장치.According to claim 1, By using the circulating water spray nozzle 410 in the gas and the by-product moving path 400 sprays the circulating water in the spray form, not only cooling the gas from the cooling unit 300 again In addition, the vacuum pump-integrated waste gas treatment apparatus, characterized in that the secondary wet cleaning treatment of the water-soluble gas in the gas and to prevent by-products from being caught in the pipeline.
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