KR101635065B1 - Scrubber With Pre Wet Device - Google Patents

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KR101635065B1 KR1020140181177A KR20140181177A KR101635065B1 KR 101635065 B1 KR101635065 B1 KR 101635065B1 KR 1020140181177 A KR1020140181177 A KR 1020140181177A KR 20140181177 A KR20140181177 A KR 20140181177A KR 101635065 B1 KR101635065 B1 KR 101635065B1
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Abstract

본 발명은 사전 수처리 장치를 포함하는 스크러버에 관한 것으로서, 저면이 개방된 하부는 메인 수처리 탱크의 내부에 위치하고 상부는 메인 수처리 탱크의 상면에서 상향 돌출되어 형성된 사전 수처리 수조와, 후단부는 공정챔버와 연결된 주입부에 연결되며 선단부는 사전 수처리 수조의 상부에 관통되는 이동관과, 하측 단부는 사전 수처리 수조 상부의 상면을 관통하여 소정 길이로 연장 설치되고 상측 단부는 사전 수처리 수조 상부의 상면에서 상향 돌출되어 반응기의 버너와 연결되는 연결관, 선단부가 사전 수처리 수조의 상부에 관통되어 내부에서 물을 분사하는 물 분사 노즐 및 선단부가 사전 수처리 수조의 상부에 관통되어 내부에서 질소를 분사하는 질소 분사 노즐을 포함하는 것과 관련된다.
이러한 본 발명은 공정가스에서 생성되는 파우더가 연결관 또는 버너의 내부에 형성되지 않고 사전 수처리 장치를 통해 미리 제거됨에 따라 파우더에 의한 연결관의 압력이 변화되거나, 버너의 화염이 꺼지는 현상이 방지될 수 있는 효과를 가진다.The present invention relates to a scrubber comprising a pre-water treatment apparatus, wherein a lower portion of the scrubber is located inside the main water treatment tank, the upper portion is a water treatment tank formed upwardly protruding from the upper surface of the main water treatment tank, Treatment water tank, the lower end of the water pipe extending through the upper surface of the upper portion of the pre-water treatment tank and extending upward by a predetermined length, and the upper end thereof being protruded upward from the upper surface of the upper portion of the pre- And a nitrogen injection nozzle which penetrates the upper part of the pretreatment water tank and injects nitrogen from the inside of the water treatment tank, ≪ / RTI >
In the present invention, the powder produced in the process gas is not formed inside the connection pipe or the burner, but is removed beforehand through the pre-water treatment device, so that the pressure of the connection pipe by the powder is changed or the flame of the burner is prevented from being turned off It has the effect of being able to.

Description

사전 수처리 장치를 포함하는 스크러버{Scrubber With Pre Wet Device}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a scrubber with a pre-

본 발명은 반도체 공정에서 생성되는 파우더가 사전 수처리 과정을 통해 제거된 상태에서 스크러버의 버너에 유입될 수 있도록 한 사전 수처리 장치를 포함하는 스크러버에 관한 것이다.The present invention relates to a scrubber including a pre-water treatment apparatus that allows powder generated in a semiconductor process to be introduced into a burner of a scrubber in a state where the powder is removed through a pre-water treatment process.

일반적으로 반도체 공정은 실리콘 기판에 사진, 확산, 식각, 화학기상증착 및 금속증착 등의 다양한 공정을 반복수행하게 되며, 이러한 공정 중 확산, 식각, 화학기상증착 등의 공정은 밀폐된 공정챔버 내부에 공정가스를 공급하여 이들 공정가스로 하여금 웨이퍼 상에서 반응토록 하는 것이다.In general, a semiconductor process repeatedly performs various processes such as photo, diffusion, etching, chemical vapor deposition, and metal deposition on a silicon substrate, and processes such as diffusion, etching, and chemical vapor deposition are performed in a sealed process chamber The process gas is supplied to cause these process gases to react on the wafer.

한편, 반도체 제조 공정에 사용되는 가스는 유독성, 가연성 및 부식성 등 그 특성이 강한 것이 사용되고, 이러한 공정가스는 제조설비의 공정 과정에서 약 10% 정도만이 반응에 참여하고, 나머지 90% 정도의 공정가스는 미반응한 상태에서 제조설비로부터 배출된다.On the other hand, the gas used in the semiconductor manufacturing process has a strong characteristic such as toxicity, flammability and corrosiveness, and this process gas only participates in the reaction process of about 10% in the manufacturing process, and the remaining 90% Is discharged from the manufacturing facility in an unreacted state.

따라서 이러한 유독성 폐가스들이 별도의 정화과정 없이 대기중에 그대로 방출될 경우 주변 제조설비의 손상과 심각한 환경오염 및 작업자의 안전사고를 초래하게 되므로 각 제조설비에는 배기덕트로 연결된 가스 배출라인 상에 배출가스를 안전한 상태로 분해 또는 정화시키는 스크러버가 설치된다.Therefore, if these toxic waste gases are released into the atmosphere without any purification process, they will cause damage to surrounding manufacturing facilities, serious environmental pollution, and worker safety accidents. Therefore, each manufacturing facility is equipped with exhaust gas And a scrubber for decomposing or purifying it into a safe state is installed.

이러한 스크러버는 공정가스의 성질 즉, 일반 공기와 접촉시 폭발적으로 반응하는 성질, 연소되는 성질, 가스 처리제와 반응하는 성질 및 물에 용해되는 성질 등을 이용하는 것으로 크게 건식과 습식 및 이들 건식과 습식을 병행하는 혼합식으로 구분된다.These scrubbers utilize the properties of the process gas, such as explosive reactivity upon contact with ordinary air, the nature of combustion, the nature of reacting with the gas treating agent, and the properties of the product dissolved in water, and are largely classified into dry and wet, It is divided into a mixed type.

습식방식의 스크러버는 물을 이용하여 폐가스를 포집한 후, 세정 및 냉각하는 구조로써, 비교적 간단한 구성을 가지며, 제작이 용이하고 대용량화 할 수 있다는 장점이 있다. 그러나 불수용성의 가스는 처리가 불가능하고, 특히 발화성(가연성)이 강한 수소기를 포함하는 폐가스의 처리에는 부적절하다.A wet type scrubber is a structure for collecting waste gas by using water, followed by cleaning and cooling, has a relatively simple structure, and is easy to manufacture and has a large capacity. However, the water-insoluble gas is untreatable, and is inadequate for the treatment of waste gas containing a hydrogen group, which is particularly flammable (flammable).

건식방식의 스크러버는 버너 내부로 폐가스가 통과되도록 하여 직접 연소시키거나, 열원을 이용하여 고온의 챔버를 형성하고 그 속으로 폐가스가 통과되도록 하여 간접적으로 연소시키는 구조를 갖는다. 이러한 건식방식의 스크러버는 발화성 가스의 처리에는 탁월한 효과가 있으나, 수용성 가스와 같이 잘 연소되지 않는 가스의 처리에는 부적절하다.The dry type scrubber has a structure in which waste gas is passed through the burner and directly burned, or a high temperature chamber is formed by using a heat source, and waste gas is passed through the chamber to indirectly burn the gas. Such a dry type scrubber has an excellent effect in the treatment of flammable gases, but is unsuitable for the treatment of gases which are not well combustible, such as water-soluble gases.

혼합식 스크러버는 폐가스를 연소실에서 1차 연소시켜 발화성 가스 및 폭발성 가스를 제거한 후 2차적으로 수처리 탱크에 수용시켜 수용성의 유독성 폐가스를 물에 용해시키는 구조를 갖는다.The mixed type scrubber has a structure in which the waste gas is firstly combusted in the combustion chamber to remove the flammable gas and the explosive gas, and then the waste gas is secondarily stored in the water treatment tank to dissolve the water-soluble toxic waste gas in the water.

이러한 혼합형 가스 스크러버의 선행기술로는 국내공개특허 제10-2010-0021135호 "폐가스 처리 장치"를 통해 이미 개시된 바 있다.Prior art of such a mixed gas scrubber has already been disclosed in Korean Patent Laid-Open No. 10-2010-0021135 "Waste Gas Treatment Apparatus ".

한편, 도 1 은 종래 가스 스크러버를 도시한 것으로, 이러한 가스 스크러버에 의해 공정가스가 처리되는 과정을 살펴보면, 반도체 장비의 공정챔버에서 발생되는 공정가스가 주입부(Inlet)(10)를 통해 연결배관(20)을 거쳐 반응기(Reactor)(30)의 버너(Burner)(40)로 이동된 후 연소/산화되거나 열분해되는 방법으로 버닝(Burning)되고, 버너(40)를 통과한 폐가스 중 처리되지 못한 일부 가스나 분진 입자 등 미처리 가스는 습식세정부(Wet Zone)(50)로 이동되며, 이때 습식세정부(50)에서는 물을 분사함으로써 산화 가스속의 파우더(Powder)가 분리된 후 아래의 수처리 탱크(60)에 떨어지도록 하는 세정(Wetting) 공정을 거치게 되고, 세정된 처리가스는 필터와 덕트를 통해 대기중으로 배출된다.1 shows a conventional gas scrubber. Referring to FIG. 1, a process gas is treated by the gas scrubber. The process gas generated in the process chamber of the semiconductor equipment is supplied to the connection pipe Oxidized or pyrolyzed after being transferred to a burner 40 of a reactor 30 through a burner 20 and burned in a manner such that the burned gas passed through the burner 40 The untreated gas such as a part of gas or dust particles is transferred to the wet cleaning section 50. At this time, the water is sprayed in the wet cleaning section 50 to separate powders in the oxidizing gas, The process gas is subjected to a wetting process in which the process gas is allowed to fall to the process chamber 60, and the cleaned process gas is discharged to the atmosphere through the filter and the duct.

그러나 공정가스에서 발생되는 파우더는 습식세정부(50)를 통과하는 과정 및 버너(40)의 내부에서 발생하는 경우가 많으며, 버너(40)의 내부에 파우더가 발생되면서 점진적으로 쌓이는 경우 고착된 파우더로 인하여 버너(40)의 가스배출이 방해를 받게 되면서 화염(Flame)이 꺼지게 되어 결국 가스 처리 공정이 멈추게 되는 문제점이 있었다.However, the powder generated in the process gas is often generated in the process of passing through the wet cleaning section 50 and the inside of the burner 40. When the powder is gradually accumulated in the inside of the burner 40, The gas discharge of the burner 40 is disturbed, and the flame is turned off, resulting in a problem that the gas treatment process is stopped.

또한 공정가스에서 발생되는 파우더는 전술한 버너(40)의 내부는 물론 주입부(10)와 버너(40)를 연결하는 연결배관(20)의 내부에도 쌓이게 되면서 연결배관(20)을 통과하는 공정가스의 압력을 변화시키게 되고, 이러한 압력변화는 공정가스의 원활한 흐름을 방해하거나 역류 등의 현상을 일으켜 가스 처리의 효율성을 저하시키게 되는 문제점이 있었다.The powder generated in the process gas is also accumulated in the interior of the burner 40 as well as in the connecting pipe 20 connecting the injecting unit 10 and the burner 40 and passing through the connecting pipe 20 The pressure of the gas changes, and this pressure change has a problem in that smooth flow of the process gas is obstructed or reverse phenomenon occurs and the efficiency of the gas treatment is lowered.

따라서 본 발명은 상술한 바와 같은 문제점을 해소하기 위해 안출된 것으로, 공정가스가 버너에 공급되기 전에 사전 수처리 과정을 거치도록 하여 버너 내부 또는 버너와 연결되는 연결배관에 파우더가 발생되는 현상을 방지할 수 있도록 한 사전 수처리 장치를 포함하는 스크러버를 제공하는 목적이 포함된다.SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, the present invention has been made keeping in mind the above problems occurring in the prior art, and it is an object of the present invention to provide a method and apparatus for preventing the generation of powder in a burner or a connecting pipe connected to a burner, The present invention provides a scrubber comprising a pre-water treatment apparatus for allowing a water treatment apparatus to be provided.

본 발명의 바람직한 일 실시 예에 의하면, 저면이 개방된 하부는 메인 수처리 탱크의 내부에 위치하고 상부는 메인 수처리 탱크의 상면에서 상향 돌출되어 형성된 사전 수처리 수조와, 후단부는 공정챔버와 연결된 주입부에 연결되며 선단부는 사전 수처리 수조의 상부에 관통되는 이동관과, 하측 단부는 사전 수처리 수조 상부의 상면을 관통하여 소정 길이로 연장 설치되고 상측 단부는 사전 수처리 수조 상부의 상면에서 상향 돌출되어 반응기의 버너와 연결되는 연결관과, 선단부가 사전 수처리 수조의 상부에 관통되어 내부에서 물을 분사하는 물 분사 노즐 및 선단부가 사전 수처리 수조의 상부에 관통되어 내부에서 질소를 분사하는 질소 분사 노즐을 포함하는 것과 관련된다.According to a preferred embodiment of the present invention, the lower portion of the bottom of the water treatment tank is located inside the main water treatment tank, and the upper portion thereof is formed in the water treatment tank upwardly protruding from the upper surface of the main water treatment tank. And a lower end portion of the upper portion is extended to a predetermined length through the upper surface of the upper portion of the pretreatment water treatment tank and the upper end portion is protruded upward from the upper surface of the upper portion of the pretreatment water treatment tank to be connected to the burner of the reactor And a nitrogen injection nozzle which penetrates the upper portion of the pretreatment water tank and injects nitrogen in the upper portion of the pretreatment water tank, and a water injection nozzle for spraying the water inside the upper portion of the pretreatment water tank, .

더 바람직하게 이동관은 복수로 구성되어 사전 수처리 수조의 상부 후면에 일정한 간격을 유지하며 설치된다.More preferably, the moving pipe is composed of a plurality of moving pipes and is installed at a predetermined interval on the upper rear surface of the pretreatment water treatment tank.

더욱 바람직하게 이동관의 선단부는 상기 연결관의 하측 단부를 향하여 하향 경사지게 설치된다.More preferably, the leading end of the moving pipe is inclined downward toward the lower end of the connecting pipe.

더 바람직하게 물 분사 노즐은 사전 수처리 수조 상부의 상면에 복수개로 설치된다.More preferably, a plurality of water spray nozzles are provided on the upper surface of the pre-water treatment tank.

더욱 바람직하게 물 분사 노즐은 연결관의 하측 단부를 향하여 하향 경사지게 설치된다.More preferably, the water injection nozzle is installed to be inclined downward toward the lower end of the connection pipe.

더 바람직하게 질소 분사 노즐은 사전 수처리 수조 상부의 상면에 복수개로 설치된다.More preferably, a plurality of nitrogen injection nozzles are provided on the upper surface of the upper portion of the pretreatment water tank.

더욱 바람직하게 질소 분사 노즐은 사전 수처리 수조 상부의 상면에서 각 모서리 부위에 설치된다.More preferably, the nitrogen injection nozzle is installed at each corner of the upper surface of the pre-water treatment tank.

더 바람직하게 연결관의 상측 단부에는 원주 접선방향을 따라 설치되는 하나 이상의 물 유입구가 더 구비되어 상기 물 유입구를 통해 분사된 물이 연결관의 내주면을 따라 흘러내리면서 수막이 형성되도록 구성된다.More preferably, at the upper end of the connection pipe, at least one water inlet is provided along the circumferential tangential direction so that water sprayed through the water inlet flows down along the inner circumferential surface of the connection pipe to form a water film.

본 발명은 반도체 공정의 공정챔버에서 발생되는 공정가스가 버너로 유입되기에 전 수처리 과정을 거치도록 함으로써, 공정가스 내의 부식성 가스는 물론 공정가스에서 만들어질 수 있는 파우더가 수처리를 통해 미리 제거된 상태에서 버너로 유입되도록 구성함에 따라 버너의 내부에 파우더가 쌓이게 되어 화염이 꺼지거나, 버너와 연결된 연결배관에 파우더가 쌓이게 되면서 압력변화를 일으키는 현상등의 문제점 발생을 을 효과적으로 방지할 있는 것이다.In the present invention, since the process gas generated in the process chamber of the semiconductor process is subjected to the pre-water treatment process to be introduced into the burner, the corrosive gas in the process gas as well as the powder that can be produced in the process gas, The powder is accumulated in the inside of the burner so that the flame is turned off or the powder is accumulated in the connecting pipe connected to the burner to effectively prevent a problem such as a pressure change due to the accumulation of the powder.

아울러 이와 같은 기재된 본 발명의 효과는 발명자가 인지하는지 여부와 무관하게 기재된 내용의 구성에 의해 당연히 발휘되게 되는 것이므로 상술한 효과는 기재된 내용에 따른 몇 가지 효과일 뿐 발명자가 파악한 또는 실재하는 모든 효과를 기재한 것이라 인정되어서는 안 된다. In addition, since the effect of the present invention described above is expected to be exerted by the constitution of the contents regardless of whether or not the inventor perceives it, the above-mentioned effect has several effects according to the contents described, It should not be recognized that it is described.

또한, 본 발명의 효과는 명세서의 전체적인 기재에 의해서 추가로 파악되어야 할 것이며, 설사 명시적인 문장으로 기재되어 있지 않더라도 기재된 내용이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 명세서를 통해 그러한 효과가 있는 것으로 인정할 수 있는 효과라면 본 명세서에 기재된 효과로 보아야 할 것이다.Further, the effect of the present invention should be grasped further by the entire description of the specification, and even if it is not stated in an explicit sentence, a person having ordinary skill in the art to which the written description belongs, It should be seen as an effect described in this specification.

도 1 은 종래의 가스 스크러버의 구성을 예시한 요부 측면도이다.
도 2 는 본 발명의 일 실시 예에 따른 사전 수처리 장치가 구비된 가스 스크러버의 구성을 예시한 사시도이다.
도 3 은 본 발명의 일 실시 예에 따른 사전 수처리 장치를 예시한 요부 사시도이다.
도 4 는 본 발명의 일 실시 예에 따른 사전 수처리 장치를 예시한 요부 단면도이다.
도 5 는 본 발명의 일 실시 예에 따라 사전 수처리 장치에 설치되는 연결관 내주면에 수막을 형성하기 위한 실시 예를 보인 요부 평면도이다.1 is a side view of a conventional gas scrubber.
2 is a perspective view illustrating a configuration of a gas scrubber having a pre-water treatment apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a main part perspective view illustrating a pre-water treatment apparatus according to an embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view of a principal portion illustrating a pre-water treatment apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a plan view showing an embodiment for forming a water film on an inner circumferential surface of a connection pipe installed in a pre-water treatment apparatus according to an embodiment of the present invention.

이하 본 발명의 바람직한 실시 예를 첨부된 도면을 토대로 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

이는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 기재된 내용을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세하게 설명하기 위한 것이며, 이로 인해 기재된 내용의 기술적인 사상 및 범주가 한정되는 것을 의미하지는 않는다.It is to be understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be taken by way of limitation, the scope of the present invention being indicated by the appended claims rather than by the foregoing description.

또한, 도면에 도시된 구성요소의 크기나 형상 등은 설명의 명료성과 편의상 과장되게 도시될 수 있으며, 기재된 내용의 구성 및 작용을 고려하여 특별히 정의된 용어들은 사용자, 운용자의 의도 또는 관례에 따라 달라질 수 있고, 이러한 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 한다.
In addition, the sizes and shapes of the components shown in the drawings may be exaggerated for clarity and convenience of explanation, and the terms defined specifically in consideration of the structure and operation of the contents described may vary depending on the intention or custom of the user or the operator And the definitions of these terms should be based on the contents throughout this specification.

우선, 본 발명에 따른 사전 수처리 장치의 구성은 크게 메인 수처리 탱크에 설치되는 사전 수처리 수조와, 공정챔버와 사전 수처리 수조를 연결하는 이동관과, 버너와 사전 수처리 수조를 연결하는 연결관과, 사전 수처리 수조 내부에 물을 분사하는 물 분사 노즐과, 사전 수처리 수조 내부에 질소를 분사하는 질소 분사 노즐을 포함하며, 이러한 구성에 대해 예시된 도면을 통해 상세히 살펴보면 다음과 같다.
The pre-water treatment apparatus according to the present invention comprises a pre-water treatment tank installed in the main water treatment tank, a moving pipe connecting the process chamber and the pre-water treatment tank, a connection pipe connecting the burner and the pre- A water injection nozzle for injecting water into the water tank, and a nitrogen injection nozzle for injecting nitrogen into the water treatment tank, and will be described in detail with reference to the drawings.

사전 수처리 수조(100)는,The pretreatment water treatment tank (100)

도 2 내지 도 4 에 예시한 바와 같이 메인 수처리 탱크(200)의 내부에 위치하며, 저면이 개방된 사각의 함체 형상을 가진다.As shown in Figs. 2 to 4, the main water treatment tank 200 has a box-like shape with an open bottom.

사전 수처리 수조(100)의 하부는 메인 수처리 탱크(200)의 내부에 위치하며, 도 4 에서와 같이 하부의 저면은 메인 수처리 탱크(200)의 바닥면으로부터 소정거리 이격됨에 따라 사전 수처리 수조(100)의 하부 일부분이 메인 수처리 탱크(200)에 수용된 물속으로 잠기게 된다.The lower portion of the pretreatment water treatment tank 100 is located inside the main water treatment tank 200 and the lower surface of the lower water treatment tank 200 is separated from the bottom surface of the main water treatment tank 200 by a predetermined distance, Is submerged in the water contained in the main water treatment tank 200.

사전 수처리 수조(100)의 상부는 메인 수처리 탱크(200)의 외부에 위치하며, 메인 수처리 탱크(200)의 상면으로부터 소정 거리 만큼 상향 돌출된다.The upper portion of the pretreatment water treatment tank 100 is located outside the main water treatment tank 200 and protrudes upward by a predetermined distance from the upper surface of the main water treatment tank 200.

사전 수처리 수조(100)의 상부가 메인 수처리 탱크(200)의 상면으로부터 소정 거리 상향 돌출됨은 후술되는 이동관(110)과 연결관(120)을 통해 공정챔버(300) 및 버너(400)와의 연결을 위한 것이므로 공정챔버(300)와 버너(400)의 위치에 따라 사전 수처리 수조(100)의 상부 형상 및 메인 수처리 탱크(200) 상면에서의 설치위치는 필요에 따라 변형될 수 있다.The upper portion of the pretreatment water treatment tank 100 protrudes upward a predetermined distance from the upper surface of the main water treatment tank 200 is connected to the process chamber 300 and the burner 400 through a moving pipe 110 and a connection pipe 120, The upper shape of the pre-water treatment tank 100 and the installation position on the upper surface of the main water treatment tank 200 may be modified as necessary according to the positions of the process chamber 300 and the burner 400. [

메인 수처리 탱크(200)에 사전 수처리 수조(100)를 설치함에 있어서, 그 결합방식은 어느 하나로 정해질 필요는 없으며, 일 예로 도 3 에서와 같이 메인 수처리 탱크(200)의 상면에 사전 수처리 수조(100)의 외형과 상응하는 개구부를 형성하고, 그러한 개구부를 통해 사전 수처리 수조(100)를 끼워 설치할 수 있으며, 사전 수처리 수조(100)의 외측둘레에는 고정 플랜지를 구비하여 그러한 고정 플랜지를 메인 수처리 탱크(200)의 상면 개구부 둘레에 결합시켜 고정시킬 수 있다. 이때 사전 수처리 수조(100)의 고정 플랜지 위치는 사전 수처리 수조(100)의 저면이 메인 수처리 탱크(200)의 바닥면으로부터 소정 거리 이격될 수 있는 위치에 구비됨이 바람직하다.
In the case where the pre-water treatment tank 100 is installed in the main water treatment tank 200, it is not necessary to define any one of the connection methods. For example, as shown in FIG. 3, Treatment water tank 100 through the opening, and a fixing flange is provided around the outer periphery of the pre-water treatment tank 100. The fixing flange is disposed in the main water treatment tank 100, Can be fixedly coupled to the upper surface of the opening (200). In this case, the position of the fixing flange of the pre-water treatment tank 100 is preferably provided at a position where the bottom surface of the pre-water treatment tank 100 can be spaced apart from the bottom surface of the main water treatment tank 200 by a predetermined distance.

이동관(110)은,The moving tube (110)

도 2 에서와 같이 공정챔버(300)와 전술한 사전 수처리 수조(100)를 연결해주는 역할을 한다.And serves to connect the process chamber 300 with the pre-water treatment tank 100 as shown in FIG.

이동관(110)의 후단부는 공정챔버(300)와 연결된 주입부(310)와 연결되며, 이동관(110)의 선단부는 사전 수처리 수조(100)의 상부에 관통되어 그 내부에 위치된다.The rear end of the moving pipe 110 is connected to the injection unit 310 connected to the process chamber 300. The front end of the moving pipe 110 passes through the upper part of the pre-

사전 수처리 수조(100)에 설치되는 이동관(110)은 공정챔버(300)의 설치 위치에 따라 변경될 수 있으며, 본 실시 예에서는 공정챔버(300)가 사전 수처리 수조(100)의 후방에 위치됨에 따라 이동관(110)은 도 3 과 같이 사전 수처리 수조(100)의 상부 후면에 관통 설치된다.The moving pipe 110 installed in the pretreatment water treatment tank 100 may be changed depending on the installation position of the process chamber 300. In this embodiment, the process chamber 300 is located behind the pretreatment water tank 100 The moving pipe 110 is installed through the upper rear surface of the pre-water treatment tank 100 as shown in FIG.

공정챔버(300)에서 발생되는 공정가스는 이동관(110)을 통해 사전 수처리 수조(100)의 내부로 이동된 상태에서 후술되는 연결관(120)으로 이동하게 된다.The process gas generated in the process chamber 300 is moved to the inside of the pre-water treatment tank 100 through the transfer pipe 110 and then transferred to the connection pipe 120 described later.

이동관(110)이 사전 수처리 수조(100)를 관통하는 각도는 수평은 물론 상향 경사지거나 본 실시 예인 도 3 과 같이 하향 경사지게 관통될 수도 있다.The angle at which the moving pipe 110 passes through the pre-water treatment tank 100 may be inclined upwards as well as horizontally or may be inclined downwardly as shown in FIG. 3 of the present embodiment.

이동관(110)은 다수개로 구성되어 서로 이격되어 배열될 수 있으며, 각 이동관(110)은 수평하게 배열될 수 있지만 도 3 과 같이 후술되는 연결관(120)을 향하는 방향으로 배열될 수도 있다.
The moving pipes 110 may be arranged in a plurality of spaces and may be spaced apart from one another. The moving pipes 110 may be arranged horizontally, but may be arranged in a direction toward the connecting pipe 120, which will be described later with reference to FIG.

연결관(120)은,The connection pipe 120 is connected to the &

도 2 와 같이 버너(400)와 전술한 사전 수처리 수조(100)를 연결해주는 역할을 한다.And serves to connect the burner 400 and the above-mentioned pretreatment water treatment tank 100 as shown in FIG.

연결관(120)의 하측 단부는 전술한 사전 수처리 수조(100)의 상부 상면을 관통하여 소정 길이로 연장 형성되고, 연결관(120)의 상측 단부는 사전 수처리 수조(100) 상부의 상면에서 상향 돌출되어 반응기의 버너(400)와 연결된다.The lower end of the connection pipe 120 extends through the upper surface of the upper surface of the pretreatment water treatment tank 100 to a predetermined length and the upper end of the connection pipe 120 extends upward from the upper surface of the upper portion of the pretreatment water treatment tank 100 And is connected to the burner 400 of the reactor.

연결관(120)은 사전 수처리 수조(100)의 버너(400) 위치에 따라 가변되어 설치될 수 있으며, 바람직하게는 사전 수처리 수조(100)의 상부 상면 중 어느 한쪽에 설치될 수 있고, 더 바람직하게는 도 3 에서와 같이 사전 수처리 수조(100)의 상부 상면 중앙에 설치될 수 있다.The connection pipe 120 may be installed to be variable depending on the position of the burner 400 of the pretreatment water treatment tank 100 and preferably may be installed on any one of the upper surface of the pretreatment water treatment tank 100, As shown in FIG. 3, may be installed at the center of the upper surface of the upper water surface of the pretreatment water treatment tank 100.

연결관(120)의 하측 단부는 도 4 에서와 같이 사전 수처리 수조(100)의 내부에 위치하게 되는데, 하측 단부의 위치는 바람직하게 메인 수처리 탱크(200)의 상면과 동일 선상에 위치될 수 있으며, 필요에 따라서는 동일 선상의 위쪽 또는 아래쪽에 위치될 수도 있다.The lower end of the connection pipe 120 is located inside the pretreatment water tank 100 as shown in FIG. 4. The lower end of the connection pipe 120 may preferably be located on the same line as the upper surface of the main water treatment tank 200 , And may be positioned above or below the same line as necessary.

연결관(120)은 버너(400)의 내부에 형성되는 압력에 의해 흡입력이 발생되며, 이에 따라 도 4 에서와 같이 전술한 이동관(110)에서 배출되는 공정가스는 자연스럽게 연결관(120)의 하측 단부를 통해 내부로 흡입되어 버너(400)로 이동하게 된다.4, the process gas discharged from the moving pipe 110 is naturally discharged to the lower side of the connecting pipe 120, And is then sucked into the burner 400 through the end portion thereof.

연결관(120)의 상측 단부에는 도 5 에서와 같이 원주 접선방향을 따라 하나 이상의 물 유입구(121)가 노즐의 형태로 설치될 수 있으며, 이러한 물 유입구(121)에서 공급된 물은 연결관(120)의 내주면을 따라 소용돌이 형태로 이동되면서 연결관(120)의 내주면에 수막을 형성하게 되며, 이러한 수막은 연결관(120) 내주면에서 발생될 수 있는 파우더의 생성을 방지해줄 수 있다.
5, at least one water inlet 121 may be provided in the form of a nozzle along the circumferential tangential direction at the upper end of the connection pipe 120. Water supplied from the water inlet 121 may be connected to the connection pipe 120 to form a water film on the inner circumferential surface of the connection pipe 120. This water film can prevent generation of powder that may be generated on the inner circumferential surface of the connection pipe 120. [

물 분사 노즐(130)은,The water jetting nozzle 130,

전술한 사전 수처리 수조(100)의 내부에 물을 분사함으로써 이동관(110)에서 연결관(120)으로 이동되는 공정가스를 물에 반응시켜 공정가스 내의 파우더를 제거해준다.The water in the pretreatment water treatment tank 100 is sprayed into the process tube 100 to move the process gas moving from the transfer pipe 110 to the connection pipe 120 to water to remove the powder in the process gas.

사전 수처리 수조(100)에 관통 설치되는 물 분사 노즐(130)의 설치위치는 이동관(110)에서 배출되어 연결관(120)으로 이동되는 공정가스의 경로상에 효과적으로 물이 분사될 수 있는 최적의 위치에 구비될 수 있다.The installation position of the water injection nozzle 130 installed through the pre-water treatment tank 100 can be adjusted to an optimum value by which water can be effectively sprayed on the path of the process gas discharged from the transfer pipe 110 and transferred to the connection pipe 120 Position.

본 실시 예에서는 도 3 및 도 4 에서와 같이 물 분사 노즐(130)이 사전 수처리 수조(100)의 상부 상면에서 연결관(120)의 중심으로 대향된 양측에 설치된 것이며, 이때 상부 상면을 관통하는 설치각도는 연결관(120)의 하측 단부를 향하여 하향 경사지게 설치된 것이다.3 and 4, the water injection nozzle 130 is installed on both sides of the upper surface of the pre-water treatment tank 100 opposite to the center of the connection pipe 120. At this time, The installation angle is set to be inclined downward toward the lower end of the connection pipe 120.

물 분사 노즐(130)의 개수나 설치위치 및 설치각도는 어느 하나로 정해질 필요는 없으며, 이동관(110)과 연결관(120)의 위치 및 이동관(110)에서 연결관(120)으로 이동되는 공정가스의 경로에 상응하여 적절한 개수와 배치와 형태를 가질 수 있다.The number of the water injection nozzles 130 and the installation position and the installation angle do not have to be set to any one of them and the position of the moving pipe 110 and the connecting pipe 120 and the process of moving to the connecting pipe 120 from the moving pipe 110 And may have the appropriate number, arrangement and configuration corresponding to the path of the gas.

물 분사 노즐(130)에 사용되는 물은 외부에서 계속적으로 공급되는 시수 및 펌프 등을 이용하여 순환시켜주는 순환수가 사용될 수 있다. 순환수인 경우 도 2 에서와 같이 HCS와 같은 별도의 순환수 이물질 제거수단이 더 구비될 수 있다.
The water used in the water injection nozzle 130 may be a circulating water circulating the water using a pump or the like continuously supplied from the outside. In the case of circulating water, another circulating water foreign substance removing means such as HCS may be further provided as shown in FIG.

질소 분사 노즐(140)은,The nitrogen injection nozzle (140)

전술한 사전 수처리 수조(100)의 내부에 질소를 분사함으로써, 이동관(110)에서 연결관(120)으로 이동되는 공정가스를 연결관(120)쪽으로 이동되도록 유도해준다.By injecting nitrogen into the pre-water treatment tank 100, the process gas moving from the moving pipe 110 to the connecting pipe 120 is guided to move toward the connecting pipe 120.

사전 수처리 수조(100)에 관통 설치되는 질소 분사 노즐(140)의 설치위치는 이동관(110)에서 배출된 공정가스가 사전 수처리 수조(100)의 내부에서 연결관(120)쪽으로 이동되지 못하고 정체될 수 있는 부위에 설치될 수 있다.The installation position of the nitrogen injection nozzle 140 installed in the pre-water treatment tank 100 is such that the process gas discharged from the moving pipe 110 is not moved to the connection pipe 120 from inside the pre-water treatment tank 100, It can be installed at the site where it can be.

본 실시 예에서는 도 3 및 도 4 에서와 같이 질소 분사 노즐(140)이 사전 수처리 수조(100)의 상부 상면에서 사방의 모서리에 수직 하방으로 관통되어 설치된 것이며, 이때 질소 분사 노즐(140)의 관통되는 설치위치와 각도는 다양하게 변형될 수 있다. 3 and 4, the nitrogen injection nozzle 140 is installed vertically downward at the four corners of the upper surface of the pre-water treatment tank 100. At this time, the nitrogen injection nozzle 140 penetrates through the nitrogen injection nozzle 140 The mounting position and the angle can be variously modified.

도면으로 예시되지는 않았지만 질소 분사 노즐(140)의 다른 실시 예로서, 질소 분사 노즐(140)이 각 이동관(110)에 근접 설치된 후 연결관(120)쪽을 향하여 분사되도록 구성함으로써, 이동관(110)에서 배출되는 공정가스가 연결관(120)쪽으로 자연스럽게 이동되도록 구성될 수도 있다.The nitrogen injection nozzle 140 may be arranged close to each of the moving pipes 110 so as to be sprayed toward the connecting pipe 120 as another embodiment of the nitrogen spraying nozzle 140, May be configured to move smoothly toward the connection pipe 120.

질소 분사 노즐(140)의 설치위치는 상부 상면으로 한정될 필요 없이 상부 전후면 또는 양측면에 각각 또는 함께 설치될 수도 있다.The installation position of the nitrogen injection nozzle 140 may be provided on the upper front and rear surfaces or on both sides of the upper surface without being limited to the upper surface.

질소 분사 노즐(140)에서 분사되는 질소는 일 예이며, 다른 원소와 반응을 일으키지 않는 안정된 기체인 희가스류 원소인 아르곤, 네온, 헬륨 등의 비활성 가스가 사용될 수도 있다.
Nitrogen injected from the nitrogen injection nozzle 140 is an example, and an inert gas such as argon, neon, or helium, which is a rare gas element that is a stable gas that does not react with other elements, may be used.

이와 같은 본 발명에 따른 사전 수처리 장치를 포함하는 스크러버를 통해 공정가스가 사전 수처리 되는 과정을 도 4 를 통해 살펴보면 다음과 같다.
The process of pre-treating the process gas through the scrubber including the pre-water treatment apparatus according to the present invention will be described with reference to FIG.

반도체 공정에 사용되는 공정가스가 공정챔버(300)로부터 빠져나와 주입부(310)를 거쳐 반응기의 버너(400)로 이동함에 있어서, 주입부(310)에서 배출되는 공정가스는 주입부(310)와 연결된 이동관(110)을 통해 사전 수처리 수조(100)의 내부에서 배출되고, 배출된 공정가스는 버너(400)와 연결된 연결관(120)에서 발생되는 흡입력에 따라 연결관(120) 내부로 빨려들어가게 된다.The process gas discharged from the injection unit 310 is supplied to the injection unit 310 while the process gas used in the semiconductor process moves out of the process chamber 300 and moves to the burner 400 of the reactor through the injection unit 310. [ Treatment water tank 100 and the exhausted process gas is sucked into the connection pipe 120 according to the suction force generated in the connection pipe 120 connected to the burner 400 I will enter.

한편, 사전 수처리 수조(100)에는 물 분사 노즐(130)이 구비되어 사전 수처리 수조(100)의 내부에 물을 지속적으로 분사하고 있으며, 분사된 물은 이동관(110)에서 연결관(120)으로 이동되는 공정가스의 이동 경로상에 분사되어 이동관(110)을 통해 배출된 공정가스는 연결관(120)으로 이동되는 과정에서 물과의 접촉에 따라 파우더를 생성하게 되고, 이러한 파우더는 자중에 의해 낙하되면서 분사된 물과 함께 메인 수처리 탱크(200)의 바닥면에 떨어지게 된다.A water injection nozzle 130 is provided in the pretreatment water treatment tank 100 to continuously spray water into the water treatment tank 100. The water sprayed from the movement pipe 110 to the connection pipe 120 The process gas, which is injected on the movement path of the process gas to be transferred and discharged through the movement pipe 110, is moved to the connection pipe 120 to generate a powder according to the contact with water. Falls along with the sprayed water to the bottom surface of the main water treatment tank 200.

또한, 이동관(110)에서 배출된 공정가스 중 물 분사 노즐(130)의 물 분사 범위에서 벗어나고, 연결관(120)의 흡입력으로부터 벗어나 사전 수처리 수조(100)의 어느 한 부위에 정체되는 공정가스는 사전 수처리 수조(100) 사방에 위치하여 분사되는 질소 분사 노즐(140)의 질소에 의해 연결관(120)쪽으로 이동되어 물과의 접촉 후 연결관(120)으로 이동될 수 있는 것이다.The process gas discharged from the water injection nozzle 130 of the process gas discharged from the moving pipe 110 and stagnated at a certain portion of the pre-water treatment tank 100 after departing from the suction force of the connection pipe 120 Is moved toward the connection pipe (120) by the nitrogen of the nitrogen injection nozzle (140) located in the front water treatment tank (100) and is moved to the connection pipe (120) after coming into contact with water.

한편, 공정가스 중 물 분사 노즐(130)에서 분사되는 물과 접촉되지 않은 공정가스가 연결관(120)으로 이동될 경우 연결관(120) 내주면에 파우더가 생성될 수 있다.Meanwhile, when the process gas that is not in contact with the water sprayed from the water spray nozzle 130 in the process gas moves to the connection pipe 120, powder may be generated on the inner peripheral surface of the connection pipe 120.

이에 따라 본 발명은 연결관(120)의 상측 단부에 원주 접선방향을 따라 물 유입구(121)를 설함으로써, 물 유입구(121)에서 분사되는 물이 연결관(120)의 내주면을 따라 소용돌이를 일으키면서 수막을 형성하여 연결관(120)의 내주면에 파우더가 생성되는 것을 방지할 수 있다.Accordingly, the water inlet 121 is formed along the circumferential tangent direction at the upper end of the connection pipe 120, so that the water injected from the water inlet 121 swirls along the inner circumferential surface of the connection pipe 120 It is possible to prevent the formation of powder on the inner circumferential surface of the connection pipe 120. [

이와 같이 물 분사 노즐(130)과 물 유입구(121)를 통해 분사되는 물에 의해 파우더가 제거된 공정가스는 이후 연결관(120)과 연결된 버너(400)로 유입된 후 연소/산화되거나 열분해되는 버닝과정을 거치게 된다.The process gas from which the powder is removed by the water injected through the water injection nozzle 130 and the water inlet 121 flows into the burner 400 connected to the connection pipe 120 and is then burned / oxidized or pyrolyzed Burning process.

그리고 버닝과정에서 처리되지 못한 미처리 가스는 세정공정을 거치게 되고 세정공정을 거친 처리가스는 필터와 덕트를 통해 대기중으로 배출되는 것이다.
The untreated gas that has not been processed in the burning process is subjected to a cleaning process, and the process gas that has undergone the cleaning process is discharged to the atmosphere through the filter and the duct.

이와 같이 기재된 내용의 상세한 설명에서는 구체적인 실시 예에 관한 설명을 하였으나, 기재된 내용의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다. 그러므로 기재된 내용의 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 안되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 이 청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.Although the present invention has been described in connection with certain exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. Therefore, the scope of the disclosed contents should not be limited to the described embodiments, but should be determined by the appended claims and equivalents thereof.

100 : 사전 수처리 수조 110 : 이동관
120 : 연결관 121 : 물 유입구
130 : 물 분사 노즐 140 : 질소 분사 노즐
200 : 메인 수처리 탱크 300 : 공정챔버
310 : 주입부 400 : 버너
100: pre-water treatment tank 110: moving pipe
120: Connector 121: Water inlet
130: Water spray nozzle 140: Nitrogen spray nozzle
200: main water treatment tank 300: process chamber
310: injection part 400: burner

Claims (8)

저면이 개방된 하부는 메인 수처리 탱크의 내부에 위치하고, 상부는 상기 메인 수처리 탱크의 상면에서 상향 돌출되어 형성된 사전 수처리 수조;
후단부는 공정챔버와 연결된 주입부에 연결되며, 선단부는 상기 사전 수처리 수조의 상부에 관통되는 이동관;
하측 단부는 상기 사전 수처리 수조 상부의 상면을 관통하여 소정 길이로 연장 설치되고, 상측 단부는 상기 사전 수처리 수조 상부의 상면에서 상향 돌출되어 반응기의 버너와 연결되는 연결관;
선단부가 상기 사전 수처리 수조의 상부에 관통되어 내부에서 물을 분사하는 물 분사 노즐; 및
선단부가 상기 사전 수처리 수조의 상부에 관통되어 내부에서 질소를 분사하는 질소 분사 노즐이 포함되고,
상기 연결관의 상측 단부에는 원주 접선방향을 따라 설치되는 하나 이상의 물 유입구가 더 구비되어 상기 물 유입구를 통해 분사된 물이 상기 연결관의 내주면을 따라 흘러내리면서 수막이 형성되도록 구성된 것을 특징으로 하는 사전 수처리 장치를 포함하는 스크러버.
A pre-water treatment tank formed in an upper portion of the main water treatment tank and protruding upward from an upper surface of the main water treatment tank;
A rear end portion connected to an injection portion connected to the process chamber, and a tip portion passing through the upper portion of the pre-water treatment tank;
A lower end portion extending through the upper surface of the upper portion of the pretreatment water treatment tank to a predetermined length and having an upper end protruding upward from an upper surface of the upper portion of the pretreatment water treatment tank and connected to the burner of the reactor;
A water spray nozzle having a tip end penetrating the upper portion of the pre-water treatment tank to spray water therein; And
And a nitrogen injection nozzle for injecting nitrogen into the upper portion of the water treatment tank,
Wherein at least one water inlet is provided at an upper end of the connection tube along a circumferential tangential direction so that water sprayed through the water inlet flows down along the inner circumferential surface of the connection tube to form a water film. A scrubber comprising a pretreatment device.
제 1 항에 있어서,
상기 이동관은 복수로 구성되어 상기 사전 수처리 수조의 상부 후면에 일정한 간격을 유지하며 설치된 것을 특징으로 하는 사전 수처리 장치를 포함하는 스크러버.
The method according to claim 1,
Wherein the moving pipes are formed of a plurality of moving pipes arranged at regular intervals on the upper rear surface of the pre-water treatment tank.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 이동관의 선단부는 상기 연결관의 하측 단부를 향하여 하향 경사지게 설치되는 것을 특징으로 하는 사전 수처리 장치를 포함하는 스크러버.
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the distal end of the moving tube is provided with a downward inclination toward the lower end of the connecting tube.
제 1 항에 있어서,
상기 물 분사 노즐은 상기 사전 수처리 수조 상부의 상면에 복수개로 설치되는 것을 특징으로 하는 사전 수처리 장치를 포함하는 스크러버.
The method according to claim 1,
Wherein a plurality of water spray nozzles are provided on the upper surface of the upper portion of the pre-water treatment tank.
제 1 항 또는 제 4 항에 있어서,
상기 물 분사 노즐은 상기 연결관의 하측 단부를 향하여 하향 경사지게 설치되는 것을 특징으로 하는 사전 수처리 장치를 포함하는 스크러버.
The method according to claim 1 or 4,
Wherein the water injection nozzle is installed to be inclined downward toward a lower end of the connection pipe.
제 1 항에 있어서,
상기 질소 분사 노즐은 상기 사전 수처리 수조 상부의 상면에 복수개로 설치되는 것을 특징으로 하는 사전 수처리 장치를 포함하는 스크러버.
The method according to claim 1,
Wherein the nitrogen injection nozzles are installed on the upper surface of the upper portion of the pre-water treatment tank.
제 6 항에 있어서,
상기 질소 분사 노즐은 상기 사전 수처리 수조 상부의 상면에서 각 모서리 부위에 설치된 것을 특징으로 하는 사전 수처리 장치를 포함하는 스크러버.






The method according to claim 6,
Wherein the nitrogen injection nozzle is installed at each corner of the upper surface of the pre-water treatment tank.






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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002011341A (en) 2000-04-27 2002-01-15 Kanken Techno Co Ltd Apparatus for cleaning interior of pipe

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1085555A (en) * 1996-09-12 1998-04-07 Kanken Techno Kk Removal of and device for harmful substance from exhaust gas in semiconductor manufacturing
JP4174396B2 (en) * 2003-09-19 2008-10-29 カンケンテクノ株式会社 Exhaust gas introduction structure and exhaust gas treatment apparatus using the structure
JP4342427B2 (en) * 2004-11-30 2009-10-14 カンケンテクノ株式会社 Exhaust gas abatement system for semiconductor manufacturing equipment

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002011341A (en) 2000-04-27 2002-01-15 Kanken Techno Co Ltd Apparatus for cleaning interior of pipe

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11931683B2 (en) 2021-01-19 2024-03-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Scrubber system and wet cleaning method using the same

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