KR200311830Y1 - 개선된 구조의 측면투사식 발광다이오드 - Google Patents

Abstract

본 고안은 일종의 개선된 구조의 측면투사식 발광다이오드에 관한 것으로, 이 발광다이오드는 하나의 선정된 모양의 투광이 가능한 본체와 하나 이상의 전원리드로 구성되어 있으며 이 본체의 한 측단면에는 하나의 집광부가 있고, 동시에 본체의 다른 한 측단면에는 바깥쪽으로 연장되어 전원과 도전되는 제 1 리드와 제 2 리드가 있으며, 제 1 리드와 제 2 리드 사이에는 하나의 지지대가 있고, 이 지지대의 단면에는 하나의 볼록한 형태의 용기가 설치되어 있으며, 이 용기 내에 하나의 칩이 들어 있는데, 이 칩은 각각 하나의 도선으로 제 1 리드와 제 2 리드와 전기적으로 연결되며, 지지대의 한면에는 방열장치가 연결되어 있다. 이로써 발광다이오드가 측면에서 광원을 투사해내는 특성을 가지는 것 외에 동시에 측면투사식 다이오드의 작동효율을 높이고, 또한 효과적으로 방열을 진행하며 나아가 발광다이오드의 효율을 증가시켜 발광다이오드의 밝기를 개선시킨다.

Description

개선된 구조의 측면투사식 발광다이오드{Sideway-projecting light emitting diode having an enhanced structure}

본 고안은 개선된 구조의 측면투사식 발광다이오드에 관한 것으로, 특히 측면에서 광원을 투사해내는 특성을 외에도 동시에 측면투사식 다이오드의 작동효율을 높이고, 또한 효과적으로 방열을 진행하며 나아가 발광다이오드의 효율을 증가시켜 발광다이오드의 밝기를 개선시킨 측면 투사식 발광다이오드에 관한 것이다.

현재 사용되고 있는 측면투사식 발광다이오드는 일종의 하나의 선정된 모양의 투광이 가능한 본체와 하나 이상의 전원리드로 구성되어 있는데, 상기 본체의 한 측단면에는 하나의 집광부가 있으며, 본체의 다른 한 측단면에는 바깥쪽으로 연장되어 전원과 도전되는 알루미늄, 구리 또는 철 등의 금속 도전재질로 제작되어 + 및 - 극 리드로 정의되는 전원리드를 갖추고 있다.

그러나, 이러한 측면투사식 발광다이오드의 구조는 그 밝기가 대다수의 통상의 전등에 미치지 못하며, 따라서, 발광효율을 증가시키기 위해 전류를 증가시키므로, 전류증가에 따른 국소의 열이 지나치게 높아지는 문제점이 생긴다(도 11 내지 도 14 참고).

본 고안의 목적은 발광다이오드에 측면으로부터 광원을 투사해내는 특성을 가지게 하는 것 외에 동시에 측면투사식 발광다이오드의 작동효율을 높이는 데 있다.

본 고안의 또 다른 목적은 효과적으로 방열을 진행하며 나아가 발광다이오드의 효율을 개선시키고, 이를 통해 발광다이오드의 밝기를 높이는 데 있다.

전술한 목적을 달성하기 위한 본 고안은 일종의 개선된 구조의 측면투사식 발광다이오드로, 이 발광다이오드는 하나의 선정된 모양의 투광이 가능한 본체와 하나 이상의 전원리드로 구성되어 있으며 이 본체의 한 측단면에는 하나의 집광부가 있고, 동시에 본체의 다른 한 측단면에는 바깥쪽으로 연장되어 전원과 도전되는 제 1 리드와 제 2 리드가 있으며, 제 1 리드와 제 2 리드 사이에는 하나의 지지대가 있고, 이 지지대의 단면에는 하나의 볼록한 형태의 용기가 설치되어 있고, 이 용기 내에 하나의 칩이 들어 있으며, 이 칩은 각각 하나의 도선으로 제 1 리드와 제 2 리드와 전기적으로 연결되며, 지지대의 한면에는 방열장치가 연결되어 있다. 이로써 발광다이오드가 측면에서 광원을 투사해내는 특성을 가지는 것 외에 동시에 측면투사식 다이오드의 작동효율을 높이고, 또한 효과적으로 방열을 진행하며 나아가 발광다이오드의 효율을 증가시켜 발광다이오드의 밝기를 개선시킨다.

이하, 본 고안의 전술한 목적과 기타 목적 및 장점을 구체적인 실시예를 통해 상세히 설명하기로 한다.

도1은 본 고안의 외관 사시도.

도2는 본 고안의 평면도.

도3은 본 고안의 측면도.

도4는 본 고안의 실시예의 개략도.

도5는 본 고안의 또 다른 실시예의 개략도.

도6은 본 고안인 측면투사식 발광다이오드의 사용상태의 개략도.

도7은 본 고안인 측면투사식 발광다이오드의 사용상태의 평면도.

도8은 본 고안을 세워 사용하는 상태의 개략도.

도9는 본 고안을 또 다르게 세워 사용하는 상태의 개략도

도10은 본 고안의 다른 사용상태의 개략도.

도11은 종래의 다이오드 사용상태의 개략도.

도12는 또 다른 종래의 다이오드 사용상태의 개략도.

도13은 또 다른 종래의 다이오드 사용상태의 개략도.

도14는 또 다른 종래의 다이오드의 개략도.

〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉

1：발광 다이오드 10：본체

101：집광부 11, 12：전원 리드

13, 13A：지지대 14：볼록한 형태의 용기

141：칩 142：도선

15, 15A, 15B：방열장치 151：보조 방열판

2, 2A：회로판 3：금속 관체

31：개방형 용기 32：도전부

도 1 내지 도 7을 참고하면, 이는 본 고안의 외관 사시도, 평면도, 측면도, 실시예의 개략도, 또 다른 실시예의 개략도, 측면투사식 발광다이오드의 사용상태의 개략도, 측면투사식 발광다이오드의 사용상태의 평면도이다. 도면에서 예시한 바와 같이, 본 고안은 일종의 개선된 구조의 측면투사식 발광다이오드로, 이 발광다이오드(1)는 하나의 선정된 모양의 투광이 가능한 본체(10)와 하나 이상의 전원리드(11, 12)로 구성되어 있으며, 그중 이 본체(10)의 한 측단면에는 하나의 집광부(101)가 있고, 동시에 본체(10)의 다른 한 측단면에는 바깥을 향해 연장되어 전원과 도전되는 제 1 리드(11) 및 제 2 리드(12)가 있는데, 상기 제 1 및 제 2 리드(11, 12)는 알루미늄, 구리 또는 철 등의 금속 도전재질로 제작되며, + 및 - 극 리드로 정의되며, 상기 제 1 및 제 2 리드(11, 12) 사이에는 하나의 지지대(13)가 있는데, 이 지지대(13)는 무극성의 도전판으로, 알루미늄, 구리 또는 철 등의 금속 도전재질로 제작되는데, 이 지지대(13)는 제 1 및 제 2 리드(11, 12)의 어느 한 777-리드와 전기적으로 연결되어 극성(+,- 극)을 가지게 되며, 동시에 지지대(13)의 단면에는 하나의 볼록한 형태의 용기(14)가 설치되어 있는데, 이 용기(14) 내에 하나의 칩(141)이 들어 있으며, 이 칩(141)은 각각 하나의 도선(142)으로 제 1 및 제 2 리드(11, 12)와 전기적으로 연결되며, 지지대(13)의 한면에는 방열장치(15)가 연결되어 있다. 이 지지대(13)와 방열장치(15)는 일체성형의 방식으로 제작되며, 방열장치(15)와 지지대(13)는 각기 다른 두께의 재료로써 제작되어 하나의 높낮이에 차이가 나는 모양(도 3에 도시한 바와같이)을 형성하거나 또는 방열장치(15A)와 지지대(15A)가 동일한 두께의 재료로 제작되어 하나의 평면모양(도 4에 도시한 바와같이)을 형성하게 되는데, 방열장치(15)의 크기는 조건(각기 다른 흡열량)에 따른 각기 다른 크기(도 5를 참고)로 정하여, 필요한 흡열량에 따라 각기 상이하게 그 크기를 조정할 수가 있다. 이로써 방열장치(15A)가 각기 다른 흡열량에 맞추게 한다. 이러한 구조를 통해 발광다이오드(1)의 본체(10)와 측면의 집광부(101)가 광원을 투사해 내는 특성을 가지게 되며, 동시에 방열장치(15)를 통해 효과적으로 방열을 진행하여 발광다이오드(1)의 효율을 증가시키므로, 발광다이오드(1)의 밝기를 개선시킨다.

본 고안을 사용할 때는 먼저 발광다이오드(1)를 회로판(2)의 선정된 위치에 수평으로 놓고(발광다이오드(1)가 두 가지 다른 크기의 방열장치(15, 15B)를 가진 것을 예로 할 때), 다시 제 1 및 제 2 리드(11, 12)와 방열장치(15, 15B)를 회로판(2) 위에 납땜한다. 이렇게 하여 본 고안인 발광다이오드(1)의 조립이 완성된다. 전원이 도전될 때 지지대(13)위의 칩(141)은 즉시 본체(10)의 한 측단면의 집광부(101)를 통해 광원을 투사해내어 발광다이오드(1)가 측면에서 광원을 투사해 내는 특성을 갖게되며, 동시에 지지대(13)상의 방열장치(15, 15B)로써 효과적으로 방열의 기능을 달성하며, 나아가 발광다이오드(1)의 효율을 증가시키고, 발광다이오드(1)의 밝기를 개선시킨다.

도 8 및 도 9를 보면, 이는 본 고안을 세워 사용하는 상태의 개략도 및 동일한 방식의 또 다른 사용상태 개략도이다. 도면에서와 같이 본 고안은 전술한 방식의 사용 외에, 본 고안인 측면투사식 발광다이오드(1)의 일부가 회로판(2)을 관통하여 회로판(2)상에 조립되는데, 본 고안의 또 다른 사용상태와 같이, 회로판(2)상에 조립될시에는 방열장치(15)의 외부에 별개의 보조 방열판(151)을 설치해야만 방열을 강화시키고 발광다이오드(1)의 효율을 증가시키며, 발광다이오드(1)의 밝기를 개선시킬 수 있다.

도 10을 참고하면, 이는 본 고안의 또 다른 사용상태의 개략도인데, 도면에 도시된 바와같이, 본 고안은 하나 이상의 상기 발광다이오드(1)를 중앙부분에 개방형 용기(31)가 개방 설치된 하나의 금속 관체(3)에 꽂아 사용할 수도 있는데, 이 금속 관체(3)는 알루미늄, 구리 또는 철 등의 금속재질로 제작되며, 이 금속 관체(3)의 중앙부분에는 하나의 개방형 용기(31)를 개방 설치하여 하나 이상의 발광다이오드(1)의 지지대(13)와 방열장치(15) 및 제 1 리드와 제 2 리드(11, 12)를 이 개방형 용기(31)에 꽂고, 발광다이오드(1)의 본체(10)와 집광부(101)를 개방형 용기(31)에 노출되게 하며, 또한 하나 이상의 발광다이오드(1)의 제 1 리드와 제 2 리드(11, 12)를 각각 하나의 도전부(32)와 회로판(2A)에 도전시켜 하나의 도전관을 형성하고, 방열장치(15)가 금속 관체(3)를 통해 방열이 진행되게 하여 발광다이오드(1)의 효율을 증가시키고 발광다이오드(1)의 밝기를 개선시켜 본 고안의 운용을 더욱 광범하게 한다.

전술의 개선된 구조에 의해 본 고안의 측면투사식 발광다이오드는 측면에서 광원을 투사해내는 특성을 가지는 것 외에 동시에 측면투사식 다이오드의 작동효율을 높이고, 또한 효과적으로 방열을 진행하며, 나아가 발광다이오드의 효율을 증가시켜 발광다이오드의 밝기를 개선시키는 효과를 발생시킨다.

Claims (10)

1. 하나의 선정된 모양의 투광이 가능한 본체(10)와;

   하나 이상의 전원리드(11, 12)로 구성되는데, 상기 본체(10)의 한 측단면에는 하나의 집광부(101)가 설치되고, 동시에 상기 본체(10)의 다른 한 측단면에는 바깥을 향해 연장되어 전원과 도전되는 제 1 리드(11)와 제 2 리드(12)가 설치되며, 제 1 리드(11)와 제 2 리드(12) 사이에는 하나의 지지대(13)가 설치되고, 상기 지지대(13)의 단면에는 하나의 볼록한 형태의 용기(14)가 설치되어 있고, 상기 용기(14) 내에 하나의 칩(141)이 설치되며, 상기 칩(141)은 각각 하나의 도선으로 상기 제 1 리드(11) 및 제 2 리드(12)와 전기적으로 연결되며, 상기 지지대(13)의 한면에는 방열장치(15)가 연결되어, 측면에서 광원을 투사해내는 특성외에도 작동효율을 높이며, 또한 효과적으로 방열을 진행하며, 나아가 발광다이오드의 효율을 증가시켜 밝기를 개선시키는 것을 특징으로 하는 개선된 구조의 측면투사식 발광다이오드.
2. 제 1항에 있어서, 상기 제 1 리드(11)와 제 2 리드(12)는 알루미늄, 구리 또는 철 등의 금속도전재질로 제작되는 것을 특징으로 하는 개선된 구조의 측면투사식 발광다이오드.
3. 제 1항에 있어서, 상기 지지대(13)는 무극성의 도전판인데, 동시에 알루미늄, 구리 또는 철 등의 금속도전재질로도 제작되는 것을 특징으로 하는 개선된 구조의 측면투사식 발광다이오드.
4. 제 1항에 있어서, 상기 지지대(13)와 상기 방열장치(15)는 일체성형방식으로 제작되는 것을 특징으로 하는 개선된 구조의 측면투사식 발광다이오드.
5. 제 1항에 있어서, 상기 방열장치(15)와 상기 지지대(13)는 동일한 두께의 재료로 제작되어 하나의 평면모양을 형성하는 것을 특징으로 하는 개선된 구조의 측면투사식 발광다이오드.
6. 제 1항에 있어서, 상기 방열장치(15)와 상기 지지대(13)는 각기 다른 두께의 재료로 제작되어 높낮이에 차이가 나는 모양을 형성하는 것을 특징으로 하는 개선된 구조의 측면투사식 발광다이오드.
7. 삭제
8. 제 1항에 있어서, 상기 방열장치(15)는 그 외부에 하나의 별개의 보조 방열판(151)이 설치되는 것을 특징으로 하는 개선된 구조의 측면투사식 발광다이오드.
9. 제 1항에 있어서, 하나 이상의 상기 발광다이오드(1)를 중앙부분에 개방형 용기(31)가 개방 설치된 하나의 금속 관체(3)에 꽂아 사용할 수도 있는데, 하나 이상의 상기 발광다이오드(1)의 상기 지지대(13)와 상기 방열장치(15) 및 상기 제 1 리드와 제 2 리드(11, 12)를 상기 개방형 용기(31)에 꽂고, 상기 집광부(101)를 상기 개방형 용기(31)에 노출되게 하며, 또한 하나 이상의 상기 발광다이오드(1)의 상기 제 1 리드와 제 2 리드(11, 12)를 각각 하나의 도전부(32)와 회로판(2A)에 도전시켜 하나의 도전관을 형성하여, 상기 방열장치(15)가 상기 금속 관체(3)를 통해 방열이 진행되게 하여 상기 발광다이오드(1)의 효율을 증가시키는 것을 특징으로 하는 개선된 구조의 측면투사식 발광다이오드.
10. 제9항에 있어서, 상기 금속 관체(3)는 알루미늄, 구리 또는 철 등의 금속재질로써 제작되는 것을 특징으로 하는 개선된 구조의 측면투사식 발광다이오드.