KR20030094748A - 리프트 벨로우즈의 진공 누설을 탐지하기 위한 방법 및 장치 - Google Patents

리프트 벨로우즈의 진공 누설을 탐지하기 위한 방법 및 장치 Download PDF

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KR20030094748A
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Abstract

기판을 가공하기 위한 챔버 내부에는 기판을 로딩 및 언로딩하기 위한 리프트 핀들이 구비된다. 리프트 핀들은 기판이 놓여지는 척과, 척을 지지하는 지지부재를 관통하여 설치되며, 리프트 핀들을 구동하는 구동부와 지지부재 사이에는 리프트 핀들을 각각 감싸도록 다수의 리프트 벨로우즈들이 구비된다. 리프트 벨로우즈들 중 하나에서 진공이 누설되는 경우, 리프트 핀들이 설치되는 지지부재의 리프트 홀들을 밀폐시키고, 챔버 내부를 진공 상태로 형성한 다음, 밀폐된 리프트 홀들을 순차적으로 개방시키면서 챔버 내부의 압력을 측정함으로서 누설이 발생되는 리프트 벨로우즈를 탐지할 수 있다.

Description

리프트 벨로우즈의 진공 누설을 탐지하기 위한 방법 및 장치{Method and apparatus for detecting a vacuum leak of a lift bellows}
본 발명은 리프트 벨로우즈의 진공 누설을 탐지하기 위한 방법 및 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 반도체 기판을 가공하기 위한 장치의 챔버 내부에서 반도체 기판을 로딩 및 언로딩하기 위한 리프트 핀을 감싸도록 구비되는 리프트 벨로우즈의 진공 누설을 탐지하기 위한 방법 및 장치에 관한 것이다.
최근, 반도체 장치의 제조 기술은 소비자의 다양한 욕구를 충족시키기 위해 집적도, 신뢰도, 응답속도 등을 향상시키는 방향으로 발전하고 있다. 일반적으로, 반도체 장치는 반도체 기판으로 사용되는 실리콘 반도체 기판 상에 소정의 막을 형성하고, 상기 막을 전기적 특성을 갖는 패턴으로 형성함으로서 제조된다.
상기 패턴은 화학 기상 증착, 스퍼터링, 포토리소그래피, 식각, 이온주입, 화학적 기계적 연마(CMP) 등과 같은 단위 공정들의 순차적 또는 반복적인 수행에 의해 형성된다. 상기와 같은 단위 공정들에서는 반도체 기판을 지지하고, 고정시키는 척이 사용된다. 최근, 반도체 장치의 미세화 및 대용량화를 요구하는 반도체 기판 가공 기술에서는 매엽식 가공 공정 및 건식 가공 공정이 선호됨에 따라 반도체 기판을 고정하는 방법도 크게 변하고 있다. 부언하면, 종래의 경우 단순히 클램프 또는 진공을 이용하여 반도체 기판을 고정하는 정도였으나, 최근에는 반도체 기판을 정전기력을 이용하여 고정시킴과 동시에 반도체 기판의 온도를 일정하게 유지하기 위한 온도 조절 가스를 제공하는 정전척(electrostatic chuck ; ESC)이 주로 사용되고 있다. 상기 정전척의 사용 범위는 화학 기상 증착, 식각, 스퍼터링, 이온 주입 공정 등과 같이 전반적인 반도체 기판 가공 공정으로 확대되고 있다.
상기 척의 일 예로서, 미합중국 특허 제6,134,096(issued Yamada et al)에는 정전기력을 이용하여 웨이퍼를 흡착시키기 위한 절연층, 전극층, 유전층으로 이루어진 정전척이 개시되어 있으며, 미합중국 특허 제6,141,203(issued Sherman)에는 복수의 구조를 갖는 커패시터 플레이트를 형성하여 정전기력으로 웨이퍼를 흡착하는 정전척이 개시되어 있다.
상기와 같은 척이 사용되는 매엽식 기판 가공 장치의 경우, 상기 척에는 기판을 로딩 및 언로딩하기 위한 리프트 핀이 설치된다. 상기 리프트 핀에 대한 일 예로서, 미합중국 특허 제5,848,670호(issued to Salzman)에는 부싱과 가이드 핀에 의해 안내되는 기판의 로딩 언로딩을 위한 리프트 핀이 개시되어 있으며, 미합중국 특허 제6,190,113호(issued to Bui, et al.)에는 서셉터에 장착되는 리프트 핀이 개시되어 있다.
도 1은 상기와 같은 정전척을 갖는 기판 가공 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 1을 참조하면, 도시된 기판 가공 장치(100)는 반도체 기판(10)의 가공 공정이 수행되는 챔버(102)와, 챔버(102) 내부에 구비되며 반도체 기판(10)을 지지하기 위한 척(110)과, 척(110)을 지지하기 위한 지지부재(112)를 구비한다. 또한, 반도체 기판(10)을 척(110) 상에 안착시키고, 척(110)으로부터 반도체 기판(10)을 분리시키기 위한 다수의 리프트 핀(120)들이 척(110)과 지지부재(112)를 관통하여 설치된다. 다수의 리프트 핀(120)들은 지지부재(112)의 하부에서 구동부재(114)와 연결되며, 구동부재(114)는 리프트 핀(120)들을 상하 구동시킨다. 즉, 리프트 핀(120)들은 구동부재(114)에 의해 척(110)의 상부면을 기준으로 상하 이동되며, 이에 따라 반도체 기판(10)을 로딩 및 언로딩시킨다. 구동부재(114)와 지지부재(112) 사이에는 챔버(102) 내부에 제공되는 진공이 누설되지 않도록 각각의 리프트 핀(120)들을 감싸도록 다수의 리프트 벨로우즈(130)들이 구비된다. 즉, 리프트 벨로우즈(130)들은 리프트 핀(120)들이 설치되는 지지부재(112)의 리프트 홀(112a)들에 각각 연결되며, 구동부재(114)와 연결된다. 상세히 도시되지는 않았으나, 리프트 핀(120)들은 일반적으로 세 개 내지 네 개가 설치되며, 이에 따라 리프트 벨로우즈(130)들도 세 개 내지 네 개가 설치된다.
상기와 같은 가공 장치(100)에서 챔버(102) 내부에 제공되는 진공이 리프트 벨로우즈(130)를 통해 누설되는 경우, 즉 다수의 리프트 벨로우즈(130)들 중에서 하나에 손상이 발생하여 진공 누설 문제가 발생할 경우 어느 리프트 벨로우즈(130)에서 진공이 누설되는지를 알 수 있는 방법이 없으므로, 리프트 벨로우즈(130)들 모두를 교환해야 하는 불합리함이 늘 존재하고 있다. 상기와 같이 교체된 리프트 벨로우즈(130)들은 모두 폐기하거나 이후 각각 검사를 실시하여 재사용이 가능한 벨로우즈(130)를 재활용하게 된다. 이러한 일련의 교환 작업은 작업성을 저하시키며 장치의 유지정비비를 상승시키는 원인이 된다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 반도체 기판의 로딩및 언로딩에 사용되는 리프트 벨로우즈의 진공 누설을 탐지하는 방법 및 장치를 제공하는데 있다.
도 1은 척과 리프트 핀들을 갖는 기판 가공 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 리프트 벨로우즈의 진공 누설을 탐지하기 위한 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 3은 도 2에 도시한 리프트 벨로우즈의 진공 누설을 탐지하기 위한 방법을 수행하기 위한 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 4는 도 3에 도시한 플레이트와 캡을 나타내는 상세도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
210 : 플레이트220 : 캡
232, 234 : 오 링302 : 챔버
312 : 지지부재314 : 구동 플레이트
316 : 구동부320 : 리프트 핀
330 : 리프트 벨로우즈340 : 가스 분사 헤드
342 : 가스 제공부350 : 진공 펌프
360 : 압력계
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 제1측면에 따른 리프트 벨로우즈의 진공 누설을 탐지하기 위한 방법은, 기판을 가공하기 위한 챔버 내부에 구비되어 상기 기판이 놓여지는 척과 상기 척을 지지하기 위한 지지부재를 관통하여 형성되고, 상기 기판을 로딩 및 언로딩하기 위한 리프트 핀들이 설치되는 리프트 홀들을 밀폐시키는 단계와, 상기 챔버 내부를 진공 상태로 형성하는 단계와, 상기 밀폐된 리프트 홀들을 순차적으로 개방하면서 상기 챔버 내부의 압력을 측정하여, 상기 지지부재에 형성된 리프트 홀들과 각각 연결되어 있는 리프트 벨로우즈들의 기밀 상태를 확인하는 단계를 포함한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 제2측면에 따른 리프트 벨로우즈의 진공 누설을 탐지하기 위한 장치는, 기판을 가공하기 위한 챔버 내부에 구비되어 상기 기판이 놓여지는 척을 지지하기 위한 지지부재 상에 결합되고, 상기 지지부재를 관통하여 형성되어 있으며 상기 기판을 로딩 및 언로딩하기 위한 리프트 핀들이 설치되는 리프트 홀들과 각각 대응하는 관통홀들이 형성되어 있는 플레이트와, 상기 관통홀들에 각각 결합되고, 상기 관통홀들을 밀폐시키기 위한 다수의 캡과, 상기 챔버와 연결되고, 상기 챔버 내부의 압력을 측정하기 위한 압력계와, 상기 챔버와 연결되고, 상기 챔버 내부를 진공 상태로 형성하기 위한 진공 제공부를 포함하며, 상기 챔버 내부를 진공 상태로 형성하고, 상기 관통홀들을 각각 밀폐시키는 상기캡들을 순차적으로 제거하면서 상기 챔버 내부의 압력을 측정하여, 상기 지지부재의 리프트 홀들과 각각 연결되어 있는 리프트 벨로우즈들의 기밀 상태를 확인한다.
상기 지지부재와 상기 플레이트 사이에서 상기 리프트 홀들과 상기 관통홀들의 주변 부위에는 다수의 제1밀봉 부재가 각각 구비되며, 상기 캡들과 상기 관통홀들 사이에는 다수의 제2밀봉 부재가 각각 구비된다.
따라서, 상기 캡들과 상기 제1밀봉 부재들 및 상기 제2밀봉 부재들에 의해 챔버 내부와 다수의 리프트 벨로우즈는 완전하게 차단된다. 따라서, 챔버 내부에 제공되는 진공이 누설되지 않으므로 챔버 내부의 압력은 일정하게 유지된다. 이어서, 순차적으로 캡을 제거하면서 챔버 내부의 압력을 측정하면, 손상이 발생한 리프트 벨로우즈와 대응하는 캡을 제거한 경우에 챔버 내부 압력이 변하게 된다. 즉, 손상이 발생한 리프트 벨로우즈를 통해 진공이 누설되므로 챔버 내부 압력이 상승하게 되는 것이다.
상기와 같이 손상이 발생한 리프트 벨로우즈가 탐지되면, 손상이 발생한 리프트 벨로우즈만을 교환함으로서 기판 가공 장치를 사용 가능한 상태로 회복시킬 수 있으며, 불필요한 부품의 낭비를 방지할 수 있다.
이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 리프트 벨로우즈의 진공 누설을 탐지하기 위한 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 2를 참조하여 상기 방법을 설명하면, 먼저, 반도체 기판의 가공 공정이수행되는 챔버 내부에 구비되는 척을 지지하기 위한 지지부재로부터 상기 척을 분리시키고, 상기 지지부재를 관통하여 형성되어 있고 상기 반도체 기판을 로딩 및 언로딩하기 위한 다수의 리프트 핀들이 설치되는 리프트 홀들을 밀폐시킨다.(S100) 여기서, 상기 리프트 홀들을 밀폐시키는 공구는 이후에 설명하기로 한다.
이어서, 상기 챔버 내부를 진공 상태로 형성하고, 챔버 내부의 압력을 측정한다.(S200)
계속해서, 상기 밀폐된 리프트 홀들을 순차적으로 개방하면서 상기 챔버 내부의 압력을 측정하여, 상기 지지부재의 하부면에서 상기 리프트 홀들과 각각 연결되어 있는 리프트 벨로우즈들의 기밀 상태를 확인한다.(S300) 부언하면, 밀폐된 리프트 홀들 중에서 하나를 개방시키고, 일정 시간이 지난 후 챔버의 내부 압력을 측정한다. 이때, 챔버의 압력이 일정하게 유지되면, 개방된 리프트 홀과 대응하는 리프트 벨로우즈는 정상이며, 챔버의 압력이 상승하면, 개방된 리프트 홀과 대응하는 리프트 벨로우즈는 손상된 상태이다. 즉, 밀폐된 리프트 홀을 개방하면, 챔버 내부의 진공이 개방된 리프트 홀과 대응하는 리프트 벨로우즈에 작용되며, 리프트 벨로우즈가 손상된 경우 챔버의 진공이 손상된 리프트 벨로우즈를 통해 누설되므로 챔버 내부의 압력 측정에 의해 리프트 벨로우즈의 상태를 확인할 수 있다.
도 3은 도 2에 도시한 리프트 벨로우즈의 진공 누설을 탐지하기 위한 방법을 수행하기 위한 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 3을 참조하면, 상기 장치(200)는 반도체 기판(미도시)을 가공하기 위한 장치(300)에 적용된다. 상기 가공 장치(300)는 반도체 기판의 가공 공정이 수행되는 챔버(302)와, 챔버(302) 내부에 구비되며 반도체 기판을 지지하기 위한 척(미도시)과, 상기 척을 지지하기 위한 지지부재(312)와, 반도체 기판을 가공하기 위한 가스를 챔버 내부로 균일하게 제공하기 위한 가스 분사 헤드(340)와, 상기 가스를 제공하는 가스 제공부(342)를 구비한다.
챔버(302)의 일측에는 챔버(302) 내부를 진공 상태로 형성하기 위한 진공 제공부가 연결되어 있다. 진공 제공부는 챔버(302)와 연결된 진공 펌프(350)와, 챔버(302)와 진공 펌프(350)를 연결하는 진공 라인(352)과, 진공 라인(352) 중에 설치되고 챔버(302)의 내부 압력을 조절하기 위한 압력 조절 밸브(354)를 구비할 수 있다.
한편, 챔버(302)의 다른 일측에는 챔버(302) 내부의 압력을 측정하기 위한 압력계(360)가 연결되어 있다. 상기 압력계는 챔버(302) 내부에 설치되는 압력 센서와, 상기 압력 센서와 연결되며, 상기 압력 센서로부터 측정된 압력을 보여주는 디스플레이로 구성될 수도 있다.
반도체 기판을 지지하는 척은 지지부재(312)에 나사 결합에 의해 고정되며, 지지부재(312)는 챔버(302)의 하부에 고정되어 있다. 척과 지지부재(312)에는 반도체 기판을 로딩 및 언로딩하기 위한 다수의 리프트 핀(320)들이 설치되어 있고, 리프트 핀(320)들이 설치되는 다수의 리프트 홀(312a)들이 형성되어 있다. 한편, 척에는 반도체 기판을 고정하기 위한 정전기력을 발생시키기 위해 전극이 내장될 수 있다.
리프트 핀(320)들은 지지부재(312)의 하측 부위에 구비되는 구동부(316)에연결되어 있으며, 구동부(316)는 리프트 핀(320)들과 연결되는 구동 플레이트(314)를 포함한다. 즉, 리프트 핀(320)들은 구동 플레이트(314)의 상부면에 고정되며, 구동 플레이트(314)와 지지부재(312) 사이에는 다수개의 리프트 벨로우즈(330)들이 리프트 핀(320)들을 둘러싸도록 구비된다. 리프트 벨로우즈(330)들은 각각 지지부재(312)의 하부면에서 리프트 홀(312a)들과 연결되어 챔버(302) 내부의 진공이 누설되는 것을 방지한다.
가스 제공부(342)로부터 제공되는 가스는 가스 분사 헤드(340)를 통해 챔버(302) 내부로 균일하게 제공된다. 가스 분사 헤드(340)에는 상기 가스를 균일하게 제공하기 위한 다수개의 가스 분사공들이 형성되어 있으며, 상기 가스를 플라즈마 상태로 형성하기 위한 고주파 전원이 연결될 수 있다. 여기서, 상기 가스는 반도체 기판 상에 막을 형성하기 위한 가스일 수도 있고, 반도체 기판 상에 형성된 막을 제거하기 위한 가스일 수도 있다.
예를 들면, 상기 가공 장치(300)에 실란(SiH4) 가스 및 산소 가스를 제공하고, 상기 실란 가스 및 산소 가스를 해리하여 플라즈마 상태로 형성하는 공정 조건을 조성할 경우 반도체 기판 상에 산화막이 형성된다. 이때, 상기 공정 조건 중에서 압력, 온도 및 시간 등과 같은 공정 조건은 상기 산화막의 두께 등에 의해 결정된다.
상기 가공 장치(300)에 CHF3가스를 제공하고, 상기 CHF3가스를 해리하여 플라즈마 상태로 형성하는 공정 조건을 조성할 경우 반도체 기판 상에 형성되어 있는산화막은 산화막 패턴으로 형성된다. 이때, 상기 패턴을 형성하기 위한 패턴 마스크는 포토레지스트 패턴을 사용한다. 그리고, 상기 공정 조건 중에서 압력, 온도 및 시간 등과 같은 공정 조건은 식각되는 산화막의 두께 등에 의해 결정된다.
한편, 리프트 핀(320)들을 감싸도록 구비되는 리프트 벨로우즈(330)들의 진공 누설을 탐지하기 위한 장치(200)는 지지부재(312) 상에 결합되는 플레이트(210)를 포함한다. 플레이트(210)는 반도체 기판이 놓여지는 척의 형상과 유사하며, 지지부재(312)에 형성되어 있는 리프트 홀(312a)들과 각각 대응하는 다수의 관통공(210a)들이 형성되어 있다. 관통공(210a)은 2단으로 천공되어 플레이트(210)를 관통하며, 상부 1단 부위에는 캡(220)이 설치된다. 다수의 캡(220)들은 관통공(210a)들에 각각 나사 결합 방식에 의해 결합되며, 리프트 홀(312a)들을 각각 밀폐시킨다.
도 4는 도 3에 도시한 플레이트와 캡을 나타내는 상세도이다.
도 4를 참조하면, 플레이트(210)에 형성된 관통공(210a)은 2단으로 천공되며, 1단 부위의 내측면에는 암나사가 가공되어 있다. 지지부재(312)의 상부면에서 리프트 홀(312a)들의 주변 부위에는 제1밀봉 부재(232)들이 각각 삽입되는 제1그루브가 형성되어 있다. 캡(220)의 하부면에는 제2밀봉 부재(234)가 삽입되는 제2그루브가 형성되어 있고, 외주면에는 관통공(210a)에 형성된 암나사에 대응하는 수나사가 형성되어 있다. 여기서, 제1밀봉 부재(232) 및 제2밀봉 부재(234)로는 오 링(O ring)이 사용될 수 있다.
다시 도 3을 참조하여 리프트 벨로우즈의 진공 누설을 탐지하는 방법을 설명하면 다음과 같다.
먼저, 리프트 벨로우즈(330)의 진공 누설을 탐지하기 위해 반도체 기판이 놓여지는 척을 지지부재(312)로부터 제거하고, 척과 유사한 형상을 갖는 플레이트(210)를 지지부재(312) 상에 결합시킨다. 그리고, 캡(220)들을 관통공(210a)들에 각각 결합하여 지지부재(312)의 하부면에 결합된 각각의 리프트 벨로우즈(330)들과 챔버(302) 내부를 차단시킨다.
이어서, 진공 제공부로부터 제공되는 진공에 의해 챔버(302) 내부가 진공 상태로 형성되면, 압력계(360)를 통해 챔버(302) 내부 압력을 확인한다.
그리고, 다수의 캡(220)들 중에서 하나를 제거하고, 일정 시간 동안 챔버(302) 내부의 압력 변화를 측정한다. 계속해서, 다수의 캡(220)들을 순차적으로 제거하고, 상기와 같은 압력 변화 측정을 계속한다.
상기와 같은 측정 과정에서, 손상이 발생한 리프트 벨로우즈(330)와 대응되는 캡(220)이 제거되면, 챔버(302) 내부의 압력은 일정하게 유지되지 않고 변화된다. 즉, 손상된 리프트 벨로우즈(330)를 통해 진공이 누설되므로 챔버(302) 내부 압력은 상승하게 되고, 이는 대응되는 리프트 벨로우즈(302)가 손상되었음을 의미한다.
상기와 같은 본 발명에 따르면, 반도체 기판이 놓여지는 척과 유사한 형상을 갖는 플레이트와 다수개의 캡들을 이용하여 지지부재에 형성되어 있는 리프트 홀들을 밀폐시키고, 순차적으로 캡들을 제거하면서 챔버 내부 압력을 측정하여 손상된리프트 벨로우즈를 탐지한다.
챔버의 진공 누설은 손상된 리프트 벨로우즈에 의한 것이므로 손상된 리프트 벨로우즈만을 교환함으로서 챔버의 진공 누설을 방지할 수 있으며, 리프트 벨로우즈를 모두 교환하는 불합리함이 제거된다. 또한, 가공 장치의 유지정비비를 감소시킬 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (4)

  1. 기판을 가공하기 위한 챔버 내부에 구비되어 상기 기판이 놓여지는 척과 상기 척을 지지하기 위한 지지부재를 관통하여 형성되고, 상기 기판을 로딩 및 언로딩하기 위한 리프트 핀들이 설치되는 리프트 홀들을 밀폐시키는 단계;
    상기 챔버 내부를 진공 상태로 형성하는 단계; 및
    상기 밀폐된 리프트 홀들을 순차적으로 개방하면서 상기 챔버 내부의 압력을 측정하여, 상기 지지부재에 형성된 리프트 홀들과 각각 연결되어 있는 리프트 벨로우즈들의 기밀 상태를 확인하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 리프트 벨로우즈의 진공 누설을 탐지하는 방법.
  2. 기판을 가공하기 위한 챔버 내부에 구비되어 상기 기판이 놓여지는 척을 지지하기 위한 지지부재 상에 결합되고, 상기 지지부재를 관통하여 형성되어 있으며 상기 기판을 로딩 및 언로딩하기 위한 리프트 핀들이 설치되는 리프트 홀들과 각각 대응하는 관통홀들이 형성되어 있는 플레이트;
    상기 관통홀들에 각각 결합되고, 상기 관통홀들을 밀폐시키기 위한 다수의 캡;
    상기 챔버와 연결되고, 상기 챔버 내부의 압력을 측정하기 위한 압력계; 및
    상기 챔버와 연결되고, 상기 챔버 내부를 진공 상태로 형성하기 위한 진공 제공부를 포함하고,
    상기 챔버 내부를 진공 상태로 형성하고, 상기 관통홀들을 각각 밀폐시키는 상기 캡들을 순차적으로 제거하면서 상기 챔버 내부의 압력을 측정하여, 상기 지지부재의 리프트 홀들과 각각 연결되어 있는 리프트 벨로우즈들의 기밀 상태를 확인하는 것을 특징으로 하는 리프트 벨로우즈의 진공 누설을 탐지하기 위한 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 지지부재와 상기 플레이트 사이에서 상기 리프트 홀들과 상기 관통홀들의 주변 부위에 각각 구비되는 다수의 제1밀봉 부재; 및
    상기 캡들과 상기 관통홀들 사이에 각각 구비되는 다수의 제2밀봉 부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 리프트 벨로우즈의 진공 누설을 탐지하기 위한 장치.
  4. 제2항에 있어서, 상기 캡은 상기 관통공에 나사 결합 방식에 의해 결합되는 것을 특징으로 하는 리프트 벨로우즈의 진공 누설을 탐지하기 위한 장치.
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