KR20030090345A

KR20030090345A - 이비인후 치료용 레이저광 조사장치의 말단부 구조

Info

Publication number: KR20030090345A
Application number: KR1020020028615A
Authority: KR
Inventors: 이상조
Original assignee: (주)메가메디칼
Priority date: 2002-05-23
Filing date: 2002-05-23
Publication date: 2003-11-28
Also published as: KR100476018B1

Abstract

본 발명은 이비인후 치료용 레이저광 조사장치에 관한 것으로, 중공 원통형의 접촉팁의 하단부에 배치된 pn 접합형 레이저 반도체 다이오드에서 발생되는 접합열을 방열시키는 히트싱크에 접촉하는 히트싱크 접촉돌기와 이 접촉돌기에서 전열된 열을 접촉팁에 전달하는 접촉팁 결합부와 전원선을 관통시키는 통로를 구비한 전열부를 pn 접합형 레이저 반도체 다이오드와 접촉팁 사이에 연결함으로써 히트싱크에서 방열되는 열을 이용하여 접촉팁을 가온시키도록 구성되어 있으므로 별도의 가열수단을 사용하지 않고 간단한 구조로 접촉팁을 가온시킬 수 있을 뿐만 아니라 접촉팁이 환자의 이비인후에 접촉되었을 때 환자에게 거부감을 주지 않을 뿐만 아니라 치료효과를 배가시킬 수 있다.

Description

이비인후 치료용 레이저광 조사장치의 말단부 구조{TERMINAL STRUCTURE OF OTORHINOLARYNGOLOGY LASER BEAM IRRADIATOR}

본 발명은 이비인후 치료용 레이저광 조사장치의 말단부 구조에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 접촉팁이 가온되도록 구성된 이비인후 치료용 레이저광 조사장치의 말단부 구조에 관한 것이다.

저출력 에너지의 레이저광을 환자의 이비인후에 조사하여 이비인후 질환을 치료하는 이비인후 치료용 레이저광 조사장치는, 온/오프 스위치, 레이저광 강도 조절 버튼 및 시간표시부 등을 포함하는 조작부가 구비된 본체와, 중공 원통형의 접촉팁의 하단부에 레이저 반도체 다이오드를 배치한 말단부와, 말단부의 하단부에 결합되며 본체와 레이저 반도체 다이오드를 연결하는 전원선이 내부를 관통하는 파지부로 구성되어 있다.

작동시, 말단부의 접촉팁을 환자의 이비인후에 접촉시킨 후 본체의 조작부를 조작하여 전원선을 통해 레이저 반도체 다이오드에 소정의 전류를 인가하면, 저출력 에너지의 레이저광이 접촉팁의 중공 내부를 관통하여 환자의 이비인후에 조사된다.

그러나, 이러한 종래의 이비인후 치료용 레이저광 조사장치의 말단부는 그 접촉팁이 단열되어 차가운 상태로 있으며, 따라서 접촉팁이 차가운 상태로 환자의 이비인후에 접촉하게 된다.

이렇게 환자의 이비인후에 차가운 상태의 접촉팁이 접촉하게 되면, 환자에게 거부감을 주게 된다.

본 발명의 목적은 전술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 중공 원통형의 접촉팁의 하단부에 배치된 pn 접합형 레이저 반도체 다이오드에서 발생되는 접합열을 방열시키는 히트싱크에 접촉하는 히트싱크 접촉돌기와 이 접촉돌기에서 전열된 열을 접촉팁에 전달하는 접촉팁 결합부와 전원선을 관통시키는 통로를 구비한 전열부를 pn 접합형 레이저 반도체 다이오드와 접촉팁 사이에 연결함으로써 히트싱크에서 방열되는 열을 이용하여 접촉팁을 가온시키도록 구성된 이비인후 치료용 레이저광 조사장치의 말단부 구조를 제공하는데 있다.

도 1은 본 발명의 이비인후 치료용 레이저광 조사장치에 사용되는 레이저 반도체 다이오드의 정면 사시도, 및

도 2는 본 발명의 이비인후 치료용 레이저광 조사장치의 말단부 구조의 단면도이다.

전술한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 이비인후 치료용 레이저광 조사장치의 말단부 구조는, 온/오프 스위치, 레이저광 강도 조절 버튼 및 시간표시부 등을 포함하는 조작부가 구비된 본체와, 중공 원통형의 접촉팁의 하단부에 레이저 반도체 다이오드를 배치한 말단부와, 말단부의 하단부에 결합되며 본체와 레이저 반도체 다이오드를 연결하는 전원선이 내부를 관통하는 파지부로 구성된 이비인후 치료용 레이저광 조사장치에 있어서, 상기 말단부(1)에 배치되는 레이저 반도체 다이오드(10)는, 리드선(12)이 관통하여 외부에 대향되게 돌출된 환형의 베이스(11) 내에 원형의 히트싱크(13)를 끼워맞추고 상기 히트싱크(13) 상에 반도체 장착부(14) 및 pn 접합형 반도체 소자(15)를 부착하고, 이 반도체 소자(15)와 리드선(12)을 전선(16)으로 연결한 다음, 반도체 소자(15)의 상부에 플라스틱 렌즈(17)를 씌운 구조이고, 상기 말단부(1)의 접촉팁(20)의 하부에는 전도성 재료로 만들어지며 하부 중앙에 히트싱크 접촉돌기(31)가 돌출 형성되어 있고 양측부에 접촉팁 결합부(33)가 형성된 단면 U자형의 전열부(30)가 체결되고, 상기 히트싱크 접촉돌기(31)와 접촉팁 결합부(33) 사이에는 상기 이비인후 치료용 레이저광 조사장치의 본체에 연결된 전원선(34)을 관통시키는 통로(35)가 형성된 것을 특징으로 한다.

이하, 도면을 참조하면서 본 발명의 이비인후 치료용 레이저광 조사장치의 말단부 구조에 대하여 설명하기로 한다.

본 발명의 이비인후 치료용 레이저광 조사장치에서는 레이저광을 발생시키는 레이저 반도체 다이오드로서 액상 성장으로 만든 비소화갈륨(Ga-As) 등의 반도체 소자를 pn 접합한 pn 접합형 레이저 반도체 다이오드를 사용한다. 도 1에 도시된바와 같이, pn 접합형 레이저 반도체 다이오드(10)는, 리드선(12)이 관통하여 외부에 대향되게 돌출된 환형의 베이스(11) 내에 원형의 히트싱크(13)를 끼워맞추고, 이 히트싱크(13) 상에 반도체 장착부(14) 및 반도체 소자(15)를 부착하고, 이 반도체 소자(15)와 리드선(12)을 전선(16)으로 연결한 다음, 반도체 소자(15)의 상부에 플라스틱 렌즈(17)를 씌운 구조로 되어 있다.

이러한 레이저 반도체 다이오드(10)의 리드선(12)에 2.5Ｖ, 300 ~ 350㎃의 전류를 인가하면 파장이 650㎚이고 출력이 5㎽인 저출력 에너지의 레이저광이 조사된다. 또한, 이러한 pn 접합형 반도체 소자(15)는 그 접합부에서 열이 발생되어 온도가 상승하는데, 이러한 온도 상승을 방지하기 위하여 반도체 소자(15)의 하면에 히트싱크(13)를 밀접하게 설치하여 열을 다이오드의 외부로 방출하고 있다. 본 발명은 히트싱크(13)에서 방출되는 열을 이용하는 것이다.

도 2는 본 발명의 이비인후 치료용 레이저광 조사장치의 말단부의 단면도이다. 도 2에 도시된 바와 같이, 이비인후 치료용 레이저광 조사장치의 말단부(1)는, 중공 원통형의 접촉팁(20)의 하단부에 레이저 반도체 다이오드(10)를 배치하되, 레이저 반도체 다이오드(10)의 하면의 히트싱크(13)와 접촉팁(20)의 하부를 연결하는 단면 U자형 전열부(30)를 히트싱크(13)와 접촉팁(20) 사이에 설치한 것이다.

전열부(30)는 알루미늄 등의 전도성 재료로 만들어지며 하부 중앙에 히트싱크 접촉돌기(31)가 돌출 형성되어 있고 양측부에 접촉팁 결합부(33)가 형성된 단면 U자 형상이다. 히트싱크 접촉돌기(31)와 접촉팁 결합부(33) 사이에는, 이비인후 치료용 레이저광 조사장치의 본체(미도시)에 연결된 전원선(34)을 관통시키는통로(35)가 형성되어 있다. 전원선(34)은 통로(35)를 관통한 후 레이저 반도체 다이오드(10)의 리드선(12)에 연결된다.

접촉팁 결합부(33)는 접촉팁(20)의 하부에 체결되는데, 도 2에 도시된 바와 같이, 접촉팁(20)의 직경을 전열부(30)의 직경보다 작게 한 다음, 접촉팁 결합부(33)의 내주면에 암나사부(37)를 형성하고 접촉팁(20)의 하부 외주면에 수나사부(21)를 형성하여 접촉팁 결합부(33)의 수나사부(39)를 접촉팁(20)의 암나사부(21)에 체결하여 결합한다.

또한, 도시하지는 않았지만, 접촉팁(20)의 직경을 전열부(30)의 직경보다 크게 한 다음, 접촉팁 결합부(33)의 외주면에 수나사부를 형성하고 접촉팁(20)의 하부 내주면에 암나사부를 형성하여 접촉팁 결합부(33)의 수나사부를 접촉팁(20)의 암나사부에 체결하여 결합할 수도 있다.

변경적으로, 접촉팁 결합부(33)의 내주면 또는 외주면을 접촉팁(20)의 하부의 외주면 또는 내주면에 억지 끼워맞춤할 수 있다.

또한, 접촉팁(20)의 상단부에는 아크릴 소재로 만든 첨단부(23)가 설치될 수도 있다.

작동시, 레이저 반도체 다이오드(10)에 2.5Ｖ, 300 ~ 350㎃의 전류를 인가하면 파장이 650㎚이고 출력이 5㎽인 저출력 에너지의 레이저광이 조사된다. 이때, pn 접합형 반도체 소자(15)의 접합부에서 발생된 열은 반도체 소자(15) 하면에 부착된 히트싱크(13)로 방출되는데, 히트싱크(13)에는 전도성 재료로 만들어진 단면 U자형 전열부(30)의 히트싱크 접촉돌기(31)가 접촉되어 있으므로 히트싱크(13)의열이 히트싱크 접촉돌기(31)를 통해 양측부의 접촉팁 결합부(33)로 전달되고 접촉팁 결합부(33)로 전달된 열은 다시 접촉팁(20)의 하부로 전달되어 접촉팁(20)을 가온시키게 된다.

전술한 본 발명의 이비인후 치료용 레이저광 조사장치의 말단부 구조에 의하면, 중공 원통형의 접촉팁의 단하부에 배치된 pn 접합형 레이저 반도체 다이오드에서 발생되는 접합열을 이용하여 접촉팁을 가온시키므로 별도의 가열수단을 사용하지 않고 간단한 구조로 접촉팁을 가온시킬 수 있을 뿐만 아니라 접촉팁이 환자의 이비인후에 접촉되었을 때 환자에게 거부감을 주지 않을 뿐만 아니라 치료효과를 배가시킬 수 있다.

Claims

온/오프 스위치, 레이저광 강도 조절 버튼 및 시간표시부 등을 포함하는 조작부가 구비된 본체와, 중공 원통형의 접촉팁의 하단부에 레이저 반도체 다이오드를 배치한 말단부와, 말단부의 하단부에 결합되며 본체와 레이저 반도체 다이오드를 연결하는 전원선이 내부를 관통하는 파지부로 구성된 이비인후 치료용 레이저광 조사장치에 있어서,

상기 말단부(1)에 배치되는 레이저 반도체 다이오드(10)는, 리드선(12)이 관통하여 외부에 대향되게 돌출된 환형의 베이스(11) 내에 원형의 히트싱크(13)를 끼워맞추고 상기 히트싱크(13) 상에 반도체 장착부(14) 및 pn 접합형 반도체 소자(15)를 부착하고, 이 반도체 소자(15)와 리드선(12)을 전선(16)으로 연결한 다음, 반도체 소자(15)의 상부에 플라스틱 렌즈(17)를 씌운 구조이고,

상기 말단부(1)의 접촉팁(20)의 하부에는 전도성 재료로 만들어지며 하부 중앙에 히트싱크 접촉돌기(31)가 돌출 형성되어 있고 양측부에 접촉팁 결합부(33)가 형성된 단면 U자형의 전열부(30)가 체결되고,

상기 히트싱크 접촉돌기(31)와 접촉팁 결합부(33) 사이에는 상기 이비인후 치료용 레이저광 조사장치의 본체에 연결된 전원선(34)을 관통시키는 통로(35)가 형성된 것을 특징으로 하는 이비인후 치료용 레이저광 조사장치의 말단부 구조.
제1 항에 있어서,

상기 전열부(30)를 만들기 위한 전도성 재료는 알루미늄인 것을 특징으로 하는 이비인후 치료용 레이저광 조사장치의 말단부 구조.
제1 항에 있어서,

상기 접촉팁(20)의 직경은 상기 전열부(30)의 직경보다 작고, 상기 접촉팁 결합부(33)의 내주면에 암나사부(37)를 형성하고, 상기 접촉팁(20)의 하부 외주면에 수나사부(21)를 형성하여 상기 접촉팁 결합부(33)의 수나사부(39)를 상기 접촉팁(20)의 암나사부(21)에 체결한 것을 특징으로 하는 이비인후 치료용 레이저광 조사장치의 말단부 구조.