KR20030088644A - Reflection-penetration type liquid crystal display device and method for fabricating thereof - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A transflective liquid crystal display and a method for manufacturing the same are provided to realize high brightness display despite a wider range of a viewing angle. CONSTITUTION: A second transparent substrate(310) is opposite to a first transparent substrate(210) and embosses protrusions for improving a viewing angle. A light reflective and transmissive element(340) transmitting a first light proceeding toward the first substrate from the second transparent substrate, and reflecting a second light proceeding toward the second substrate from the first transparent substrate. A color filter(350) is formed on a part of the light reflective and transmissive element at a certain thickness to realize high brightness display and wanted colors. A second electrode(360) is formed on a front surface of the second transparent substrate.

Description

반사-투과형 액정표시장치 및 이의 제조 방법{REFLECTION-PENETRATION TYPE LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THEREOF}Reflective-transmissive liquid crystal display and its manufacturing method {REFLECTION-PENETRATION TYPE LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THEREOF}

본 발명은 반사-투과형 액정표시장치 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 디스플레이 영상의 색 재현 특성을 극대화 및 고휘도 디스플레이가 가능토록 한 진보된 반사-투과형 액정표시장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a reflection-transmissive liquid crystal display device and a manufacturing method thereof, and more particularly, to an advanced reflection-transmission liquid crystal display device and a method for manufacturing the same, which maximize the color reproduction characteristics of a display image and enable high brightness display. will be.

일반적으로, 표시장치(display device)는 정보처리장치에서 처리되어 전기적 형태로 저장된 정보를 문자, 그림 또는 동영상으로 디스플레이 하여 사용자가 인식할 수 있도록 하는 장치이다.In general, a display device is a device that can be recognized by a user by displaying information processed in the information processing device in an electrical form by text, picture or video.

액정표시장치(Liquid Crystal Display device; LCD)는 이와 같은 표시장치의 한 종류로 액정(Liquid Crystal, LC)을 제어하여 디스플레이를 수행한다. 이때, 액정의 두께는 단지 수 ㎛로도 그 기능을 충분히 수행할 수 있기 때문에 다른 표시장치, 예를 들면, 동일 스크린 사이즈를 갖는 CRT 디스플레이 장치(Cathode Ray Tube type display device)에 비하여 부피 및 중량이 매우 작은 장점을 갖는다.Liquid crystal display device (LCD) is a kind of such display device to control the liquid crystal (LC) to perform the display. In this case, since the thickness of the liquid crystal can sufficiently perform its function with only a few μm, the volume and weight of the liquid crystal are much higher than those of other display devices, for example, a CRT display device having the same screen size. Has a small advantage.

한편, 광은 액정과 함께 액정표시장치로부터 정보가 디스플레이 되도록 하는데 중요한 역할을 한다. 이는 액정은 스스로 발광하지 못하고 단지 광의 투과도만을 조절하는 수광 소자이기 때문이다.On the other hand, light plays an important role in displaying information from the liquid crystal display together with the liquid crystal. This is because the liquid crystal does not emit light by itself and is a light receiving element that only adjusts light transmittance.

이때, 액정을 이용하여 정보를 표시하는 액정표시장치의 한 종류인 반사형 액정표시장치는 외부광, 예를 들면, 태양광, 실내 조명등 등에 의하여 획득된 광에 의하여 디스플레이를 수행한다. 따라서, 반사형 액정표시장치는 스스로 광을 발생시키는데 필요한 광 발생 구조를 필요로 하지 않는다. 이에 따라 반사형 액정표시장치는 구조가 심플하며, 매우 낮은 소비전력으로 디스플레이를 구현할 수 있는 장점을 갖는다.In this case, the reflective liquid crystal display device, which is a type of liquid crystal display device that displays information using liquid crystal, performs display by light obtained by external light, for example, sunlight, indoor lighting, or the like. Therefore, the reflective liquid crystal display device does not need a light generating structure necessary for generating light by itself. Accordingly, the reflective liquid crystal display device has a simple structure and has an advantage of realizing a display with very low power consumption.

또한, 액정을 이용하여 정보를 표시하는 액정표시장치의 또 다른 종류 중 하나인 투과형 액정표시장치는 자체 충전된 전기 에너지를 소모하여 얻어진 광으로 디스플레이를 수행한다. 따라서, 투과형 액정표시장치는 주변 환경에 구애받지 않고 어느 곳에서나 정보를 표시할 수 있는 장점을 갖는다.In addition, a transmissive liquid crystal display device, which is another type of liquid crystal display device for displaying information using liquid crystal, performs display with light obtained by consuming self-charged electric energy. Accordingly, the transmissive liquid crystal display device has an advantage of displaying information anywhere regardless of the surrounding environment.

또한, 액정을 이용하여 정보를 표시하는 액정표시장치의 또 다른 종류 중 하나인 반사-투과형 액정표시장치는 외부의 디스플레이 환경에 따라서 자체 충전된 전기 에너지를 소모하여 얻어진 광으로 디스플레이를 수행하거나, 외부광을 이용하여 디스플레이를 수행한다. 이와 같은 반사-투과형 액정표시장치는 외부 환경에 상관없이 어느 곳에서나 디스플레이가 가능한 투과형 액정표시장치의 장점 및 낮은 소비전력 특성을 갖는 반사형 액정표시장치의 장점을 모두 갖는다.In addition, the reflection-transmissive liquid crystal display device, which is another type of liquid crystal display device for displaying information using liquid crystal, performs display with light obtained by consuming self-charged electric energy according to an external display environment, or The display is performed using light. Such a reflection-transmissive liquid crystal display device has both the advantages of a transmissive liquid crystal display device that can be displayed anywhere regardless of the external environment and a reflection type liquid crystal display device having low power consumption.

첨부된 도 1에는 종래 반사-투과형 액정표시장치를 이루는 일부인 액정표시패널의 내부 구조를 나타낸 단면도가 도시되어 있다.1 is a cross-sectional view showing the internal structure of a liquid crystal display panel which is a part of a conventional reflection-transmissive liquid crystal display device.

도 1을 참조하면, 종래 반사-투과형 액정표시장치(100)는 전체적으로 보아 컬러필터기판(110), 액정(120) 및 TFT 기판(130)으로 도시된다.Referring to FIG. 1, a conventional reflection-transmissive liquid crystal display device 100 is generally shown as a color filter substrate 110, a liquid crystal 120, and a TFT substrate 130.

TFT 기판(130)은 다시 투명 기판(131), 박막 트랜지스터(132), 유기 절연막(133), 투명 전극(134), 반사 전극(135) 및 배향막(136)으로 구성된다. 미설명 도면부호 136a는 배향홈이다.The TFT substrate 130 is composed of a transparent substrate 131, a thin film transistor 132, an organic insulating film 133, a transparent electrode 134, a reflective electrode 135, and an alignment film 136. Unexplained reference numeral 136a is an alignment groove.

보다 구체적으로, 박막 트랜지스터(132)는 투명 기판(131)상에 매트릭스 형태로 배열된다. 이 박막 트랜지스터(132)는 외부에서 인가된 데이터 신호를 타이밍 신호에 의하여 외부로 출력하는 역할을 한다. 유기 절연막(133)은 앞서 박막 트랜지스터(132)가 덮이도록 투명 기판(131)의 전면적에 걸쳐 후박하게 형성된다. 이 유기 절연막(133)의 상면에는 도 1에 도시된 바와 같이 엠보싱 형태의 요철(133a) 및 박막 트랜지스터(132)의 출력단이 노출되도록 콘택홀(133b)이 형성된다.More specifically, the thin film transistor 132 is arranged in a matrix form on the transparent substrate 131. The thin film transistor 132 serves to output an externally applied data signal by a timing signal. The organic insulating layer 133 is thinly formed over the entire surface of the transparent substrate 131 so as to cover the thin film transistor 132. As shown in FIG. 1, a contact hole 133b is formed on the top surface of the organic insulating layer 133 to expose the embossed concave-convex 133a and the output terminal of the thin film transistor 132.

한편, 투명 전극(134)은 엠보싱 형태의 요철(133a)이 형성된 유기 절연막(133)의 상면 전체에 인듐 틴 옥사이드 박막을 소정 두께로 형성된 상태에서, 인듐 틴 옥사이드 박막이 각 박막 트랜지스터(132)의 출력단에 하나씩 연결되도록 패터닝되어 형성된다.On the other hand, the transparent electrode 134 is formed on the entire upper surface of the organic insulating film 133 on which the embossed convex-concave 133a is formed to have a predetermined thickness, and the indium tin oxide thin film is formed on each thin film transistor 132. It is patterned and formed so as to be connected to the output terminal one by one.

또한, 반사 전극(135)은 투명 전극(134)의 상면에 형성된다. 이때, 반사 전극(135)의 일부에 개구창(135a)을 형성함으로써 반사 전극(135)의 하부에 가려져 있던 투명 전극(134)의 일부가 노출되도록 형성된다.In addition, the reflective electrode 135 is formed on the upper surface of the transparent electrode 134. At this time, the opening window 135a is formed in a portion of the reflective electrode 135 so that a portion of the transparent electrode 134 that is hidden under the reflective electrode 135 is exposed.

도 1에 도시된 배향막(136)은 반사 전극(135)을 덮도록 투명 기판(131)의 전면적에 걸쳐 평탄하게 형성되고, 배향막(136)의 상면에는 러빙 롤러를 통하여 러빙이 수행되어 배향홈(136a)이 형성된다.The alignment layer 136 illustrated in FIG. 1 is formed flat over the entire surface of the transparent substrate 131 to cover the reflective electrode 135, and rubbing is performed on the upper surface of the alignment layer 136 through a rubbing roller to form an alignment groove ( 136a) is formed.

도면부호 110으로 도시된 부분은 종래 반사-투과형 액정표시장치(100)의 일부인 컬러필터기판이다. 컬러필터기판(110)은 다시 투명 기판(111), 블랙 매트릭스(112), 컬러필터(113), 공통 전극(114) 및 배향막(115)으로 구성된다.Reference numeral 110 denotes a color filter substrate which is a part of the conventional reflection-transmissive liquid crystal display device 100. The color filter substrate 110 is composed of a transparent substrate 111, a black matrix 112, a color filter 113, a common electrode 114, and an alignment layer 115.

이때, 투명 기판(111)에 형성된 블랙 매트릭스(112)는 격자 형상을 갖으며, 앞서 설명한 TFT 기판(130)의 반사 전극(135)의 사이사이에 형성된 절연 공간(135c)과 대향하도록 형성된다.In this case, the black matrix 112 formed on the transparent substrate 111 has a lattice shape and is formed to face the insulating space 135c formed between the reflective electrodes 135 of the TFT substrate 130 described above.

한편, 투명 기판(111)에는 각 반사 전극(135)에 대응하여 도 1에 도시된 바와 같이 컬러필터(113)가 매트릭스 형태로 형성된다. 컬러필터(113)는 광을 필터링 하여 레드 파장을 갖는 단색광을 발생시키는 레드 컬러필터, 광을 필터링 하여 그린 파장을 갖는 단색광을 발생시키는 그린 컬러필터, 광을 필터링 하여 블루 파장을 갖는 단색광을 발생시키는 블루 컬러필터로 구성된다.On the other hand, the color filter 113 is formed in a matrix form on the transparent substrate 111 as shown in FIG. 1 corresponding to each reflective electrode 135. The color filter 113 is a red color filter for filtering light to generate a monochromatic light having a red wavelength, a green color filter for filtering light to generate a monochromatic light having a green wavelength, and filtering light to generate a monochromatic light having a blue wavelength. It consists of a blue color filter.

공통 전극(114)은 컬러필터(113)의 상면을 덮도록 투명 기판(111)의 전면적에 걸쳐 형성된다.The common electrode 114 is formed over the entire surface of the transparent substrate 111 to cover the top surface of the color filter 113.

배향막(115)은 공통 전극(114)이 덮이도록 투명 기판(111)의 상면에 형성되며, 배향막(115)의 상면에는 러빙 롤러에 의하여 배향홈(115a)이 형성된다.The alignment layer 115 is formed on the upper surface of the transparent substrate 111 to cover the common electrode 114, and the alignment groove 115a is formed on the upper surface of the alignment layer 115 by a rubbing roller.

이와 같은 구성을 갖는 컬러필터기판(110) 및 TFT 기판(130)은 서로 포개어져 결합된다. 이때, 컬러필터기판(110) 및 TFT 기판(130)의 결합은 셀 갭이 형성되도록 스페이서(미도시)가 산포 된 후 실런트(미도시)에 의하여 수행된다.The color filter substrate 110 and the TFT substrate 130 having such a configuration are stacked on each other and combined. At this time, the combination of the color filter substrate 110 and the TFT substrate 130 is performed by a sealant (not shown) after the spacer (not shown) is scattered to form a cell gap.

한편, 액정(120)은 도 1에 도시된 바와 같이 어셈블리 된 컬러필터기판(110) 및 TFT 기판(130)의 사이에 형성된 공간으로 주입된다.Meanwhile, the liquid crystal 120 is injected into a space formed between the color filter substrate 110 and the TFT substrate 130 assembled as shown in FIG. 1.

이와 같은 구성을 갖는 종래 반사-투과형 액정표시장치(100)는 광량이 부족하여 투과 모드로 디스플레이를 진행할 때에는 자체 충전된 에너지를 소모하여 TFT 기판(130)의 후면으로부터 컬러필터기판(110)을 향하는 Ⅱ방향 광을 램프(미도시)로부터 발생시킨다.The conventional reflection-transmissive liquid crystal display device 100 having such a configuration lacks the amount of light and consumes self-charged energy toward the color filter substrate 110 from the rear surface of the TFT substrate 130 when the display is performed in the transmissive mode. II direction light is emitted from a lamp (not shown).

이때, Ⅱ 방향을 갖는 광은 도 1에 도시된 바와 같이 개구창(135a) - 액정(120) - 컬러필터(113) - 투명 기판(111)을 경유하여 사용자의 눈(140)에 입사된다. 반면, 광량이 풍부하여 반사 모드로 디스플레이를 진행할 때에는 램프(미도시)를 소등하고 유리기판(111) - 컬러필터(113) - 액정(120) - 반사 전극(135)을 향하는 Ⅰ 방향을 갖는 외부광을 받아들인다. 이때, 반사 전극(135)에서 반사된 외부광은 다시 액정 (120) - 컬러필터(113) - 투명 기판(111)을 경유하여 사용자의 눈(140)에 입사된다.At this time, the light having the II direction is incident on the user's eye 140 via the opening window 135a-the liquid crystal 120-the color filter 113-the transparent substrate 111 as shown in FIG. On the other hand, when the display proceeds in the reflective mode due to the abundance of light, the lamp (not shown) is turned off and has an I direction toward the glass substrate 111-the color filter 113-the liquid crystal 120-the reflective electrode 135. Accept the light At this time, the external light reflected by the reflective electrode 135 is incident on the user's eye 140 via the liquid crystal 120-the color filter 113-the transparent substrate 111.

그러나, 이와 같은 종래 반사-투과형 액정표시장치는 디스플레이의 품질을 좌우하는 휘도가 저하되어 고품질 디스플레이를 구현하기 어려운 문제점을 갖는다.However, such a conventional reflection-transmissive liquid crystal display device has a problem in that it is difficult to realize a high quality display due to a decrease in luminance which determines the quality of the display.

이 문제점의 원인은 투과 영역 또는 반사 영역을 통과한 광은 모두 컬러 필터(113)를 통과해야만 하고, 컬러 필터(113)를 통과하는 과정에서 광량의 상당 부분이 손실되기 때문에 발생한다.The cause of this problem is that all the light passing through the transmission region or the reflection region must pass through the color filter 113, and a large portion of the amount of light is lost in the process of passing through the color filter 113.

특히, 반사 영역으로 입사되는 광(Ⅰ)은 A 길이만큼 컬러필터(113)를 통과하고, 반사 전극(135)에 반사된 후 다시 B 길이만큼 컬러필터(113)를 통과한다. 반면, 투과 영역으로 입사된 광(Ⅱ)은 C 길이만큼 컬러필터(113)를 통과한 후 사용자의 눈(140)으로 입사된다.In particular, the light I incident to the reflective region passes through the color filter 113 by the length of A, passes through the color filter 113 by the length of B, after being reflected by the reflective electrode 135. On the other hand, the light (II) incident to the transmissive region passes through the color filter 113 by C length and then enters the user's eye 140.

따라서, 반사 영역에서의 디스플레이 되는 영상의 휘도는 투과 영역에서 디스플레이 되는 영상의 휘도와 다르게 되고, 색 특성 역시 다르게 발생된다.Therefore, the luminance of the image displayed in the reflection area is different from the luminance of the image displayed in the transmission area, and color characteristics are generated differently.

이와 같은 문제점 외에도 종래 반사-투과형 액정표시장치(100)는 TFT 기판(130)에 형성된 유기 절연막(133)에 엠보싱 요철(133a)을 형성할 때, 유기 절연막(133)의 하부에 형성된 여러 가지 박막층에 의하여 엠보싱 요철(133a)의 형성 불량이 빈번하게 발생한다. 이와 같은 엠보싱 요철(133a) 불량에는 콘택홀(133b)과도 연관이 있는데, 주로 콘택홀(133b)의 주변에서 엠보싱 요철(133a)의 형성 불량이 빈번하게 발생된다.In addition to the above problems, the conventional reflection-transmissive liquid crystal display device 100 has various thin film layers formed under the organic insulating film 133 when the embossing unevenness 133a is formed on the organic insulating film 133 formed on the TFT substrate 130. As a result, poor formation of the embossed irregularities 133a occurs frequently. The defect of the embossed convex and convex 133a is also related to the contact hole 133b, and the formation of the embossed concave and convex 133a is frequently generated around the contact hole 133b.

이처럼 다양한 요인에 의하여 유기 절연막(133)에 형성되는 엠보싱 요철(133a)의 형성 불량이 발생할 경우, 휘도 균일도가 크게 저하되어 디스플레이 특성 및 시야각 특성이 크게 저하되는 문제점을 갖는다.As described above, when the formation of the embossed irregularities 133a formed in the organic insulating layer 133 is poor due to various factors, the luminance uniformity is greatly deteriorated, so that display characteristics and viewing angle characteristics are greatly degraded.

따라서, 본 발명은 이와 같은 종래 문제점을 감안한 것으로서, 본 발명의 제 1 목적은 엠보싱 요철의 형성 불량에 따른 시야각 불량을 극복 및 반사 영역 및 투과 영역에서의 고유한 특성에 의하여 발생하는 디스플레이 특성 저하 및 휘도 저하를 방지한 반사-투과형 액정표시장치를 제공함에 있다.Accordingly, the present invention has been made in view of such a conventional problem, and a first object of the present invention is to overcome a poor viewing angle caused by a poor formation of embossed irregularities and to reduce display characteristics caused by inherent characteristics in the reflective and transmissive regions. It is an object of the present invention to provide a reflection-transmissive liquid crystal display device which prevents a decrease in luminance.

또한, 본 발명의 제 2 목적은 엠보싱 요철의 형성 불량에 따른 시야각 불량을 극복 및 반사 영역 및 투과 영역에서의 고유한 특성에 의하여 발생하는 디스플레이 특성 저하 및 휘도 저하를 방지한 반사-투과형 액정표시장치의 제조 방법을 제공함에 있다.In addition, a second object of the present invention is a reflection-transmissive liquid crystal display device which overcomes the viewing angle defect caused by the poor formation of the embossed irregularities and prevents the display characteristic degradation and the luminance decrease caused by the unique characteristics in the reflection region and the transmission region. To provide a method for producing.

도 1은 종래 반사-투과형 액정표시장치의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a conventional reflection-transmissive liquid crystal display device.

도 2는 본 발명의 일실시예에 의한 반사-투과형 액정표시장치를 전체적으로 도시한 개념도이다.FIG. 2 is a conceptual diagram illustrating an entire reflection-transmissive liquid crystal display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 일실시예에 의한 반사-투과형 액정표시장치의 단면도이다.3 is a cross-sectional view of a reflection-transmissive liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 일실시예에 의한 반사-투과형 액정표시장치의 TFT 기판의 평면도이다.4 is a plan view of a TFT substrate of a reflection-transmissive liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.

도 5는 도 4에 형성된 전원공급장치 및 제 1 전극을 도시한 개념도이다.FIG. 5 is a conceptual diagram illustrating a power supply device and a first electrode formed in FIG. 4.

도 6은 도 4의 A-A 단면도이다.6 is a cross-sectional view taken along the line A-A of FIG.

도 7은 도 4의 B-B 단면도이다.7 is a cross-sectional view taken along line B-B in FIG. 4.

도 8은 도 3의 A의 확대도이다.8 is an enlarged view of A of FIG. 3.

도 9는 본 발명의 일실시예에 의한 반사-투과형 액정표시장치의 컬러필터기판의 평면도이다.9 is a plan view of a color filter substrate of a reflection-transmissive liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.

도 10은 도 9의 A-A 단면도이다.10 is a cross-sectional view taken along the line A-A of FIG.

도 11a는 광 반사 박막에서의 휘도를 도시한 그래프이다.11A is a graph showing the luminance in the light reflecting thin film.

도 11b는 컬러필터에서의 휘도를 도시한 그래프이다.11B is a graph showing the luminance in the color filter.

도 11c는 도 11a 및 도 11b에 의하여 실제 사용자가 느끼는 휘도를 도시한 그래프이다.FIG. 11C is a graph illustrating luminance felt by an actual user according to FIGS. 11A and 11B.

도 12a 내지 도 12i는 본 발명의 일실시예에 의한 반사-투과형 액정표시장치의 TFT 기판을 제조하는 과정을 도시한 공정도이다.12A to 12I are process diagrams illustrating a process of manufacturing a TFT substrate of a reflection-transmissive liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.

도 13a 내지 도 13j는 본 발명의 일실시예에 의한 반사-투과형 액정표시장치의 컬러필터기판을 제조하는 과정을 도시한 공정도이다.13A to 13J are process diagrams illustrating a process of manufacturing a color filter substrate of a reflection-transmissive liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.

이와 같은 본 발명의 제 1 목적을 구현하기 위한 반사-투과형 액정표시장치는 제 1 투명 기판과, 제 1 투명 기판에 매트릭스 형태로 배열된 제 1 전극과, 각각의 제 1 전극에 전원을 공급하는 전원 공급수단을 포함하는 제 1 기판, 제 1 투명 기판과 대향하며, 시야각 향상 수단이 형성된 제 2 투명 기판, 제 2 투명기판으로부터 제 1 투명 기판으로 향하는 제 1 광은 투과시키고, 제 1 투명 기판으로부터 제 2 투명기판을 향하는 제 2 광은 제 1 광 방향으로 반사시키는 광 반사/투과 수단, 광 반사/투과 수단의 일부에 일정한 두께로 형성된 컬러필터, 컬러필터가 형성된 제 2 투명 기판의 전면에 형성된 제 2 전극을 포함하는 제 2 기판 및 제 1 기판 및 제 2 기판 사이에 주입된 액정을 포함한다.The reflection-transmissive liquid crystal display device for realizing the first object of the present invention comprises a first transparent substrate, a first electrode arranged in a matrix form on the first transparent substrate, and supplying power to each first electrode. A first transparent substrate facing the first substrate including the power supply means, the second transparent substrate on which the viewing angle enhancement means is formed, and the first light from the second transparent substrate to the first transparent substrate; The second light from the second transparent substrate toward the second transparent substrate is a light reflection / transmission means for reflecting in the first light direction, a color filter having a constant thickness on a part of the light reflection / transmission means, And a liquid crystal injected between the second substrate including the formed second electrode and the first substrate and the second substrate.

또한, 본 발명의 제 2 목적을 구현하기 위한 반사-투과형 액정표시장치의 제조 방법은 제 1 투명 기판에 미소 면적 단위로 전원을 공급하는 전원 공급장치를 형성 및 전원 공급장치에 연결되는 투명한 제 1 전극을 형성하여 제 1 기판을 제조하는 단계, 시야각 향상 수단이 형성된 제 2 투명 기판의 제 1 영역에서는 제 1 투명 기판으로 향하는 제 1 광은 투과시키고 제 1 영역을 감싸는 제 2 영역에서는 제 1 투명 기판으로부터 제 2 투명기판을 향하는 제 2 광을 제 1 광 방향으로 반사시키는 광 반사/투과 수단을 형성, 광 반사/투과 수단의 제 1 영역에 일정한 두께를 갖는 컬러필터를 형성, 컬러필터가 형성된 제 2 투명 기판의 전면에 제 2 전극을형성하여 제 2 기판을 제조하는 제 2 단계, 제 1 기판 및 제 2 기판을 합착하는 단계 및 합착된 제 1 기판 및 제 2 기판 사이에 액정을 주입하는 단계를 포함한다.In addition, a method of manufacturing a reflection-transmissive liquid crystal display device for implementing the second object of the present invention is to form a power supply for supplying power to the first transparent substrate in a small area unit and a transparent first connected to the power supply device. Forming an electrode to form a first substrate, in which the first light is transmitted to the first transparent substrate in the first region of the second transparent substrate on which the viewing angle enhancement means is formed, and the first transparent in the second region surrounding the first region. Forming a light reflection / transmission means for reflecting the second light from the substrate toward the second transparent substrate in the first light direction, forming a color filter having a constant thickness in the first region of the light reflection / transmission means, and forming a color filter. Forming a second substrate by forming a second electrode on the front surface of the second transparent substrate; bonding the first substrate and the second substrate; and bonding the bonded first substrate and the second substrate. In a step of injecting liquid crystal.

이하, 본 발명의 일실시예에 의한 반사-투과형 액정표시장치 및 이의 제조 방법을 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a reflection-transmissive liquid crystal display device and a method of manufacturing the same according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

먼저, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 일실시예에 의한 반사-투과형 액정표시장치를 설명하기로 한다.First, a reflection-transmissive liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

첨부된 도 3을 참조하면, 본 발명의 일실시예에 의한 반사-투과형 액정표시장치(800)의 일부인 액정표시패널(700)은 다시 제 1 기판(200), 제 2 기판(300) 및 액정(400)으로 구성된다.Referring to FIG. 3, the liquid crystal display panel 700, which is a part of the reflective-transmissive liquid crystal display device 800 according to an exemplary embodiment of the present invention, is again a first substrate 200, a second substrate 300, and a liquid crystal. It consists of 400.

제 1 기판(200)은 다시 도 3 또는 도 4에 도시된 바와 같이 제 1 투명 기판(210), 전원 공급장치(220), 유기 절연막(230) 및 제 1 전극(240)으로 구성된다. 이때, 미설명 도면부호 280은 배향막이고, 285는 배향홈이다.As shown in FIG. 3 or FIG. 4, the first substrate 200 is composed of the first transparent substrate 210, the power supply device 220, the organic insulating layer 230, and the first electrode 240. In this case, reference numeral 280 denotes an alignment layer, and 285 denotes an alignment groove.

이때, 제 1 투명 기판(210)은 바람직한 일실시예로 광투과도가 뛰어난 유리 기판이 사용될 수 있다. 이와 같은 제 1 투명 기판(210)에 형성되는 전원 공급장치(220)는 다시 도 5에 보다 구체적으로 도시된 바와 같이 매트릭스 형태로 배열된 박막 트랜지스터(221, 222, 223, 224; 226) 및 신호선(229)으로 구성된다.In this case, as the first transparent substrate 210, a glass substrate having excellent light transmittance may be used. The power supply device 220 formed on the first transparent substrate 210 may further include the thin film transistors 221, 222, 223, 224; 226 and signal lines arranged in a matrix form as shown in FIG. 5. It consists of 229.

이때, 도 5를 참조하면, 각 박막 트랜지스터(226)는 다시 게이트 전극(221), 채널층(222), 소오스 전극(223) 및 드레인 전극(224)으로 구성된다.In this case, referring to FIG. 5, each thin film transistor 226 is composed of a gate electrode 221, a channel layer 222, a source electrode 223, and a drain electrode 224.

구체적으로, 게이트 전극(221)은 도 6에 도시된 바와 같이 제 1 투명 기판(210)의 상면에 제 1 면적을 갖으며, 제 1 광반사율을 갖는 제 1 메탈(221a),제 1 메탈(221a)보다 높은 제 2 광반사율을 갖는 제 2 메탈(221b)의 복층 구조를 갖는다.In detail, as illustrated in FIG. 6, the gate electrode 221 has a first area on an upper surface of the first transparent substrate 210 and has a first light reflectance and a first metal 221a and a first metal ( It has a multilayer structure of the second metal 221b having a second light reflectance higher than 221a.

일실시예로, 제 1 메탈(221a)은 크롬 산화막(CrO2film)이고, 제 2 메탈(221b)은 크롬 박막(Cr film)이다. 이처럼 게이트 전극(221)을 복층 방식으로 형성하는 이유는 외부로부터 게이트 전극(221)의 제 1 메탈(221a)을 향하는 광이 제 1 메탈(221a)로부터 반사되어 사용자의 눈으로 다시 입사되는 것을 최소화하기 위함이다.In an embodiment, the first metal 221a is a chromium oxide film (CrO 2 film), and the second metal 221b is a chromium thin film (Cr film). The reason why the gate electrode 221 is formed in the multilayered manner is to minimize the reflection of light from the outside toward the first metal 221a of the gate electrode 221 from the first metal 221a to be incident back into the user's eyes. To do this.

한편, 이와 같은 구성을 갖는 게이트 전극(221)의 제 2 메탈(221b)은 신호선(229)의 하나인 도 4 또는 도 7에 도시된 게이트 라인(228)이 전기적으로 연결된다. 이때, 일실시예로 게이트 라인(228)은 투명한 도전성 물질로 구성된 박막을 패터닝하여 형성한다. 이때, 투명한 도전성 물질은 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide) 또는 인듐 징크 옥사이드(Indium Zinc Oxide) 물질로 구성된다.On the other hand, the second metal 221b of the gate electrode 221 having such a configuration is electrically connected to the gate line 228 illustrated in FIG. 4 or 7 which is one of the signal lines 229. At this time, in one embodiment, the gate line 228 is formed by patterning a thin film made of a transparent conductive material. In this case, the transparent conductive material is made of indium tin oxide or indium zinc oxide.

한편, 도 6에 도시된 바와 같이 채널층(222)은 절연막(221c)을 매개로 게이트 전극(221)의 상면에 오버랩 되도록 형성된다. 이때, 채널층(222)의 면적은 게이트 전극(221)의 제 1 면적보다 작은 제 2 면적을 갖는다.Meanwhile, as shown in FIG. 6, the channel layer 222 is formed to overlap the top surface of the gate electrode 221 through the insulating film 221c. In this case, the area of the channel layer 222 has a second area smaller than the first area of the gate electrode 221.

이처럼 채널층(222)의 면적을 게이트 전극(221)의 면적보다 작게 하는 이유는 채널층(222)을 이루는 물질이 광에 노출될 경우 전류의 흐름을 발생하여 전원공급장치의 오작동을 유발하기 때문이다. 이때, 채널층(222)은 아몰퍼스 실리콘 물질로 제작된 아몰퍼스 실리콘 박막 또는 아몰퍼스 실리콘 박막에 n+이온이 도핑된 n+아몰퍼스 실리콘 박막이 사용될 수 있다.The reason why the area of the channel layer 222 is smaller than the area of the gate electrode 221 is because when the material constituting the channel layer 222 is exposed to light, current flows to cause malfunction of the power supply device. to be. At this time, the channel layer 222 may have an amorphous silicon thin film or an amorphous silicon thin film on the n + ion doped n + amorphous silicon thin film made of amorphous silicon material may be used.

한편, 도 5 또는 도 6에 도시된 바와 같이 채널층(222)의 상면에는 다시 상호 쇼트 되지 않도록 도전성 소오스 전극(223) 및 드레인 전극(224)이 형성된다. 이때, 소오스 전극(223)에는 신호선(229)의 하나인 데이터 라인(227)이 연결된다. 이 데이터 라인(227)은 소오스 전극(223)을 이루는 물질과 동일하거나 ITO 물질 또는 IZO물질로 이루어진 투명 박막을 패터닝하여 사용할 수 있다.Meanwhile, as illustrated in FIG. 5 or 6, the conductive source electrode 223 and the drain electrode 224 are formed on the upper surface of the channel layer 222 so as not to be shorted again. In this case, the data line 227, which is one of the signal lines 229, is connected to the source electrode 223. The data line 227 may be used by patterning a transparent thin film made of the same material as the source electrode 223 or made of an ITO material or an IZO material.

한편, 도 6 또는 도 7에 도시된 바와 같이 이와 같은 구성을 갖는 전원 공급장치(220)의 상면에는 다시 평탄하면서 투명한 유기 절연막(230)이 형성된다. 이 유기 절연막(230)에는 박막 트랜지스터(226)의 드레인 전극(224)이 노출되도록 콘택홀(235)이 형성된다.Meanwhile, as illustrated in FIG. 6 or 7, the flat and transparent organic insulating layer 230 is formed on the upper surface of the power supply 220 having such a configuration. A contact hole 235 is formed in the organic insulating layer 230 to expose the drain electrode 224 of the thin film transistor 226.

이 콘택홀(235)을 매개로 박막 트랜지스터(226)의 드레인 전극(224)에는 제 1 전극(240)이 형성된다. 제 1 전극(240)은 투명하면서 도전성이 뛰어난 ITO 또는 IZO 물질로 이루어진 박막을 패터닝하여 사용한다.The first electrode 240 is formed in the drain electrode 224 of the thin film transistor 226 through the contact hole 235. The first electrode 240 is used by patterning a thin film made of a transparent and conductive ITO or IZO material.

한편, 도 3에 도시된 바와 같이 본 발명의 일실시예에 의한 반사-투과형 액정표시패널(700)의 또 다른 구성 요소 중 하나인 제 2 기판(300)은 다시 제 2 투명 기판(310), 광 반사/투과 부재(340), 컬러필터(350), 제 2 전극(360)으로 구성된다.Meanwhile, as shown in FIG. 3, the second substrate 300, which is one of the other components of the reflective-transmissive liquid crystal display panel 700 according to the exemplary embodiment of the present invention, is again a second transparent substrate 310, The light reflection / transmitting member 340, the color filter 350, and the second electrode 360 are formed.

이때, 첨부된 도 8에 도시된 바와 같이, 제 2 투명 기판(310)에는 시야각 향상용 엠보싱 돌기(315)가 형성된다. 이 시야각 향상용 엠보싱 돌기(315)는 제 2 투명 기판(310)을 제작할 때 함께 형성할 수 있다.In this case, as shown in FIG. 8, an embossing protrusion 315 for viewing angle improvement is formed on the second transparent substrate 310. The viewing angle enhancement embossing protrusion 315 may be formed together when the second transparent substrate 310 is manufactured.

이와 달리, 시야각 향상용 엠보싱 돌기(315)는 제 2 투명 기판(310)에 감광성 유기 절연막을 형성한 상태에서 감광성 유기 절연막의 상부에 정밀한 노광 공정 및 현상 공정을 통하여 형성하는 것 또한 무방하다.On the other hand, the embossing projection 315 for viewing angle improvement may be formed through a precise exposure process and a developing process on the photosensitive organic insulating film in a state where the photosensitive organic insulating film is formed on the second transparent substrate 310.

본 발명에서는 바람직한 일실시예로 도 3 또는 도 8에 도시된 바와 같이 제 2 투명 기판(310)에 시야각 향상용 엠보싱 돌기(315)를 직접 가공된 것을 일실시예로 설명하기로 한다.In the present invention, as shown in FIG. 3 or FIG. 8, the embossed projection 315 for improving the viewing angle is directly processed on the second transparent substrate 310 as one embodiment.

한편, 광 반사/투과 부재(340)는 제 2 투명 기판(310)에 형성된 시야각 향상용 엠보싱 돌기(315)가 덮여지도록 형성된다. 따라서 광 반사/투과 부재(340) 역시 시야각 향상용 엠보싱 돌기(315)의 형상대로 요철을 갖는다.Meanwhile, the light reflection / transmission member 340 is formed to cover the viewing angle enhancement embossing protrusion 315 formed on the second transparent substrate 310. Accordingly, the light reflection / transmission member 340 also has irregularities in the shape of the embossing projection 315 for viewing angle enhancement.

이때, 광 반사/투과 부재(340)는 일실시예로 2 개의 복층막으로 구성된다. 이때, 복층막으로 구성된 광 반사/투과 부재(340)는 다시 도 8에 도시된 바와 같이 광의 반사 및 투과가 모두 가능한 광 반사/투과 박막(320) 및 광의 반사만이 가능한 광 반사 박막(330)으로 구성된다.In this case, the light reflecting / transmitting member 340 is composed of two multilayer films in one embodiment. At this time, the light reflecting / transmitting member 340 composed of the multilayer film has a light reflecting / transmitting thin film 320 capable of both reflecting and transmitting light as shown in FIG. 8 and a light reflecting thin film 330 capable of reflecting only light. It consists of.

구체적으로, 광 반사/투과 박막(320)은 제 2 투명 기판(310)의 시야각 향상용 엠보싱 돌기(315)의 상면에 일실시예로 순수 알루미늄 또는 알루미늄에 다음에 열거한 물질로 알루미늄 합금을 형성하여 사용하여도 무방하다.Specifically, the light reflection / transmission thin film 320 forms an aluminum alloy with pure aluminum or aluminum in one embodiment on the upper surface of the embossing projection 315 for improving the viewing angle of the second transparent substrate 310. It may be used.

이때, 알루미늄과 합금 되는 물질로는 Nd, Si, Cu, Zn, Ti, V, Co, Ni, Sn, Ag, Pd, Mo, Zr, Hs, Ta, W, Au 등이다. 이때, 광 반사/투과 박막(320)의 두께는 광반사율은 전체 광량의 30% ∼ 50% 이고, 투과율은 50% ∼ 90%의 조건을 만족하기에 충분한 두께를 갖도록 하는 것이 바람직하다.At this time, the material alloyed with aluminum is Nd, Si, Cu, Zn, Ti, V, Co, Ni, Sn, Ag, Pd, Mo, Zr, Hs, Ta, W, Au and the like. In this case, the thickness of the light reflection / transmission thin film 320 is preferably such that the light reflectance is 30% to 50% of the total amount of light and the transmittance is sufficient to satisfy the conditions of 50% to 90%.

본 발명에서는 바람직한 일실시예로 알루미늄-네오디뮴 합금(Al-Nd)을 20Å∼ 800Å의 두께로 증착하여 형성한다. 이처럼 광 반사/투과 박막(320)이 형성된 상태에서 광 반사/투과 박막(320)의 상면에는 다시 광 반사 박막(330)이 형성된다.In a preferred embodiment of the present invention, the aluminum-neodymium alloy (Al-Nd) is formed by depositing a thickness of 20 kPa to 800 kPa. In this state in which the light reflection / transmission thin film 320 is formed, the light reflection thin film 330 is formed on the upper surface of the light reflection / transmission thin film 320 again.

이때, 광 반사 박막(330)은 일실시예로 5000Å 정도의 두께를 갖는 은(Ag) 또는 은 합금으로 구성된 박막이다. 이때, 광 반사 박막(330)은 광 반사/투과 박막(320)에 비하여 후박하게 형성된다.At this time, the light reflecting thin film 330 is a thin film made of silver (Ag) or a silver alloy having a thickness of about 5000Å in one embodiment. In this case, the light reflection thin film 330 is formed thinner than the light reflection / transmission thin film 320.

이때, 광 반사 박막(330), 광 반사/투과 박막(320)중 광 반사 박막(330)의 일부는 도 9 또는 도 10에 도시된 바와 같이 개구창(335)이 형성된다. 이로써 광 반사/투과 박막(320)의 일부는 광 반사 박막(330)에 형성된 개구창(335)을 통해 외부에 노출된다. 이때, 개구창(335)의 면적이 최대가 되도록 할 경우 전기 에너지를 소모하여 생성된 광이 광 반사 박막(330)에 의하여 차단되는 비율이 최소가 되도록 할 수 있다. 즉, 도시되지 않은 램프에서 발생한 광의 이용 효율이 최대가 되도록 할 수 있는 것이다.In this case, a portion of the light reflection thin film 330 among the light reflection thin film 330 and the light reflection / transmission thin film 320 is formed with an opening window 335 as shown in FIG. 9 or 10. As a result, a part of the light reflection / transmission thin film 320 is exposed to the outside through the opening window 335 formed in the light reflection thin film 330. In this case, when the area of the opening window 335 is maximized, the ratio of the light generated by consuming electric energy to be blocked by the light reflection thin film 330 may be minimized. In other words, the utilization efficiency of the light generated by the lamp (not shown) can be maximized.

이와 같이 구조를 갖는 광 반사/투과 부재(340)를 기준으로 도 10에 도시된 "외부 영역"이 "내부 영역"보다 밝을 경우, 외부 영역으로부터 공급된 제 1 광(391)은 광 반사 박막(330)은 물론 광 반사/투과 부재(320)중 노출된 부분에도 도달된다.When the "outer region" shown in FIG. 10 is brighter than the "inner region" based on the light reflecting / transmitting member 340 having the structure as described above, the first light 391 supplied from the outer region is a light reflecting thin film ( 330 is of course reached to the exposed portion of the light reflecting / transmitting member 320.

즉, 외부 영역이 내부 영역보다 밝을 경우 제 1 광(391)은 광 반사 박막(330) 및 광 반사/투과 부재(320)중 광 반사 박막(330)에 의하여 가려지지 않고 노출된 부분에서 광의 반사를 일으킨다. 이와 같은 구성은 광 반사 박막(330)뿐만 아니라 광 반사/투과 부재(320)의 일부에서도 외부광을 반사시키는 것이 가능케 되어 광의 이용 효율을 극대화시킬 수 있다.That is, when the outer region is brighter than the inner region, the first light 391 reflects the light in the exposed portion of the light reflecting thin film 330 and the light reflecting thin film 330 without being covered by the light reflecting thin film 330. Causes Such a configuration enables to reflect external light not only in the light reflecting thin film 330 but also in a part of the light reflecting / transmitting member 320, thereby maximizing light utilization efficiency.

반면, 외부 영역이 내부 영역보다 어두울 경우 액정을 통과하는 광이 부족해져 디스플레이가 실질적으로 불가능하다. 이를 극복하기 위해서 도시되지 않은 램프가 점등하여 내부 영역에서 외부 영역을 향하는 제 2 광(392)이 생성된다. 이때, 제 2 광(392)은 광 반사/투과 부재(320)중 광 반사 박막(330)에 의하여 가려지지 않은 부분을 투과하여 액정으로 공급된다.On the other hand, if the outer region is darker than the inner region, the light passing through the liquid crystal is insufficient and thus the display is practically impossible. To overcome this, a lamp (not shown) is turned on to generate a second light 392 from the inner region to the outer region. In this case, the second light 392 is supplied to the liquid crystal through a portion of the light reflection / transmission member 320 that is not covered by the light reflection thin film 330.

한편, 광 반사/투과 부재(340)중 도 앞서 설명한 제 1 기판(200)의 제 1 전극(240)의 사이사이와 대향하는 부분에는 광 흡수부(370)가 형성된다. 이는 제 1 전극(240)의 사이사이에 해당하는 부분에서는 액정(400)의 제어가 이루어지지 않는 부분임에도 불구하고 외부 영역에서 공급된 광을 차단할 수 없기 때문이다. 이때, 광 흡수부(370)는 광 반사 박막(330)을 오존(O3) 또는 케미컬로 산화시켜 형성한다. 즉, 광 흡수부(370)는 광 반사 박막(330)이 산화된 은 산화막이다.On the other hand, the light absorbing portion 370 is formed in a portion of the light reflection / transmissive member 340 facing the space between the first electrode 240 of the first substrate 200 described above. This is because the light supplied from the external region cannot be blocked even though the portions between the first electrodes 240 are not controlled by the liquid crystal 400. In this case, the light absorbing part 370 is formed by oxidizing the light reflecting thin film 330 to ozone (O 3 ) or chemical. That is, the light absorbing part 370 is a silver oxide film in which the light reflecting thin film 330 is oxidized.

이와 같이 제 2 투명 기판(310)에 광 반사/투과 부재(340) 및 광 흡수부(370)가 형성된 상태에서 제 2 투명 기판(310)의 상면에는 도 3에 도시된 바와 같이 매트릭스 형태로 컬러필터(350)가 형성된다.As described above, when the light reflection / transmitting member 340 and the light absorbing portion 370 are formed on the second transparent substrate 310, the upper surface of the second transparent substrate 310 is colored in a matrix form as shown in FIG. 3. The filter 350 is formed.

이때, 각 컬러필터(350)는 앞서 설명한 제 1 전극(240)들과 1:1 매칭 되도록 형성된다.In this case, each color filter 350 is formed to be 1: 1 matched with the first electrodes 240 described above.

이때, 본 발명에서는 일실시예로 하나의 제 1 전극(240)에 대향하는 하나의컬러필터(350)는 광 반사 박막(330)의 일부분인 개구창(335)의 상면에만 형성되며 두께는 균일하다.At this time, in one embodiment of the present invention, one color filter 350 facing the first electrode 240 is formed only on the upper surface of the opening window 335 which is a part of the light reflecting thin film 330, and the thickness is uniform. Do.

보다 구체적으로, 컬러필터(350)는 다시 도 9에 도시된 바와 같이 레드 컬러필터(353), 그린 컬러필터(356) 및 블루 컬러필터(359)로 구성된다. 레드 컬러필터(353)는 광을 필터링 하여 레드 파장을 갖는 단색광이 출사되도록 하고, 그린 컬러필터(356)는 광을 필터링 하여 그린 파장을 갖는 단색광이 출사되도록 하고, 블루 컬러필터(359)는 광을 필터링 하여 블루 파장을 갖는 단색광이 출사되도록 한다.More specifically, the color filter 350 is composed of a red color filter 353, a green color filter 356, and a blue color filter 359 as shown in FIG. 9. The red color filter 353 filters the light to emit monochromatic light having a red wavelength, and the green color filter 356 filters the light to emit monochromatic light having a green wavelength, and the blue color filter 359 uses the light. Filter by to output a monochromatic light having a blue wavelength.

한편, 첨부된 도 10에 도시된 바와 같이 컬러필터(350)가 광 반사 박막(330)의 개구창(335)에 균일한 두께로 형성될 경우, 광 반사 박막(330)중 컬러필터(350)가 형성되지 않은 곳에 도달한 광(Ⅲ)은 컬러필터(350)에 의한 광 손실이 없는 상태로 반사된다.Meanwhile, as shown in FIG. 10, when the color filter 350 is formed to have a uniform thickness in the opening window 335 of the light reflecting thin film 330, the color filter 350 among the light reflecting thin films 330. The light (III) that reaches the place where is not formed is reflected in a state where there is no light loss by the color filter 350.

이처럼 광 반사 박막(330)에서 손실 없이 반사된 광(Ⅲ)과 컬러필터(350)를 통과한 광(Ⅳ)은 서로 혼색되어 원하는 색의 광이 발생된다.As such, the light (III) reflected without loss in the light reflection thin film 330 and the light (IV) passing through the color filter 350 are mixed with each other to generate light of a desired color.

이때, 컬러필터(350)를 통과하지 않고 광 반사 박막(330)에서 반사된 광(Ⅲ)은 도 11a의 그래프 a에 도시된 바와 같이 균일하면서 고휘도를 갖고, 컬러필터(350)를 통과한 광(Ⅳ)은 도 11b의 그래프 b에 도시된 바와 같이 낮은 휘도를 갖는다.At this time, the light (III) reflected from the light reflecting thin film 330 without passing through the color filter 350 has a uniform and high brightness as shown in graph a of FIG. 11A, and the light passing through the color filter 350. (IV) has a low luminance as shown in graph b of FIG. 11B.

결국 사용자가 인식하는 광은 도 11c의 그래프 c에 도시된 바와 같이 도 11a의 그래프 a와 도 11b의 그래프 b를 합성한 것과 유사하게 혼색된 상태로 고휘도를갖는 광이다.As a result, the light recognized by the user is light having high luminance in a mixed state similar to the synthesis of the graph a of FIG. 11A and the graph b of FIG. 11B, as shown in the graph c of FIG. 11C.

첨부된 도 12 및 도 13에는 본 발명의 일실시예에 의한 반사-투과형 액정표시장치의 제조 방법에 보다 구체적으로 도시되어 있다.12 and 13 are shown in more detail in the method of manufacturing a reflection-transmissive liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.

첨부된 도 12에는 본 발명의 일실시예에 의한 반사-투과형 액정표시장치의 TFT 기판을 제조하는 방법이 보다 구체적으로 도시되어 있다.12 is a view illustrating a method of manufacturing a TFT substrate of a reflection-transmissive liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention in more detail.

첨부된 도 12a에는 광투과도가 높은 제 1 투명 기판(210)이 도시되어 있다.12A shows a first transparent substrate 210 having a high light transmittance.

이 제 1 투명 기판(210)의 상면에는 도 12b 및 도 12c의 공정에 의하여 게이트 전극(221)이 형성된다.The gate electrode 221 is formed on the upper surface of the first transparent substrate 210 by the process of FIGS. 12B and 12C.

게이트 전극(221)을 형성하기 위해서, 도 12b에 도시된 바와 같이 제 1 투명 기판(210)의 상면에는 제 1 광반사율을 갖는 제 1 메탈 박막(221e)이 형성되고, 제 1 메탈 박막(221e)의 상면에는 제1 광반사율보다 높은 제 2 광반사율을 갖는 제 2 메탈 박막(221d)이 형성된다. 이때, 제 1 메탈 박막(221e)은 크롬 산화막(CrO2)으로 구성되고, 제 2 메탈 박막(221d)은 크롬(Cr) 박막으로 구성된다. 크롬 산화막 및 크롬 박막은 도 3 또는 도 4에 도시된 바와 같이 제 1 투명 기판(310)상에서 상호 일정 간격을 갖도록 패터닝되어 도 12c에 도시된 바와 같이 복층 게이트 전극(221a, 221b; 221)이 형성된다. 이때, 크롬 산화막은 외부에서 입사된 광의 반사를 억제하는 역할을 한다.In order to form the gate electrode 221, as shown in FIG. 12B, a first metal thin film 221e having a first light reflectance is formed on the top surface of the first transparent substrate 210, and the first metal thin film 221e is formed. The second metal thin film 221d having a second light reflectance higher than the first light reflectance is formed on the upper surface of the N-M. At this time, the first metal thin film 221e is composed of chromium oxide film CrO 2 , and the second metal thin film 221d is composed of chromium (Cr) thin film. As shown in FIG. 3 or 4, the chromium oxide film and the chromium thin film are patterned to have a predetermined interval on the first transparent substrate 310 to form the multilayer gate electrodes 221a, 221b, and 221 as shown in FIG. 12C. do. At this time, the chromium oxide film serves to suppress reflection of light incident from the outside.

이어서, 매트릭스 형태로 형성된 게이트 전극(221)들 중 도 4에 도시된 바와 같이 한 행(column)에 속한 모든 게이트 전극(221)의 사이에는 투명한 게이트라인(도 4참조, 228)에 의하여 연결된다. 보다 구체적으로, 제 1 투명 기판(310)의 상면에는 도 12d에 도시된 바와 같이 투명한 도전성 물질, 예를 들면, 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide; ITO) 또는 인듐 징크 옥사이드(Indium Zinc Oxide, IZO) 물질이 증착되어 투명한 도전성 박막(128a)이 형성된다.Subsequently, as shown in FIG. 4, among the gate electrodes 221 formed in a matrix form, all gate electrodes 221 belonging to a column are connected by transparent gate lines (see FIG. 4 and 228). . More specifically, the upper surface of the first transparent substrate 310, a transparent conductive material, for example, indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (Indium Zinc Oxide, IZO) as shown in Figure 12d The material is deposited to form a transparent conductive thin film 128a.

이와 같은 상태에서 투명한 도전성 박막(128a)은 도 4에 도시된 바와 같이 동일 행에 속한 모든 게이트 전극이 연결되도록 패터닝되어 투명 게이트 라인(228)이 형성된다.In this state, as shown in FIG. 4, the transparent conductive thin film 128a is patterned to connect all the gate electrodes belonging to the same row, thereby forming the transparent gate line 228.

이와 같이 게이트 전극(221)이 투명 게이트 라인(228)에 의하여 모두 연결된 상태에서, 도 12e에 도시된 바와 같이 제 1 투명 기판(210)에는 다시 전면적에 걸쳐 절연막(221c)이 형성된다.As shown in FIG. 12E, the insulating layer 221c is formed over the entire surface of the first transparent substrate 210 while the gate electrodes 221 are connected by the transparent gate lines 228.

이 절연막(221c)의 상면에는 다시 도 12f에 도시된 바와 같이 아몰퍼스 실리콘 박막(미도시), n+아몰퍼스 실리콘 박막(미도시)이 순차적으로 형성되고, 이들의 패터닝이 수행되어 채널층(222)이 형성된다.As shown in FIG. 12F, an amorphous silicon thin film (not shown) and an n + amorphous silicon thin film (not shown) are sequentially formed on the upper surface of the insulating film 221c, and patterning thereof is performed to form the channel layer 222. Is formed.

이어서, 채널층(222)이 포함되도록 제 1 투명 기판(210)의 전면적에 걸쳐 소오스/드레인 메탈 박막(미도시)이 형성된다. 이 소오스/드레인 메탈 박막은 도 12f에 도시된 바와 같이 다시 패터닝되어 소오스 전극(223)과 드레인 전극(224)이 형성되고, 도 4에 도시된 데이터 라인(227)까지도 함께 형성된다. 이와 다르게 데이터 라인(227)은 ITO 물질 또는 IZO 물질로 형성하는 것 또한 무방하다.Subsequently, a source / drain metal thin film (not shown) is formed over the entire surface of the first transparent substrate 210 to include the channel layer 222. The source / drain metal thin film is patterned again as shown in FIG. 12F to form a source electrode 223 and a drain electrode 224, and even the data line 227 shown in FIG. Alternatively, the data line 227 may be formed of ITO material or IZO material.

이때, 데이터 라인(227)은 매트릭스 형태로 배열된 박막 트랜지스터 중 동일열(row)에 속한 모든 박막 트랜지스터의 소오스 전극(223)에 공통적으로 연결된다.In this case, the data line 227 is commonly connected to the source electrodes 223 of all the thin film transistors belonging to the same row among the thin film transistors arranged in a matrix form.

이어서, 도 12g에 도시된 바와 같이, 소오스 전극(223) 및 드레인 전극(224)이 덮이도록 제 1 투명 기판(210)에는 전면적에 걸쳐 후박한 유기 절연막(230)이 형성된다. 이 유기 절연막(230)은 평탄막이다.Next, as illustrated in FIG. 12G, a thin organic insulating layer 230 is formed on the first transparent substrate 210 so as to cover the source electrode 223 and the drain electrode 224. This organic insulating film 230 is a flat film.

이와 같은 상태에서 유기 절연막(230)에는 도 12h에 도시된 바와 같이 다시 드레인 전극(224)이 노출되도록 콘택홀(235)이 형성된다. 이 상태에서 유기 절연막(230)의 전면적에 걸쳐 투명한 도전성 박막(미도시)이 형성된다. 이후, 투명한 도전성 박막은 도 12h에 도시된 바와 같이 패터닝되어 제 1 전극(240)이 형성된다. 이때, 패터닝된 제 1 전극(240)의 형상은 첨부된 도 4에 보다 구체적으로 도시되어 있다.In this state, a contact hole 235 is formed in the organic insulating layer 230 so that the drain electrode 224 is exposed again as shown in FIG. 12H. In this state, a transparent conductive thin film (not shown) is formed over the entire surface of the organic insulating film 230. Thereafter, the transparent conductive thin film is patterned as shown in FIG. 12H to form the first electrode 240. In this case, the shape of the patterned first electrode 240 is shown in more detail in FIG. 4.

이어서, 제 1 전극(240)이 덮이도록 제 1 투명 기판(240)에는 도 12i에 도시된 바와 같이 배향막(280)이 평탄하게 형성되고, 배향막(280)의 상면에는 다시 배향홈(285)이 형성된다.Subsequently, as illustrated in FIG. 12I, the alignment layer 280 is formed flat on the first transparent substrate 240 so that the first electrode 240 is covered, and the alignment groove 285 is formed on the upper surface of the alignment layer 280. Is formed.

한편, 첨부된 도 13 이하를 참조하여 제 2 기판(300)을 제조하는 방법을 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Meanwhile, a method of manufacturing the second substrate 300 will be described with reference to the accompanying drawings below with reference to FIG. 13.

먼저, 도 13a에 도시된 바와 같이 제 2 투명 기판(310)의 상면에는 제 2 투명 기판(310)을 제작하는 과정에서 시야각 향상용 엠보싱 돌기(315)가 함께 제작된다.First, as illustrated in FIG. 13A, an embossing protrusion 315 for viewing angle improvement is manufactured on the upper surface of the second transparent substrate 310 in the process of manufacturing the second transparent substrate 310.

이와 다른 실시예로, 도 13b에 도시된 시야각 향상용 엠보싱 돌기(317a)는 표면이 평탄하게 제작된 제 2 투명 기판(310)의 표면에 투명한 유기 절연막(317)을형성하고, 유기 절연막의 표면 가공을 통하여 구현된다. 보다 구체적으로, 유기 절연막(317)의 상면에는 포토레지스트 박막이 형성된 상태에서 포토레지스트 박막에는 노광 - 현상 - 식각 공정을 연속적으로 수행됨으로써 유기 절연막(317)의 상면에 시야각 향상용 엠보싱 돌기(317a)가 형성된다.In another embodiment, the viewing angle enhancement embossing protrusion 317a shown in FIG. 13B forms a transparent organic insulating film 317 on the surface of the second transparent substrate 310 having a flat surface, and the surface of the organic insulating film. It is implemented through processing. More specifically, the exposure-development-etching process is successively performed on the photoresist thin film while the photoresist thin film is formed on the top surface of the organic insulating film 317, so that the viewing angle enhancement embossing protrusion 317a is formed on the top surface of the organic insulating film 317. Is formed.

이처럼 어떠한 박막도 형성되지 않은 제 2 투명 기판(310)의 상면에 시야각 향상용 엠보싱 돌기(315)를 직접 형성하거나, 어떠한 박막도 형성되지 않은 제 2 투명 기판(310)의 상면에 유기 절연막(317)을 형성한 후, 시야각 향상용 엠보싱 돌기(317a)를 형성할 경우, 시야각 향상용 엠보싱 돌기(315,317a)를 매우 정밀하게 형성할 수 있는 장점을 갖는다.The embossing projection 315 for viewing angle enhancement is directly formed on the top surface of the second transparent substrate 310 on which no thin film is formed, or on the top surface of the second transparent substrate 310 on which no thin film is formed. ), And when the embossing projections 317a for viewing angle enhancement are formed, the embossing projections 315 and 317a for viewing angle enhancement can be formed very precisely.

한편, 제 2 투명 기판(310)에 도 13a에 도시된 시야각 향상용 엠보싱 돌기(315)가 형성된 상태에서 시야각 향상용 엠보싱 돌기(315)에는 도 13c에 도시된 바와 같이 광 반사/투과 박막(320) 및 광 반사 박막(330)이 형성된다.Meanwhile, in the state where the viewing angle enhancement embossing projection 315 shown in FIG. 13A is formed on the second transparent substrate 310, the light reflection / transmitting thin film 320 is formed on the viewing angle enhancement embossing projection 315 as shown in FIG. 13C. ) And the light reflecting thin film 330 are formed.

이를 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다. 먼저, 광 반사/투과 박막(320)은 일실시예로 약 20Å∼ 800Å의 매우 얇은 두께를 갖는 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 이루어지는데, 본 발명에서는 바람직한 일실시예로 알루미늄-네오디뮴 합금 박막이 사용된다. 광 반사/투과 박막(320)의 상면에는 전체 면적에 걸쳐 약 5000Å 정도로 광 반사/투과 박막(320)에 비하여 매우 후박한 광 반사 박막층(332)이 형성된다. 이때, 광 반사 박막층(332)은 일실시예로 은(Ag) 또는 은 합금으로 이루이진 은 박막이다.This will be described in more detail as follows. First, the light reflection / transmission thin film 320 is made of an aluminum or aluminum alloy having a very thin thickness of about 20 kPa to 800 kPa in one embodiment. In the present invention, an aluminum-neodymium alloy thin film is used. On the upper surface of the light reflection / transmission thin film 320, a light reflection thin film layer 332 which is very thin as compared to the light reflection / transmission thin film 320 is formed over about the entire area. At this time, the light reflecting thin film layer 332 is a silver thin film made of silver (Ag) or a silver alloy in one embodiment.

이와 같이, 광 반사/투과 박막(320) 및 광 반사 박막층(332)이 순차적으로형성된 상태에서 광 반사 박막층(332)의 상면에는 도 13d에 도시된 바와 같이 전면적에 걸쳐 포토레지스트 박막(331)이 형성된다. 이 포토레지스트 박막은 네거티브형 포토레지스트 박막이 사용된다.As described above, in the state where the light reflection / transmission thin film 320 and the light reflection thin film layer 332 are sequentially formed, the photoresist thin film 331 is formed on the top surface of the light reflection thin film layer 332 over the entire area as shown in FIG. 13D. Is formed. As the photoresist thin film, a negative photoresist thin film is used.

이 포토레지스트 박막(331)은 광 반사 박막층(332)의 상면에 상세하게 후술될 광 흡수층 및 광 투과창을 형성하기 위함이다.The photoresist thin film 331 is for forming a light absorbing layer and a light transmitting window to be described later in detail on the upper surface of the light reflecting thin film layer 332.

보다 구체적으로, 도 13d에 도시된 바와 같이 광 투과창을 형성하기 위해서 이미 형성된 포토레지스트 박막(331)의 상부에는 패턴 마스크(344)가 얼라인 된다.More specifically, as shown in FIG. 13D, the pattern mask 344 is aligned on the photoresist thin film 331 already formed to form the light transmitting window.

이 패턴 마스크(344)는 포토레지스트 박막(331)의 위치에 따라서 서로 다른 노광량이 도달되도록 하는 역할을 한다. 이때, 포토레지스트 박막(331) 중 노광량이 많은 위치는 광 반사 박막층(332) 중 도 9에 도시된 바와 같이 개구부(335)가 형성될 곳이고, 노광량이 적은 위치는 도 4에 도시된 게이트 라인(228) 및 데이터 라인(227)과 대향되는 곳이다.The pattern mask 344 serves to reach different exposure amounts according to the position of the photoresist thin film 331. At this time, the position where the exposure amount is high in the photoresist thin film 331 is a place where the opening 335 is formed in the light reflection thin film layer 332 as shown in FIG. 9, and the position where the exposure amount is low is the gate line shown in FIG. 4. 228 and data line 227.

따라서, 이와 같은 패턴 마스크(344)를 매개로 노광 공정이 진행됨에 따라 포토레지스트 박막(331)에는 도 13d에 도시된 바와 같이 광 투과창이 형성될 부분은 완전히 외부에 노출되고, 광 흡수층이 형성될 부분은 부분적으로만 노광이 수행된다.Accordingly, as the exposure process proceeds through the pattern mask 344, a portion of the photoresist thin film 331 on which the light transmitting window is to be formed is completely exposed to the outside, and a light absorbing layer is formed. In part, exposure is performed only partially.

이와 같은 상태에서, 포토레지스트 박막(331)은 도 13e에 도시된 바와 같이 에치-백(etch back) 공정에 의해서 전체가 식각 된다. 이 에치-백 공정이 진행되는 과정에서 포토레지스트 박막(331)에 의하여 가려지지 않는 부분의 광 반사 박막층(332)은 식각 되어 개구창(335)이 형성된다.In this state, the photoresist thin film 331 is entirely etched by an etch back process as shown in FIG. 13E. During the etch-back process, the light reflecting thin film layer 332 of the portion not covered by the photoresist thin film 331 is etched to form the opening window 335.

이하, 개구창(335)이 형성된 광 반사 박막에 새로운 도면번호 330을 부여하기로 하며, "광 반사 박막"이라 명명하기로 한다. 이에 따라서 광 반사 박막층(332)의 하부에 위치하던 광 반사/투과 박막(320)은 개구창(335)을 갖는 광 반사 박막(330)에 의하여 외부에 대하여 노출된다. 한편, 포토레지스트 박막(331)의 에치-백 공정에 의하여 포토레지스트 박막(331)에 가려진 부분 중 광 흡수층이 형성될 부분이 도 13e에 도시된 바와 같이 외부에 대하여 노출된다.Hereinafter, a new reference numeral 330 will be given to the light reflecting thin film on which the opening window 335 is formed, and will be referred to as "light reflecting thin film". Accordingly, the light reflection / transmission thin film 320 positioned below the light reflection thin film layer 332 is exposed to the outside by the light reflection thin film 330 having the opening window 335. Meanwhile, a portion of the portion of the photoresist thin film 331 covered by the photoresist thin film 331 to be formed with the light absorbing layer is exposed to the outside as shown in FIG. 13E.

이어서, 도 13f에 도시된 바와 같이 에치-백 공정에 의하여 포토레지스트 박막(331)으로부터 노출된 광 반사 박막(330)에는 광 흡수부인 은 산화막(370)이 형성된다. 광 반사 박막(330)의 산화는 오존 또는 은(Ag)만을 선택적으로 산화시키는 케미컬에 의하여 수행된다.Subsequently, as illustrated in FIG. 13F, a silver oxide film 370 that is a light absorbing portion is formed on the light reflection thin film 330 exposed from the photoresist thin film 331 by an etch-back process. Oxidation of the light reflecting thin film 330 is performed by a chemical that selectively oxidizes only ozone or silver (Ag).

이처럼 광 반사 박막(330)에 은 산화막(370)이 형성된 상태에서 남은 포토레지스트 박막이 제거된 상태에서 제 2 투명 기판(310)에는 컬러필터(350)가 형성된다. 이때, 컬러필터(350)는 레드 컬러필터, 그린 컬러필터, 블루 컬러필터로 구성된다. 본 발명에서는 일실시예로 레드 컬러필터를 형성하는 과정을 설명하기로 한다.As such, the color filter 350 is formed on the second transparent substrate 310 in a state in which the remaining photoresist thin film is removed while the silver oxide film 370 is formed on the light reflective thin film 330. In this case, the color filter 350 includes a red color filter, a green color filter, and a blue color filter. In the present invention, a process of forming a red color filter will be described.

이때, 일실시예로 레드 컬러필터(353)를 패터닝하는 공정이 도 13g 내지 도 13i에 도시되어 있다. 먼저, 도 13g에 도시된 바와 같이 제 2 투명 기판(310)의 전면적에 걸쳐 제 1 높이(h1)를 갖는 레드 컬러필터 물질로 레드 컬러필터 박막(353a)을 형성한다. 이때, 레드 컬러필터 박막(353a)은 광을 필터링 하여 레드 파장을 갖는 단색광을 발생시킨다. 이때, 레드 컬러필터 물질은 감광성 물질이다.또한, 이 레드 컬러필터 물질은 노광 되는 광량이 많을수록 반응성이 적은 네거티브형 감광물질이다.At this time, in one embodiment, a process of patterning the red color filter 353 is illustrated in FIGS. 13G to 13I. First, as illustrated in FIG. 13G, the red color filter thin film 353a is formed of a red color filter material having a first height h1 over the entire area of the second transparent substrate 310. At this time, the red color filter thin film 353a filters light to generate monochromatic light having a red wavelength. In this case, the red color filter material is a photosensitive material. In addition, the red color filter material is a negative photosensitive material which is less reactive as more light is exposed.

이와 같이 레드 컬러필터 물질이 제 2 투명 기판(310)의 전면적에 걸쳐 형성된 상태에서 레드 컬러필터 물질의 상면에는 도 13h에 도시된 바와 같은 패턴 마스크(353b)가 올려진다.As described above, in the state where the red color filter material is formed over the entire area of the second transparent substrate 310, the pattern mask 353b as shown in FIG. 13H is mounted on the top surface of the red color filter material.

이때, 도 13h 및 도 9를 참조하면 패턴 마스크(353b)는 광 투과창이 형성될 A 영역을 통과하는 광량이 가장 작고, A 영역을 제외한 나머지 영역에서는 상대적으로 많은 광이 공급된다.In this case, referring to FIGS. 13H and 9, the pattern mask 353b has the smallest amount of light passing through the A region where the light transmission window is to be formed, and a relatively large amount of light is supplied in the remaining regions except for the A region.

이와 같은 환경에서 현상이 진행됨으로써 A 영역에서의 레드 컬러필터 박막의 두께는 제 1 두께(h1)로 가장 두껍고, 두께는 일정한 두께를 갖는다.As the development proceeds in such an environment, the thickness of the red color filter thin film in region A is the thickest as the first thickness h1, and the thickness has a constant thickness.

이와 같은 공정은 레드 컬러필터(353)의 인접한 곳에 동일한 과정을 거쳐 A 영역에 근접한 C 영역에 그린 컬러필터(356)를 형성 및 다시 그린 컬러필터의 인접한 곳에 블루 컬러필터(미도시)에 공통적으로 적용된다.This process is similar to a blue color filter (not shown) adjacent to the red color filter 353 to form the green color filter 356 in the C region adjacent to the A region and again to the adjacent green color filter. Apply.

이어서, 도 13j에 도시된 바와 같이 컬러필터(350)의 상면에는 다시 평탄한 오버 코팅 박막(355)이 형성되고, 오버 코팅 박막(355)의 상면에는 투명한 도전성 물질인 인듐 틴 옥사이드 또는 인듐 징크 옥사이드 물질로 구성된 제 2 전극(360)이 형성된다.Subsequently, as shown in FIG. 13J, a flat overcoat thin film 355 is formed on the top surface of the color filter 350, and an indium tin oxide or indium zinc oxide material, which is a transparent conductive material, is formed on the top surface of the overcoat thin film 355. A second electrode 360 consisting of the second electrode 360 is formed.

이와 같은 과정을 거쳐 제작된 제 1 기판(200) 및 제 2 기판(300)은 모두 합착된 상태에서 제 1 기판(200) 및 제 2 기판(300)의 사이에는 액정이 주입되어 액정표시장치가 제조된다.The liquid crystal is injected between the first substrate 200 and the second substrate 300 in a state where both the first substrate 200 and the second substrate 300 manufactured through the above process are bonded together. Are manufactured.

이상에서 상세하게 설명한 바에 의하면, 반사형 또는 반사 투과형 액정표시장치에서 시야각 및 휘도 균일성을 향상시키기 위해 필요한 시야각 향상 돌기의 형성 과정에서 발생하는 문제점을 극복할 수 있도록 함은 물론 반사 투과형 액정표시장치의 큰 문제점 중 하나인 휘도 저하 문제를 해결할 수 있다.As described above in detail, the reflective or reflective transmissive liquid crystal display device can overcome the problems caused in the process of forming the viewing angle enhancement protrusion necessary to improve the viewing angle and luminance uniformity, as well as the reflective transmissive liquid crystal display device. It is possible to solve the problem of deterioration of luminance, which is one of the big problems.

앞서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.In the detailed description of the present invention described above with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art or those skilled in the art having ordinary knowledge in the scope of the invention described in the claims to be described later It will be understood that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the scope of the present invention.

Claims (9)

제 1 투명 기판과, 상기 제 1 투명 기판에 매트릭스 형태로 배열된 제 1 전극과, 각각의 상기 제 1 전극에 전원을 공급하는 전원 공급수단을 포함하는 제 1 기판;A first substrate comprising a first transparent substrate, a first electrode arranged in a matrix form on the first transparent substrate, and power supply means for supplying power to each of the first electrodes; 상기 제 1 투명 기판과 대향하며, 시야각 향상 수단이 형성된 제 2 투명 기판, 상기 제 2 투명기판으로부터 상기 제 1 투명 기판으로 향하는 제 1 광은 투과시키고, 상기 제 1 투명 기판으로부터 상기 제 2 투명기판을 향하는 제 2 광은 상기 제 1 광 방향으로 반사시키는 광 반사/투과 수단, 상기 광 반사/투과 수단의 일부에 일정한 두께로 형성된 컬러필터, 상기 컬러필터가 형성된 상기 제 2 투명 기판의 전면에 형성된 제 2 전극을 포함하는 제 2 기판; 및A second transparent substrate facing the first transparent substrate and having a viewing angle enhancement means; a first light directed from the second transparent substrate to the first transparent substrate, and transmitting from the first transparent substrate to the second transparent substrate The second light directed toward the light reflecting / transmitting means for reflecting in the first light direction, a color filter having a constant thickness on a part of the light reflecting / transmitting means, formed on the front surface of the second transparent substrate on which the color filter is formed. A second substrate comprising a second electrode; And 상기 제 1 기판 및 제 2 기판 사이에 주입된 액정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반사/투과형 액정표시장치.And a liquid crystal injected between the first substrate and the second substrate. 제 1 항에 있어서, 상기 시야각 향상 수단은 상기 제 1 투명 기판과 마주보는 상기 제 2 투명 기판의 표면에 형성된 시야각 향상용 요철들인 것을 특징으로 하는 반사/투과형 액정표시장치.The reflective / transmissive liquid crystal display device according to claim 1, wherein the viewing angle improving means is an unevenness for improving the viewing angle formed on the surface of the second transparent substrate facing the first transparent substrate. 제 1 항에 있어서, 상기 시야각 향상 수단은 상기 제 2 투명 기판을 덮은 상태에서 표면에 시야각 향상용 요철들이 형성된 유기 절연막인 것을 특징으로 하는반사/투과형 액정표시장치.The reflective / transmissive liquid crystal display device according to claim 1, wherein the viewing angle improving means is an organic insulating film formed with unevenness for improving viewing angle on a surface of the second transparent substrate. 제 1 항에 있어서, 상기 광 반사/투과 수단은 상기 제 1 투명 기판 쪽이 상기 제 2 투명 기판 쪽보다 밝을 때에는 상기 제 2 광을 반사시키고, 상기 제 2 투명 기판 쪽이 상기 제 1 투명 기판 쪽보다 밝을 때에는 상기 제 1 광을 투과시키는 광 반사/투과 박막인 것을 특징으로 하는 반사/투과형 액정표시장치.The method of claim 1, wherein the light reflecting / transmitting means reflects the second light when the first transparent substrate side is brighter than the second transparent substrate side, and the second transparent substrate side is the first transparent substrate side. When it is brighter, the reflection / transmission liquid crystal display device, characterized in that the light reflection / transmission thin film for transmitting the first light. 제 4 항에 있어서, 상기 광 반사/투과 박막은 20Å∼ 800Å의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 반사/투과형 액정표시장치.5. The reflection / transmission liquid crystal display device according to claim 4, wherein the light reflection / transmission thin film has a thickness of 20 kPa to 800 kPa. 제 1 항에 있어서, 상기 광 반사/투과 수단은 상기 제 1 투명 기판 쪽이 상기 제 2 투명 기판 쪽보다 밝을 때에는 상기 제 2 광을 반사시키고, 상기 제 2 투명 기판 쪽이 상기 제 1 투명 기판 쪽보다 밝을 때에는 상기 제 1 광을 투과시키는 광 반사/투과 박막, 상기 광 반사/투과 박막의 일부가 노출되도록 개구된 광 투과 영역 및 상기 광 투과 영역을 감싸며 상기 제 2 광을 반사시키는 광 반사 박막을 포함하며, 상기 컬러필터는 상기 광 투과 영역에 형성된 것을 특징으로 하는 반사/투과형 액정표시장치.The method of claim 1, wherein the light reflecting / transmitting means reflects the second light when the first transparent substrate side is brighter than the second transparent substrate side, and the second transparent substrate side is the first transparent substrate side. When it is brighter, a light reflection / transmission thin film for transmitting the first light, a light transmission region opened to expose a portion of the light reflection / transmission thin film, and a light reflection thin film surrounding the light transmission region and reflecting the second light And the color filter is formed in the light transmitting area. 제 1 항에 있어서, 상기 전원 공급수단은 매트릭스 형태로 상기 제 1 투명 기판에 배치된 박막 트랜지스터 및 상기 박막 트랜지스터를 구동하기 위한 게이트라인 및 데이터 라인으로 구성된 신호선으로 구성되며,The method of claim 1, wherein the power supply means is composed of a thin film transistor disposed on the first transparent substrate in the form of a matrix and a signal line consisting of a gate line and a data line for driving the thin film transistor, 박막 트랜지스터는 제 1 투명 기판에 제 1 면적으로 형성되며, 제 1 광반사율을 갖는 제 1 메탈 및 상기 제 1 광반사율보다 높은 제 2 광반사율을 갖는 제 2 메탈로 구성된 게이트 전극, 상기 게이트 전극과 절연되도록 형성되며 상기 제 1 면적 보다 작은 제 2 면적으로 형성된 채널층, 상기 채널층에 상호 쇼트 되지 않도록 형성된 소오스 전극 및 드레인 전극으로 구성되며, 상기 게이트 전극에 연결되는 게이트 라인은 투명한 도전성 물질로 구성된 것을 특징으로 하는 반사/투과형 액정표시장치.The thin film transistor is formed on a first transparent substrate with a first area, and includes a gate electrode comprising a first metal having a first light reflectance and a second metal having a second light reflectivity higher than the first light reflectance, the gate electrode; A channel layer formed to be insulated and formed with a second area smaller than the first area, a source electrode and a drain electrode formed so as not to short-circuit with the channel layer, and a gate line connected to the gate electrode is made of a transparent conductive material Reflective / transmissive liquid crystal display device characterized in that. 제 7 항에 있어서, 상기 제 1 메탈은 제 1 광반사율을 갖는 크롬 산화막이고, 상기 제 2 메탈은 제 1 광반사율보다 큰 제 2 광반사율을 갖는 크롬 박막인 것을 특징으로 하는 반사/투과형 액정표시장치.The liquid crystal display of claim 7, wherein the first metal is a chromium oxide film having a first light reflectance, and the second metal is a chromium thin film having a second light reflectivity greater than the first light reflectance. Device. 제 1 투명 기판에 미소 면적 단위로 전원을 공급하는 전원 공급장치를 형성 및 상기 전원 공급장치에 연결되는 투명한 제 1 전극을 형성하여 제 1 기판을 제조하는 단계;Manufacturing a first substrate by forming a power supply device for supplying power to the first transparent substrate in small area units, and forming a transparent first electrode connected to the power supply device; 시야각 향상 수단이 형성된 제 2 투명 기판의 제 1 영역에서는 상기 제 1 투명 기판으로 향하는 제 1 광은 투과시키고 상기 제 1 영역을 감싸는 제 2 영역에서는 상기 제 1 투명 기판으로부터 상기 제 2 투명기판을 향하는 제 2 광을 상기 제 1 광 방향으로 반사시키는 광 반사/투과 수단을 형성, 상기 광 반사/투과 수단의제 1 영역에 일정한 두께를 갖는 컬러필터를 형성, 상기 컬러필터가 형성된 상기 제 2 투명 기판의 전면에 제 2 전극을 형성하여 제 2 기판을 제조하는 제 2 단계;In the first region of the second transparent substrate on which the viewing angle enhancement means is formed, the first light directed to the first transparent substrate is transmitted, and in the second region surrounding the first region, the first transparent substrate is directed from the first transparent substrate to the second transparent substrate. Forming a light reflecting / transmitting means for reflecting a second light in the first light direction, forming a color filter having a constant thickness in the first region of the light reflecting / transmitting means, the second transparent substrate having the color filter formed thereon A second step of forming a second substrate by forming a second electrode on a front surface of the second substrate; 상기 제 1 기판 및 제 2 기판을 합착하는 단계; 및Bonding the first substrate and the second substrate to each other; And 합착된 상기 제 1 기판 및 제 2 기판 사이에 액정을 주입하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반사/투과형 액정표시장치의 제조 방법.And injecting a liquid crystal between the bonded first substrate and the second substrate.
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