KR20030066089A - Method of manufacturing liquid crystal display apparatus - Google Patents

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조종환
장용규
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삼성전자주식회사
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Abstract

PURPOSE: A method for manufacturing a liquid crystal display is provided to reduce the number of pattern masks required for forming an organic insulating film having an uneven structure, thereby reducing an inferior rate. CONSTITUTION: A non-photo sensitive material(160) including a plurality of photo sensitive particles(161) is applied on a first substrate(110). The plurality of photo sensitive particles are exposed. The exposed plurality of photo sensitive particles are developed. The non-photo sensitive material from which the photo sensitive particles have been removed is thermally processed to form an organic insulating film having an unevenness structure. A reflective electrode is formed on the organic insulating film in a uniform thickness. A second substrate is aligned. Liquid crystal is interposed between the first substrate and the second substrate.

Description

액정표시장치의 제조 방법{METHOD OF MANUFACTURING LIQUID CRYSTAL DISPLAY APPARATUS}Manufacturing method of liquid crystal display device {METHOD OF MANUFACTURING LIQUID CRYSTAL DISPLAY APPARATUS}

본 발명은 액정표시장치의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 전체적인 공정수를 감소시킬 수 있는 액정표시장치의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a liquid crystal display device, and more particularly, to a method for manufacturing a liquid crystal display device capable of reducing the overall number of steps.

오늘날과 같은 정보화 사회에 있어서 디스플레이 장치의 역할은 갈수록 중요해지며, 각종 디스플레이장치가 다양한 산업 분야에 광범위하게 사용되고 있다. 반도체 기술의 급속한 진보에 의해 각종 정보처리장치의 소형 및 경량화에 따라 디스플레이장치도 얇고 가벼우면서 또한, 저소비 전력의 특징을 갖춘 액정표시장치가 광범위하게 사용되고 있다.In today's information society, the role of display devices becomes more and more important, and various display devices are widely used in various industrial fields. BACKGROUND With the rapid advance of semiconductor technology, liquid crystal display devices having thin and light display devices and low power consumption are widely used in accordance with the miniaturization and light weight of various information processing devices.

이러한, 액정표시장치는 외부로부터 발생된 외부광을 제공받아 영상을 표시하는 투과형 액정표시장치와 자체적으로 생성된 자체광을 제공받아 영상을 표시하는 반사형 액정표시장치로 구분된다.The liquid crystal display device is classified into a transmissive liquid crystal display device which receives an external light generated from the outside and displays an image and a reflective liquid crystal display device which receives its own generated light and displays an image.

최근에는 전력의 소모를 줄이면서 고화질의 영상을 구현하기 위해 주변 광도에 적절한 시인성을 확보할 수 있는 반사-투과형 액정표시장치가 개발되고 있다.Recently, a reflection-transmissive liquid crystal display device that can secure visibility that is appropriate to ambient light has been developed to realize high quality images while reducing power consumption.

이와 같은, 반사-투과형 액정표시장치는 외부 광량이 풍부한 곳에서는 외부광을 이용하는 반사모드에서 영상을 디스플레이하고, 외부 광량이 부족한 곳에서는 자체에 충전된 전기 에너지를 소모하여 생성된 자체광을 이용하는 투과모드에서 영상을 디스플레이한다.Such a reflection-transmissive liquid crystal display displays an image in a reflection mode using external light where the amount of external light is abundant, and transmits using its own light generated by consuming electric energy charged therein when the amount of external light is insufficient. Display the image in mode.

최근에는 상기 반사-투과형 액정표시장치는 반사모드에서의 휘도는 화질을 향상시키기 위한 연구가 계속되고 있다. 이러한 추세에 부합하기 위한 종래의 반사-투과형 액정표시장치는 다음과 같은 구조를 갖는다.Recently, the reflection-transmissive liquid crystal display device has been continuously studied to improve the image quality of the luminance in the reflection mode. Conventional reflection-transmissive liquid crystal displays for meeting this trend have the following structure.

상기 반사-투과형 액정표시장치는 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor; 이하, TFT) 기판, 상기 TFT 기판과 대향하여 구비되는 컬러필터기판 및 상기 TFT 기판과 상기 컬러필터기판과의 사이에 주입된 액정층으로 이루어진다.The reflection-transmissive liquid crystal display device includes a thin film transistor (hereinafter, referred to as TFT) substrate, a color filter substrate provided to face the TFT substrate, and a liquid crystal layer injected between the TFT substrate and the color filter substrate. Is done.

상기 TFT 기판에는 다수의 TFT와 화소전극이 형성되고, 상기 다수의 TFT와 화소전극과의 사이에는 상기 TFT의 드레인 전극을 제외한 나머지 부분과 상기 화소전극을 절연시키기 위한 유기 절연막이 개재된다.A plurality of TFTs and pixel electrodes are formed on the TFT substrate, and an organic insulating film for insulating the pixel electrode and the remaining portion except the drain electrode of the TFT is interposed between the plurality of TFTs and the pixel electrodes.

상기 유기 절연막 상에는 상기 드레인 전극과 접촉되는 화소전극이 형성된다. 이때, 상기 화소전극은 상기 컬러필터기판을 통해 입사된 상기 외부광을 반사하여 다시 상기 컬러필터기판을 통해 외부로 출사시키기 위한 반사전극 및 상기 TFT 기판의 후면에 배치된 광원부(미도시)로부터 입사된 자체광을 그대로 투과시키기 위한 투명전극을 동시에 포함하고 있다.A pixel electrode in contact with the drain electrode is formed on the organic insulating layer. In this case, the pixel electrode is incident from a reflecting electrode for reflecting the external light incident through the color filter substrate and exiting through the color filter substrate to the outside and a light source unit (not shown) disposed on the rear surface of the TFT substrate. It includes a transparent electrode for transmitting the self-light as it is.

이때, 상기 반사전극에 의해 반사되는 상기 외부광의 반사량을 증가시키고, 상기 외부광의 출사각을 조절하여 반사-투과형 액정표시장치의 시야각을 향상시키기 위해서 상기 유기 절연막의 표면을 요철구조로 형성하는 제조 공정을 필요로 한다. 이를 “엠보싱 공정”이라 한다.In this case, in order to increase the amount of reflection of the external light reflected by the reflective electrode, and to adjust the emission angle of the external light to improve the viewing angle of the reflection-transmissive liquid crystal display device, the surface of the organic insulating film is formed in a concave-convex structure. need. This is called "embossing process".

여기서, 상기 엠보싱 공정을 수행하는 과정을 도 1a 내지 도 1d를 참조하여 설명한다.Here, the process of performing the embossing process will be described with reference to FIGS. 1A to 1D.

도 1a 내지 도 1d는 종래의 제조 방법에 따라 박막 트랜지스터 기판에 요철구조를 갖는 유기 절연막을 형성하는 공정을 나타낸 단면도들이다.1A to 1D are cross-sectional views illustrating a process of forming an organic insulating film having an uneven structure on a thin film transistor substrate according to a conventional manufacturing method.

도 1a를 참조하면, 상기 절연 기판(10) 상에는 게이트 전극(21), 드레인 전극(22) 및 소오스 전극(23)을 포함하는 TFT(20)가 형성되고, 그 위로 유기 절연막(30)이 도포된다. 이후, 상기 유기 절연막(30) 중 콘택홀(미도시)이 형성될 영역을 완전하게 노광하기 위한 패턴이 형성되어 있는 제1 마스크(40)를 상기 유기 절연막(30) 상에 배치시켜 상기 유기 절연막(30)을 1차로 노광한다.Referring to FIG. 1A, a TFT 20 including a gate electrode 21, a drain electrode 22, and a source electrode 23 is formed on the insulating substrate 10, and an organic insulating layer 30 is coated thereon. do. Subsequently, a first mask 40 having a pattern for completely exposing a region where a contact hole (not shown) is to be formed in the organic insulating layer 30 is disposed on the organic insulating layer 30, thereby forming the organic insulating layer 30. (30) is first exposed.

다음, 도 1b를 참조하면, 상기 유기 절연막(30) 상에 다수의 그루브(미도시)를 형성하기 위하여 상기 그루부에 대응하는 영역을 노광하기 위한 패턴이 형성되어 있는 제2 마스크(50)를 배치시켜 상기 유기 절연막(30)을 2차로 노광한다.Next, referring to FIG. 1B, in order to form a plurality of grooves (not shown) on the organic insulating layer 30, a second mask 50 having a pattern for exposing a region corresponding to the grooves is formed. The organic insulating film 30 is secondarily exposed by disposing it.

이후, 도 1c에 도시된 바와 같이, 상기 유기 절연막(30)의 노광된 영역을 현상하는 현상 공정에 의해 상기 드레인 전극(23)을 노출시키는 콘택홀(31)과, 다수의 그루브(32)를 형성한다.Thereafter, as illustrated in FIG. 1C, the contact hole 31 exposing the drain electrode 23 and the plurality of grooves 32 are exposed by a developing process of developing the exposed region of the organic insulating layer 30. Form.

도 1d를 참조하면, 상기 유기 절연막(30)의 표면을 매끄럽게 하기 위한 열처리 공정을 수행함으로써, 상기 유기 절연막(30)은 상대적으로 낮은 높이를 갖는 함몰 영역(33)과 상대적으로 높은 높이를 갖는 돌출 영역(34)이 반복적으로 나타나는 요철구조를 갖는다.Referring to FIG. 1D, by performing a heat treatment process to smooth the surface of the organic insulating layer 30, the organic insulating layer 30 protrudes with the recessed region 33 having a relatively low height and a relatively high height. The region 34 has a concave-convex structure in which the region 34 repeatedly appears.

이후, 도면에 도시하지는 않았지만, 이와 같은 요철구조를 갖는 상기 유기 절연막(30) 상에 반사 전극을 증착하는 공정이 수행된다. 이때, 상기 반사 전극은 상기 유기 절연막(30)과 동일한 요철 구조를 갖기 때문에 상기 외부광의 반사량이 증가되고, 상기 반사-투과형 액정표시장치의 시야각이 향상된다.Subsequently, although not shown in the drawings, a process of depositing a reflective electrode on the organic insulating layer 30 having such an uneven structure is performed. In this case, since the reflective electrode has the same concave-convex structure as the organic insulating layer 30, the reflection amount of the external light is increased, and the viewing angle of the reflection-transmissive liquid crystal display device is improved.

그러나, 상기 유기 절연막(30)을 제조하기 위해서는 2매 패턴 마스크(40, 50)를 사용하기 때문에 제조 공정 수가 많으며 공정이 어렵고, 이에 따라 반사-투과형 액정표시장치의 제조기간이 길어짐은 물론 제조 공정수 및 제조기간 증가에 따라 빈번한 공정 불량이 발생되는 문제점을 갖는다.However, since the two-pattern masks 40 and 50 are used to manufacture the organic insulating layer 30, the number of manufacturing processes is large and the process is difficult. As a result, the manufacturing period of the reflection-transmissive liquid crystal display device becomes long, and of course, the manufacturing process. As the number and manufacturing period increase, frequent process defects occur.

따라서, 본 발명의 목적은 전체 제조 공정 수를 감소시킬 수 있는 액정표시장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a liquid crystal display device which can reduce the total number of manufacturing processes.

도 1a 내지 도 1d는 종래의 제조 방법에 따라 박막 트랜지스터 기판에 요철구조를 갖는 유기 절연막을 형성하는 공정을 나타낸 단면도들이다.1A to 1D are cross-sectional views illustrating a process of forming an organic insulating film having an uneven structure on a thin film transistor substrate according to a conventional manufacturing method.

도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 반사-투과형 액정표시장치를 구체적으로 나타낸 단면도이다.2 is a cross-sectional view showing in detail a reflection-transmissive liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.

도 3a 내지 도 3f는 본 발명의 제1 실시예에 따라 박막 트랜지스터 기판에 요철구조를 갖는 유기 절연막을 형성하는 공정을 구체적으로 나타낸 단면도들이다.3A to 3F are cross-sectional views illustrating in detail a process of forming an organic insulating layer having a concave-convex structure on a thin film transistor substrate according to a first embodiment of the present invention.

도 4a 내지 도 4d는 본 발명의 제2 실시예에 따라 박막 트랜지스터 기판에 요철구조를 갖는 유기 절연막을 형성하는 공정을 구체적으로 나타낸 단면도들이다.4A to 4D are cross-sectional views illustrating in detail a process of forming an organic insulating layer having a concave-convex structure on a thin film transistor substrate according to a second embodiment of the present invention.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 액정표시장치의 제조 방법은, ⅰ) 제1 기판 상에 다수의 감광성 입자들을 포함하고 있는 비감광성 물질을 도포하는 단계, ⅱ) 상기 다수의 감광성 입자를 노광하는 단계, ⅲ) 노광된 상기 다수의 감광성 입자를 현상하는 단계, ⅳ) 상기 다수의 감광성 입자가 제거된 상기 비감광성 물질을 열처리하여 요철 구조를 갖는 유기 절연막을 형성하는 단계, ⅴ) 상기 유기 절연막 상에 반사전극을 균일한 두께로 형성하는 단계, ⅵ) 상기 제1 기판과 대향하여 구비되는 제2 기판을 얼라인먼트하는 단계 및 ⅶ) 상기 제1 기판과 상기 제2 기판과의 사이에 액정을 주입하는 단계를 포함한다.Method for manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention for achieving the above object, i) applying a non-photosensitive material comprising a plurality of photosensitive particles on a first substrate, ii) applying a plurality of photosensitive particles Exposing, iv) developing the plurality of exposed photosensitive particles, iii) heat treating the non-photosensitive material from which the plurality of photosensitive particles have been removed to form an organic insulating film having an uneven structure, iii) the organic Forming a reflective electrode with a uniform thickness on the insulating film, i) aligning a second substrate provided to face the first substrate, and iii) forming a liquid crystal between the first substrate and the second substrate. Injecting.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 액정표시장치의 제조 방법은, ⅰ) 제1 기판 상에 다수의 입자를 포함하고 있는 유기 절연막을 도포하는 단계, ⅱ) 상기 유기 절연막 상에 반사전극을 형성하는 단계, ⅲ) 상기 제1 기판과 대향하여 구비되는 제2 기판을 얼라인먼트하는 단계 및 ⅳ) 상기 제1 기판과 상기 제2 기판과의 사이에 액정을 주입하는 단계를 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a liquid crystal display device, including: i) applying an organic insulating film including a plurality of particles on a first substrate, and ii) applying a reflective electrode on the organic insulating film. Forming, iii) aligning a second substrate provided opposite the first substrate, and iii) injecting a liquid crystal between the first substrate and the second substrate.

이때, 상기 다수의 입자의 직경은 상기 유기 절연막이 상기 제1 기판 상에 적층된 높이보다 크다.In this case, the diameter of the plurality of particles is greater than the height of the organic insulating layer laminated on the first substrate.

본 발명에 따르면, 제1 기판 상에 요철 구조를 갖는 유기 절연막을 형성하는 공정에서, 상기 제1 기판 상에 다수의 감광성 입자를 포함하는 비감광성 물질을 도포한 후 상기 감광성 입자들을 패터닝하여 요철 구조를 갖는 유기 절연막을 형성하는 방법을 이용한다. 따라서, 액정표시장치를 제조하기 위한 공정의 수를 절감시킬수 있다.According to the present invention, in the process of forming an organic insulating film having a concave-convex structure on the first substrate, after applying a non-photosensitive material including a plurality of photosensitive particles on the first substrate patterning the photosensitive particles and the concave-convex structure The method of forming the organic insulating film which has a is used. Therefore, the number of processes for manufacturing the liquid crystal display device can be reduced.

이하, 첨부한 도면을 참조하여, 본 발명을 보다 상세하게 설명하고자 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, it will be described in detail the present invention.

도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 반사-투과형 액정표시장치를 구체적으로 나타낸 단면도이다.2 is a cross-sectional view showing in detail a reflection-transmissive liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 반사-투과형 액정표시장치는 영상을 디스플레이 하기 위한 액정표시패널(400)과 상기 액정표시패널(400)에 광을 공급하기 위한 백라이트 어셈블리(미도시)를 포함한다.Referring to FIG. 2, the reflection-transmissive liquid crystal display includes a liquid crystal display panel 400 for displaying an image and a backlight assembly (not shown) for supplying light to the liquid crystal display panel 400.

상기 액정표시패널(400)은 TFT 기판(100), 상기 TFT 기판(100)과 대향하여 구비되는 컬러필터기판(200) 및 상기 TFT 기판(100)과 상기 컬러필터기판(200)과의 사이에 주입된 액정층(300)으로 이루어진다.The liquid crystal display panel 400 includes a TFT substrate 100, a color filter substrate 200 provided to face the TFT substrate 100, and a gap between the TFT substrate 100 and the color filter substrate 200. The liquid crystal layer 300 is injected.

상기 TFT 기판(100)은 유리, 석영 또는 사파이어와 같은 절연 물질로 이루어진 투명한 제1 기판(110) 상에 다수의 TFT(120)가 형성된 기판이다.The TFT substrate 100 is a substrate on which a plurality of TFTs 120 are formed on a transparent first substrate 110 made of an insulating material such as glass, quartz, or sapphire.

즉, 상기 TFT 기판(100) 상에는 게이트 전극(121), 드레인 전극(126) 및 소오스 전극(125)을 포함하는 상기 TFT(120)가 형성되고, 그 위로 유기 절연막(130)이 형성된다.That is, the TFT 120 including the gate electrode 121, the drain electrode 126, and the source electrode 125 is formed on the TFT substrate 100, and the organic insulating layer 130 is formed thereon.

상기 유기 절연막(130)은 상기 드레인 전극(126)을 부분적으로 노출시키기 위한 콘택홀(131)을 포함하고 있으며, 상기 유기 절연막(130)의 표면은 돌출 영역(133)과 함몰 영역(132)이 반복적으로 나타나는 요철구조를 갖는다. 여기서, 상기 돌출 영역(133)은 상기 제1 기판(110)으로부터의 높이가 상대적으로 높은 영역이고, 상기 함몰 영역(132)은 상기 제1 기판(110)으로부터의 높이가 상대적으로낮은 영역이다.The organic insulating layer 130 includes a contact hole 131 for partially exposing the drain electrode 126. The surface of the organic insulating layer 130 has a protruding region 133 and a recessed region 132. It has an uneven structure that appears repeatedly. Here, the protruding region 133 is a region where the height from the first substrate 110 is relatively high, and the recessed region 132 is a region where the height from the first substrate 110 is relatively low.

상기 유기 절연막(130) 상에는 인듐 틴 옥사이드(Indum Thin Oxide; 이하, ITO) 또는 인듐 징크 옥사이드(Indum Zinc Oxide; IZO)로 이루어진 투명전극(140)이 균일한 두께로 제공된다. 따라서, 상기 투명전극(140)은 상기 유기 절연막(130)의 표면 구조와 동일한 표면 구조를 갖는다.On the organic insulating layer 130, a transparent electrode 140 made of indium thin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO) is provided to have a uniform thickness. Therefore, the transparent electrode 140 has the same surface structure as that of the organic insulating layer 130.

상기 투명전극(140) 상에는 상기 투명전극(140)을 부분적으로 노출시키기 위한 투과창(151)이 형성된 반사전극(150)이 균일한 두께로 제공된다. 여기서, 상기 반사전극(150)은 상기 유기 절연막(130)의 표면 구조과 동일한 표면 구조를 갖는다.On the transparent electrode 140, a reflective electrode 150 having a transmission window 151 for partially exposing the transparent electrode 140 is provided to have a uniform thickness. Here, the reflective electrode 150 has the same surface structure as the surface structure of the organic insulating layer 130.

따라서, 상기 반사전극(150)이 플랫하게 형성될 때보다 넓은 표면적을 확보할 수 있다. 이로 인해, 상기 반사-투과형 액정표시장치의 외부로부터 발생되어 상기 TFT 기판(100)으로 입사되는 외부광(L1)이 상기 반사전극(150)에 반사되는 양을 증가시켜 상기 반사-투과형 액정표시장치의 휘도를 증가시킨다. 또한, 상기 반사전극(150)의 표면을 요철구조로 형성함으로써, 상기 외부광(L1)의 출사각을 조절하여 상기 반사-투과형 액정표시장치의 시야각을 향상시킬 수 있다.Therefore, a larger surface area than that when the reflective electrode 150 is formed flat can be ensured. As a result, the reflection-transmissive liquid crystal display is increased by increasing the amount of external light L1 generated from the outside of the reflection-transmissive liquid crystal display and incident on the TFT substrate 100 to be reflected on the reflective electrode 150. To increase the brightness. In addition, by forming the surface of the reflective electrode 150 in the concave-convex structure, it is possible to improve the viewing angle of the reflection-transmissive liquid crystal display by adjusting the exit angle of the external light (L1).

상기 투과창(151)은 상기 백라이트 어셈블리로부터 생성되어 상기 액정표시패널(400)의 TFT 기판(100)의 후면 측으로부터 입사된 자체광(L2)을 그대로 투과시킨다.The transmission window 151 is generated from the backlight assembly to transmit the self-light L2 incident from the rear side of the TFT substrate 100 of the liquid crystal display panel 400 as it is.

한편, 상기 컬러필터기판(200)은 유리, 석영 또는 사파이어와 같은 절연 물질로 이루어진 투명한 제2 기판(210) 상에 RGB 색화소(220) 및 공통전극(230)이 형성된 기판이다. 상기 컬러필터기판(200)에 RGB 색화소(220)가 형성되면, 그 위로 상기 공통전극(230)이 균일한 두께로 제공된다. 이때, 상기 컬러필터기판(200)은 상기 공통전극(230)이 상기 TFT 기판(100)의 투명전극(140) 및 반사전극(150)과 마주보도록 배치된다.Meanwhile, the color filter substrate 200 is a substrate on which an RGB color pixel 220 and a common electrode 230 are formed on a transparent second substrate 210 made of an insulating material such as glass, quartz, or sapphire. When the RGB color pixel 220 is formed on the color filter substrate 200, the common electrode 230 is provided with a uniform thickness thereon. In this case, the color filter substrate 200 is disposed such that the common electrode 230 faces the transparent electrode 140 and the reflective electrode 150 of the TFT substrate 100.

이와 같이 상기 TFT 기판(100)과 상기 컬러필터기판(200)이 서로 결합되면, 그 사이로 액정(300)이 주입된다. 이로써, 상기 액정표시패널(400)이 완성된다.As such, when the TFT substrate 100 and the color filter substrate 200 are coupled to each other, the liquid crystal 300 is injected therebetween. As a result, the liquid crystal display panel 400 is completed.

상기 반사-투과형 액정표시장치는 상기 외부광(L1)의 양이 풍부할 때에는 상기 외부광(L1)을 상기 반사전극(150)에 의해 반사시킴으로써 영상을 표시하고, 상기 외부광(L1)의 양이 부족할 때에는 상기 자체광(L2)을 상기 투과창(151)을 통해 투과시킴으로써 영상을 표시한다.The reflection-transmissive liquid crystal display displays an image by reflecting the external light L1 by the reflective electrode 150 when the amount of the external light L1 is abundant, and displays the amount of the external light L1. When this is insufficient, the image is displayed by transmitting the self-light L2 through the transmission window 151.

이하, 상기 TFT 기판(100)에 요철구조를 갖는 상기 유기 절연막(130)을 형성하는 과정을 도면을 참조하여 구체적으로 설명한다.Hereinafter, a process of forming the organic insulating layer 130 having an uneven structure on the TFT substrate 100 will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3a 내지 도 3f는 본 발명의 제1 실시예에 따라 박막 트랜지스터 기판에 요철구조를 갖는 유기 절연막을 형성하는 공정을 구체적으로 나타낸 단면도들이다.3A to 3F are cross-sectional views illustrating in detail a process of forming an organic insulating layer having a concave-convex structure on a thin film transistor substrate according to a first embodiment of the present invention.

도 3a를 참조하면, 상기 제1 절연 기판(110) 상에는 게이트 전극(121), 소오스 전극(125) 및 드레인 전극(126)을 포함하는 TFT(120)가 형성된다.Referring to FIG. 3A, a TFT 120 including a gate electrode 121, a source electrode 125, and a drain electrode 126 is formed on the first insulating substrate 110.

먼저, 상기 제1 절연 기판(110) 상에는 알루미늄(Al), 크롬(Cr) 또는 몰리브덴 텅스텐(MoW)으로 이루어진 제1 금속막(미도시)을 증착한 후 패터닝하여 게이트 전극(121)을 형성한다. 이후, 상기 게이트 전극(121) 및 상기 게이트 전극(121)을 제외한 상기 제1 절연 기판(110) 상에 실리콘 산화물로 이루어진 게이트절연막(122)을 제공한다.First, a first metal film (not shown) made of aluminum (Al), chromium (Cr), or molybdenum tungsten (MoW) is deposited on the first insulating substrate 110, and then patterned to form a gate electrode 121. . Thereafter, the gate insulating layer 122 made of silicon oxide is provided on the first insulating substrate 110 except for the gate electrode 121 and the gate electrode 121.

그후, 상기 게이트 절연막(122) 상에 아몰퍼스 실리콘막과 인 시튜(in-situ)로 도핑된 n+아몰퍼스 실리콘막을 플라즈마 화학 기상 증착 방법으로 차례로 적층한다. 다음, 적층된 아몰퍼스 실리콘막과 n+아몰퍼스 실리콘막을 패터닝하여 상기 게이트 전극과 대응하는 영역에 반도체층(123) 및 오믹 콘택층(124)을 형성한다. 여기서, 아몰퍼스 실리콘막에 소정의 강도를 갖는 레이저를 조사하여 상기 반도체층(123)을 폴리 실리콘 층으로 전환시킬 수도 있다.Thereafter, an amorphous silicon film and an n + amorphous silicon film doped in-situ are sequentially stacked on the gate insulating film 122 by a plasma chemical vapor deposition method. Next, the stacked amorphous silicon film and the n + amorphous silicon film are patterned to form the semiconductor layer 123 and the ohmic contact layer 124 in a region corresponding to the gate electrode. The semiconductor layer 123 may be converted into a polysilicon layer by irradiating an amorphous silicon film with a laser having a predetermined intensity.

이후, 상기 오믹 콘택층(124)과 일부 중첩되도록 상기 게이트 절연막(122) 상에 소오스 및 드레인 전극(125, 126)이 형성된다. 이로써, 상기 제1 절연 기판(110) 상에 상기 TFT(120)가 형성된다.Then, source and drain electrodes 125 and 126 are formed on the gate insulating layer 122 to partially overlap the ohmic contact layer 124. As a result, the TFT 120 is formed on the first insulating substrate 110.

도 3b를 참조하면, 상기 TFT(120)가 형성된 제1 절연 기판(110) 상에 다수의 감광성 입자(161)를 포함하고 있는 비감광성 물질(160)을 도포한다.Referring to FIG. 3B, a non-photosensitive material 160 including a plurality of photosensitive particles 161 is coated on the first insulating substrate 110 on which the TFT 120 is formed.

상기 비감광성 물질(160)은 투명하고, 광에 의해 반응하지 않는 폴리-카보네이트(poly-carbonate) 또는 폴리-아릴레이트(poly-arylate)로 이루어지고, 상기 다수의 감광성 입자(161)는 광에 의해 반응하는 아크릴 수지와 같이 고분자 입자들로 이루어진다. 또한, 상기 감광성 입자(161)는 상기 비감광성 물질(160)에 섞기지 않도록 상기 비감광성 물질(160)의 점도와 다른 점도를 갖는다.The non-photosensitive material 160 is made of poly-carbonate or poly-arylate that is transparent and does not react with light, and the plurality of photosensitive particles 161 are exposed to light. It consists of polymer particles like acrylic resin reacted by. In addition, the photosensitive particles 161 may have a viscosity different from that of the non-photosensitive material 160 so as not to be mixed with the non-photosensitive material 160.

여기서, 상기 다수의 감광성 입자(161)의 직경에 따라 공정 방법을 두 가지 경우로 구분하여 설명한다. 즉, 첫 번째는 상기 다수의 감광성 입자(161)의직경(d1)이 상기 비감광성 물질(160)의 높이(d2)보다 작거나 같은 경우이고, 두 번째는 상기 다수의 감광성 입자의 직경(d1)이 상기 비감광성 물질의 높이(d2)보다 큰 경우이다.Here, the process method is divided into two cases according to the diameter of the plurality of photosensitive particles 161 will be described. That is, the first is when the diameter (d1) of the plurality of photosensitive particles 161 is less than or equal to the height (d2) of the non-photosensitive material 160, the second is the diameter (d1) of the plurality of photosensitive particles ) Is greater than the height d2 of the non-photosensitive material.

먼저, 첫 번째 경우를 설명하고, 두 번째 경우는 도 4a 내지 도 4d를 참조하여 후술한다.First, the first case will be described, and the second case will be described later with reference to FIGS. 4A to 4D.

도 3b에 도시된 바와 같이, 상기 다수의 감광성 입자(161)의 직경(d1)이 상기 비감광성 물질(160)의 높이(d2)보다 작기 때문에, 상기 다수의 감광성 입자(161)는 상기 비감광성 물질(160)에 의해 완전하게 커버된다. 이때, 상기 다수의 감광성 입자(161)들 중 어느 하나는 상기 드레인 전극(126) 상에 배치된다.As shown in FIG. 3B, since the diameter d1 of the plurality of photosensitive particles 161 is smaller than the height d2 of the non-photosensitive material 160, the plurality of photosensitive particles 161 may be non-photosensitive. Completely covered by material 160. In this case, any one of the plurality of photosensitive particles 161 is disposed on the drain electrode 126.

이후, 상기 다수의 감광성 입자(161)를 노광한다. 여기서, 상기 다수의 감광성 입자(161)가 상기 비감광성 물질(160)에 의해 완전하게 커버되었을지라도, 상기 비감광성 물질(160)이 투명하기 때문에 충분히 노광될 수 있다.Thereafter, the plurality of photosensitive particles 161 are exposed. Here, even if the plurality of photosensitive particles 161 are completely covered by the non-photosensitive material 160, the non-photosensitive material 160 may be sufficiently exposed because it is transparent.

이후, 노광된 상기 다수의 감광성 입자(161)를 현상하면, 도 3c에 도시된 바와 같이, 상기 다수의 감광성 입자(161)는 제거되고, 상기 비감광성 물질(160)만 남게된다.Thereafter, when the exposed plurality of photosensitive particles 161 are developed, as shown in FIG. 3C, the plurality of photosensitive particles 161 are removed and only the non-photosensitive material 160 remains.

이때, 상기 다수의 감광성 입자(161)가 제거됨으로써, 상기 TFT(120)의 드레인 전극(126)을 완전하게 노출시킨다.In this case, the plurality of photosensitive particles 161 are removed to completely expose the drain electrode 126 of the TFT 120.

다음, 상기 비감광성 물질(160)에 소정의 열을 가하면, 상기 비감광성 물질(160)은 상기 열에 의해 변형되어 상기 다수의 감광성 입자(161)가 제거된 영역과 대응하는 부분에서는 상기 비감광성 물질(160)이 내려앉게 된다. 즉, 상대적으로 높이가 높은 돌출영역(133)과 상대적으로 높이가 낮은 함몰영역(132)이 반복적으로 나타나는 표면구조를 갖는 유기 절연막(130)이 형성된다.Next, when a predetermined heat is applied to the non-photosensitive material 160, the non-photosensitive material 160 is deformed by the heat to correspond to an area where the plurality of photosensitive particles 161 are removed. 160 will fall. That is, the organic insulating layer 130 having a surface structure in which the protruding region 133 having a relatively high height and the recessed region 132 having a relatively low height is repeatedly formed is formed.

또한, 상기 드레인 전극(126)과 대응하는 위치에는 상기 유기 절연막(130)이 완전하게 제거되어 상기 드레인 전극(126)을 노출시키기 위한 콘택홀(131)이 형성된다.In addition, the organic insulating layer 130 is completely removed at a position corresponding to the drain electrode 126 to form a contact hole 131 for exposing the drain electrode 126.

이후, 도 3e에 도시된 바와 같이 상기 유기 절연막(130) 상에는 ITO 또는 IZO로 이루어진 투명전극(140)이 균일한 두께로 도포된다. 여기서, 상기 투명전극(140)은 상기 유기 절연막(130)의 표면구조와 동일한 표면 구조를 갖는다.Thereafter, as illustrated in FIG. 3E, the transparent electrode 140 made of ITO or IZO is coated with a uniform thickness on the organic insulating layer 130. Here, the transparent electrode 140 has the same surface structure as that of the organic insulating layer 130.

도 3f에 도시된 바와 같이, 상기 투명전극(140) 상에는 상기 투명전극(140)을 부분적으로 노출시키기 위한 투과창(151)이 형성된 반사전극이 균일한 두께로 적층된다. 상기 반사전극(150)은 반사율이 뛰어난 알루미늄(Al), 은(Ag), 알루미늄-구리(Al-Cu)의 합금 또는 알루미늄-실리콘-구리(Al-Si-Cu)의 합금과 같이 반사율이 뛰어난 금속으로 이루어진다. 여기서, 상기 반사전극(150)은 상기 유기 절연막(130)의 표면구조와 동일한 표면 구조를 갖는다.As shown in FIG. 3F, the reflective electrode having the transmission window 151 for partially exposing the transparent electrode 140 is stacked on the transparent electrode 140 with a uniform thickness. The reflective electrode 150 has excellent reflectance such as an alloy of aluminum (Al), silver (Ag), aluminum-copper (Al-Cu) or an alloy of aluminum-silicon-copper (Al-Si-Cu), which has excellent reflectance. Made of metal. Here, the reflective electrode 150 has the same surface structure as that of the organic insulating layer 130.

이하, 도 4a 내지 도 4d를 참조하여 상술한 두 번째 경우를 구체적으로 설명한다. 즉, 두 번째 경우는 상기 다수의 감광성 입자의 직경(d1)이 상기 비감광성 물질의 높이(d2)보다 큰 경우이다.Hereinafter, the second case described above with reference to FIGS. 4A to 4D will be described in detail. That is, in the second case, the diameter d1 of the plurality of photosensitive particles is larger than the height d2 of the non-photosensitive material.

도 4a 내지 도 4d는 본 발명의 제2 실시예에 따라 박막 트랜지스터 기판에 요철구조를 갖는 유기 절연막을 형성하는 공정을 구체적으로 나타낸 단면도들이다.4A to 4D are cross-sectional views illustrating in detail a process of forming an organic insulating layer having a concave-convex structure on a thin film transistor substrate according to a second embodiment of the present invention.

도 4a를 참조하면, 상기 다수의 감광성 입자(171)의 직경(d1)은 상기 비감광성 물질(170)의 높이(d2)보다 크기 때문에 상기 다수의 감광성 입자(171)는 상기 비감광성 물질(170)에 의해 완전하게 커버되지 않고 부분적으로 노출된다.Referring to FIG. 4A, since the diameter d1 of the plurality of photosensitive particles 171 is greater than the height d2 of the non-photosensitive material 170, the plurality of photosensitive particles 171 may include the non-photosensitive material 170. It is not completely covered by, but partially exposed.

여기서, 다수의 감광성 입자(171) 중 제1 및 제2 감광성 입자(171a, 171b)는 상기 드레인 전극(126)을 노출시키기 위한 콘택홀(미도시)이 형성될 위치에 배치된다.Here, the first and second photosensitive particles 171a and 171b of the plurality of photosensitive particles 171 are disposed at positions where a contact hole (not shown) for exposing the drain electrode 126 is formed.

도 4a에 도시된 바와 같이, 상기 비감광성 물질(170) 상에 콘택홀이 형성될 영역에 대응하는 패턴이 형성되어 있는 제1 마스크(180)를 배치시킨 후, 제1 및 제2 감광성 입자(171a, 171b)를 노광한다.As shown in FIG. 4A, after the first mask 180 having the pattern corresponding to the region where the contact hole is to be formed is disposed on the non-photosensitive material 170, the first and second photosensitive particles ( 171a and 171b are exposed.

도 4b를 참조하면, 노광된 상기 제1 및 제2 감광성 입자들(171a, 171b)을 현상하면, 상기 비감광성 물질(170)에서 상기 제1 및 제2 감광성 입자들(171a, 171b)만 제거됨으로써 상기 콘택홀(131)이 형성된다.Referring to FIG. 4B, when the exposed first and second photosensitive particles 171a and 171b are developed, only the first and second photosensitive particles 171a and 171b are removed from the non-photosensitive material 170. As a result, the contact hole 131 is formed.

이때, 상기 다수의 감광성 입자(171)의 직경(d1)은 상기 비감광성 물질(170)의 높이(d2)보다 크기 때문에 상기 다수의 감광성 입자(171)의 일부분이 상기 비감광성 물질(170)에 커버되지 않고 노출된다. 따라서, 상대적으로 낮은 높이를 갖는 돌출 영역(136)과 상대적으로 높은 높이를 갖는 함몰 영역(135)이 반복적으로 나타나는 표면구조를 갖는 유기 절연막(130)이 형성된다.In this case, since the diameter d1 of the plurality of photosensitive particles 171 is greater than the height d2 of the non-photosensitive material 170, a part of the plurality of photosensitive particles 171 may be formed on the non-photosensitive material 170. Exposed and not covered. Accordingly, the organic insulating layer 130 having a surface structure in which the protruding region 136 having a relatively low height and the recessed region 135 having a relatively high height is repeatedly formed is formed.

도 4c를 참조하면, 상기 유기막 절연막(130) 상에는 ITO 또는 IZO로 이루어진 투명전극(140)을 균일한 두께로 적층된다. 여기서, 상기 투명전극(140)은 상기 유기 절연막(130)의 표면구조와 동일한 표면 구조를 갖는다.Referring to FIG. 4C, a transparent electrode 140 made of ITO or IZO is stacked on the organic layer insulating layer 130 with a uniform thickness. Here, the transparent electrode 140 has the same surface structure as that of the organic insulating layer 130.

다음 도 4d를 참조하면, 상기 투명전극(140) 상에는 상기 투명전극(140)을부분적으로 노출시키기 위한 투과창(151)이 형성된 반사전극(150)이 균일한 두께로 적층된다. 이때, 상기 반사전극(150)은 상기 유기 절연막(130)의 표면구조와 동일한 표면구조를 갖는다.Next, referring to FIG. 4D, the reflective electrode 150 having the transmission window 151 for partially exposing the transparent electrode 140 is stacked on the transparent electrode 140 with a uniform thickness. In this case, the reflective electrode 150 has the same surface structure as that of the organic insulating layer 130.

두 번째 경우에서 상기 유기 절연막의 돌출 영역(136)은 상기 다수의 감광성 입자에(171) 의해 볼록한 형상을 갖지만, 함몰 영역(135)은 플랫한 형상을 갖기 때문에 첫 번째 경우에 비하여 상기 외부광을 반사시키는 효율이 감소될 수 있다. 그러나, 두 번째 경우에서는 첫 번째 경우에서 수행된 열처리 공정을 필요로하지 않기 때문에 상기 반사-투과형 액정표시장치를 제조하는 공정 수를 더욱 절감시킬 수 있다.In the second case, the protruding region 136 of the organic insulating layer has a convex shape due to the plurality of photosensitive particles 171, but the recessed region 135 has a flat shape and thus receives the external light as compared with the first case. The efficiency of reflecting can be reduced. However, in the second case, since the heat treatment process performed in the first case is not required, the number of processes for manufacturing the reflection-transmissive liquid crystal display device can be further reduced.

본 발명에 따르면, 제1 기판 상에 요철 구조를 갖는 유기 절연막을 형성하는 공정은, 상기 제1 기판 상에 다수의 감광성 입자들을 포함하고 있는 비감광성 물질을 도포한 후 상기 다수의 감광성 입자를 패터닝하는 단계를 거침으로써 이루어진다.According to the present invention, the step of forming an organic insulating film having a concave-convex structure on the first substrate, patterning the plurality of photosensitive particles after applying a non-photosensitive material containing a plurality of photosensitive particles on the first substrate This is done by going through the steps.

따라서, 요철 구조를 갖는 유기 절연막을 형성하기 위해 필요로하는 패턴 마스크의 수가 절감시키고, 또한, 공정 수를 절감시킴으로써 공정 기간 및 공정 상에서 발생할 수 있는 불량율을 감소시킬 수 있다.Therefore, the number of pattern masks required for forming the organic insulating film having the uneven structure can be reduced, and the number of processes can be reduced, thereby reducing the process period and the defective rate that can occur in the process.

실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although described with reference to the examples, those skilled in the art can understand that the present invention can be variously modified and changed without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below. There will be.

Claims (8)

ⅰ) 제1 기판 상에 다수의 감광성 입자들을 포함하고 있는 비감광성 물질을 도포하는 단계;Iii) applying a non-photosensitive material comprising a plurality of photosensitive particles on the first substrate; ⅱ) 상기 다수의 감광성 입자를 노광하는 단계;Ii) exposing the plurality of photosensitive particles; ⅲ) 노광된 상기 다수의 감광성 입자를 현상하는 단계;Iii) developing the plurality of exposed photosensitive particles; ⅳ) 상기 다수의 감광성 입자가 제거된 상기 비감광성 물질을 열처리하여 요철 구조를 갖는 유기 절연막을 형성하는 단계;Iii) heat treating the non-photosensitive material from which the plurality of photosensitive particles have been removed to form an organic insulating film having an uneven structure; ⅴ) 상기 유기 절연막 상에 반사전극을 균일한 두께로 형성하는 단계;Iii) forming a reflective electrode with a uniform thickness on the organic insulating film; ⅵ) 상기 제1 기판과 대향하여 구비되는 제2 기판을 얼라인먼트하는 단계; 및Iii) aligning a second substrate provided to face the first substrate; And ⅶ) 상기 제1 기판과 상기 제2 기판과의 사이에 액정을 주입하는 단계를 포함하는 액정표시장치의 제조 방법.Iii) injecting a liquid crystal between the first substrate and the second substrate. 제1항에 있어서, 상기 다수의 감광성 입자는 아크릴 수지로 이루어진 고분자 입자들인 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조 방법.The method of claim 1, wherein the plurality of photosensitive particles are polymer particles made of an acrylic resin. 제2항에 있어서, 상기 다수의 감광성 입자의 직경은 상기 비감광성 물질이 상기 제1 기판 상에 도포된 높이보다 작은 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조 방법.The method of claim 2, wherein a diameter of the plurality of photosensitive particles is smaller than a height at which the non-photosensitive material is coated on the first substrate. 제1항에 있어서, 상기 비감광성 물질은 폴리-커버네이트(Poly-carbornate) 또는 폴리-아릴레이트(Poly-arylate)로 이루어진 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조 방법.The method of claim 1, wherein the non-photosensitive material is made of poly-carbornate or poly-arylate. 제1항에 있어서, 상기 요철구조를 갖는 유기 절연막 상에 투명전극을 도포하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조 방법.The method of claim 1, further comprising applying a transparent electrode on the organic insulating layer having the uneven structure. ⅰ) 제1 기판 상에 다수의 입자를 포함하고 있는 유기 절연막을 도포하는 단계;Iii) applying an organic insulating film comprising a plurality of particles on the first substrate; ⅱ) 상기 유기 절연막 상에 반사전극을 형성하는 단계Ii) forming a reflective electrode on the organic insulating film ⅲ) 상기 제1 기판과 대향하여 구비되는 제2 기판을 얼라인먼트하는 단계; 및Iii) aligning a second substrate provided to face the first substrate; And ⅳ) 상기 제1 기판과 상기 제2 기판과의 사이에 액정을 주입하는 단계를 포함하고,Iii) injecting a liquid crystal between the first substrate and the second substrate, 상기 다수의 입자의 직경은 상기 유기 절연막이 상기 제1 기판 상에 적층된 높이보다 큰 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조 방법.The diameter of the plurality of particles is larger than the height of the organic insulating film laminated on the first substrate manufacturing method of the liquid crystal display device. 제6항에 있어서, 상기 다수의 입자는 투명한 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조 방법.The method of claim 6, wherein the plurality of particles are made of a transparent material. 제6항에 있어서, 상기 유기 절연막 상에 투명전극을 도포하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조 방법.The method of claim 6, further comprising applying a transparent electrode on the organic insulating layer.
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