KR20030087734A - 베스펠 재질의 웨이퍼 가이드를 갖는 건조장치 - Google Patents

베스펠 재질의 웨이퍼 가이드를 갖는 건조장치 Download PDF

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KR20030087734A
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Abstract

본 발명은 습식 스테이션의 건조장치에 관한 것으로, 웨이퍼 홀더, 웨이퍼 척, 웨이퍼홀드 가이드, 웨이퍼 트랜스퍼 등을 베스펠(vespel) 재질로 하여 어닐링 과정에서 탄소에 의해 발생하는 액티브 보이드를 줄인 건조장치이다.

Description

베스펠 재질의 웨이퍼 가이드를 갖는 건조장치{A dryer of wet station with vespel-made wafer guide}
본 발명은 반도체 제조에서 습식 스테이션의 건조장치에 관한 것으로, 상세하게는 건조장치 즉 스핀 드라이어의 내부를 구성하는 부재들의 재질을 탄소 성분을 흡수할 수 있는 재질로 변경한 스핀 드라이어(spin dryer)에 관한 것이다.
반도체 소자를 제조하는 과정에서 반도체 웨이퍼는 화학 용액과 접촉하거나 물로 세정되는 공정이 포함된다. 이러한 공정을 거친 반도체 웨이퍼의 표면에는 화학 용액이나 물이 표면에 잔류하게 되며, 이런 액상 물질은 여러 종류의 건조기에 의해 제거된다. 건조 방식에 따라 크게 분류하면 살균용 알코올 증기를 사용하는 방법, QDR(Quick Dump Rinse), 스핀 드라이어 등이 있다. 여기서, 공정 시간과 장비의 구조가 복잡하지 않다는 장점 때문에 스핀 드라이어가 널리 사용되고 있다.
이러한 스핀 드라이버를 비롯한 많은 장비를 이용하여 반도체 소자 등을 제조하는 과정을 보면, 포토 단계에서 코팅, 노출 및 현상을 한 후, 주입 단계에서 이온을 주입하고, 그 다음 에칭 단계에서 애서장비를 이용하여 포토레지스트를 제거한 후 습식 스테이션의 포스트애서 및 프리크린장비를 이용하여 잔류 포토레지스트를 제거한다. 그 후, 로(furnace)를 이용하여 어닐링을 실시하게 된다. 그런데, 로에서 어닐링을 실시하는 과정에서 탄소(C) 성분이 일정량 이상으로 검출되어 액티브 보이드(active void)가 발생하고 있다.
이와같이, 액티브 보이드가 발생하는 원인으로는 여러가지가 있을 수 있으나, 습식 스테이션이 건조장치로 사용되고 있는 스핀 드라이어 내부의 웨이퍼 가이드의 재질이 pfa로 되어 있어, 이러한 재질로부터 지나치게 많은 양의 탄소 성분이 발생되고 있다.
본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 건조장치로 사용되고 있는 스핀 드라이어의 웨이퍼 가이드를 포함하여 여러 부속 기재들에서 탄소 성분이 발생하지 않거나 바람직하게는 발생된 탄소 성분을 흡수할 수 있도록 하여 어닐링 과정에서 발생하는 액티브 보이드의 발생을 방지하는 것을 목적으로 한다.
도1은 스핀 드라이어의 웨이퍼 홀더를 개략적으로 도시하고 있다.
-도면의 주요부분에 대한 부호의 설명-
1: 웨이퍼 지지구3: 원형 기판
W: 웨이퍼
본 발명은 이러한 목적을 달성하기 위하여, 건조장치로 사용되고 있는 스핀 드라이어의 웨이퍼 가이드 등의 부속기재들을 탄소 성분을 흡착할 수 있는 재질인베스펠(vespel) 재질로 구성한 스핀 드라이어를 제공한다.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.
스핀 드라이어는 일반적으로 건조처리실, 건조처리실 내에 설치된 횡축형 로터, 로터에 대해 착탈가능한 웨이퍼홀더, 웨이퍼홀더에 대해 착탈 자유롭고 웨이퍼 홀더를 상하방향으로 반송하기 위한 웨이퍼가이드(웨이퍼홀더 반송장치) 등으로 구성되어 있다.
건조처리실의 상부에는 기판, 즉 여기서는 반도체 웨이퍼(W)(이하 「웨이퍼(W)」라 한다)를 건조처리실에 반입·반출하기 위한 반입출구가 설치되어 있다. 반입출구에는 반입출구을 폐색하기 위한 덮개가 설치되어 있다. 한편, 건조처리실의 하부에는 배기구가 설치되어 있고, 배기구에는 배기관로가 접속되어 있다. 배기관로 내에는 배기팬이 구비되어 있다. 로터는 건조처리실 내에 배치되어 있다.
도1은 스핀 드라이어의 웨이퍼 홀더를 개략적으로 도시하고 있다. 도1에 도시된 바와같이, 웨이퍼 홀더는 웨이퍼 지지구(1) 및 원형기판(3) 등으로 구성되어 있다. 웨이퍼는 웨이퍼 홀더에 의해 지지고정되고, 웨이퍼 홀더는 웨이퍼 가이드에 의해 길이 방향으로 이동한다. 이러한 웨이퍼 홀더의 웨이퍼 지지구(1)를 탄소 성분을 흡착 내지 흡수할 수 있는 베스펠 재질로 만든다.
또한, 웨이퍼의 건조에 직간접으로 관련되는 웨이퍼 척, 웨이퍼홀더 가이드, 웨이퍼 트랜서퍼 등의 재질도 베스펠을 이용하여 구성하는 것이 바람직하다.
이상과 같이, 웨이퍼의 건조에 관련되는 스핀 드라이어의 구성 부재들의 재질을 pfa 재질에서 베스펠 재질로 변경함으로써, 부속 기재들에서 탄소 성분이 발생하지 않거나 바람직하게는 발생된 탄소 성분을 흡수할 수 있어서, 반도체 제조 공정의 과정 중에서 특히 어닐링 과정에서 발생하는 액티브 보이드의 발생을 방지할 수 있다.

Claims (2)

  1. 반도체 제조에서 습식 스테이션의 건조장치에 있어서,
    베스펠 재질로 된 웨이퍼 홀더를 갖는 것을 특징으로 하는 습식 스테이션의 건조장치.
  2. 제1항에 있어서,
    베스펠 재질로 된 웨이퍼 척;
    베스펠 재질로 된 웨이퍼홀더 가이드; 및
    페스펠 재질로 된 웨이퍼 트랜서퍼를 갖는 것을 특징으로 하는 습식 스테이션의 건조장치.
KR1020020025618A 2002-05-09 2002-05-09 베스펠 재질의 웨이퍼 가이드를 갖는 건조장치 KR20030087734A (ko)

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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0869962A (ja) * 1994-08-30 1996-03-12 Sharp Corp ホットプレート型のプロキシミティベーク炉及びその基板支持ピン
KR19990042104U (ko) * 1998-05-30 1999-12-27 김영환 반도체소자 제조용 반응챔버
KR20000001894A (ko) * 1998-06-15 2000-01-15 윤종용 반도체 장치의 정전척 및 그 제조방법
KR20000033097A (ko) * 1998-11-19 2000-06-15 윤종용 보트 이송용 트롤리

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0869962A (ja) * 1994-08-30 1996-03-12 Sharp Corp ホットプレート型のプロキシミティベーク炉及びその基板支持ピン
KR19990042104U (ko) * 1998-05-30 1999-12-27 김영환 반도체소자 제조용 반응챔버
KR20000001894A (ko) * 1998-06-15 2000-01-15 윤종용 반도체 장치의 정전척 및 그 제조방법
KR20000033097A (ko) * 1998-11-19 2000-06-15 윤종용 보트 이송용 트롤리

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