KR20030085187A - 일렉트로-루미네센스 표시패널의 데이터 구동 장치 및 방법 - Google Patents

일렉트로-루미네센스 표시패널의 데이터 구동 장치 및 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 정전류원을 이용하는 데이터 드라이버의 크기를 크게 가져가지 않으면서 정전류를 적응적으로 제어할 수 있는 EL 표시패널의 데이터 구동 장치 및 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 EL 표시패널의 데이터 구동 장치는 데이터 전극라인들에 정전류신호를 공급하기 위한 정전류원과; 다단계 레벨의 정전류 제어용 데이터를 저장하고 EL 표시패널의 평균 휘도량에 적합한 정전류 제어용 데이터를 선택하여 출력하는 마이크로 프로세싱 유닛과; 정전류 제어용 데이터에 응답하여 정전류원의 정전류신호를 제어하는 정전류제어부를 구비하는 것을 특징으로 한다.

Description

일렉트로-루미네센스 표시패널의 데이터 구동 장치 및 방법{DATA DRIVING APPARATUS AND METHOD OF ELECTRO-LUMINESCENCE DISPLAY PANEL}
본 발명은 일렉트로-루미네센스 표시장치에 관한 것으로, 특히 데이터 드라이버의 정전류 신호를 적응적으로 제어할 수 있는 일렉트로-루미네센스 표시패널의 데이터 구동 장치 및 방법에 관한 것이다.
최근, 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시장치들이 개발되고 있다. 이러한 평판 표시장치로는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display), 전계방출 표시장치(Field Emission Display), 플라즈마 표시 패널(Plasma Display Panel) 및 일렉트로-루미네센스(Electro-Luminescence : 이하, EL이라 함) 표시장치 등이 있다.
이들 중 EL 표시장치는 전자와 정공의 재결합으로 형광물질을 발광시키는 자발광소자로서, 그의 재료 및 구조에 따라 무기 EL과 유기 EL로 대별된다. 이러한 EL 표시장치는 액정표시장치와 같이 별도의 광원을 필요로 하는 수동형 발광소자에 비하여 응답속도가 음극선관과 같은 수준으로 빠르다는 장점을 갖고 있다. 또한, EL 표시장치는 직류구동전압이 낮고 초박막화가 가능하기 때문에 벽걸이형 또는 휴대용으로 응용이 가능하다.
도 1은 EL 표시장치의 발광원리를 설명하기 위한 일반적인 유기 EL 구조를 도시한 단면도이다. 유기 EL은 음극(2)과 양극(14) 사이에 적층된 전자 주입층(4), 전자 수송층(6), 발광층(8), 정공 수송층(10), 정공 주입층(12)을 구비한다.
투명전극인 양극(14)과 금속전극인 음극(2) 사이에 전압을 인가하면, 음극(2)으로부터 발생된 전자는 전자 주입층(4) 및 전자 수송층(6)을 통해 발광층(8) 쪽으로 이동한다. 또한, 양극(14)으로부터 발생된 정공은 정공 주입층(12) 및 정공 수송층(10)을 통해 발광층(8) 쪽으로 이동한다. 이에 따라, 발광층(8)에서는 전자 수송층(6)과 정공 수송층(10)으로부터 공급되어진 전자와 정공이 충돌하여 재결합함에 의해 빛이 발생하게 되고, 이 빛은 투명전극인 양극(14)을 통해 외부로 방출되어 화상이 표시되게 한다. 이러한 EL 유기소자의 발광 휘도는 소자의 양단에 걸리는 전압에 비례하는 것이 아니라 공급 전류에 비례하므로 양극(14)은 통상 정전류원에 접속된다.
도 2는 일반적인 패시브 매트릭스형(Passive Matrix Type) EL 표시장치를 도시한 도면이다.
도 2에 도시된 EL 표시장치는 스캔 전극라인(SL)과 데이터 전극라인(DL)의 교차부마다 배열된 유기EL(이하, OEL이라 함) 셀들(22)을 포함하는 EL 표시패널(16)과, 스캔 전극라인들(SL)을 구동하기 위한 스캔 드라이버(18)와, 데이터 전극라인들(DL)을 구동하기 위한 데이터 드라이버(20)를 구비한다.
OEL 셀들(22) 각각은 음극인 스캔 전극라인(SL)에 스캔펄스가 인가될 때 선택되어 양극인 데이터 전극라인(DL)에 공급되는 화소신호, 즉 전류신호에 상응하는 빛을 발생하게 된다. OEL 셀들(22) 각각은 등가적으로 데이터 전극라인(DL)과 스캔 전극라인(SL) 사이에 접속된 다이오드로 표현된다. 이러한 OEL 셀들(22) 각각은 스캔 전극라인(SL)에 부극성의 스캔펄스가 공급됨과 동시에 데이터 전극라인(DL)에 데이터신호에 따른 정극성의 전류가 인가되어 순방향 전압이 걸리는 경우 발광하게 된다. 이와 달리, 선택되지 않은 스캔라인에 포함되는 OEL 셀들(22)에는 역방향 전압이 인가됨으로써 발광하지 않게 된다. 다시 말하여, 발광하는 OEL 셀들(22)에는 순방향의 전하가 충전되는 반면에 발광하지 않은 OEL 셀들(22)에는 역방향의 전하가 충전된다.
스캔 드라이버(18)는 다수개의 스캔 전극라인들(SL)에 부극성의 스캔펄스를 라인순차적으로 공급한다.
데이터 드라이버(20)는 수평기간마다 데이터신호에 응답하는 전류레벨 또는 펄스폭을 갖는 전류신호를 데이터 전극라인들(DL)에 공급한다.
이렇게 EL 표시장치는 입력 데이터에 비례하는 전류레벨 또는 펄스폭을 가지는 전류신호를 OEL 셀들(22)에 공급하게 된다. 그리고, OEL 셀들(22) 각각은 데이터 전극라인(DL)으로부터 공급되는 전류의 양에 비례하여 발광하게 된다.
여기서 입력 데이터에 응답하여 전류신호의 펄스폭을 조절하는 데이터 드라이버(20)는 도 3에 도시된 바와 같이 정전류를 만들기 전류미러(Current Mirror) 회로를 주로 사용한다.
도 3을 참조하면, 데이터 드라이버(20)는 전압원(30)에 접속된 기준MOSFET(MO)와, 전압원(30)에 기준 MOSFET(M0)와 병렬로 접속되어 전류미러(Current Circuit) 회로를 구성하여 OEL 셀(22)에 접속된 데이터 전극라인들 각각에 정전류(i)를 공급하는 정전류원, 즉 정전류 공급용 MOSFET들(M1 내지 Mm)을 구비한다. 또한, 데이터 드라이브 IC들(20) 각각은 정전류 공급용 MOSFET(M1 내지 Mm)과 데이터 전극라인들 사이에 접속되어 입력 데이터에 응답하여 정전류 공급용 MOSFET(M1 내지 Mm)으로부터의 정전류(i)의 공급시간을 조절하여 전류신호의 펄스폭을 조절하는 스위칭소자(도시하지 않음)를 더 구비한다.
기준 MOSFET(M0)과 함께 전압원(30)의 공급전압(VDD)를 병렬로 공급받는 정전류 공급용 MOSFET들(M1 내지 Mm) 각각은 그 기준 MOSFET(M0)와 전류미러 회로를 구성함에 따라 동일한 정전류(i)를 공급하게 된다. 이러한 정전류 공급용 MOSFET들(M1 내지 Mm)에서 공급되는 정전류(i)는 그들의 부하량, 즉 EL 표시패널의 구조상 OEL 셀들(22)의 발광량과 밀접한 관계를 갖게 되는 캐패시턴스와 데이터 전극라인들 각각의 라인저항에 의해 달라지게 된다.
이에 따라, 전류미러 회로를 구성하는 데이터 드라이버(20)는 그의 부하량에 따라 변화하는 전류를 제어하기 위하여 그의 외부에 서로 다른 저항값을 갖는 다수개의 전류제어용 저항들을 구비하게 된다. 그리고, 데이터 드라이버(20)의 평균 부하량에 따라 다수개의 전류제어용 저항들 중 어느 하나의 저항(R)을 선택하여 기준 MOSFET(M0)과 그라운드 사이에 접속시킴으로써 데이터 드라이버(20)의 정전류(i)를 제어하게 된다.
그러나, 이렇게 데이터 드라이버(20)의 외부에 다수개의 전류 제어용 저항들을 구비하는 경우 그 다수개의 전류 제어용 저항들을 포함하는 데이터 드라이버(20)가 실장되는 COF(Chip on Glass)의 크기가 증대될 뿐만 아니라, 데이터 드라이버(20)는 다수개의 전류 제어용 저항들과 접속하기 위한 다수개의 입력 단자들을 필요로 함에 따라 소형화에 불리해지는 단점을 가지게 된다.
또한, 데이터 드라이버(20)의 내부 소자들과 외부의 전류 제어용 저항들과의 온도영향(Thermal Effect) 및 저항 오차와 같은 영향으로 정확한 전류 양을 제어하기가 어려운 단점을 가지고 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 정전류원을 이용하는 데이터 드라이버의 크기를 크게 가져가지 않으면서 정전류를 적응적으로 제어할 수 있는 EL 표시패널의 데이터 구동 장치 및 방법을 제공하는 것이다.
도 1은 통상적인 유기 EL 소자의 구조를 도시한 단면도.
도 2는 종래의 유기 EL 표시패널의 구동 장치를 도시한 도면.
도 3은 도 2에 도시된 데이터 드라이버의 상세 구성을 도시한 도면.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 유기 EL 표시패널의 데이터 구동 장치를 도시한 도면.
도 5는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 유기 EL 표시패널의 데이터 구동 장치를 도시한 도면.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
2 : 금속전극 4 : 전자주입층
6 : 전자수송층 8 : 발광층
10 : 정공 수송층 12 : 정공 주입층
14 : 투명전극 16 : EL 표시패널
18 : 스캔 드라이버 20, 50 : 데이터 드라이버
30, 54 : 전압원 22, 52 : 유기EL(OEL) 셀
56 : 마이크로 프로세싱 유닛(MPU)
58, 60 : 디지탈-아날로그 컨버터(DAC)
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 EL 표시패널의 데이터 구동 장치는 데이터 전극라인들에 정전류신호를 공급하기 위한 정전류원과; 다단계 레벨의 정전류 제어용 데이터를 저장하고 EL 표시패널의 평균 휘도량에 적합한 정전류 제어용 데이터를 선택하여 출력하는 마이크로 프로세싱 유닛과; 정전류 제어용 데이터에 응답하여 정전류원의 정전류신호를 제어하는 정전류제어부를 구비하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 정전류원은 전류미러 회로 형태로 구성되고; 정전류 제어부는 정전류 제어용 데이터를 아날로그 신호로 변환하는 디지탈-아날로그 컨버터와; 디지탈-아날로그 컨버터로부터의 정전류 제어용 전압신호에 응답하여 전류미러 회로의 정전류를 조절하는 스위칭 소자를 구비하는 것을 특징으로 한다.
이와 달리, 정전류원은 전류미러 회로 형태로 구성되고; 정전류 제어부는 서로 다른 저항들을 가지고 전류미러 회로에 병렬로 접속된 다수개의 스위칭 소자들을 구비하고; 다수개의 스위칭 소자들은 정전류 제어용 데이터에 응답하여 스위칭되어 전류미러 회로의 정전류를 제어하는 것을 특징으로 한다.
그리고, 정전류 제어부는 상기 정전류원들과 함께 집적화되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 EL 표시패널의 데이터 구동 방법은 다단계 레벨의 정전류 제어용 데이터를 저장하고 EL 표시패널의 평균 휘도량에 적합한 정전류 제어용 데이터를 선택하여 출력하는 단계와; 정전류 제어용 데이터에 응답하여 정전류원의 정전류신호를 제어하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 정전류신호를 제어하는 단계는 정전류 제어용 데이터를 아날로그 신호인 정전류 제어용 전압신호로 변환하는 단계와; 정전류 제어용 전압신호에 응답하여 정전류신호를 조절하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이와 달리, 정전류를 제어하는 단계는 서로 다른 저항들을 가지고 상기 정전류원에 병렬로 접속된 다수개의 스위칭 소자들이 정전류 제어용 데이터에 응답하여 스위칭되어 상기 정전류신호를 제어하는 단계인 것을 특징으로 한다.
상기 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 첨부도면을 참조한 실시예의 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.
이하, 도 4 및 도 5를 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명 하기로 한다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 EL 표시패널의 데이터 구동장치를 도시한 것이다.
도 4에 도시된 EL 표시패널의 데이터 구동장치는 전압원(54)에 접속된 기준 MOSFET(MO)와; 전압원(54)에 기준 MOSFET(M0)과 병렬로 접속되어 전류미러(Current Circuit) 회로를 구성하여 OEL 셀(52)에 접속된 데이터 전극라인들 각각에 정전류(i)를 공급하는 정전류 공급용 MOSFET들(M1 내지 Mm)과; 기준 MOSFET(M0)에 접속되어 정전류(i)를 제어하기 위한 전류제어용 MOSFET(Mc)과, 전류제어 데이터에 응답하여 전류제어용 MOSFET(Mc)를 제어하는 디지탈-아날로그 컨버터(이하, DAC)(58)로 구성되는 정전류 제어부와; DAC(58)에 적합한 전류제어 데이터를 공급하는 마이크로 프로세싱 유닛(이하, MPU라 함)(56)를 구비한다. 또한, 데이터 드라이브 IC들(50) 각각은 정전류 공급용 MOSFET(M1 내지 Mm)과 데이터 전극라인들 사이에 접속되어 입력 데이터에 응답하여 정전류 공급용 MOSFET(M1 내지 Mm)으로부터의 정전류(i)의 공급시간을 조절하여 전류신호의 펄스폭을 조절하는 스위칭소자(도시하지 않음)를 더 구비한다.
기준 MOSFET(M0)과 함께 전압원(54)의 공급전압(VDD)를 병렬로 공급받는 정전류 공급용 MOSFET들(M1 내지 Mm) 각각은 그 기준 MOSFET(M0)와 전류미러 회로를구성함에 따라 동일한 정전류(i)를 공급하게 된다. 이러한 정전류 공급용 MOSFET들(M1 내지 Mm)에서 공급되는 정전류(i)는 그들의 부하량, 즉 EL 표시패널의 구조상 OEL 셀들(52)의 발광량과 밀접한 관계를 갖게 되는 캐패시턴스와 데이터 전극라인들 각각의 라인저항에 의해 달라지게 된다.
이렇게 데이터 드라이버(50)는 그의 부하량에 따라 변화하는 정전류(i)를 DAC(58) 및 전류제어용 MOSFET(Mc)를 이용하여 제어한다.
MPU(56)는 EL 표시패널의 평균휘도량에 따라 다수개의 레벨을 갖는 전류제어용 데이터값을 저장하여 두고, EL 표시패널 구동장치가 초기화될 때 해당 프로그램 구동에 따라 해당 EL 표시패널의 평균휘도량에 적합한 전류제어용 데이터값을 찾아 데이터 드라이버(50)에 내장된 DAC(58)로 출력한다. 이 경우, MPU(56)는 전류제어용 데이터로 n비트 데이터를 이용하는 경우 전류제어용 데이터는 2n레벨을 갖게 되므로 보다 효율적으로 데이터 드라이버(50)의 정전류(i)를 제어할 수 있게 된다.
정전류 제어부의 DAC(58)는 MPU(56)로부터 해당 EL 표시패널의 평균휘도에 적합한 전류제어용 데이터를 공급받아 아날로그 신호인 전류제어용 전압신호를 변환하여 출력한다.
정전류 제어부의 전류제어용 MOSFET(Mc)는 DAC(58)로부터의 전류제어용 전압신호에 응답하여 기준 MOSFET(M0)의 Vgs값을 조절함으로써 정전류(i)를 조절하게 된다. 여기서, 기준 MOSFET(M0)의 Vgs와 정전류(i)와의 관계는 다음 수학식 1과 같이 Vgs를 가변하는 경우 정전류(i)가 변화하게 된다.
이렇게 정전류 제어용 MOSFET(Mc)의 제어에 따라 기준 MOSFET(M0)와 전류미러회로를 구성하는 MOSFET(M1 내지 Mm)들로부터의 정전류(i)가 조절되게 된다.
이렇게 본 발명의 실시 예에 따른 데이터 드라이버(50)는 외부 저항들을 이용하여 정전류(i)를 제어하는 종래와 달리 데이터 드라이버(50)에 내장되는 정전류 제어부, 즉 DAC(58) 및 정전류 제어용 MOSFET(Mc)를 이용하여 외부의 MPU(56)에 의해 EL 표시패널의 부하량에 적합하게 정전류(i)를 제어할 수 있게 된다. 이에 따라, MPU(56)에서 정전류 제어용 데이터의 비트수에 비례하는 다단계로 데이터 드라이버(50)의 정전류(i)를 보다 효율적으로 제어할 수 있게 된다. 그리고, DAC(58) 및 정전류 제어용 MOSFET(Mc)로 구성되는 정전류 제어부가 데이터 드라이버와 함께 집적화된다. 이에 따라, 종래의 외부 저항들의 외부 온도에 따른 저항 편차 문제가 없어지게 되므로 외부 저항을 사용하는 경우 보다 정확한 저항 구성으로 정전류(i)를 제어할 수 있게 된다. 또한, 종래의 외부 저항들에 의한 데이터 드라이버(20)가 실장되는 COF 영역이 증대가 필요없게 되므로 EL 표시패널의 소형화에 유리하게 된다.
도 5는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 EL 표시패널의 데이터 구동장치를 도시한 것이다.
도 5에 도시된 EL 표시패널의 데이터 구동장치는 전압원(54)에 접속된 기준MOSFET(MO)와, 전압원(54)에 기준 MOSFET(M0)과 병렬로 접속되어 전류미러(Current Circuit) 회로를 구성하여 OEL 셀(52)에 접속된 데이터 전극라인들 각각에 정전류(i)를 공급하는 정전류 공급용 MOSFET들(M1 내지 Mm)과, 기준 MOSFET(M0)의 소스단자와 그라운드 사이에 접속된 정전류 제어부(60)와, 정전류 제어부(60)에 적합한 전류제어 데이터를 공급하는 MPU(56)를 구비한다. 또한, 데이터 드라이브 IC들(50) 각각은 정전류 공급용 MOSFET(M1 내지 Mm)과 데이터 전극라인들 사이에 접속되어 입력 데이터에 응답하여 정전류 공급용 MOSFET(M1 내지 Mm)으로부터의 정전류(i)의 공급시간을 조절하여 전류신호의 펄스폭을 조절하는 스위칭소자(도시하지 않음)를 더 구비한다.
기준 MOSFET(M0)과 함께 전압원(54)의 공급전압(VDD)를 병렬로 공급받는 정전류 공급용 MOSFET들(M1 내지 Mm) 각각은 그 기준 MOSFET(M0)와 전류미러 회로를 구성함에 따라 동일한 정전류(i)를 공급하게 된다. 이러한 정전류 공급용 MOSFET들(M1 내지 Mm)에서 공급되는 정전류(i)는 그들의 부하량, 즉 EL 표시패널의 구조상 OEL 셀들(52)의 발광량과 밀접한 관계를 갖게 되는 캐패시턴스와 데이터 전극라인들 각각의 라인저항에 의해 달라지게 된다.
이렇게 데이터 드라이버(50)는 그의 부하량에 따라 변화하는 정전류(i)를 DAC(58) 및 전류제어용 MOSFET(Mc)를 이용하여 제어한다.
MPU(56)는 EL 표시패널의 평균휘도량에 따라 다수개의 레벨을 갖는 전류제어용 데이터값을 저장하여 두고, EL 표시패널 구동장치가 초기화될 때 해당 프로그램의 구동에 따라 해당 EL 표시패널의 평균휘도량에 적합한 전류제어용 데이터값을찾아 데이터 드라이버(50)에 내장된 DAC(58)로 출력한다. 이 경우, MPU(56)는 전류제어용 데이터로 n비트 데이터를 이용하는 경우 전류제어용 데이터는 2n레벨을 갖게 되므로 보다 효율적으로 데이터 드라이버(50)의 정전류(i)를 제어할 수 있게 된다.
정전류 제어부(60)는 서로 다른 저항(R1 내지 Rn) 각각을 가지고 병렬로 접속되어 정전류(i)를 제어하기 위한 n개의 전류제어용 MOSFET들(Mc1 내지 Mcn)로 구성된다. n개의 전류제어용 MOSFET들(Mc1 내지 Mcn) 각각은 MPU(56)로부터 입력되는 n비트의 전류제어용 데이터의 각 비트에 응답하여 스위칭됨으로써 정전류(i)를 조절하게 된다.
이와 달리, MPU(56)로부터의 제어용 데이터가 n개의 레벨을 가지는 경우 그 제어용 데이터에 따라 n개의 전류제어용 MOSFET들(Mc1 내지 Mcn) 중 어느 하나가 턴-온됨으로써 정전류(i)를 조절한다.
이렇게 본 발명의 다른 실시 예에 따른 데이터 드라이버(50)는 외부 저항들을 이용하여 정전류(i)를 제어하는 종래와 달리 데이터 드라이버(50)에 내장되는 정전류 제어부를 이용하여 외부의 MPU(56)에 의해 EL 표시패널의 부하량에 적합하게 정전류(i)를 제어할 수 있게 된다. 이에 따라, MPU(56)에서 정전류 제어용 데이터의 비트수에 비례하는 다단계로 데이터 드라이버(50)의 정전류(i)를 보다 효율적으로 제어할 수 있게 된다. 그리고, 다수개의 저항들과 정전류 제어용 MOSFET들(Mc1 내지 Mcn)로 구성되는 정전류 제어부가 데이터 드라이버와 함께 집적화된다. 이에 따라, 종래의 외부 저항들의 외부 온도에 따른 저항 편차 문제가 없어지게 되므로 외부 저항을 사용하는 경우 보다 정확한 저항 구성으로 정전류(i)를 제어할 수 있게 된다. 또한, 종래의 외부 저항들에 의한 데이터 드라이버(20)가 실장되는 COF 영역이 증대가 필요없게 되므로 EL 표시패널의 소형화에 유리하게 된다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 EL 표시패널의 데이터 구동 장치 및 방법은 외부 저항들을 이용하여 정전류(i)를 제어하는 종래와 달리 데이터 드라이버에 내장되는 정전류 제어부를 이용하여 외부의 MPU에 의해 EL 표시패널의 부하량에 적합하게 정전류를 제어할 수 있게 된다. 이에 따라, MPU에서 정전류 제어용 데이터의 비트수에 비례하는 다단계로 데이터 드라이버의 정전류를 보다 효율적으로 제어할 수 있게 된다. 그리고, 정전류 제어부가 데이터 드라이버와 함께 집적화된다. 이에 따라, 종래의 외부 저항들의 외부 온도에 따른 저항 편차 문제가 없어지게 되므로 외부 저항을 사용하는 경우 보다 정확한 저항 구성으로 정전류(i)를 제어할 수 있게 된다. 또한, 종래의 외부 저항들에 의한 데이터 드라이버가 실장되는 COF 영역이 증대가 필요없게 되므로 EL 표시패널의 소형화에 유리하게 된다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여 져야만 할 것이다.

Claims (7)

  1. 스캔 전극라인들과 데이터 전극라인들의 교차부마다 형성된 일렉트로-루미네센스(이하, EL 이라 함) 셀들을 구비하는 EL 표시패널의 데이터 구동 장치에 있어서,
    상기 데이터 전극라인들에 정전류신호를 공급하기 위한 정전류원과;
    다단계 레벨의 정전류 제어용 데이터를 저장하고 상기 EL 표시패널의 평균 휘도량에 적합한 정전류 제어용 데이터를 선택하여 출력하는 마이크로 프로세싱 유닛과;
    상기 정전류 제어용 데이터에 응답하여 상기 정전류원의 정전류신호를 제어하는 정전류제어부를 구비하는 것을 특징으로 하는 EL 표시패널의 데이터 구동 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 정전류원은 전류미러 회로 형태로 구성되고;
    상기 정전류 제어부는 상기 정전류 제어용 데이터를 아날로그 신호로 변환하는 디지탈-아날로그 컨버터와;
    상기 디지탈-아날로그 컨버터로부터의 정전류 제어용 전압신호에 응답하여 상기 전류미러 회로의 정전류를 조절하는 스위칭 소자를 구비하는 것을 특징으로 하는 EL 표시패널의 데이터 구동 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 정전류원은 전류미러 회로 형태로 구성되고;
    상기 정전류 제어부는
    서로 다른 저항들을 가지고 상기 전류미러 회로에 병렬로 접속된 다수개의 스위칭 소자들을 구비하고;
    상기 다수개의 스위칭 소자들은 상기 정전류 제어용 데이터에 응답하여 스위칭되어 상기 전류미러 회로의 정전류를 제어하는 것을 특징으로 하는 EL 표시패널의 데이터 구동 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 정전류 제어부는 상기 정전류원들과 함께 집적화되는 것을 특징으로 하는 EL 표시패널의 데이터 구동 장치.
  5. 스캔 전극라인들과 데이터 전극라인들의 교차부마다 형성된 일렉트로-루미네센스(이하, EL 이라 함) 셀들을 구비하는 EL 표시패널의 데이터 구동 방법에 있어서,
    다단계 레벨의 정전류 제어용 데이터를 저장하고 상기 EL 표시패널의 평균 휘도량에 적합한 정전류 제어용 데이터를 선택하여 출력하는 단계와;
    상기 정전류 제어용 데이터에 응답하여 정전류원의 정전류신호를 제어하는단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 EL 표시패널의 데이터 구동 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 정전류신호를 제어하는 단계는
    상기 정전류 제어용 데이터를 아날로그 신호인 정전류 제어용 전압신호로 변환하는 단계와;
    상기 정전류 제어용 전압신호에 응답하여 정전류신호를 조절하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 EL 표시패널의 데이터 구동 장치.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 정전류를 제어하는 단계는
    서로 다른 저항들을 가지고 상기 정전류원에 병렬로 접속된 다수개의 스위칭 소자들이 정전류 제어용 데이터에 응답하여 스위칭되어 상기 정전류신호를 제어하는 단계인 것을 특징으로 하는 EL 표시패널의 데이터 구동 방법.
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