KR20030082003A - 내부 삽입형 유도 결합 플라즈마 화학 기상 증착 시스템 - Google Patents

내부 삽입형 유도 결합 플라즈마 화학 기상 증착 시스템 Download PDF

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Abstract

본 발명은 내부 삽입형 유도 결합 플라즈마 화학 기상 증착 시스템에 관한 것으로, 보다 상세하게는 온도 제한으로 증착이 불가능했던 플라스틱, 렌즈 등을 증착할 수 있는 내부 삽입형 유도 결합 플라즈마 화학 기상 증착 시스템에 관한 것이다.
본 발명은 화학적 기상 증착 시스템에 있어서, 내부 압력을 조정하기 위한 진공 수단이 연결되어 반응 공간을 제공하는 챔버와; 상기 챔버의 내측 일측에 설치되어 반응 소스를 균일한 분포로 공급하는 적어도 1개의 반응 소스 분사기와; 상기 챔버의 타측에 설치되어 반응 가스를 공급하는 적어도 1개의 반응 가스 분사기와; 상기 반응 소스 분사기 및 반응 가스 분사기의 아래에 설치되어 전자기장을 형성하여 상기 반응 소스 분사기 및 반응 가스 분사기를 통하여 공급되는 반응 소스 및 반응 가스를 플라즈마 상태로 변화시켜 주는 RFI 코일과; 상기 RFI 코일에 의하여 생성된 플라즈마가 증착되는 기판이 설치되어 가열시켜 주는 증착대를 포함하는 것을 특징으로 하는 내부 삽입형 유도 결합 플라즈마 화학 기상 증착 시스템을 제공한다.

Description

내부 삽입형 유도 결합 플라즈마 화학 기상 증착 시스템{Internal Inductively Coupled Plasma Assisted Chemical Vapor Deposition System}
본 발명은 내부 삽입형 유도결합 플라즈마 화학 기상 증착 시스템에 관한 것으로, 보다 상세하게는 온도 제한으로 증착이 불가능했던 플라스틱, 렌즈 등을 증착할 수 있는 내부 삽입형 유도결합 플라즈마 화학 기상 증착 시스템에 관한 것이다.
일반적으로 열 화학적 기상 증착법이나 용량성 결합 화학적 기상 증착법의 경우 소스 가스의 분해율이 아주 낮으므로 상당량의 소스 가스를 모두 진공 배기 펌프를 통해서 대기 중으로 방출하고 있어 심각한 환경오염을 야기 시키고 있다.
기존의 열 화학적 기상 증착법는 반응소스로 쓰이는 기체의 분해 및 반응을 전적으로 열에 의존하고 있으며, 기판의 제한으로 생긴 문제점을 해결하고자 반응소스의 분해와 반응을 열뿐만 아니라 플라즈마에 의해 에너지를 얻어 박막을 증착시키고자 하였다.
예를 들어 TiN을 열화학 증착법으로 제조하는 경우 TiCl4와 N2및 H2의 기체를 사용하는데, 이 때 증착온도가 900℃ 이상이 되어야 하기 때문에 단순한 열화학 증착법으로 TiN을 증착시킬 때는 700℃ 근방에서 상변태가 일어나는 고속도강(HSS)을 기판으로 사용할 수 없다. 이 경우 증착온도가 낮은 물리증착법이 사용되지만, 물리증착법이 화학 증착법에 비해 가지고 있는 몇 가지 단점(모서리 도포성, 생산성 등) 때문에 증착 온도를 낮추는 화학 증착법의 개발이 요구된다.
따라서 증착 온도를 낮추기 위해 반응에 필요한 활성화 에너지를 글로우 방전을 이용해 공급하는 플라즈마 화학 증착법이나 레이저를 이용한 레이저 화학 증착법, 또한 분해가 잘 되는 금속 유기 화합물을 반응가스로 사용하는 금속 유기물 화학 증착법 등의 공정 기술이 개발되었고, 응용이 되고 있다.
그러나, 위에서 언급한 플라즈마 화학 증착법은 플라즈마 내 이온의 밀도가 1010/cm3미만으로 온도가 저온(특히 상온)으로 내려갈 경우 반응소스의 분해가 이루어지지 않아 증착이 불가능한 실정이다.
플라즈마 내 이온 밀도를 증가시키고자 유도결합 플라즈마가 고안되었고, 현재 외부 삽입형 유도결합 플라즈마에 의해 화학적 기상 증착법이 이용되고 있다.
외부 삽입형 유도결합 플라즈마 장치는 유전체 창(석영, 알루미나) 외부에 유도결합 플라즈마 안테나를 설치하여 고주파 전력을 간접 전달하는 방식을 사용하였다.
상기와 같은 외부 삽입형 유도결합 플라즈마 장치의 일례를 도 1 및 도 2에 나타내었다.
도 1에 나타낸 바와 같이 RF 코일(13)이 챔버(10)의 상부에 설치된 경우는 챔버(10)의 상부면(11)이 유전체 재질로 이루어져 있고, 하부에 기판(12)에 설치되어 상기 RF 코일(13)에 RF 파워가 공급되면 챔버(10)에 공급된 소스를 플라즈마 상태로 변화시켜 주는 것이다.
그리고, 도 2에 나타낸 것은 챔버(20)의 측면(21)이 유전체 재질로 이루어지며, 챔버(20)의 하부에 기판(22)이 설치되어 있고, 챔버(20)의 측면의 외부에 RF 코일(23)이 권선되어 있는 것이다.
상기와 같은 외부형 유도결합 플라즈마 장치의 치명적인 단점은 RF 코일에서 발생된 전자기파가 챔버 내부에 전달되어야 하는데도 불구하고 유전체 벽의 내부에 도전성 물질(금속, TiN 등)이 코팅되면 전자기파가 차단되어 플라즈마를 형성하기 위한 전자기장이 형성되지 않는다는 것이다.
따라서, 현재 일부 개발된 장비들도 유전체 박막에만 응용이 시도되고 있다. 또한 내부의 유전성 물질을 계속적으로 크리닝해 주어야 하는 유지 보수의 문제와 대면적의 유전체 창의 제작과 유지에 있어서 기계적 강도가 문제가 되기 때문에 대형화에의 적용에 많은 어려움을 안고 있다.
따라서, 본 발명은 이러한 종래 기술의 문제점을 감안하여 안출된 것으로, 그 목적은 화상 기상 증착 시스템의 챔버 내에 유도결합 플라즈마 발생을 위한 RF 코일을 설치함으로써, 증착율을 높이면서 저온에서의 증착을 가능하게 하고, 챔버의 유지 보수를 간편하게 해 주는 내부 삽입형 유도결합 플라즈마 화학 기상 증착 시스템을 제공하는데 있다.
도 1은 종래의 평면형 유도 결합 플라즈마 CVD 장치를 설명하기 위한 구성도.
도 2는 종래의 실린더형 유도 결합 플라즈마 CVD 장치를 설명하기 위한 구성도.
도 3은 본 발명에 따른 내부 삽입형 유도 결합 플라즈마 CVD 장치를 설명하기 위한 구성도.
도 4는 유도결합 플라즈마 파워에 따른 증착속도의 변화를 나타낸 그래프.
도 5는 유도결합 플라즈마 파워에 따른 비저항값의 변화를 나타낸 그래프.
도 6은 유도결합 플라즈마에 따른 우선 방위의 변화를 나타낸 그래프.
도 7은 유도결합 플라즈마에 따른 표면 형상 및 단면 그림.
도 8은 유도결합 플라즈마에 따른 경도값의 변화를 나타낸 그래프.
도 9는 유도결합 플라즈마에 따른 AES 농도의 변화를 나타낸 그래프.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명 *
30 : 챔버31 : 히터
32 : 제 1가스 분사기33 : 제 2가스 분사기
34 : RFI 코일35 : 기판
36 : RF 공급부
상기한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 화학적 기상 증착 시스템에 있어서, 반응 공간을 제공하는 챔버와; 상기 챔버의 내측 일측에 설치되어 반응 소스를 균일한 분포로 공급하는 적어도 1개의 가스 분사기와; 상기 챔버의 타측에 설치되어 반응가스를 공급하는 적어도 1개의 가스 분사기와; 상기 가스 분사기들과 기판 사이에 설치되어 전자기장을 형성하여 상기 가스 분사기들을 통하여 공급되는 가스를 플라즈마 상태로 변화시켜 주는 RFI 코일과; 상기 RFI 코일과 상기 기판 사이에 설치되어 상기 가스의 화합물로 형성된 플라즈마와; 상기 플라즈마에 의해 코팅이 증착되는 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 내부 삽입형 유도결합 플라즈마 화학 기상 증착 시스템을 제공한다.
상기 가스 분사기는 공급되는 소스의 기화에 의한 가스 라인관 내에서의 응축을 방지하기 위한 가열 수단이 장착된 가스 라인을 더 포함하고, 상기 RFI 코일은 전기 전도성 및 열 전도성이 우수한 금속 재질의 관으로 이루어지고, 상기 RFI 코일은 과열을 방지하기 위한 냉매를 공급해 주는 냉각 수단을 더 포함하여 구성된다.
상기 반응 소스 분사기와 반응 가스 분사기는 원형으로 이루어지고, 상기 RFI 코일은 적어도 1번 권선된 코일 구조로 이루어지며, 상기 반응 소스 분사기 및 반응 가스 분사기와 상기 RFI 코일은 서로 평행하게 설치되어, 플라즈마의 중심이 기판에 대하여 수직 방향으로 작용한다.
상기한 바와 같이 본 발명에서는 화학적 기상 증착 시스템에 유도결합 플라즈마를 형성함으로써 증착 속도와 경도를 높여 주면서, 적은 양의 가스로도 최대효율을 올릴 수 있는 것이다.
(실시예)
이하에 상기한 본 발명을 바람직한 실시예가 도시된 첨부 도면을 참고하여 더욱 상세하게 설명한다.
첨부한 도면, 도 3은 본 발명에 따른 내부 삽입형 유도결합 플라즈마 CVD 장치를 설명하기 위한 구성도, 도 4는 유도결합 플라즈마 파워에 따른 증착속도의 변화를 나타낸 그래프, 도 5는 유도결합 플라즈마 파워에 따른 비저항값의 변화를 나타낸 그래프, 도 6은 유도결합 플라즈마에 따른 우선 방위의 변화를 나타낸 그래프, 도 7은 유도결합 플라즈마에 따른 표면 형상 및 단면 그림, 도 8은 유도결합 플라즈마에 따른 경도값의 변화를 나타낸 그래프, 도 9는 유도결합 플라즈마에 따른 AES 농도의 변화를 나타낸 그래프이다.
본 발명에 따른 내부 삽입형 RFI 코일(34)에 따른 유도결합 플라즈마 화학적 기상 증착법은 기존의 화학적 기상 증착법에 새로운 플라즈마 보조 장치인 구리관 코일을 원형 또는 나선형으로 감아서 제작한 RFI 코일(34)을 챔버(30) 안에 직접 장착하여 챔버(30) 내부의 플라즈마를 더욱 활성화시키는 기술이다.
챔버(30) 내부에 장착된 수냉식 RFI 코일(34)에 RF 파워를 걸어주면 급격한 전기장의 변화가 야기되고 RFI 코일(34)의 축방향으로 자기장이 형성된다. 시간에 따라 변화하는 자기장의 영향으로 2차 전기장이 RFI 코일(34) 주변에 유도되며 이때 형성되는 유도 전기장에 의하여 전자들은 RFI 코일(34) 주변에서 RFI 코일(34)을 따라 원형으로 가속 운동을 하여 가스 분사기(32, 33)를 따라 챔버(30) 내로 주입된 소스 입자들을 이온화시키는 역할을 한다.
따라서 챔버(30) 안의 플라즈마를 더욱 활성화시키고 입자들의 이온화 및 활성화가 기존의 RF에 의한 플라즈마 화학 기상 증착법에 의한 것보다 급격히 증가한다.
상기와 같은 특징을 가지는 본 발명은 화학적 기상 증착법의 원리상 기판상에서 분해되는 유효한 소스 가스의 양은 화학적인 분해 반응을 플라즈마가 어떻게 효율화시키느냐 하는 문제이므로, 유도결합 플라즈마 화학적 기상 증착법은 환경적인 문제에서도 커다란 장점을 가지고 있다.
또한, 유도결합 플라즈마 내에서 소스 가스의 분해가 활발하므로 저온 공정으로도 우수한 특성을 가진 막을 증착할 수 있어, 고온에서 증착이 불가능했던 기판(예를 들어 렌즈, 플라스틱)에 물리적 기상 증착법이 아닌 화학적 기상 증착법으로도 증착이 가능하다.
(바람직한 실시예)
본 발명에 사용한 장치는 도 3과 같이 화학적 기상 증착 장치에 유도결합 플라즈마 발생 장치 즉, RFI(radio frequency inductively coupled) 코일(34)을 삽입한 모양이다.
중앙에 위치한 RFI 코일(34)의 위에 설치된 제 1가스 분사기(32)에서 주 반응 소스는 분사되고, 반응 가스는 상기 제 1가스 분사기(32) 위치보다 위쪽에 위치한 제 2가스 분사기(33)에서 분사된다.
상기 제 1가스 분사기(32)와 기판(35)사이에 RFI 코일(34)을 삽입하여 플라즈마를 발생시켜 반응소스의 분해를 촉진시킨다.
본 발명에서는 TiCl4와 H2, NH3, Ar 가스와 RFI 코일(34)을 이용하여 내마모 코팅 및 장식용 코팅, 반도체에서 확산 방지막으로 널리 이용되는 TiN박막을 증착하였다.
TiN 박막은 TiCl4, NH3, H2, Ar 가스를 사용하여 증착했다. RFI 코일(34)에는 RF 공급부(36)에서 발생되는 13.56MHz의 주파수를 가지는 RF 파워를 정합부(tunning network)를 통해 걸어주어 기판(35)과 제 1가스 분사기(32) 사이에서 유도결합 플라즈마를 생성시켰다.
상기 RFI 코일(34)은 대략 7cm 정도 되는 직경으로 2번 권선된 코일이며, 상기 기판(35)보다 1cm 위에, 상기 제 1가스 분사기(32)보다는 1cm 아래인 위치에 설치했고, 절연 튜브를 이용하여 전기적으로 절연시켰다. 그리고 상기 기판(35)과 제 1가스 분사기(32) 사이의 거리는 5cm로 하였다. 상기 기판(35)은 열을 발생하여 상기 기판(35)을 가열시키는 히터(31) 위에 설치된다.
TiCl4의 운반가스(carrier gas)로는 Ar을 사용하였다. 상기 제 1가스 분사기(32) 및 제 2가스 분사기(33)에 가스를 공급해 주는 가스 라인은 반응가스가 운반도중 응축되는 것을 방지하기 위해 히팅테이프로 가열해주었다.
상기 챔버(30)의 내부 압력은 1×10-3torr 정도로 하였으며, 상기 기판(36)의 온도는 400℃로 하였다. 그리고, 증착 과정에서의 챔버 내부 압력은 200mtorr로 하였고, 유도결합 플라즈마 파워는 100∼400W로 변화를 주었다.
1. 박막의 증착 속도
도 4는 유도결합 플라즈마 파워에 따른 TiN 코팅의 증착속도를 보여준다.
화학적 기상 증착법에서 증착속도는 소스 가스의 분해와 표면 흡착에 의해 결정된다. 고밀도 유도결합 플라즈마 첨가로 인해 증착막의 치밀화가 진행되었다. 리스퍼터링(resputtering)을 고려하지 않는다면 같은 소스 가스의 분해 속도에서 증착 속도는 감소해야만 한다. 이와 관련하여, 높은 유도결합 플라즈마 파워에서 증착 속도의 감소는 기판에서 증착물의 표면 확산의 결과인 코팅의 치밀화에 기인한다. 치밀화 뿐만 아니라 TiCl4의분해로 생성된 Cl 라디칼에 의한 에칭도 증착속도를 감소시킨다.
TiCl4분해 부산물로는 TiCl2 +, TiCl3 +같은 성분들보다는 Cl 이온들이 더 많이 생성된다고 보고되고 있다. 또한 Ar 이온의 충돌로 인한 물리적 스퍼터링의 가능성도 있다. 그러나 실험에 사용된 유도결합 플라즈마 파워에서 측정된 플라즈마 전위는 약 20V 정도로 스퍼터링 문턱에너지보다 조금 큰 값이어서 증착 속도 감소에 기여하는 바가 작다. 더 정확한 반응 분석을 위해서는 QMS(Quadrupole mass spectroscopy) 와 in-situ 표면 분석이 필요하다.
2. 전기적·구조적 특성 : 비저항, XRD, SEM, 미세경도
유도결합 플라즈마 파워에 따른 TiN 코팅의 비저항을 도 5에 나타냈다. 유도결합 플라즈마 파워가 100W에서 400W로 증가할 때 비저항은 2046.8μΩ-cm에서 54.5μΩ-cm로 급격한 감소를 보인다. 비저항의 감소는 치밀한 미세구조와 불순물특히 산소의 감소로 인한 결과이다.
도 6은 유도결합 플라즈마 파워 변화에 따라 유도결합 플라즈마 화학적 기상 증착법으로 증착된 TiN 코팅의 XRD 패턴이다. 기존의 플라즈마 화학적 기상 증착법로 증착된 TiN 코팅의 경우에는 주로 (200) 피크가 확인되었다. 100W의 유도결합 플라즈마 파워에서는 TiN의 (200) 피크만 관찰되었다. 그러나 100W보다 높은 파워에서는 (200), (111), (220) 피크도 나타났다.
유도결합 플라즈마 파워가 증가할수록 TiN의 (200) 피크의 강도는 감소하였고, (111), (220) 피크의 강도는 증가하였다. 피크 강도의 변화는 플라즈마 내에서의 이온 밀도의 증가 때문이라고 생각된다.
박막의 우선방위 모델에 대한 연구는 오랜 기간동안 되어왔다. 그러나 아직까지 뚜렷한 이론은 없다. 본 연구에서 얻어진 확실한 결과는 유도결합 플라즈마-화학적 기상 증착법으로 증착된 TiN 코팅은 저온에서는 흡착 원자들의 매우 활발한 표면 확산에 의해서만 얻어질 수 있는 벌크와 같은 우선방위를 가진다.
도 7은 전계 방출형 주사 전자현미경에 의해 측정된 TiN 코팅의 표면과 단면그림이다.
100W의 유도결합 플라즈마 파워에서 1×1011/cm3보다 낮은 이온 밀도로 증착된 코팅은 높은 비저항을 보이며 치밀하지 않다. 코팅의 공공성은 증착 중의 많은 O2의혼입(incorporation)을 초래한다. 산소는 반응기 벽에서의 물의 분해로 생성된다. 유도결합 플라즈마 파워가 400W까지 증가함에 따라 비저항은 현저하게 감소한다. 비록 결정립은 작지만 55μΩ-cm 정도의 낮은 비저항을 보이도록 치밀하게 모여 있다. TiN 코팅은 유도결합 플라즈마 파워와는 무관하게 모두 주상정 조직을 형성한다. 이는 도 7의 (e)에 나타냈다.
3. 박막의 경도
도 8은 유도결합 플라즈마 파워에 따른 TiN 경도값의 변화를 보여주고 있다. TiN의 경도는 유도결합 플라즈마 파워가 증가함에 따라 증가했다. 그리고 유도결합 플라즈마 파워가 400W일 때 대략 5000HK0.01의 경도값을 얻었다. 일반적으로, 증착 방법과 증착 변수에 따라 TiN의 경도는 달라진다. 측정한 경도는 하중이 압침 크기(indentation size effect)에 따라 달라지기 때문에 다른 값들과는 직접적으로 비교할 수 없지만, 종전의 화학적 기상 증착법으로 증착한 TiN 코팅은 2000∼4000kgf/mm2정도인 점을 감안할 때, 유도결합 플라즈마-화학적 기상 증착법으로 낮은 온도에서 증착한 TiN 코팅의 경도는 이전의 어떤 화학적 기상 증착법으로 증착한 코팅의 경도보다 더 큰 값을 가진다. 위에서 설명한 것처럼 400W에서 증착한 코팅의 비저항은 낮으므로(도 5참조). TiN의 높은 경도는 코팅의 치밀한 구조 때문이라고 생각되어진다.
도 9는 100W, 400W 유도결합 플라즈마 파워를 주었을 때의 TiN 코팅의 AES 농도 변화를 각각 나타낸 것이다. 100W와 400W에서 증착된 TiN의 Ti/N의 비율은 대략 1 : 1이었다. 또한 낮은 온도에서 증착되었어도 TiN 코팅 내에 Cl 성분은 없었다. TiCl4는 플라즈마 내의 활성화된 Ar과 전자에 의해 쉽게 분해된다. 기판 표면에는 남아있는 Cl과 산소 성분이 Ar 이온의 충돌로 다시 스퍼터링 되거나 산란될 수도 있다. 100W에서 증착된 코팅 내에서는 Cl 성분이 검출되지 않았다. 그러나 많은 양의 산소 성분이 검출되었다. 100W에서 증착된 TiN 코팅의 성긴 구조 때문에 산소가 증착공정 중에 들어간 것이다. 유도결합 플라즈마 파워을 사용해도 플라즈마 전처리 과정이 없으면 기판과 코팅사이의 경계부분에 많은 양의 산소가 존재한다. 플라즈마 전처리 과정을 하면 경계부분에서의 산소 성분은 감소시킬 수 있다. 400W의 유도결합 플라즈마 파워를 걸어주었을 때 경계에서의 산소 성분은 100W의 파워를 걸어주었을 때 보다 훨씬 많이 검출되었다. 그러므로 유도결합 플라즈마 파워가 증가함에 따라 기판 표면에서의 리스퍼터링과 산란의 증가 때문에 코팅 내에서의 산소 혼입이 감소한다고 보여진다.
본 발명에서는 유도결합 플라즈마를 장착한 화학적 기상 증착 장비를 이용하여 경질 내마모 및 장식용, 그리고 확산 방지막으로 많이 사용되는 TiN을 제조하였다.
일반적인 열 화학적 기상 증착법이나 용량성 결합 화학적 기상 증착법의 경우 소스 가스의 분해율이 아주 낮으므로 상당량의 소스 가스를 모두 진공 배기 펌프를 통해서 대기 중으로 방출하고 있어 심각한 환경오염을 야기 시키고 있다. 화학적 기상 증착법의 원리상 기판 상에서 분해되는 유효한 소스 가스의 양은 화학적인 분해 반응을 플라즈마가 어떻게 효율화시키느냐 하는 문제이므로, 유도결합 플라즈마 화학적 기상 증착법은 환경적인 문제에서도 커다란 장점을 가지고 있다. 또한, 유도결합 플라즈마 내에서 소스 가스의 분해가 활발하므로 저온공정으로도 우수한 특성을 가진 막을 증착할 수 있어, 고온에서 증착이 불가능했던 기판(예를 들어 렌즈나, 플라스틱)에 물리적 기상 증착법이 아닌 화학적 기상 증착법으로도 증착이 가능하다.
이상에서는 본 발명을 특정의 실시 예로 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상기한 실시 예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변경과 수정이 가능할 것이다.

Claims (6)

  1. 화학적 기상 증착 시스템에 있어서,
    내부 압력을 조정하기 위한 진공 수단이 연결되어 반응 공간을 제공하는 챔버와;
    상기 챔버의 내측 일측에 설치되어 반응 소스를 균일한 분포로 공급하는 적어도 1개의 반응 소스 분사기와;
    상기 챔버의 타측에 설치되어 반응 가스를 공급하는 적어도 1개의 반응 가스 분사기와;
    상기 반응 소스 분사기 및 반응 가스 분사기의 아래에 설치되어 전자기장을 형성하여 상기 반응 소스 분사기 및 반응 가스 분사기를 통하여 공급되는 반응 소스 및 반응 가스를 플라즈마 상태로 변화시켜 주는 RFI 코일과;
    상기 RFI 코일에 의하여 생성된 플라즈마가 증착되는 기판이 설치되어 가열시켜 주는 증착대를 포함하는 것을 특징으로 하는 내부 삽입형 유도결합 플라즈마 화학 기상 증착 시스템.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 반응 소스 분사기 및 반응 가스 분사기는 공급되는 반응 소스 및 반응 가스의 기화에 의한 응축을 방지하기 위한 가열 수단이 장착된 가스 라인을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 내부 삽입형 유도결합 플라즈마 화학 기상 증착 시스템.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 RFI 코일은 전기 전도성 및 열 전도성이 우수한 금속 재질의 관으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 내부 삽입형 유도결합 플라즈마 화학 기상 증착 시스템.
  4. 제 3항에 있어서, 상기 RFI 코일은 과열을 방지하기 위한 냉매를 공급해 주는 냉각 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 내부 삽입형 유도결합 플라즈마 화학 기상 증착 시스템.
  5. 제 1∼4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 반응 소스 분사기와 반응 가스 분사기는 원형으로 이루어지고, 상기 RFI 코일은 적어도 1번 권선된 코일 구조로 이루어지는 것을 특징으로 하는 내부 삽입형 유도결합 플라즈마 화학 기상 증착 시스템.
  6. 제 5항에 있어서, 상기 반응 소스 분사기 및 반응 가스 분사기와 상기 RFI 코일은 서로 평행하게 설치되어, 플라즈마의 중심이 기판에 대하여 수직 방향으로 작용하는 것을 특징으로 하는 내부 삽입형 유도결합 플라즈마 화학 기상 증착 시스템.
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