KR20030079266A - 고효율 태양전지 및 그 제조 방법 - Google Patents

고효율 태양전지 및 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20030079266A
KR20030079266A KR1020020018205A KR20020018205A KR20030079266A KR 20030079266 A KR20030079266 A KR 20030079266A KR 1020020018205 A KR1020020018205 A KR 1020020018205A KR 20020018205 A KR20020018205 A KR 20020018205A KR 20030079266 A KR20030079266 A KR 20030079266A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
semiconductor substrate
solar cell
etching
conductive semiconductor
etch pit
Prior art date
Application number
KR1020020018205A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100922346B1 (ko
Inventor
박상욱
이건영
김정
이수홍
Original Assignee
삼성에스디아이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성에스디아이 주식회사 filed Critical 삼성에스디아이 주식회사
Priority to KR1020020018205A priority Critical patent/KR100922346B1/ko
Publication of KR20030079266A publication Critical patent/KR20030079266A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100922346B1 publication Critical patent/KR100922346B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0236—Special surface textures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

고효율 태양전지 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 목적은 짧은 공정시간과 우수한 재현성을 나타내고 대량 생산이 가능한 화학적 식각 방법으로 다결정 실리콘 웨이퍼의 표면을 결정 방향에 무관하게 텍스처링하는 데 있다. 이를 위해 본 발명에서는 특정 첨가제가 포함된 등방성 식각 용액을 이용하여 다결정 실리콘 웨이퍼를 습식 식각하여 표면을 텍스처링하는 단계를 포함하여 태양전지를 제조하며, 텍스처링된 웨이퍼 표면에는 곡률반경이 0.1~1 ㎛의 에치핏(etch pit)이 형성되어 있고, 곡률반경이 0.1~1 ㎛의 에치핏 내에는 곡률반경이 이보다 더 작은 값인 1~10 nm의 에치핏이 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.

Description

고효율 태양전지 및 그 제조 방법 {High efficient solar cell and fabrication method thereof}
본 발명은 고효율 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 화학적 식각 방법을 이용하여 표면에서의 광 흡수율이 극대화되도록 텍스처링(texturing)된 다결정 실리콘 웨이퍼를 포함한 태양전지 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
태양 전지는 광전지(photovoltaic device)로서, 반도체의 p-n 접합 원리를 이용하여 태양광을 전기적 에너지로 변환하는 전지이다. 태양광을 전기 에너지로 변환시킬 수 있는 태양 전지의 성능은 일반적으로 광에너지가 전기 에너지로 변환되는 효율을 측정하며, 그 값은 태양 전지의 전기 출력의 입사 광량에 대한 비이며, 보통 %로 나타낸다.
따라서, 태양 전지의 효율을 증가시키기 위한 연구가 많이 진행되고 있으며, 태양전지의 효율을 높이기 위한 방법의 하나로서 웨이퍼 표면을 텍스처링하여 빛의 흡수를 최대화하는 방법이 있다.
텍스처링 방법으로는 플라즈마 식각(plasma etching)을 이용한 방법, 기계적인 스크라이빙(mechanical scribing) 방법, 포토리소그래피(photolithography) 공정을 이용한 방법, 및 화학적 식각(chemical etching) 방법 등이 있다.
상기 방법 중 플라즈마 식각을 이용한 텍스처링 방법은 감광막을 도포하고 노광 및 현상하여 패턴을 형성한 후 패턴을 마스크로 하여 플라즈마 식각한 다음 마스크를 제거하는 방법이다. 이 방법은 우수한 반사율을 보이지만 작업시간이 오래 걸리고 고가의 진공 장비를 필요로 하기 때문에 상업적 이용 가능성이 매우 적은 문제점이 있다.
기계적인 스크라이빙 방법은 웨이퍼 표면에 홈(groove)를 형성한 후 화학적인 식각을 이용하여 텍스처링 하는 방법이며, 그 일 예가 미국 특허 제 5,704,992 호에 기술되어 있다. 그러나 이 방법은 작업 시간이 오래 걸려 공정 비용이 너무 높기 때문에 다결정 태양전지 제조에 상업적 이용 가능성이 매우 적은 문제점이 있다.
포토리소그래피 공정을 이용한 방법은 산화막이 형성된 웨이퍼에 감광막을 도포하고 노광 및 현상하여 감광막 패턴을 형성하고 이 감광막 패턴과 동일한 산화막 패턴을 만든 후, 산화막 패턴을 마스크로 이용하여 웨이퍼 표면을 등방성 또는 이방성 식각하는 것에 의해 텍스처링하는 방법이다. 그러나 이 방법은 가격이 너무 비싼 공정이기 때문에 다결정 태양 전지 제조에 있어서 상업적 이용 가능성이 매우 적은 문제점이 있다.
화학적인 식각 방법은 짧은 시간에 저렴한 가격으로 다량의 웨이퍼를 텍스처링할 수 있는 방법으로 많이 각광 받고 있다. 화학적인 식각 방법으로서 이방성 식각(anisotropic etching) 방법을 단결정 실리콘 웨이퍼에 사용하고 있으며, 일 예로는 미국 특허 제 5,804,090 호에 프로텍터(protector) 역할을 하는 하이드라진 하이드레이트(hydrazine hydrate)와, 식각제로 금속 하이드록사이드 수용액을 사용하는 방법이 기술되어 있다. 그러나 이러한 이방성 식각 방법은 고가인 단결정에서는 좋은 방법으로 알려져 있으나, 여러 방향성을 가지는 저가의 다결정 실리콘 웨이퍼에 적용할 경우에는 좋은 효과를 나타내지 못하는 단점이 있다.
따라서 다결정 실리콘 웨이퍼에 적용 가능한 화학적 식각을 통한 텍스처링 방법의 개발이 절실히 요청되고 있다.
다결정 실리콘 웨이퍼에 적용 가능한 텍스처링 방법이 되기 위해서는 다음과 같은 조건을 만족하여야 한다. 첫째, 결정 방향에 무관한 식각이 가능해야 하고, 둘째, 짧은 공정시간과 우수한 재현성을 나타내어야 하며, 셋째, 대량 생산이 가능해야 한다.
그러나, 현재로는 상기한 바와 같은 조건을 모두 만족시키는 텍스처링 방법이 없는 실정이다.
본 발명은 상기한 바와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 그 목적은 짧은 공정시간과 우수한 재현성을 나타내고 대량 생산이 가능한 화학적 식각 방법으로 다결정 실리콘 웨이퍼의 표면을 결정 방향에 무관하게 텍스처링하는 데 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지를 도시한 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지를 제조하기 위해 반도체 기판을 텍스처링하는 방법을 도시한 단면도이다.
도 3a 및 도 3b는 각각 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지의 텍스처링된 다결정 실리콘 웨이퍼의 상부 표면 및 단면을 관측한 주사전자현미경 사진이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따라 텍스처링된 다결정 실리콘 웨이퍼 및 기존의 등방성 식각에 의해 텍스처링된 다결정 실리콘 웨이퍼에서의 반사율을 측정하여 나타낸 그래프이다.
상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에서는 특정 첨가제가 포함된 등방성 식각 용액을 이용하여 다결정 실리콘 웨이퍼를 습식 식각하여 표면을 텍스처링하는 단계를 포함하여 태양전지를 제조하며, 텍스처링된 웨이퍼 표면에는 곡률반경이 0.1~1 ㎛의 에치핏(etch pit)이 형성되어 있고, 곡률반경이 0.1~1 ㎛의 에치핏 내에는 곡률반경이 이보다 더 작은 값인 1~10 nm의 에치핏이 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명에 따른 태양전지 및 그 제조 방법에 대해 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
태양전지 제조에 있어서 반도체 기판의 텍스처링 공정은 기판 표면에서의 광 흡수율을 증가시키기 위해 기판의 표면을 울퉁불퉁하게 직물의 표면처럼 형성하는 공정이며, 텍스처링된 표면에서는 빛이 두 번 이상 되튀면서(bound) 기판에서의 반사율은 감소되고 기판 내로의 흡수율은 증가된다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지를 도시한 사시도로서, 이에 도시된 바와 같이 제1도전형 반도체 기판(1)의 수광면인 전면은 텍스처링되어 있으며, 도 1에 도시된 태양전지의 구조에 대해 간략하게 설명하면 다음과 같다.
제1도전형의 반도체 기판(1)의 전면에는 이와는 반대 도전형을 가지는 제2도전형의 반도체층(2)이 형성되어 있고, 제2도전형 반도체층(2) 상에는 전면 산화막(3)이 형성되어 있으며, 전면 산화막(3)의 일부분이 제거된 전면 접촉구멍(4)을 통해 드러난 제2도전형 반도체층(2)에는 제2도전형의 고농도 불순물 영역(5)이 형성되어 있고, 전면전극(6)이 전면 접촉구멍(4)을 통해 제2도전형 고농도 불순물 영역(5)과 전기적으로 연결되도록 형성되어 있다.
제1도전형의 반도체 기판(1) 후면에는 제1도전형의 고농도 불순물 영역(7)이 국부적으로 형성되어 있고, 제1도전형의 고농도 불순물 영역(7)을 포함한 반도체 기판(1)의 후면 상에는 후면 산화막(8)이 형성되어 있으며, 후면 산화막(8) 상에는 후면 전극(9)이 후면 접촉구멍(10)을 통해 제1도전형의 고농도 불순물 영역(7)과 전기적으로 연결되도록 형성되어 있다.
그러나, 본 발명은 상기한 바와 같은 구조의 태양전지로 한정되는 것은 아니며, 이외의 다른 구조의 태양전지에도 적용가능하다.
본 발명에 따라 텍스처링된 반도체 기판(1)의 표면에는 제1에치핏(20)이 0.1~1 ㎛의 곡률반경을 가지는 크기로 형성되어 있고, 제1에치핏(20)의 내면에는 이보다 더 작은 나노미터 단위, 즉 곡률반경이 1~10 nm인 제2에치핏(30)이 형성되어 있다.
이와 같이 제1에치핏 및 제2에치핏이 형성되어 있으면 빛이 두 번 이상 반사되어 기판에서의 반사율이 대폭 낮아진다.
이러한 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지를 제조하기 위해 반도체 기판을 텍스처링하는 방법이 도 2에 도시되어 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에서는 다결정 실리콘 웨이퍼(1)를 식각 용액(12) 내에 침지하는 습식 식각에 의해 웨이퍼의 표면을 텍스처링한다. 식각 용액(12)은 HF와 HNO3를 주성분으로 하되 HF가 HNO3보다 더 높은 비율인 5:1 ~ 21:1의 중량비로 혼합하도록 하고, 여기에 특수 성분으로 표면 활성제 및 촉매제를 전체 용액의 1 중량% 이하로 첨가한다.
이 때, 표면 활성제는 웨이퍼의 표면을 활성화시켜 식각이 용이하게 이루어지도록 하는 역할을 하며, 일 예로 AgNO3, I2, 또는 Br2와 같은 물질을 사용할 수 있다. 촉매제는 식각의 초기 속도를 빠르게 조절하는 역할을 하며, 일 예로 NaNO2와 같은 물질을 사용할 수 있다. 표면 활성제 및 촉매제는 상기한 바와 같이 명기한 물질 이외에도 원하는 역할을 수행하는 물질이면 어느 것이라도 사용할 수 있다.
식각 용액(12)을 담는 용기(13)는 다결정 실리콘 웨이퍼(1)보다 충분히 커야 하고, 식각이 이루어지는 동안에 식각 용액의 온도가 변하지 않고 일정하게 유지되어야 한다. 다시 말해 식각 반응 자체가 발열 반응이기 때문에 식각하는 동안 용액의 온도가 과도하게 올라가게 되면 식각 속도를 조절하지 못하며, 표면 구조 또한 원하는 모양을 만들기 어렵다. 이러한 이유로 식각 온도를 조절해주는 냉각기가 필요하며, 식각 용액의 온도가 상온 이상으로 올라가지 않도록 조절한다.
또한 식각이 이루어지는 동안 웨이퍼가 흔들리지 않고 지면과 평행한 상태로 놓여 있도록 하기 위해 웨이퍼 홀더(holder)와 같은 장치를 이용하여 웨이퍼를 잡아준다. 이는, 만약 식각이 이루어지는 동안 웨이퍼가 흔들리거나 하여 지면과 평행하지 않으면 표면이 원하는 형상으로 식각되지 않는다.
이하, 실시예를 통해 본 발명을 더욱 상세히 설명한다.
실시예
주성분인 불산 HF(70% 수용액)와 질산 HNO3(70% 수용액)이 12:1의 중량비로 혼합된 용액에 특수 성분으로 표면 활성제 및 촉매제를 각각 0.4 중량% 및 0.4 중량% 첨가하여 식각 용액을 준비하고, 이 식각 용액을 폭이 20 cm 인 용기 내에 담은 다음, 직경 10 cm 인 다결정 실리콘 웨이퍼를 식각 용액 내에 침지하여 식각하였다.
이 때, 냉각기를 작동시켜 식각이 이루어지는 동안에 식각 용액의 온도를 25℃로 유지하고, 또한 웨이퍼 홀더를 이용하여 식각 용액 내에서 웨이퍼가 지면과 평행한 상태로 놓이도록 웨이퍼를 잡고 고정시q방켜 식각이 이루어지는 동안 웨이퍼가 흔들리지 않고 바닥과 평행한 상태를 유지하도록 하였다.
텍스처링된 다결정 실리콘 웨이퍼의 상부 표면 및 단면을 관측한 주사전자현미경 사진을 각각 도 3a 및 도 3b에 도시하였으며, 여기에 제1에치핏(20) 및 제2에치핏(30)이 도시되어 있다.
이러한 본 발명의 일 실시예에 따라 텍스처링된 다결정 실리콘 웨이퍼 및 기존의 등방성 식각에 의해 텍스처링된 다결정 실리콘 웨이퍼에서의 반사율을 측정하고 그 결과를 도 4에 나타내었다. 도 4에 도시된 바와 같이 본 발명에 따르면 다결정 실리콘 웨이퍼에서의 반사율(100)은 12.3% 이하이며, 이는 기존의 등방성 식각에 의해 텍스처링된 경우의 반사율(110)인 18~24%에 비해 반사율이 획기적으로 낮아진 것이다.
상기한 바와 같이, 본 발명에 따라 태양전지용 기판인 다결정 실리콘 웨이퍼를 텍스처링하면 기판에서의 반사율을 최소화하는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따른 텍스처링 방법은 종래의 텍스처링 방법에 비해 60% 이상 공정 비용이 저렴하고 60% 이상 공정 시간이 단축되는 효과가 있다.
그리고, 본 발명에 따른 텍스처링 방법은 종래의 텍스처링 방법에 비해 재현성이 우수한 효과가 있다.

Claims (8)

  1. 제1도전형의 반도체 기판;
    상기 제1도전형의 반도체 기판 상에 형성되고 상기 제1도전형의 반도체 기판과 반대 도전형을 가지는 제2도전형의 반도체층;
    상기 제2도전형 반도체층의 전면에 형성된 전면전극; 및
    상기 제1도전형 반도체 기판의 후면에 형성된 후면전극을 포함하고,
    상기 제1도전형 반도체 기판의 수광면은, 제1에치핏이 다수개 형성되고 상기 제1에치핏의 내면에는 제2에치핏이 다수개 형성되도록 텍스처링된 태양전지.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1에치핏은 0.1~1 ㎛의 곡률반경을 가지고, 상기 제2에치핏은 1~10 nm의 곡률반경을 가지는 태양전지.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 반도체 기판은 다결정 실리콘 웨이퍼인 태양전지용 반도체 기판.
  4. HF, HNO3를 주성분으로 하고, 표면 활성제 및 초기 식각속도를 빠르게 하는 촉매제를 첨가한 식각 용액 내에, 반도체 기판을 침지하고, 상기 식각 용액의 온도를 상온으로 유지한 상태에서 상기 반도체 기판을 식각하는 것에 의해 텍스처링하는 단계를 포함하는 태양전지 제조 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 반도체 기판은 다결정 실리콘 웨이퍼인 태양전지용 반도체 기판의 텍스처링 방법.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 식각 용액은 상기 HF 및 HNO3가 5:1 ~ 21:1의 중량비로 혼합되고, 상기 표면 활성제 및 상기 촉매제가 각각 1 중량% 이하로 첨가된 태양전지 제조 방법.
  7. 제 4 항에 있어서,
    상기 표면 활성제는 AgNO3, I2, 및 Br2로 이루어진 군에서 선택되는 한 물질인 태양전지 제조 방법.
  8. 제 4 항에 있어서,
    상기 촉매제는 NaNO2인 태양전지 제조 방법.
KR1020020018205A 2002-04-03 2002-04-03 태양전지 및 그 제조 방법 KR100922346B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020020018205A KR100922346B1 (ko) 2002-04-03 2002-04-03 태양전지 및 그 제조 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020020018205A KR100922346B1 (ko) 2002-04-03 2002-04-03 태양전지 및 그 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20030079266A true KR20030079266A (ko) 2003-10-10
KR100922346B1 KR100922346B1 (ko) 2009-10-21

Family

ID=32377658

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020020018205A KR100922346B1 (ko) 2002-04-03 2002-04-03 태양전지 및 그 제조 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100922346B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009025502A2 (en) * 2007-08-21 2009-02-26 Lg Electronics Inc. Solar cell having porous structure and method for fabrication thereof
KR101023143B1 (ko) * 2004-02-25 2011-03-18 삼성에스디아이 주식회사 태양전지용 실리콘 기판 텍스처링장치

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07106612A (ja) * 1993-09-29 1995-04-21 Tonen Corp 光電変換装置の製造方法
JP3578539B2 (ja) * 1996-02-08 2004-10-20 三菱電機株式会社 太陽電池の製造方法および太陽電池構造
JP3772456B2 (ja) * 1997-04-23 2006-05-10 三菱電機株式会社 太陽電池及びその製造方法、半導体製造装置
KR100388910B1 (ko) * 2000-10-20 2003-06-25 삼성에스디아이 주식회사 다결정 실리콘 태양전지의 제조방법

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101023143B1 (ko) * 2004-02-25 2011-03-18 삼성에스디아이 주식회사 태양전지용 실리콘 기판 텍스처링장치
WO2009025502A2 (en) * 2007-08-21 2009-02-26 Lg Electronics Inc. Solar cell having porous structure and method for fabrication thereof
WO2009025502A3 (en) * 2007-08-21 2009-04-23 Lg Electronics Inc Solar cell having porous structure and method for fabrication thereof

Also Published As

Publication number Publication date
KR100922346B1 (ko) 2009-10-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4610669B2 (ja) 太陽電池の製造方法
US7828983B2 (en) Semiconductor texturing process
KR100378016B1 (ko) 태양 전지용 반도체 기판의 텍스처링 방법
US7402448B2 (en) Photovoltaic cell and production thereof
KR101387715B1 (ko) 나노 텍스쳐링 구조를 갖는 반도체 웨이퍼 기판을 포함하는벌크형 태양전지의 제조방법
US20080001243A1 (en) Crystalline Silicon Wafer, Crystalline Silicon Solar Cell, Method of Manufacturing Crystalline Silicon Wafer, and Method of Manufacturing Crystalline Silicon Solar Cell
JP2005150614A (ja) 太陽電池及びその製造方法
US10483415B2 (en) Methods to introduce sub-micrometer, symmetry-breaking surface corrugation to silicon substrates to increase light trapping
AU2006243111A1 (en) Solar cell manufacturing method and solar cell
US20200220033A1 (en) Metal-assisted etch combined with regularizing etch
Es et al. An alternative metal-assisted etching route for texturing silicon wafers for solar cell applications
WO2004023567A2 (en) Method of manufacturing a solar cell
JP2010245568A (ja) 太陽電池の製造方法
JP2005136081A (ja) 太陽電池の製造方法
KR100922346B1 (ko) 태양전지 및 그 제조 방법
JP3602323B2 (ja) 太陽電池の製造方法
JP5554359B2 (ja) 基板の粗面化方法、太陽電池の製造方法および太陽電池、太陽電池モジュール
KR20050087253A (ko) 전사법을 이용한 태양전지 및 그 제조방법
CN114792740A (zh) 半导体衬底层的制备方法及太阳能电池的制备方法
KR101090397B1 (ko) 나노 다공성 구조를 가진 선택적 패턴이 형성된 태양전지용 실리콘 기판 및 이의 제조 방법
KR101029331B1 (ko) 태양전지용 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링 방법, 이에 의하여 텍스쳐링된 태양전지용 실리콘 웨이퍼 및 이를 포함하는 태양전지
Kong et al. Fabrication of silicon pyramid-nanocolumn structures with lowest reflectance by reactive ion etching method
JP2005136062A (ja) 太陽電池の製造方法
CN100490186C (zh) 改进的光生伏打电池及其生产
KR20120102908A (ko) 실리콘 태양전지 및 그의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120921

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee