KR20030078203A - 유기금속화학증착장치용 반응기의 가스분사장치 - Google Patents

유기금속화학증착장치용 반응기의 가스분사장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 고온초전도 박막 제조를 위한 유기금속화학증착장치용 반응기의 가스분사장치에 관한 것으로서, 증발원료와 반응가스가 별도의 분사구를 통해 서로 독립적으로 분사되도록 함으로써, 증발원료와 반응가스의 혼합 및 반응이 분사구를 빠져 나온 상태에서 이루어지도록 하고, 이로써 분사구에서의 산화물 석출 및 이에 따른 분사구의 막힘 현상을 방지할 수 있도록 하는데 그 목적이 있다.
이를 실현하기 위한 본 발명의 가스분사장치는 반응기의 챔버 내부에서 증발원료를 공급받아 분사하는 확산관과, 반응가스를 공급받아 분사하는 반응가스 유도관을 포함하여 이루어지고, 증발원료와 반응가스가 상기 확산관과 반응가스 유도관의 분사구를 통해 서로 독립적으로 분사되도록 한 것을 특징으로 한다.

Description

유기금속화학증착장치용 반응기의 가스분사장치{Gas shower of reactor for metal organic chemical vapor deposition system}
본 발명은 고온초전도 박막 제조를 위한 유기금속화학증착장치용 반응기의 가스분사장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 증발원료와 반응가스가 별도의 분사구를 통해 서로 독립적으로 분사되도록 함으로써, 증발원료와 반응가스의 혼합 및 반응이 분사구를 빠져 나온 상태에서 이루어지도록 하고, 이로써 분사구에서의 산화물 석출 및 이에 따른 분사구의 막힘 현상을 방지할 수 있도록 한 유기금속화학증착장치용 반응기의 가스분사장치에 관한 것이다.
일반적으로 물리증착(PVD: Physical Vapor Deposition)방식은 고진공조건하에서 화학반응이 일어나지 않는 상태로 단일 금속의 증기상을 피처리물 표면에 증착시키는 것을 의미하며, 화학증착(CVD: Chemical Vapor Deposition)방식은 진공조건하에서 화학반응에 의해 형성된 고체상이 피처리물 표면에 응축되어 피복층을 형성하게 하는 것을 의미한다.
따라서, 물리증착방식은 증발원료에서 박막으로 형태변화가 일어나더라도 그 화학적 성분에는 변화가 일어나지 않는 방식인 반면, 화학증착방식은 증발원료의물질과 최종 산출되는 박막의 물질이 그 화학적 성분에서 완전히 달라지는 방식이다.
즉, Cu를 증발시켜 Cu의 박막을 얻는 것이 물리증착이라 한다면, SiH4를 증발원료로 하여 Si의 박막을 얻는 것은 화학증착의 한 예이다.
또한, 가장 많이 사용되고 있는 물리증착방식으로는 스퍼터링(sputtering)법, 레이저 증착(laser ablation, pulsed laser deposition)법, 진공증착(evaporation)법이 있으며, 화학증착방식으로는 유기금속화학증착(MOCVD: Metal Organic Vapor Deposition, 이하 MOCVD라 칭함)법이 소개되고 있다.
특히, 고온초전도 박막 제조를 위한 증착방식의 경우, 물리증착방식과 화학증착방식이 모두 적용되고 있으나, 아직까지는 어느 방식이 최적의 방식인지 정해지지 않은 상태이다.
일반적으로 물리증착방식은 화학증착방식에 비해 공정이 일어나는 기구적인 원리가 간단한 반면 고진공의 환경을 필요로 하기 때문에 장비의 가격이 고가인 단점을 가지고 있다.
이에 대하여, 화학증착방식의 MOCVD법은 하나 이상의 유기금속 전구체 화합물을 기화시키고, 수송가스(carrier gas)를 사용하여 증기화된 전구체를 가열된 피처리물(기판 또는 선재 등)의 표면으로 이동시킨 후, 화학반응을 통해 피처리물의 표면에 박막을 합성하는 방식이다.
이러한 MOCVD법은 저온공정이 가능하고, 원료물질의 도입량과 수송가스의 양을 조절하여 박막의 조성과 증착속도를 제어할 수 있는 장점을 가지고 있다.
또한, 상기 MOCVD법은 균일도(uniformity)가 높고 단차 피복성(step coverage)이 우수한 박막을 얻을 수 있고, 피처리물의 표면을 손상시키지 않는 장점도 지니고 있다.
더욱이, 고온초전도 박막을 제조함에 있어서, 상기한 물리증착방식을 이용할 경우에는 복잡한 다원화합물을 증착하는 관계로 제조상 조건이 매우 까다롭고 재현성이 떨어지는 단점이 있는 반면, MOCVD법으로 제조되는 박막은 통상 그 치밀도가 매우 높을 뿐만 아니라 양산을 염두에 둔 제조가 가능하여 많은 연구가 진행되고 있는 추세이다.
상기 고온초전도체는 기본적인 화학구성이 세라믹으로 되어 있기 때문에 물리증착 및 화학증착의 어떠한 방식으로도 박막 제조가 쉽게 일어날 수 없는 특성을 가지고 있다.
특히, Y계(Y1Ba2Cu3Ox)의 초전도물질은 Y, Ba, Cu가 각각 1:2:3 몰비의 비율로 맞춰져야 하고, 산소(x)의 함량이 6.4몰 이상이 되어야 사방정계(orthorhombic)의 구조를 이룰 수 있어 초전도체 성질을 나타낼 수 있는 반면, 산소(x)의 함량이 6.4몰 이하일 때는 정방정계(tetragonal)의 구조로 부도체의 성질을 나타내게 된다.
따라서, 화학증착방식으로 실시되는 공정에서 증발원료, 즉 원료물질인 Y, Ba, Cu, 그리고 수송 및 반응가스가 되는 산소의 성분비율을 정확하게 제어하는 것이 매우 중요하며, 원료물질과 반응가스의 반응결과가 이들을 혼합하는 과정에 따라 크게 달라질 수 있다.
결국, Y계의 고온초전도 박막을 제조하는 기존의 화학증착장치에서는 반응가스인 산소의 함량이 박막의 물성을 좌우할 수 있는 중요한 변수인 점을 고려하여, 원료물질이 반응기로 진입하는 과정에 산소 공급을 위한 반응가스 공급통로를 만들어 줌으로써, 원료물질이 반응기로 진입하기 전에 함량이 제어된 산소와 미리 혼합된 후 반응기의 피처리물(기판 또는 선재 등) 위로 분사되도록 구성되어 있다.
이로 인하여, 기존의 화학증착장치에서는 원료물질이 반응기에서 피처리물로 분사되는 시점에 이미 산화물로 변화되어 가스분사장치에 머무르게 되는 바, 결국 이 산화물들이 가스분사장치의 분사구 주변에 퇴적되면서 분사구를 막게 되는 일이 빈번히 발생하여, 이에 대한 대처방안이 절실히 요구되고 있다.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 발명한 것으로서, 증발원료와 반응가스가 별도의 분사구를 통해 서로 독립적으로 분사되도록 함으로써, 고온초전도체의 증발원료와 반응가스의 혼합 및 반응이 분사구를 빠져 나온 상태에서 이루어지도록 하고, 이로써 분사구에서의 산화물 석출 및 이에 따른 분사구의 막힘 현상을 방지할 수 있는 유기금속화학증착장치의 반응기용 가스분사장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
도 1은 본 발명의 가스분사장치가 적용된 고온초전도용 MOCVD장치를 개략적으로 보여주는 장치구성도
도 2는 본 발명의 가스분사장치가 적용된 고온초전도용 MOCVD장치의 반응기를 확대하여 나타낸 도면
도 3은 본 발명에 따른 가스분사장치를 보여주는 구성도
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1 : MOCVD장치2 : 증발원료 공급부
3 : 피처리물 공급부4 : 반응기
5 : 챔버6 : 히터
7 : 증발원료 공급통로8 : 피처리물
9 : 피처리물 공급통로10 : 가스분사장치
11 : 확산관12 : 유입관부
13 : 전면판14 : 분사관
15 : 평행판16 : 반응가스 유도관
17 : 유입관부18 : 분사구
19 : 연결관20 : 조인트부
21 : 진공 배기구22 : 반응가스 공급통로
이하, 본 발명에 따른 가스분사장치의 바람직한 실시예를 설명하면 다음과 같다.
본 발명에 따른 유기금속화학증착장치 반응기용 가스분사장치는 화학증착방식을 이용한 고온초전도 박막 제조 시 증발원료와 반응가스를 반응기(4) 내 피처리물(8) 표면으로 분사하도록 구성되는 유기금속화학증착장치용 반응기의 가스분사장치에 있어서,
상기 반응기(4) 내부에서 증발원료를 공급받아 분사하는 확산관(11)과, 상기 반응기(4) 내부에서 반응가스를 공급받아 확산관(11)의 분사 전면으로 분사하는 반응가스 유도관(16)을 포함하여 이루어지고, 증발원료와 반응가스가 상기 확산관(11)과 반응가스 유도관(16)의 분사구(14,18)를 통해 서로 독립적으로 분사되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 바람직한 실시예에서, 상기 확산관(11)은 후부 중앙의 유입관부(12)를 통해 내부로 유입된 증발원료가 전방의 분사위치로 가면서 넓게 확산 유도될 수 있도록 깔때기 모양으로 되어 있고, 전면을 밀폐하고 있는 전면판(13)에 증발원료 분사를 위한 다수의 분사관(14)이 전방을 향해 길게 고정 설치되어 있는 것을 특징으로 한다.
특히, 상기 각 분사관(14)의 선단부는 상기 확산관(11)의 전면판(13)에서 전방으로 일정 간격을 두고 평행되게 고정 설치된 평행판(15)을 관통하여 고정 지지되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 반응가스 유도관(16)은 반응기(4) 내부에서 반응가스가 유입되는 유입관부(17)로부터 좌우로 분기되어 전방으로 연장된 후 상기 확산관(11)의 전면판(13)과 평행판(15) 사이를 통과하도록 설치되는 것으로서, 상기 확산관(11)의 전면판(13)과 평행판(15) 사이를 통과하는 부분에 확산관(11)의 분사관(14) 사이로 반응가스 분사를 위한 다수의 분사구(18)가 구비되어 있는 것을 특징으로 한다.
한편, 상기 확산관(11) 및 반응가스 유도관(16)의 유입관부(12,17) 입구에는 연결관(19)의 탈착을 가능하게 해주는 조인트부(20)가 구비되어, 이 조인트부(20)를 통해 상기 각 유입관부(12,17)와 해당 공급통로(7,22) 사이에 필요한 길이의 연결관(19)이 연결될 수 있도록 함으로써, 가스분사장치(10)와 피처리물(8)간 거리가 조절될 수 있도록 한 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 더욱 상세하게 설명하면 다음과 같다.
첨부한 도 1은 본 발명의 가스분사장치가 적용된 고온초전도 박막 제조를 위한 MOCVD장치를 개략적으로 보여주는 장치구성도이고, 첨부한 도 2는 본 발명의 가스분사장치가 적용된 MOCVD장치의 반응기를 확대하여 나타낸 도면이다.
이에 도시한 바와 같이, 본 발명의 가스분사장치(10)가 적용되는 MOCVD(Metal Organic Vapor Deposition)장치(1)는 고온초전도 박막을 연속적으로 제조할 수 있는 장치로서, 크게 박막의 재료가 되는 증발원료를 반응기(4)로 공급하는 증발원료 공급부(2)와, 피처리물(8)을 반응기(4)로 공급하는 피처리물 공급부(3)와, 진공 및 고온조건을 형성하여 연속적으로 통과하는 피처리물(8)을 가열하는 동시에 증발원료와 반응가스를 분사하여 피처리물(8)의 표면에 박막의 합성이 이루어지도록 하는 반응기(4)로 나누어진다.
상기 MOCVD장치(1)에서는 증발원료 공급부(2)로부터 공급되어지는 분말형태의 증발원료가 소정의 공급통로(7)를 통해 반응기(4)로 유입되고, 이 반응기(4) 내부에서 별도의 반응가스가 증발원료와 고온상태에서 혼합되면서 피처리물(8)의 표면에 박막을 형성하도록 되어 있다.
또한, 표면에 고온초전도 박막을 요하는 피처리물(8)은 피처리물 공급부(3)로부터 소정의 공급통로(9)를 통해 공급되어 반응기(4)를 통과하도록 되어 있고, 이때 피처리물(8)의 공급방식은 선재형태로 된 피처리물(8)이 미도시된 릴(reel) 수단 등에 의해 도면상의 좌에서 우로 이동되면서 반응기(4)에 연속적으로 공급되는 방식이다.
한편, 상기 반응기(4)는 스테인레스 스틸 재질의 챔버(5)를 포함하며, 이 챔버(5) 외부는 약 500℃ 정도의 고온으로 가열되도록 되어 있고, 상기 챔버(5) 내부에는 별도의 진공용 히터(6)가 설치되어 연속적으로 통과되는 피처리물(8)의 표면을 800℃까지 가열할 수 있도록 되어 있다.
또한, 상기 반응기(4)의 챔버(5) 내부에는 가스분사장치(10)가 구비된다.
이 가스분사장치(10)는 그 전방에서 연속적으로 통과되고 있는 피처리물(8)의 표면에 원하는 형태의 박막을 형성하기 위하여 박막의 재료가 되는 증발원료와 산소 등의 반응가스를 분사구(18)를 통해 전방의 피처리물(8) 표면으로 분사할 수 있도록 구성되는 것으로서, 양호한 박막 형성을 위해서는 반응기(4)로 유입된 증발원료와 반응가스가 피처리물(8)의 표면에 안정되게 도달될 수 있도록 설계되어야 한다.
상기와 같이 증발원료와 반응가스가 피처리물(8)의 표면에 안정되게 도달될 수 있도록 하기 위해서는 가스분사장치(10)의 각 분사구를 통해 분사되어야 할 증발원료와 반응가스가 해당 분사구에서 미리 반응하여 석출되는 것을 막는 것이 필수적이다.
그러나, 증발원료와 반응가스가 분사되기 전 미리 혼합되도록 되어 있는 종래의 가스분사장치인 경우, 증발원료와 반응가스가 반응기 챔버 내에서 피처리물로 분사되기 전 미리 반응하여 가스분사장치의 분사구에서 쉽게 석출될 수 있고, 이와 같이 석출된 산화물이 점차 분사구를 막게 된다.
따라서, 본 발명에 따른 가스분사장치에서는 미리 혼합된 증발원료와 반응가스가 동일 분사구를 통해 분사되도록 한 종래의 가스분사방식을 배제하는 대신 반응기 내부에 별도로 유입된 증발원료와 반응가스를 별도의 분사구를 통해 서로 독립적으로 분사하는 독립분사방식이 채용된다.
첨부한 도 3은 본 발명에 따른 가스분사장치를 보여주는 구성도로서, 도 2와 도 3을 참조하여 본 발명에 따른 가스분사장치의 실시예를 좀 더 상세하게 설명하면 다음과 같다.
먼저, 도면상의 좌에서 우로 선형의 피처리물(8)이 반응기 챔버(5) 내부로 연속적으로 공급되고 있고, 이 반응기 챔버(5) 내부에서는 가스분사장치(10)가 증발원료와 반응가스를 전방(도면상의 상방)의 피처리물(8)로 분사하며, 이피처리물(8)은 진공용 히터(6)에 의해 800℃까지 가열된다.
여기서, 본 발명의 가스분사장치(10)는 증발원료의 분사를 위해 후부 중앙의 유입관부(12)를 통해 내부로 유입된 증발원료가 전방의 분사위치로 가면서 넓게 확산 유도될 수 있도록 하는 깔때기 모양의 확산관(11)을 포함한다.
상기 확산관(11)의 전면을 밀폐하고 있는 전면판(13)에는 전방을 향해 길게 고정 배치되는 파이프형태의 분사관(14)이 증발원료의 분사구로서 다수 구비되고, 이 분사관(14)들은 전면판(13)에 등간격 배치되어 용접 고정된다.
상기 분사관(14)은 그 선단부가 확산관(11)의 전면판(13)에서 전방으로 일정 간격을 두고 평행되게 고정 설치된 평행판(15)을 관통하여 용접되며, 직경이 2.0㎜ 이내이고 스테인레스 스틸을 재질로 하여 제조된 것이 바람직하다.
상기 평행판(15)은 분사관(14)의 선단부를 지지하며, 스테인레스 스틸을 재질로 하여 제조된 것이 바람직하다.
또한, 상기 확산관(11)은 그 입구가 되는 후부 중앙의 유입관부(12)를 통해 증발원료 공급통로(7)와 연결되며, 이에 따라 증발원료 공급부(2)에서 공급되는 증발원료가 증발원료 공급통로(7) 및 유입관부(12)를 통해 확산관(11) 내부로 모아진 후 분사관(14)을 통해 분사되는 것이다.
한편, 상기 가스분사장치(10)는 증발원료의 분사를 위한 확산관(11)과는 별도로 반응가스의 분사를 위한 반응가스 유도관(16)을 포함한다.
상기 반응가스 유도관(16)은 별도의 반응가스 공급통로(22)를 통해 공급되는 반응가스를 공급받아 확산관(11)의 분사 전면으로 유도하기 위한 것으로서, 도시한바와 같이 반응기 챔버(5) 내부에서 반응가스가 유입되는 유입관부(17)로부터 좌우로 분기되어 전방으로 연장된 후 확산관(11)의 전면판(13)과 평행판(15) 사이를 통과하도록 설치된다.
또한, 상기 반응가스 유도관(16)에서 확산관(11)의 전면판(13)과 평행판(15) 사이를 통과하는 부분에는 이를 관통하고 있는 확산관(11)의 분사관(14) 사이로 반응가스 분사를 위한 다수의 분사구(18)가 형성되고, 이 분사구(18)의 직경은 0.5㎜이하로 하는 것이 바람직하다.
물론, 상기 반응가스 유도관(16)의 분사구(18)에서 분사되는 반응가스가 평행판(15)을 통과하여 전방으로 분사되도록 하기 위해서는 평행판(15)에서 반응가스 유도관(16)과 접촉하는 부분에 이 반응가스 유도관(16)의 분사구(18)와 연통되는 구멍들이 뚫려있어야 함은 당연할 것이다.
또한, 상기 반응가스 유도관(16)은 분사전의 반응가스 온도를 미리 높여줄 수 있도록 반응기 챔버(5) 내에서 반응가스가 유도되는 행정을 길게 하는 것이 바람직하며, 이는 분사되는 반응가스로 인하여 피처리물(8)이 냉각되는 효과를 줄이기 위함이다.
도 2에서 도면부호 21은 증발원료와 반응가스들이 가스분사장치(10)의 전면에서 분사된 후 반응기 챔버(5) 내에서 피처리물(8)을 향해 평행하게 진행할 수 있도록 설치한 진공 배기구를 나타내며, 이 진공 배기구(21)에 의해 증발원료와 반응가스들이 반응기 챔버(5) 내에서 분사후 선형 이동할 수 있게 된다.
한편, 피처리물(8)의 표면에 증착되는 박막의 특성을 좋게 하기 위해서는 박막 제조시 가스분사장치(10)와 피처리물(8)간의 거리를 조절할 필요가 있는 바, 본 발명의 가스분사장치(10)에서는 확산관(11)의 유입관부(12) 입구와 증발원료 공급통로(7) 출구 사이, 그리고 반응가스 유도관(16)의 유입관부(17) 입구와 반응가스 공급통로(22) 출구 사이를 별도의 연결관(19)으로 연결할 수 있게 한다.
즉, 길이가 상이한 여러 연결관(19)들 중 필요한 길이의 연결관(19)을 선택하여 연결하도록 함으로써, 가스분사장치(10)와 피처리물(8)간 거리가 조절될 수 있게 한 것이다.
물론, 이 연결관(19)의 양 단부, 그리고 이에 연결되는 부분, 즉 확산관(11) 및 반응가스 유도관(16)의 각 유입관부(12,17) 입구, 증발원료 공급통로(7) 및 반응가스 공급통로(22)의 출구에는 연결관(19)의 탈착을 가능하게 해주는 소정의 조인트부(20)가 구비되어야 함은 당연할 것이다.
이와 같이 하여, 본 발명의 가스분사장치에서는 증발원료와 반응가스가 별도의 분사구를 통해 서로 독립적으로 분사되도록 하여 분사전에 미리 혼합되지 않도록 할 수 있고, 이로써 산화물 석출에 따른 분사구 막힘현상을 방지할 수 있게 된다.
결국, 본 발명의 가스분사장치를 이용하면 반응기로 공급된 증발원료와 반응가스가 분사후 서로 혼합되면서 피처리물의 표면에 안정되게 도달될 수 있고, 양질의 균일한 박막 제조가 가능해진다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에 따른 유기금속화학증착장치용 반응기의 가스분사장치에서는 고온초전도체의 증발원료와 반응가스가 별도의 분사구를 통해 서로 독립적으로 분사되도록 함으로써 다음과 같은 효과를 기대할 수 있다.
1) 증발원료와 반응가스가 분사되기 전 미리 혼합된 상태로 분사되는 기존의 가스분사장치와 비교하여 볼 때, 본 발명의 가스분사장치에서는 증발원료와 반응가스의 혼합 및 반응이 분사구를 빠져 나온 상태에서 이루어지므로 분사구에서의 산화물 석출이 방지될 수 있고, 분사구 막힘 현상이 방지될 수 있는 효과가 있다.
2) 증발원료와 반응가스가 분사구에서 산화물로 석출되는 일 없이 분사후 피처리물 정면의 고온부에서 서로 혼합되면서 피처리물의 표면에 안정되게 도달될 수 있으므로 양질의 균일한 박막 제조가 가능해지는 효과가 있다.
3) 확산관의 분사관 배치형태를 달리하여 증발원료의 밀도를 원하는 방향으로 집중시킬 수 있으므로 고밀도 박막 선재를 제조함에 있어 원료의 손실을 최소화할 수 있는 효과가 있다.

Claims (5)

  1. 화학증착방식을 이용한 고온초전도 박막 제조 시 증발원료와 반응가스를 반응기(4) 내 피처리물(8) 표면으로 분사하도록 구성되는 유기금속화학증착장치용 반응기의 가스분사장치에 있어서,
    상기 반응기(4) 내부에서 증발원료를 공급받아 분사하는 확산관(11)과, 상기 반응기(4) 내부에서 반응가스를 공급받아 확산관(11)의 분사 전면으로 분사하는 반응가스 유도관(16)을 포함하여 이루어지고, 증발원료와 반응가스가 상기 확산관(11)과 반응가스 유도관(16)의 분사구(14,18)를 통해 서로 독립적으로 분사되는 것을 특징으로 하는 유기금속화학증착장치용 반응기의 가스분사장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 확산관(11)은 후부 중앙의 유입관부(12)를 통해 내부로 유입된 증발원료가 전방의 분사위치로 가면서 넓게 확산 유도될 수 있도록 깔때기 모양으로 되어 있고, 전면을 밀폐하고 있는 전면판(13)에 증발원료 분사를 위한 다수의 분사관(14)이 전방을 향해 길게 고정 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 유기금속화학증착장치용 반응기의 가스분사장치.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 각 분사관(14)의 선단부는 상기 확산관(11)의 전면판(13)에서 전방으로 일정 간격을 두고 평행되게 고정 설치된 평행판(15)을 관통하여 고정 지지되는 것을 특징으로 하는 유기금속화학증착장치용 반응기의 가스분사장치.
  4. 제 1 항에서 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 반응가스 유도관(16)은 반응기(4) 내부에서 반응가스가 유입되는 유입관부(17)로부터 좌우로 분기되어 전방으로 연장된 후 상기 확산관(11)의 전면판(13)과 평행판(15) 사이를 통과하도록 설치되는 것으로서, 상기 확산관(11)의 전면판(13)과 평행판(15) 사이를 통과하는 부분에 확산관(11)의 분사관(14) 사이로 반응가스 분사를 위한 다수의 분사구(18)가 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 유기금속화학증착장치용 반응기의 가스분사장치.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 확산관(11) 및 반응가스 유도관(16)의 유입관부(12,17) 입구에는 연결관(19)의 탈착을 가능하게 해주는 조인트부(20)가 구비되어, 이 조인트부(20)를 통해 상기 각 유입관부(12,17)와 해당 공급통로(7,22) 사이에 필요한 길이의 연결관(19)이 연결될 수 있도록 함으로써, 가스분사장치(10)와 피처리물(8)간 거리가 조절될 수 있도록 한 것을 특징으로 하는 유기금속화학증착장치용 반응기의 가스분사장치.
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