KR20030077793A - Apparatus for treating hazardous gas using plasma - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 유해가스 처리장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 플라즈마를 이용한 유해가스 처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for treating noxious gas, and more particularly, to an apparatus for treating noxious gas using plasma.
일반적으로 유해가스, 예컨대 과불화물(perfluoro compounds), 염화불화탄소(chlorofluoro carbons), 다이옥신(dioxin)과 같은 기상의 유해가스를 처리하는데 사용되는 플라즈마를 발생시키는 방법에는 쇼크(shock), 스파크 방전(spark discharge), 핵반응 및 본 발명에서와 같은 아크 방전(arc discharge) 등이 있다. 이러한 아크 방전은 두 개의 전극 사이에 고전압의 직류 아크를 인가함으로써 발생시킬 수 있다. 이러한 아크 사이에 질소 등의 플라즈마를 형성할 수 있는 가스를 통과시켜 매우 높은 고온까지 가열시키면 이러한 가스가 이온화하게 되는데, 이와 같은 방법에 의하여 다양한 종류의 반응성 입자를 생성함으로써 플라즈마를 형성하게 된다. 이러한 플라즈마의 온도는 적어도 1000℃가 된다. 이와 같이 발생된 1000℃ 이상의 플라즈마에 유해가스를 주입함으로써 이를 분해 처리하게 된다.In general, methods for generating plasma used to treat harmful gases such as perfluoro compounds, chlorofluoro carbons, and dioxins such as dioxins include shock and spark discharges. spark discharges, nuclear reactions, and arc discharges as in the present invention. Such arc discharge can be generated by applying a high voltage direct current arc between two electrodes. The gas is ionized by passing a gas capable of forming a plasma, such as nitrogen, between these arcs and heating it to a very high temperature. The plasma is formed by generating various kinds of reactive particles by this method. The temperature of this plasma is at least 1000 ° C. The harmful gas is injected into the plasma generated above 1000 ° C. to decompose it.
종래에는 플라즈마를 이용하여 유해가스를 처리하는 장치에 있어서 플라즈마를 발생하는 장치와 이와 같이 발생된 플라즈마에 유해가스를 주입하여 분해 처리하는 장치가 서로 분리된 별개의 구조로 되어 있었다. 따라서 이러한 구조에서는 플라즈마의 고온 영역을 효율적으로 이용하지 못하여 에너지 효율 측면에서 손실이 큰 문제점이 있었다.Conventionally, in the apparatus for treating noxious gas using plasma, the apparatus for generating plasma and the apparatus for disintegrating and injecting noxious gas into the plasma generated as described above have been separated from each other. Therefore, in such a structure, the high temperature region of the plasma cannot be efficiently used, which causes a large loss in energy efficiency.
또한, 종래의 플라즈마를 이용한 유해가스 처리장치에서는 플라즈마와 유해가스와의 혼합이 충분하게 이루어지지 못함으로써 유해가스의 분해효율에 일정한 한계가 있었다.In addition, in the conventional harmful gas treatment apparatus using a plasma, there is a certain limit to the decomposition efficiency of the harmful gas because the mixing of the plasma and the harmful gas is not made sufficiently.
더욱이, 종래의 장치에 있어서는 두 전극 사이에 고전압의 직류 전류를 인가함에 따라 전극의 수명이 짧게 되는 문제점이 있었다.Moreover, in the conventional apparatus, there is a problem that the lifetime of the electrode is shortened by applying a high voltage direct current between the two electrodes.
본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 플라즈마의 고온 영역을 효율적으로 이용할 수 있는 플라즈마를 이용한 유해가스 처리장치를 제공하는 것이다.The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide an apparatus for treating noxious gas using plasma which can efficiently use a high temperature region of the plasma.
본 발명의 다른 목적은 플라즈마와 유해가스의 혼합이 충분히 이루어지는 플라즈마를 이용한 유해가스 처리장치를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide an apparatus for treating noxious gas using plasma which is sufficiently mixed with plasma and noxious gas.
본 발명의 또 다른 목적은 플라즈마를 형성하기 위해 직류 아크 방전을 발생시키는 두 전극의 마모를 감소시킬 수 있는 플라즈마를 이용한 유해가스 처리장치를 제공하는 것이다.Still another object of the present invention is to provide an apparatus for treating noxious gas using a plasma which can reduce wear of two electrodes generating a direct current arc discharge to form a plasma.
본 발명의 또 다른 목적은 플라즈마를 형성하는 가스가 직류 아크 방전이 발생되는 두 전극 사이에 원활하게 주입될 수 있는 플라즈마를 이용한 유해가스 처리장치를 제공하는 것이다.Still another object of the present invention is to provide an apparatus for treating noxious gas using plasma, in which a gas forming plasma can be smoothly injected between two electrodes in which a direct current arc discharge is generated.
본 발명의 또 다른 목적은 유해가스의 분해 처리가 이루어지는 반응장치를 효율적으로 냉각할 수 있는 단순한 구조를 가짐으로써 제조공정이 단순화된 플라즈마를 이용한 유해가스 처리장치를 제공하는 것이다.It is still another object of the present invention to provide a noxious gas treatment apparatus using plasma having a simple structure capable of efficiently cooling a reaction apparatus in which noxious gas is decomposed.
본 발명의 또 다른 목적은 처리하고자 하는 유해가스를 반응장치내로 균일하고 원활하게 주입하여 분해효율을 향상시킬 수 있는 플라즈마를 이용한 유해가스 처리장치를 제공하는 것이다.Still another object of the present invention is to provide an apparatus for treating harmful gas using plasma which can improve decomposition efficiency by uniformly and smoothly injecting harmful gas to be treated into a reaction apparatus.
본 발명의 또 다른 목적은 반도체 공정뿐만 아니라 액정제조 공정에서 발생하는 유해가스를 처리할 수 있는 플라즈마를 이용한 새로운 구조의 장치를 제공하는 것이다.Still another object of the present invention is to provide a novel structured apparatus using plasma capable of treating harmful gases generated in a liquid crystal manufacturing process as well as a semiconductor process.
도 1은 본 발명에 따른 플라즈마를 이용한 유해가스 처리장치의 부분 절제 단면도.1 is a partial cross-sectional view of the apparatus for treating harmful gas using plasma according to the present invention.
도 2a 및 도 2c는 본 발명의 음극조립체를 도시한 사시도.2A and 2C are perspective views illustrating a negative electrode assembly of the present invention.
도 3은 본 발명의 절연체를 도시한 사시도.3 is a perspective view showing an insulator of the present invention;
도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 상부, 중간 및 하부 가스유도수단을 각각 도시한 사시도.4A to 4C are perspective views respectively showing upper, middle and lower gas guiding means of the present invention.
도 5는 본 발명의 양극부재를 도시한 사시도.5 is a perspective view showing the positive electrode member of the present invention.
도 6은 도 1의 6-6단면을 도시한 단면도.6 is a sectional view taken along section 6-6 of FIG.
도 7은 도 1의 7-7단면을 도시한 단면도.7 is a sectional view taken along line 7-7 of FIG.
도 8은 도 1의 8-8단면을 도시한 단면도.8 is a sectional view taken along line 8-8 of FIG.
도 9는 본 발명의 플랜지를 도시한 사시도.Figure 9 is a perspective view of the flange of the present invention.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 간단한 설명><Brief description of symbols for the main parts of the drawings>
10 : 플라즈마를 이용한 유해가스 처리장치10: hazardous gas treatment device using plasma
20 : 음극조립체 30 : 절연체20: negative electrode assembly 30: insulator
40 : 상부 가스유도수단 50 : 중간 가스유도수단40: upper gas guiding means 50: intermediate gas guiding means
60 : 하부 가스유도수단 70 : 양극부재60: lower gas guide means 70: anode member
79 : 자기발생수단 80 : 플랜지79: magnetic generating means 80: flange
90 : 하우징90 housing
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 일 측면에 따른 플라즈마를 이용한 유해가스 처리장치는, 적어도 1000℃의 플라즈마가 형성되고 이와 같이 형성된 플라즈마에 의해 유해가스를 처리하는 반응실을 내부에 갖는 양극부재와, 상기 반응실의 외부에 일측 단부가 위치하고 상기 반응실내에 타측 단부가 위치하며, 상기 반응실내의 단부와 상기 양극부재와의 사이의 직류 아크 방전에 의하여 상기 플라즈마를 형성하는 음극조립체 및 상기 양극부재의 상부와 외측면을 둘러싸며 상기 음극조립체가 관통되는 것으로서, 외부로부터 유입된 유해가스를 상기 반응실로 유입시키기 전에 미리 상기 양극부재 주위에 분산시키는 유해가스분산실을 갖는 가스유도수단을 구비하고, 상기 가스유도수단은 플라즈마를 형성하는 가스가 통과하는적어도 하나의 플라즈마형성가스통로를 더 가지며, 상기 양극부재는 상기 반응실로 유입되는 유해가스가 통과하는 적어도 하나의 유해가스통로, 상기 반응실에서 처리된 유해가스가 외부로 배출되기 위해 통과하는 적어도 하나의 처리가스배출통로 및 냉각수가 유동되는 적어도 하나의 냉각수유동통로를 갖는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the harmful gas treatment apparatus using the plasma according to an aspect of the present invention, the anode member having a reaction chamber for processing the harmful gas by the plasma formed at least 1000 ℃ formed in this way And a cathode assembly and an anode, one end of which is located outside the reaction chamber and the other end of which is located in the reaction chamber, which forms the plasma by direct current arc discharge between the end of the reaction chamber and the anode member. It is provided with a gas inducing means surrounding the upper and outer surfaces of the member and the negative electrode assembly penetrates, and has a harmful gas dispersing chamber for dispersing the harmful gas introduced from the outside around the positive electrode member in advance. At least one gas inducing means is passed through the gas forming the plasma; It further has a plasma forming gas passage, wherein the anode member is at least one harmful gas passage through which harmful gas flowing into the reaction chamber passes, and at least one treatment passing through the harmful gas treated in the reaction chamber to be discharged to the outside. And a gas discharge passage and at least one coolant flow passage through which the coolant flows.
상기 음극조립체는 냉각수가 유동되는 통로를 내부에 갖는 음극본체와, 상기 음극본체와 결합되며 상기 반응실내에 위치하여 상기 양극부재와 직류 아크 방전을 일으키는 음극을 구비한 것이 바람직하다.The cathode assembly preferably includes a cathode body having a passage through which cooling water flows, and a cathode coupled to the cathode body and positioned in the reaction chamber to generate a DC arc discharge with the anode member.
상기 음극의 재질은 하프늄이거나 또는 토륨이나 이트륨이 첨가된 텅스텐인 것이 바람직하다.The material of the cathode is preferably hafnium or tungsten to which thorium or yttrium is added.
상기 음극은 상기 음극본체에 교환가능하도록 결합되어 있는 것이 바람직하다.The negative electrode is preferably coupled to the negative electrode body so as to be exchangeable.
상기 음극본체의 냉각수유동통로는 내부통로와 상기 내부통로를 둘러싸는 외부통로를 포함하며, 상기 내부통로와 외부통로 중 어느 한 통로로 냉각수가 유입되고 다른 통로로 냉각수가 유출되는 것이 바람직하다.The cathode flow path of the cathode body includes an inner passage and an outer passage surrounding the inner passage, and the coolant flows into one of the inner passage and the outer passage and the coolant flows into the other passage.
상기 음극본체의 냉각수유동통로는 상기 음극의 내부에까지 연장되어 있는 것이 바람직하다.Preferably, the cooling water flow passage of the negative electrode body extends to the inside of the negative electrode.
상기 음극본체의 냉각수유동통로는 상기 양극부재의 냉각수유동통로와 연결되어 있는 것이 바람하다.The coolant flow passage of the cathode body is preferably connected to the coolant flow passage of the cathode member.
상기 플라즈마형성가스통로의 출구는 상기 음극조립체에 대향하는 위치에 형성되어 있는 것이 바람직하다.The outlet of the plasma forming gas passage is preferably formed at a position opposite to the cathode assembly.
상기 플라즈마형성가스통로는 상기 음극조립체의 축의 방사방향에 대하여 나란하게 또는 횡방향의 소정 각도로 경사진 부분을 포함하는 것이 바람직하다.The plasma forming gas passage may preferably include a portion inclined at a predetermined angle in the transverse direction or parallel to the radial direction of the axis of the cathode assembly.
상기 플라즈마형성가스통로는 상기 음극조립체의 축의 방사방향에 대하여 종방향의 소정 각도로 경사진 부분을 포함하는 것이 바람직하다.The plasma forming gas passage preferably includes a portion inclined at a predetermined angle in the longitudinal direction with respect to the radial direction of the axis of the negative electrode assembly.
상기 유해가스통로의 출구는 상기 반응실에서 플라즈마가 형성되는 영역에 대향하는 부분에 형성되어 있는 것이 바람직하다.The outlet of the noxious gas passage is preferably formed in a portion of the reaction chamber opposite to the region where the plasma is formed.
상기 유해가스통로는 상기 양극부재의 축의 방사방향에 대하여 나란하게 또는 횡방향의 소정 각도로 경사진 부분을 포함하는 것이 바람직하다.Preferably, the noxious gas passage includes a portion inclined at a predetermined angle in the transverse direction or parallel to the radial direction of the axis of the anode member.
상기 유해가스통로는 상기 양극부재의 축의 방사방향에 대하여 종방향의 소정 각도로 경사진 부분을 포함하는 것이 바람직하다.Preferably, the noxious gas passage includes a portion inclined at a predetermined angle in the longitudinal direction with respect to the radial direction of the axis of the anode member.
상기 유해가스통로의 유효직경은 0.1mm 내지 50mm인 것이 바람직하다.The effective diameter of the harmful gas passage is preferably 0.1mm to 50mm.
상기 양극부재의 냉각수유동통로는 상기 양극부재의 축과 나란한 종방향으로 양극부재를 관통하도록 형성되어 있는 것이 바람직하다.Preferably, the cooling water flow passage of the positive electrode member is formed to penetrate the positive electrode member in a longitudinal direction parallel to the axis of the positive electrode member.
상기 양극부재의 냉각수유동통로는 상기 유해가스통로와 연통되지 않으면서 상기 양극부재의 원주방향상의 위치에 형성되어 있는 것이 바람직하다.Preferably, the coolant flow passage of the positive electrode member is formed at a position on the circumferential direction of the positive electrode member without being in communication with the noxious gas passage.
상기 가스유도수단의 하부 또는 이와 인접하는 상기 양극부재의 상부에는 상기 양극부재의 냉각수유동통로와 연통되며 냉각수가 일시 저장되는 냉각수저장소가 형성되어 있는 것이 바람직하다.The lower portion of the gas inducing means or the upper portion of the anode member adjacent thereto is preferably formed with a cooling water reservoir communicating with the cooling water flow passage of the anode member and temporarily storing the cooling water.
상기 가스유도수단은 상기 양극부재의 상부를 덮는 상부 가스유도수단, 상기 양극부재의 하부를 둘러싸는 하부 가스유도수단 및 유해가스분산실을 갖고 상기 상하부 가스유도수단 사이에 배치되는 중간 가스유도수단으로 이루어져 있는 것이 바람직하다.The gas guiding means is an intermediate gas guiding means disposed between the upper and lower gas guiding means having an upper gas guiding means covering an upper portion of the anode member, a lower gas guiding means surrounding a lower portion of the anode member and a noxious gas distribution chamber. It is preferable that it is made.
상기 양극부재는 그 반응실에서 유해가스의 처리를 촉진하기 위해 유입되는 반응성 가스가 통과하는 반응성가스통로를 더 갖는 것이 바람직하다.It is preferable that the anode member further has a reactive gas passage through which the reactive gas flowing in to promote the treatment of the noxious gas in the reaction chamber.
상기 양극부재는 상기 반응실내에 자기를 발생시키는 수단을 더 구비하는 것이 바람직하다.Preferably, the anode member further includes means for generating magnetism in the reaction chamber.
상기 자기발생수단은 상기 양극부재와 상기 가스유도수단의 사이에 위치하는 것이 바람직하다.The magnetic generating means is preferably located between the anode member and the gas inducing means.
상기 음극조립체가 관통되며 상기 가스유도수단의 외부를 덮는 하우징이 더 구비된 것이 바람직하다.Preferably, the cathode assembly is further provided with a housing penetrating and covering the outside of the gas inducing means.
상기 양극부재 및 상기 가스유도수단을 지지하는 플랜지가 더 구비된 것이 바람직하다.It is preferable that a flange for supporting the anode member and the gas inducing means is further provided.
본 발명의 다른 측면에 따른 플라즈마를 이용한 유해가스 처리장치는, 적어도 1000℃의 플라즈마가 형성되고 이와 같이 형성된 플라즈마에 의해 유해가스를 처리하는 반응실을 내부에 갖는 양극부재와, 상기 반응실의 외부에 일측 단부가 위치하고 상기 반응실내에 타측 단부가 위치하며, 상기 반응실내의 단부와 상기 양극부재와의 사이의 직류 아크 방전에 의하여 상기 플라즈마를 형성하는 음극조립체와, 상기 양극부재의 상부와 외측면을 둘러싸며 상기 음극조립체가 관통되는 것으로서, 외부로부터 유입된 유해가스를 상기 반응실로 유입시키기 전에 미리 상기 양극부재 주위에 분산시키는 유해가스분산실을 갖는 가스유도수단을 구비하고, 상기양극부재는 플라즈마를 형성하는 가스가 통과하는 적어도 하나의 플라즈마형성가스통로, 상기 반응실로 유입되는 유해가스가 통과하는 적어도 하나의 유해가스통로, 상기 반응실에서 처리된 유해가스가 외부로 배출되기 위해 통과하는 적어도 하나의 처리가스배출통로 및 냉각수가 유동되는 적어도 하나의 냉각수유동통로를 갖는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, an apparatus for treating harmful gases using plasma includes: an anode member having a reaction chamber therein at least 1000 ° C. in which plasma is formed and treating the harmful gas by the plasma formed therein; and an exterior of the reaction chamber. One end is located at the other end and the other end is located in the reaction chamber, the cathode assembly for forming the plasma by the direct current arc discharge between the end in the reaction chamber and the anode member, and the upper and outer surfaces of the anode member Surrounds the cathode assembly and has a gas inducing means having a noxious gas dispersing chamber for dispersing the noxious gas introduced from the outside around the positive electrode member in advance, and the positive electrode member has a plasma; At least one plasma forming gas passage through which a gas forming the gas passes; At least one harmful gas passage through which harmful gas flows into the at least one passage, at least one treatment gas discharge passage through which the harmful gas treated at the reaction chamber is discharged to the outside, and at least one cooling water flow passage through which cooling water flows; It is characterized by having.
이하, 첨부된 도면들을 참조하면서 본 발명의 바람직한 일 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 플라즈마를 이용한 유해가스 처리장치를 도시한 단면도이고, 도 2 내지 도 9는 도 1에 도시된 유해가스 처리장치의 각 구성요소를 도시한 도면들이다.1 is a cross-sectional view showing an apparatus for treating a noxious gas using plasma according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIGS. 2 to 9 are views illustrating respective components of the apparatus for treating a noxious gas shown in FIG. 1.
도면을 참조하면, 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 플라즈마를 이용한 유해가스 처리장치(10)는, 적어도 1000℃의 플라즈마가 형성되고 이와 같이 형성된 플라즈마에 의해 유해가스를 처리하는 반응실(75)을 내부에 갖는 양극부재(70)와, 상기 반응실(75)의 외부에 일측 단부가 위치하고 상기 반응실(75)내에 타측 단부가 위치하며, 상기 반응실(75)내의 단부와 상기 양극부재(70)와의 사이의 직류 아크 방전에 의하여 상기 플라즈마를 형성하는 음극조립체(20)를 구비한다.Referring to the drawings, in the noxious gas treatment apparatus 10 using the plasma according to an embodiment of the present invention, at least 1000 ℃ plasma is formed and the reaction chamber 75 for processing the noxious gas by the plasma formed as described above A cathode member 70 having an inner portion thereof, and one end portion located outside the reaction chamber 75 and the other end portion located in the reaction chamber 75, and an end portion of the reaction chamber 75 and the anode member ( And a cathode assembly 20 which forms the plasma by direct current arc discharge therebetween.
또한, 본 실시예는 상기 양극부재(70)의 외측면을 둘러싸는 것으로서, 외부로부터 유입된 유해가스를 상기 반응실(75)로 유입되기 전에 미리 상기 양극부재(70) 주위에 분산시키는 유해가스분산실(51)을 갖는 가스유도수단(40)(50)(60)을 구비한다.In addition, the present embodiment surrounds the outer surface of the anode member 70, and the harmful gas introduced from the outside beforehand to the reaction chamber 75 before dispersing the harmful gas around the anode member 70 Gas guide means (40) (50) (60) having a dispersion chamber (51) is provided.
상기 가스유도수단(40)(50)(60)은 상기 반응실(75)에서 이온화되어 플라즈마를 형성하는 가스가 유입되는 적어도 하나의 플라즈마형성가스통로(42)를 갖고, 상기 양극부재(70)는 상기 유해가스가 유입되는 적어도 하나의 유해가스통로(72), 상기 유해가스가 처리된 후 외부로 배출되는 적어도 하나의 처리가스배출통로(76) 및 냉각수가 유동되는 적어도 하나의 냉각수유동통로(71)를 갖는다.The gas guiding means 40, 50, 60 have at least one plasma forming gas passage 42 into which gas which is ionized in the reaction chamber 75 to form plasma is introduced, and the anode member 70 is provided. At least one harmful gas passage 72 through which the harmful gas is introduced, at least one treatment gas discharge passage 76 discharged to the outside after the harmful gas is processed and at least one cooling water flow passage through which the coolant flows ( 71).
여기서, 상기 음극조립체(20)는, 도 2a 및 도 2b에 도시된 바와 같이, 음극본체(20), 음극(23) 및 연결부재(22)로 구성되어 있다.Here, the negative electrode assembly 20, as shown in Figure 2a and 2b, is composed of a negative electrode body 20, a negative electrode 23 and the connecting member 22.
상기 음극본체(20)의 내부에는 냉각수가 유동되는 통로(24)가 형성되어 있는 것이 바람직하다. 나아가, 상기 음극본체(20)의 냉각수유동통로(24)는 상기 음극(23)까지 연장되도록 하는 것이 음극조립체(20)의 작동시 고온의 음극(23)을 효율적으로 냉각함으로써 음극(23)의 마모를 방지할 수 있어서 바람직하다.It is preferable that a passage 24 through which cooling water flows is formed inside the cathode body 20. Furthermore, the cooling water flow passage 24 of the negative electrode body 20 extends to the negative electrode 23 to efficiently cool the high temperature negative electrode 23 during operation of the negative electrode assembly 20. It is preferable because it can prevent abrasion.
본 실시예에서는 음극본체(21)의 냉각수유동통로(24)가 단일통로로 되어 있다. 그러나, 본 발명의 경우 이에 한정되는 것은 아니며, 예컨대 도 2c에 도시된 바와 같이, 상기 음극본체(21)의 냉각수유동통로는 내부통로(26)와, 상기 내부통로(26)를 포함하는 외부통로(27)로 이루어진 이중통로로 되어 있고, 상기 내부통로(26)와 외부통로(27) 중 어느 하나, 예컨대 내부통로(26)로 냉각수가 유입되고 외부통로(27)로 냉각수가 유출되는 구조로 될 수도 있다. 이 경우 상기 내부통로(26)는 음극(23)까지 연장되는 것이 바람직하다.In this embodiment, the cooling water flow passage 24 of the negative electrode body 21 is a single passage. However, the present invention is not limited thereto. For example, as illustrated in FIG. 2C, the cooling water flow passage of the negative electrode body 21 includes an inner passage 26 and an outer passage including the inner passage 26. It has a double passage consisting of (27), the cooling water flows into any one of the inner passage 26 and the outer passage 27, for example, the inner passage 26 and the cooling water flows into the outer passage 27 May be In this case, the inner passage 26 preferably extends to the cathode 23.
이러한 음극본체(21)의 냉각수유동통로(24)는, 도면에는 도시되어 있지 않지만, 양극부재(70)의 냉각수유동통로(71)와 연결되도록 하는 것이 냉각수 이용의 효율을 높일 수 있어서 바람직하다.Although the coolant flow passage 24 of the negative electrode body 21 is not shown in the drawing, it is preferable that the coolant flow passage 24 be connected to the coolant flow passage 71 of the positive electrode member 70 in order to increase the efficiency of using the coolant.
상기 음극(23)의 재질은 하프늄이거나 또는 토륨이나 이트륨이 첨가된 텅스텐인 것이 바람직하다.The material of the cathode 23 is preferably hafnium or tungsten to which thorium or yttrium is added.
상기 음극(23)은 상기 음극본체(21)에 교환가능하도록 결합시키는 것이 음극조립체(20)의 장기간 사용에 따른 음극(23)의 마모로 인해 이를 교체할 필요성이 있을 때, 용이하고 간단하며 저렴하게 이를 교체할 수 있어서 바람직하다. 예컨대, 본 실시예에서는 음극(23)을 동으로 된 연결부재(22)의 일 단부에 브레이징 등과 같은 방법으로 접합시키고, 상기 연결부재(22)의 타 단부는 상기 음극본체(21)에 나사결합시키는 방법으로 상기 음극(23)을 상기 음극본체(21)에 교환가능하도록 결합시킬 수 있다. 이 때 상기 연결부재(22)의 내부에는 냉각수유동통로(25)가 형성되어 있는 것이 바람직하다.When the negative electrode 23 is interchangeably coupled to the negative electrode body 21 when it is necessary to replace it due to abrasion of the negative electrode 23 due to long-term use of the negative electrode assembly 20, it is easy, simple and inexpensive. It is desirable to be able to replace it. For example, in the present embodiment, the cathode 23 is bonded to one end of the connecting member 22 made of copper by a method such as brazing, and the other end of the connecting member 22 is screwed to the cathode body 21. The negative electrode 23 may be coupled to the negative electrode body 21 so as to be exchangeable. At this time, it is preferable that the cooling water flow passage 25 is formed in the connection member 22.
상기 음극조립체(20)는 음극본체(21)쪽의 일 단부가 양극부재(70)의 외부에 위치하고 타 단부가 양극부재(70)의 내부에 위치하도록 상기 양극부재(70)와 결합된다.The negative electrode assembly 20 is coupled to the positive electrode member 70 such that one end of the negative electrode body 21 is located outside the positive electrode member 70 and the other end is positioned inside the positive electrode member 70.
상기 음극조립체(20)와 상기 양극부재(70)의 사이에는 도 3에 도시된 바와 같은 절연체(30)가 개재되어 있는 것이 바람직하다.It is preferable that an insulator 30 as shown in FIG. 3 is interposed between the negative electrode assembly 20 and the positive electrode member 70.
상기 절연체(30)는 상기 음극조립체(20)가 관통되는 통로(31)를 내부에 갖고, 플라즈마를 형성하는 가스가 유입되는 유입구(32)를 측부에 갖는다.The insulator 30 has a passage 31 through which the cathode assembly 20 penetrates, and has an inlet 32 through which gas for forming plasma flows.
본 실시예에서는 상기 음극조립체(20)와 상기 양극부재(70)의 사이에 별도의 절연체(30)가 개재되는 구조로 되어 있으나, 본 발명에서는 반드시 이에 한정되는것은 아니고 상기 양극부재(70)의 외측에 설치되는 가스유도수단(40)(50)(60)의 상부에 절연체(30)가 일체로 결합되어 있는 구조를 포함하며, 이러한 구조는 공정 단순화 및 구조의 단순화를 위하여 바람직하다.In this embodiment, a separate insulator 30 is interposed between the negative electrode assembly 20 and the positive electrode member 70, but the present invention is not limited thereto. It includes a structure in which the insulator 30 is integrally coupled to the upper portion of the gas induction means 40, 50, 60 installed on the outside, such a structure is preferable for the process simplification and simplification of the structure.
상기 가스유도수단(40)(50)(60)은, 도 4a 내지 도 4c에 도시된 바와 같이, 상기 양극부재(70)의 상부를 덮는 상부 가스유도수단(40), 상기 양극부재(70)의 하부를 둘러싸는 하부 가스유도수단(60) 및 유해가스분산실(51)을 갖고 상기 상하부 가스유도수단(40)(60) 사이에 배치되는 중간 가스유도수단(50)으로 이루어져 있다.As shown in FIGS. 4A to 4C, the gas guiding means 40, 50 and 60 are upper gas guiding means 40 and the anode member 70 covering the upper portion of the anode member 70. An intermediate gas guiding means (50) having a lower gas guiding means (60) and a harmful gas dispersing chamber (51) surrounding the lower portion of the upper and lower gas guiding means (40, 60).
본 실시예에서는 상기 가스유도수단(40)(50)(60)이 3개의 부분으로 분리되어 있지만, 본 발명에서는 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 3개의 부분이 일체로 형성되어 있는 가스유도수단으로 될 수도 있다.In the present embodiment, the gas induction means 40, 50, 60 are separated into three parts, but the present invention is not limited thereto, and the gas induction means 40 is integrally formed. It may be.
상기 상부 가스유도수단(40)은, 도 4a에 도시된 바와 같이, 중앙에 상기 절연체(30)가 관통되는 제1통로(43)와 양극부재(70)의 반응실(75)과 연통되는 제2통로(44)를 갖고, 상기 제1통로(43)의 주위에 플라즈마를 형성하는 가스가 통과하는 플라즈마형성가스통로(42)를 갖는다. 또한, 상기 상부 가스유도수단(40)은 중간 가스유도수단(50)과 결합되는 플랜지부(48)를 갖고 있어 나사(45) 등에 의하여 중간 가스유도수단(50)과 결합된다.As illustrated in FIG. 4A, the upper gas guide means 40 communicates with the first passage 43 through which the insulator 30 penetrates in the center and the reaction chamber 75 of the anode member 70. It has two passages 44 and a plasma forming gas passage 42 through which a gas for forming plasma passes around the first passage 43. In addition, the upper gas guide means 40 has a flange portion 48 coupled with the intermediate gas guide means 50 is coupled to the intermediate gas guide means 50 by a screw 45 or the like.
상기 플라즈마형성가스통로(42)의 출구(46)는 상기 음극조립체(20), 구체적으로는 연결부재(22)나 음극(23)에 대향되는 위치에 형성되도록 하는 것이 플라즈마를 형성하는 가스가 직류 아크 방전이 발생된 영역인 두 전극(23)(70) 사이를 통과할 수 있어서 바람직하다.The outlet 46 of the plasma forming gas passage 42 is formed at a position opposite to the negative electrode assembly 20, specifically, the connecting member 22 or the negative electrode 23. It is preferable because it can pass between two electrodes 23 and 70 which are regions where arc discharge is generated.
또한, 상기 플라즈마형성가스통로(42)는 상기 음극조립체(20)의 축(z)의 방사방향에 대하여 나란하게 또는 횡방향의 소정 각도, 예컨대 0°내지 89°의 범위내에서 경사진 부분(47)을 포함하는 것이 연결부재(22)나 음극(23)의 주위에 유입된 플라즈마를 형성할 가스가 상기 음극조립체(20)의 주위를 회전하면서 상기 음극(23)쪽으로 유입되어 플라즈마 형성에 기여할 수 있어서 바람직하다.In addition, the plasma forming gas passage 42 may be inclined in a range of a predetermined angle, for example, 0 ° to 89 °, in parallel or in the transverse direction with respect to the radial direction of the axis z of the cathode assembly 20 ( 47 may include a gas to form a plasma introduced around the connecting member 22 or the cathode 23 to flow toward the cathode 23 while rotating around the cathode assembly 20 to contribute to plasma formation. It is preferable to be able.
나아가, 상기 플라즈마형성가스통로(42)는 상기 음극조립체(20)의 축(z)의 방사방향에 대하여 종방향의 소정 각도로 경사진 부분(47)을 포함하는 것이 음극조립체(20)의 주위에 유입된 플라즈마를 형성할 가스가 상기 음극(23)쪽으로 용이하게 진행할 수 있도록 유도할 수 있어서 바람직하다.Further, the plasma forming gas passage 42 includes a portion 47 inclined at a predetermined angle in the longitudinal direction with respect to the radial direction of the axis z of the cathode assembly 20. It is preferable to induce gas to form a plasma introduced into the cathode 23 so as to easily proceed toward the cathode 23.
상기 상부 가스유도수단(40)은 또한 상기 양극부재(70)의 냉각수유동통로(75)와 연결되는 냉각수유동통로(41)를 갖고 있다.The upper gas guide means 40 also has a coolant flow passage 41 connected to the coolant flow passage 75 of the anode member 70.
상기 상부 가스유도수단(40)의 하부 또는 이와 인접하는 상기 양극부재(70)의 상부에는, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 양극부재(70)의 냉각수유동통로(75)와 연통되며 냉각수가 일시 저장되는 냉각수저장소(78)가 형성되어 있는 것이 바람직하다. 이러한 냉각수저장소(78)는 상기 양극부재(70)의 냉각수유동통로(75)에서 연통되는 냉각수의 양을 필료에 따라 적절하게 조절하는 기능을 하여 냉각수의 유동이 원활하게 이루어질 수 있게 한다.The lower portion of the upper gas guide means 40 or the upper portion of the anode member 70 adjacent thereto, as shown in FIG. 5, is in communication with the coolant flow passage 75 of the anode member 70 and the coolant It is preferable that a coolant reservoir 78 is temporarily stored. The coolant reservoir 78 functions to appropriately adjust the amount of coolant communicated in the coolant flow passage 75 of the positive electrode member 70 according to the material so that the coolant flows smoothly.
상기 중간 가스유도수단(50)은, 도 4b에 도시된 바와 같이, 중앙부에 상기 양극부재(70)가 관통되는 통로(52)를 갖고, 측면에 유해가스가 유입되는 유해가스유입구(53)를 가진다. 상기 양극부재(70)가 관통되는 통로(52)의 직경은 상기 양극부재(70)의 외부직경보다 크게 되어 있어서 상기 양극부재(70)와 상기 중간 가스유도수단(50)의 사이에는 양극부재(70)의 주위를 둘러싸는 공간이 형성된다. 이 공간이 상기 유해가스유입구(53)로 유입된 유해가스가 양극부재(70)의 반응실(75)로 유입되기 전에 양극부재(70)의 주위로 분산되도록 하는 유해가스분산실(51)로서 유해가스가 방사방향으로 균일하게 반응실(75)로 유입될 수 있게 유도한다.The intermediate gas guide means 50, as shown in Figure 4b, has a passage 52 through which the anode member 70 penetrates in the central portion, and the harmful gas inlet 53 through which harmful gas flows into the side surface thereof. Have The diameter of the passage 52 through which the anode member 70 penetrates is larger than the outer diameter of the anode member 70, so that the anode member 70 is disposed between the anode member 70 and the intermediate gas guiding means 50. A space surrounding the periphery 70 is formed. This space is a noxious gas dispersing chamber 51 for dispersing the noxious gas introduced into the noxious gas inlet 53 to the periphery of the positive electrode member 70 before entering the reaction chamber 75 of the positive electrode member 70. The harmful gas is induced to be uniformly introduced into the reaction chamber 75 in the radial direction.
상기 하부 가스유도수단(60)은, 도 4c에 도시된 바와 같이, 중앙부에 상기 양극부재(70)가 관통되는 통로(63)를 갖고, 상기 통로(63)의 내측면에는 복수의 홈(62)을 갖고 있는데, 이러한 홈(62)은 상기 양극부재(70)의 외측면에 설치되는, 도 8에 도시된 바와 같은 자기발생수단(79)을 고정시키는 기능을 한다.As shown in FIG. 4C, the lower gas guide means 60 has a passage 63 through which the anode member 70 penetrates a central portion thereof, and a plurality of grooves 62 are provided on an inner side surface of the passage 63. This groove 62 serves to fix the magnetic generating means 79, as shown in Figure 8, which is installed on the outer surface of the anode member 70.
또한, 상기 하부 가스유도수단(60)은 상기 양극부재(70)의 반응실(75)내에서 유해가스의 분해 처리를 촉진하는 반응성 가스가 유입되는 반응성가스유도로(61)를 더 갖고 있는 것이 바람직하다. 이 반응성가스유도로(61)는 양극부재(70)의 반응성가스통로(73)와 연통되어 있다.In addition, the lower gas guide means 60 further has a reactive gas flow path 61 into which a reactive gas for promoting decomposition of harmful gases is introduced into the reaction chamber 75 of the anode member 70. desirable. The reactive gas flow path 61 communicates with the reactive gas passage 73 of the anode member 70.
상기 하부 가스유도수단(60)의 내부 통로(63)의 내측면에는 상기 반응성가스유도로(61)를 통해 유입된 반응성 가스가 상기 양극부재(70)의 반응실(75)로 유입되기 전에 상기 양극부재(70)의 주위에 분산될 수 있도록 반응성 가스를 분산시키는 반응성가스분산홈(64)이 형성되어 있다. 이와 같이 형성된 반응성가스분산홈(64)을 통해 반응성 가스가 양극부재(70)의 주위에 분산된 뒤에 반응실(75)로 유입됨으로써 반응성 가스가 반응실(75)에 골고루 분산되어 유해가스의 분해 처리 반응이 더욱 촉진될 수 있다.On the inner side surface of the inner passage 63 of the lower gas guide means 60 before the reactive gas introduced through the reactive gas path 61 is introduced into the reaction chamber 75 of the anode member 70 A reactive gas dispersing groove 64 is formed to disperse the reactive gas so as to be distributed around the anode member 70. The reactive gas is dispersed in the surroundings of the anode member 70 through the reactive gas dispersion groove 64 formed as described above, and then flows into the reaction chamber 75 so that the reactive gas is evenly dispersed in the reaction chamber 75 to decompose harmful gas. Treatment reactions can be further accelerated.
상기 하부 가스유도수단(60)은 상기 중간 가스유도수단(50)과 나사결합되거나, 접착제 등에 의하여 결합된다.The lower gas guide means 60 is screwed with the intermediate gas guide means 50, or is coupled by an adhesive or the like.
상기 양극부재(70)는, 도 5에 도시된 바와 같이, 중앙에 플라즈마의 형성 및 유해가스의 분해 처리가 일어나는 반응실(75)을 갖고, 상기 반응실(75)의 주위에 양극부재(70)를 종방향으로 관통하는 적어도 하나의 냉각수유동통로(71)를 가지며, 상기 반응실(75)과 연통되도록 상기 양극부재(70)를 횡방향으로 관통하는 적어도 하나의 유해가스통로(72) 및 적어도 하나의 반응성가스통로(73)를 각각 갖고 있다.As shown in FIG. 5, the anode member 70 has a reaction chamber 75 in which plasma formation and decomposition of noxious gas occur in the center, and the anode member 70 around the reaction chamber 75. At least one harmful gas passage 72 penetrating the anode member 70 laterally so as to communicate with the reaction chamber 75, and having at least one cooling water flow passage 71 passing through the longitudinal direction; Each has at least one reactive gas passage 73.
또한, 양극부재(70)의 외측면에는 상기 반응실(75)내에 자기를 발생시키는 영구자석이나 전자석과 같은 적어도 하나의 자기발생수단(79)이 설치되는 홈(74)이 형성되어 있다.In addition, the outer surface of the anode member 70 is formed with a groove 74 in which at least one magnetic generating means 79 such as a permanent magnet or an electromagnet for generating magnetism is provided in the reaction chamber 75.
상기 반응실(75)은 원통형 등으로 형성될 수 있으며, 그 유효 직경은 상기 양극부재(70)와 상기 음극(23)과의 사이에서 직류 아크 방전의 형성이 용이하게 이루어지면서도 동시에 상기 전극들(70)(23)의 마모가 최소화되는 적절한 수치가 되도록 하는 것이 바람직하다.The reaction chamber 75 may be formed in a cylindrical shape or the like, and the effective diameter of the reaction chamber 75 may be easily formed between the anode member 70 and the cathode 23 while the DC arc discharge may be easily formed. It is desirable to have an appropriate value that minimizes wear of (70) (23).
상기 양극부재(70)의 냉각수유동통로(71)는, 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 양극부재(70)의 유해가스통로(72) 및 반응성가스통로(73)와 연통되지 않도록 형성되어 있다.6 and 7, the coolant flow passage 71 of the anode member 70 is formed so as not to communicate with the harmful gas passage 72 and the reactive gas passage 73 of the anode member 70. It is.
상기 양극부재(70)의 냉각수유동통로(71)는 복수개로서, 상기 반응실(75) 주위의 원주상에서 균일한 간격으로 배열되어 있는 것이 바람직하다. 이와 같이 함으로써 반응실(75)로 유해가스를 고르게 많이 주입할 수 있어 플라즈마와 유해가스의혼합이 효율적으로 이루어지고, 유해가스가 반응실(75)에서 체류하는 시간이 증가하여 분해율 향상과 대용량의 분해처리가 가능하게 된다.The plurality of coolant flow passages 71 of the anode member 70 are preferably arranged at uniform intervals on the circumference of the reaction chamber 75. In this way, evenly harmful gases can be injected into the reaction chamber 75, so that the mixing of the plasma and the harmful gases is efficiently performed, and the time for which the harmful gases stay in the reaction chamber 75 is increased, thereby improving decomposition rate and Decomposition treatment is possible.
상기 양극부재(70)의 냉각수유동통로(71)의 직경은 냉각기능과 구조적 강도를 조화시킬 수 있는 범위내에서 당업자가 적절하게 선택할 수 있다. 상기 냉각수유동통로(71)의 수 및 단면적을 조절함으로써 최적의 반응온도 영역을 형성할 수 있다.The diameter of the coolant flow passage 71 of the positive electrode member 70 can be appropriately selected by those skilled in the art within a range that can match the cooling function and structural strength. By adjusting the number and the cross-sectional area of the cooling water flow passage 71 it can form an optimal reaction temperature range.
상기 유해가스통로(72)의 출구(72')는, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 반응실(75)에서 플라즈마가 형성되는 영역에 대향하는 부분, 예컨대 상기 음극(23)에 대향하는 부분 또는 그 아래 부분에 형성 되도록 하는 것이 상기 음극(23)의 근방에 형성된 플라즈마에 직접 유해가스를 유입시켜 분해 효율을 향상시킬 수 있어서 바람직하다.As illustrated in FIG. 5, the outlet 72 ′ of the noxious gas passage 72 is a portion facing the region where the plasma is formed in the reaction chamber 75, for example, the portion facing the cathode 23. Alternatively, it is preferable to form the lower portion thereof so that harmful gas can be introduced directly into the plasma formed near the cathode 23 to improve the decomposition efficiency.
상기 유해가스통로(72)는, 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 양극부재(70)의 축(z)의 방사방향에 대하여 나란하게 또는 횡방향의 소정 각도로 경사진 부분(72")을 포함하는 것이 바람직하다. 이 경우 상기 유해가스통로(72)는 상기 양극부재(70)의 축(z)의 방사방향에 대하여 0°내지 89°의 각도를 유지할 수 있다. 이와 같은 구성에 의하여 유해가스가 반응실(75)로 유입될 때에 회전하면서 유입되어 플라즈마와 혼합이 원활하게 이루어질 수 있음은 물론, 반응실(75)에서 유해가스의 체류시간을 증가시킬 수 있어 분해 효율을 향상시킬 수 있고, 대용량의 처리가 가능하게 된다.As illustrated in FIG. 6, the noxious gas passage 72 has a portion 72 ″ inclined at a predetermined angle in the transverse direction or parallel to the radial direction of the axis z of the anode member 70. In this case, the noxious gas passage 72 can maintain an angle of 0 ° to 89 ° with respect to the radial direction of the axis z of the anode member 70. When the gas flows into the reaction chamber 75, the gas is rotated and mixed to facilitate the mixing with the plasma, and the residence time of the noxious gas in the reaction chamber 75 can be increased, thereby improving the decomposition efficiency. Therefore, a large amount of processing can be performed.
상기 유해가스통로(72)는 또한 상기 양극부재(70)의 축(z)의 방사방향에 대하여 종방향의 소정 각도로 경사진 부분(72")을 포함하는 것이 반응실(75)의 원하는 위치에 유해가스를 주입하여 혼합 등이 원활하게 일어날 수 있어서 바람직하다.The noxious gas passage 72 also includes a portion 72 "inclined at a predetermined angle in the longitudinal direction with respect to the radial direction of the axis z of the anode member 70 at the desired location of the reaction chamber 75. It is preferable to inject harmful gas into the mixture so that mixing and the like can occur smoothly.
상기 유해가스통로(72)의 횡단면은 원형인 것이 바람직하나, 반드시 이에 한정된 것은 아니고, 사각형이나 육각형 등이 될 수도 있고, 이 경우 그 유효직경은 0.1mm 내지 50mm인 것이 바람직하다. 여기서 유효직경은 유해가스통로(72)의 횡단면이 이루는 형상의 평균 직경을 말한다.The cross section of the noxious gas passage 72 is preferably circular, but is not necessarily limited thereto, and may be rectangular or hexagonal, and in this case, the effective diameter is preferably 0.1 mm to 50 mm. Here, the effective diameter refers to the average diameter of the shape formed by the cross section of the noxious gas passage (72).
상기 유해가스통로(72)는 복수개로서, 도 5에 도시된 바와 같이, 반응실(75)의 주위에 원주상으로 균일 간격으로 배치되어 있고, 또한 종방향으로도 복수열이 되도록 배치되는 것이 유해가스가 반응실(75)에 균일하게 주입되게 할 수 있어서 바람직하다.As shown in FIG. 5, the harmful gas passages 72 are arranged in circumferentially uniform intervals around the reaction chamber 75 and are arranged in a plurality of rows in the longitudinal direction. It is preferable because the gas can be injected uniformly into the reaction chamber 75.
상기 반응성가스통로(73)는, 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 양극부재(70)의 냉각수유동통로(71)와 연통되지 않으며, 상기 하부 가스유도수단(60)의 반응성가스분산홈(64) 및 반응실(75)과 연통되도록 형성되어 있다. 상기 반응성가스통로(73)는 복수개로서, 상기 반응실(75)의 주위에 원주상으로 균일하게 배열되도록 형성되는 것이 바람직하다.As shown in FIG. 7, the reactive gas passage 73 does not communicate with the coolant flow passage 71 of the anode member 70, and the reactive gas distribution groove 64 of the lower gas guide means 60 does not communicate with the reactive gas passage 73. ) And the reaction chamber 75. The plurality of reactive gas passages 73 are preferably formed to be uniformly arranged circumferentially around the reaction chamber 75.
상기 반응성가스통로(73)는 상기 유해가스통로(72)보다 상부 또는 하부인 위치에 형성될 수 있다.The reactive gas passage 73 may be formed at a position above or below the hazardous gas passage 72.
상기 양극부재(70)는 교환가능한 구조로 되어 있어 장기간의 사용으로 인한 양극의 교환필요성이 있을 때에는 양극부재(70)만을 교환할 수 있다.The positive electrode member 70 has a replaceable structure, so that only the positive electrode member 70 can be replaced when there is a need to replace the positive electrode due to long-term use.
상기 양극부재(70)의 외측에는, 도 8에 도시된 바와 같이, 반응실(75)에 자기를 발생시키는 영구자석이나 전자석 같은 자기발생수단(79)이 설치되어 있다. 이러한 자기발생수단(79)을 설치함으로써 반응실(75)에서 플라즈마와 유해가스의 혼합가스의 회전을 극대화시켜 유해가스의 체류시간을 증가시킬 수 있어서 혼합이 원활하게 이루어져 분해효율과 내구성을 향상시킬 수 있다.Outside the anode member 70, as shown in FIG. 8, magnetic generating means 79 such as permanent magnets or electromagnets for generating magnetism are provided in the reaction chamber 75. As shown in FIG. By installing the self-generating means 79 can maximize the rotation of the mixture gas of the plasma and harmful gas in the reaction chamber 75 to increase the residence time of the harmful gas can be smoothly mixed to improve the decomposition efficiency and durability Can be.
상기 자기발생수단(79)은 상기 양극부재(70)와 상기 하부 가스유도수단(60)의 사이에 개재되도록 배치하는 것이 반응실(75)에 자기를 발생시키는 데에 유리하지만, 본 발명의 경우 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 반응실(75)에 자기를 발생시킬 수 있는 위치, 예컨대 하부 가스유도수단(60)의 외부나 반응실(75)에 설치될 수도 있다. 또한, 상기 자기발생수단(79)은 양극부재(70) 주위의 원주상에 균일한 간격으로 이격되어 배치되도록 하는 것이 바람직하다.Although the magnetic generating means 79 is disposed to be interposed between the anode member 70 and the lower gas guide means 60, it is advantageous to generate magnetism in the reaction chamber 75, but in the present invention The present invention is not necessarily limited thereto, and may be provided at a position capable of generating magnetism in the reaction chamber 75, for example, outside the lower gas guide means 60 or in the reaction chamber 75. In addition, the magnetic generating means 79 is preferably arranged to be spaced apart at regular intervals on the circumference around the anode member (70).
상기 자기발생수단(79)은 적어도 1가우스 이상의 자기를 발생시키는 것이 플라즈마의 회전을 일으키는데 적절하다.The magnetic generating means 79 is suitable for generating at least one gauss of magnetism to cause rotation of the plasma.
상기 양극부재(70)의 하부에는 반응실(75)에서 분해 처리된 가스가 배출되는 유해가스배출통로(76)가 형성되어 있다.A harmful gas discharge passage 76 through which the gas decomposed in the reaction chamber 75 is discharged is formed below the anode member 70.
상기 양극부재(70)의 하부에는 또한 냉각수유동통로(71)와 연통되어 냉각수를 일시 저장하는 냉각수저장소(85)가 형성되어 있다. 이러한 냉각수저장소(85)는 또한 도 9에 도시된 바와 같은 플랜지(80)의 냉각수유동통로(82)와 연통되어 있다.A lower portion of the anode member 70 is also provided with a coolant reservoir 85 in communication with the coolant flow passage 71 to temporarily store the coolant. This coolant reservoir 85 is also in communication with the coolant flow passage 82 of the flange 80 as shown in FIG.
상기 가스유도수단(40)(50)(60)의 외부에는 상기 음극조립체(20)가 관통되며 상기 가스유도수단(40)(50)(60)의 외부를 덮는 하우징(90)이 더 구비된 것이 바람직하다. 이러한 하우징(90)은 그 내부의 구성요소들을 보호하는 기능을 한다.The cathode assembly 20 penetrates to the outside of the gas inducing means 40, 50 and 60, and a housing 90 is further provided to cover the outside of the gas inducing means 40, 50 and 60. It is preferable. This housing 90 functions to protect the components therein.
상기 양극부재(70)의 하부 및 상기 하부 가스유도수단(60)의 하부에는 이들을 지지하는 플랜지(80)가 더 부가될 수 있다.A flange 80 supporting them may be further added to the lower portion of the anode member 70 and the lower portion of the lower gas guide means 60.
상기 플랜지(80)는, 도 9에 도시된 바와 같이, 상기 양극부재(70)의 유해가스배출통로(76)와 대향하는 통로(83)를 중앙에 갖고, 상기 통로(83)의 주위에는 냉각수가 유동되는 통로(82)와, 상기 하부 가스유도수단(60)의 반응성가스유도로(61)와 연통되는 반응성가스유입통로(81)를 가진다.As shown in FIG. 9, the flange 80 has a passage 83 facing the harmful gas discharge passage 76 of the anode member 70 at the center thereof, and cooling water around the passage 83. Has a passage 82 through which the gas flows, and a reactive gas inflow passage 81 in communication with the reactive gas passage 61 of the lower gas guide means 60.
상기 플랜지(80)의 냉각수유동통로(82)는 상기 음극조립체(20)의 냉각수유동통로(24)와 연통되도록 하는 것이 냉각수의 이용효율을 높일 수 있어서 바람직하다.The cooling water flow passage 82 of the flange 80 is preferably in communication with the cooling water flow passage 24 of the negative electrode assembly 20 because it can increase the efficiency of use of the cooling water.
본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마를 이용한 유해가스 처리장치는 전술한 실시예와 다음과 같은 점을 제외하고는 구성이 동일하다.The apparatus for treating harmful gases using plasma according to another embodiment of the present invention is identical in configuration to the above-described embodiment except for the following points.
즉, 전술한 실시예에서는 플라즈마형성가스통로(42)가 상부 가스유도수단(40)에 형성되어 있는 반면에, 본 실시예에서는 플라즈마형성가스통로가 양극부재에 형성되어 있는 점에서 양자는 차이가 있다.That is, in the embodiment described above, the plasma forming gas passage 42 is formed in the upper gas guiding means 40, whereas in the present embodiment, the plasma forming gas passage 42 is formed in the anode member. have.
이와 같이 구성함으로써 가스유도수단의 구조를 단순화시킬 수 있고 플라즈마를 형성할 가스를 아크 방전 영역에 보다 가깝게 주입할 수 있는 효과를 달성할 수 있다.In this way, the structure of the gas inducing means can be simplified, and the effect of injecting the gas to form the plasma closer to the arc discharge region can be achieved.
본 발명에 있어서 플라즈마형성가스로는 아르곤, 질소, 공기, 수소, 산소 및 이들 중 복수개의 가스를 혼합한 가스로 구성된 군 중에서 적어도 하나 선택할 수 있다.In the present invention, the plasma forming gas may be at least one selected from the group consisting of argon, nitrogen, air, hydrogen, oxygen, and a mixture of a plurality of these gases.
본 발명에 있어서 유해가스로는 과불화물(perfluoro compounds), 염화불화탄소(chlorofluoro carbons), 다이옥신(dioxin), 퓨란(furan), 휘발성유기화합물(volatile organic compounds) 및 이들 중 복수개의 혼합물로 구성된 군 중에서 적어도 하나 선택된 것일 수 있다.In the present invention, the harmful gas is selected from the group consisting of perfluoro compounds, chlorofluoro carbons, dioxin, furan, volatile organic compounds, and a plurality of mixtures thereof. At least one may be selected.
본 발명에 있어서 유해가스로는 반도체 공정 뿐만 아니라 액정제조 공정에서 발생되는 물질일 수 있다.In the present invention, the harmful gas may be a material generated in the liquid crystal manufacturing process as well as the semiconductor process.
본 발명에 있어서 반응성가스로는 수소나 산소로 구성된 물질 또는 수소나 산소가 혼합된 물질일 수 있다.In the present invention, the reactive gas may be a substance composed of hydrogen or oxygen, or a substance mixed with hydrogen or oxygen.
본 발명에 있어서 반응성가스로는 수증기 또는 미세입자의 H20일 수 있다.In the present invention, the reactive gas may be H20 of steam or fine particles.
이하, 상기한 구성을 갖는 본 발명에 따른 플라즈마를 이용한 유해가스 처리장치의 작동을 설명한다.Hereinafter, the operation of the noxious gas treatment apparatus using the plasma according to the present invention having the above-described configuration.
음극조립체(20)에 인가된 적어도 100볼트(V)이상의 고전압에 의하여 음극(23)과 양극부재(70)의 사이에 아크 방전이 형성되고, 이 아크 방전 영역에 플라즈마형성가스통로(42)를 통해 유입된 아르곤, 질소와 같은 플라즈마형성가스가 플라즈마를 형성하게 된다. 이와 같이 형성된 플라즈마는 1000℃ 이상의 고온 열플라즈마로 되는데, 이러한 고온의 열플라즈마에 유해가스통로(72)를 통해 유입된 과불화물(perfluoro compounds) 등의 지구환경을 오염시키는 유해가스가 분해된다. 이 때, 반응성가스통로(73)를 통해 유입된 산소, 수소 등의 반응성가스에 의하여 분해효율이 향상되게 된다. 또한 양극부재(70) 외측면에 설치된 자기발생수단(79)에 의하여 발생된 자기는 플라즈마와 유해가스의 혼합이 원활하게 이루어지도록 하고, 반응실(75)에서의 그 체류시간을 증가시킴으로써 유해가스의 분해효율을 향상시킬 수 있고, 대용량 처리가 가능하게 된다. 이와 같이 분해된 유해가스는 양극부재(70)의 처리가스배출통로(76)를 통해 외부로 배출되게 된다.An arc discharge is formed between the cathode 23 and the anode member 70 by a high voltage of at least 100 volts (V) applied to the cathode assembly 20, and the plasma forming gas passage 42 is formed in the arc discharge region. Plasma forming gases such as argon and nitrogen introduced through the plasma form. The plasma formed as described above becomes a high temperature thermal plasma of 1000 ° C. or higher, and harmful gases that contaminate the global environment such as perfluoro compounds introduced through the harmful gas passage 72 are decomposed into the high temperature thermal plasma. At this time, the decomposition efficiency is improved by reactive gases such as oxygen and hydrogen introduced through the reactive gas passage 73. In addition, the magnetism generated by the magnetic generating means 79 provided on the outer side of the anode member 70 facilitates mixing of the plasma and the noxious gas, and increases the residence time in the reaction chamber 75, thereby increasing the noxious gas. It is possible to improve the decomposition efficiency of the large-capacity processing. The harmful gas decomposed in this way is discharged to the outside through the process gas discharge passage 76 of the anode member (70).
본 발명은 다음 예들에 의하여 더욱 상세하게 설명될 수 있다.The invention can be explained in more detail by the following examples.
예 1Example 1
전력 6kW, 플라즈마형성가스 유량 15 l/min에서 1,000K 이상의 플라즈마를 발생시키고, 유해가스로서 질소와 CF4를 각각 100 l/min와 1 l/min의 유량비로 주입하였으며, 반응성가스로서 산소를 2 l/min 내지 6 l/min 주입하여 CF4의 분해효율을 알아보았다. 이 경우 50% 내지 65%의 분해효율을 얻었다.A plasma of at least 1,000 K was generated at a power of 6 kW and a plasma forming gas flow rate of 15 l / min. Nitrogen and CF4 were injected at a flow rate of 100 l / min and 1 l / min, respectively, as a noxious gas. Injecting / min to 6 l / min to determine the decomposition efficiency of CF4. In this case, a decomposition efficiency of 50% to 65% was obtained.
예 2Example 2
플라즈마의 형성 및 유해가스의 주입조건은 예 1과 동일하며, 반응성가스로서 수소를 사용하였다. 수소의 유량을 2 l/min 내지 8 l/min으로 변화시키면서 CF4의 분해효율을 알아보았다. 이 경우 수소의 유량이 8 l/min인 때에는 95% 이상의 분해효율을 얻었다. 그러나 산소가 없는 경우였기 때문에 탄소 원소가 반응실 내벽에 검댕이를 형성하여 관내 유체 흐름을 방해하였다.Plasma formation and harmful gas injection conditions were the same as in Example 1, and hydrogen was used as the reactive gas. The decomposition efficiency of CF 4 was examined while changing the flow rate of hydrogen from 2 l / min to 8 l / min. In this case, when the flow rate of hydrogen was 8 l / min, decomposition efficiency of 95% or more was obtained. However, because there was no oxygen, carbon elements formed soot on the inner wall of the reaction chamber, which obstructed the fluid flow in the tube.
예 3Example 3
플라즈마의 형성 및 유해가스의 주입조건은 예 1과 동일하며, 반응성가스로서 수증기화한 H2O와 산소를 사용하였다. 이 때 반응성가스의 유량을 2 l/min 내지 8 l/min으로 변화시키면서 분해효율을 알아보았다. 이 경우 수소를 반응성가스로 사용한 경우보다는 다소 낮은 90%의 분해효율을 얻었으나 반응실내의 검뎅이는 완전히 제거되었다.Plasma formation and noxious gas injection conditions were the same as in Example 1, and steamed H2O and oxygen were used as reactive gases. At this time, the decomposition efficiency was examined while changing the flow rate of the reactive gas from 2 l / min to 8 l / min. In this case, the decomposition efficiency was slightly lower than that of using hydrogen as a reactive gas, but the soot in the reaction chamber was completely removed.
상기한 바와 같은 구성을 갖는 본 발명에 따른 열플라즈마를 이용한 유해가스 처리장치의 효과는 다음과 같다.Effects of the noxious gas treatment apparatus using the thermal plasma according to the present invention having the configuration as described above are as follows.
첫째, 본 발명에 따른 플라즈마를 이용한 유해가스 처리장치는 플라즈마의 형성영역에 직접 유해가스를 주입하는 일체형으로 되어 있으므로 플라즈마의 고온 영역을 효율적으로 이용할 수 있다.First, the apparatus for treating noxious gas using plasma according to the present invention has an integrated type which directly injects noxious gas into the plasma forming region, so that the high temperature region of the plasma can be efficiently used.
둘째, 본 발명에 따른 플라즈마를 이용한 유해가스 처리장치는 유해가스통로를 통해 유입된 유해가스가 회전하도록 하고, 또한 반응실내에 자기를 발생시키는 수단을 부가함으로써 플라즈마와 유해가스의 혼합이 충분히 이루어지고 그 체류시간을 증가시킴으로써 분해효율을 향상시킬 뿐만 아니라 전극의 마모를 감소시킬 수 있다.Second, the apparatus for treating harmful gases using plasma according to the present invention allows the harmful gas introduced through the harmful gas passage to rotate, and also adds a means for generating magnetism in the reaction chamber, whereby the mixture of the plasma and the harmful gas is sufficiently made. By increasing the residence time, not only can the decomposition efficiency be improved, but also the wear of the electrode can be reduced.
셋째, 본 발명에 따른 플라즈마를 이용한 유해가스 처리장치는 음극조립체 및 양극부재에 냉각수유동통로를 형성함으로써 고온의 플라즈마로부터 음극과 양극을 보호할 수 있다.Third, the apparatus for treating harmful gases using plasma according to the present invention can protect the cathode and the anode from high temperature plasma by forming a cooling water flow path in the cathode assembly and the anode member.
넷째, 본 발명에 따른 플라즈마를 이용한 유해가스 처리장치는 음극조립체에 대향하도록 플라즈마형성가스통로의 출구를 형성함으로써 플라즈마를 형성하는 가스가 직류 아크 방전이 발생되는 두 전극 사이에 원활하게 주입될 수 있다.Fourth, in the harmful gas treatment apparatus using the plasma according to the present invention by forming the outlet of the plasma forming gas passage to face the cathode assembly, the gas forming the plasma can be smoothly injected between the two electrodes of the DC arc discharge is generated. .
다섯째, 본 발명에 따른 플라즈마를 이용한 유해가스 처리장치는 양극부재의 냉각수단을 양극부재에 일체로 형성함으로써 유해가스의 분해 처리가 이루어지는반응장치를 효율적으로 냉각할 수 있는 단순한 구조를 가짐으로써 제조공정이 단순화할 수 있다.Fifth, the noxious gas treatment apparatus using plasma according to the present invention has a simple structure that can efficiently cool the reaction apparatus in which noxious gas is decomposed by forming the cooling means of the positive electrode member integrally with the positive electrode member. This can be simplified.
여섯째, 본 발명에 따른 플라즈마를 이용한 유해가스 처리장치는 유해가스통로를 양극부재의 반응실 주위의 원주상에서 방사방향에 대하여 소정의 각도를 가지면서 형성되도록 함으로써 처리하고자 하는 유해가스를 반응장치내로 균일하고 원활하게 주입하여 분해효율을 향상시킬 수 있다.Sixth, the apparatus for treating harmful gases using plasma according to the present invention allows the harmful gas passage to be formed at a predetermined angle with respect to the radial direction on the circumference around the reaction chamber of the anode member so that the harmful gases to be treated are uniform in the reaction apparatus. It is possible to improve the decomposition efficiency by injecting smoothly.
일곱째, 본 발명에 따른 플라즈마를 이용한 유해가스 처리장치는 기상의 지구오염물질뿐만 아니라 반도체 공정, 액정제조 공정에서 발생하는 유해가스를 처리할 수 있다.Seventh, the apparatus for treating harmful gases using plasma according to the present invention may process harmful gases generated in semiconductor processes and liquid crystal manufacturing processes as well as global pollutants in the gas phase.
여덟째, 본 발명에 따른 플라즈마를 이용한 유해가스 처리장치는 유해가스 처리용량을 크게 향상시킬 수 있다.Eighth, the harmful gas treatment apparatus using the plasma according to the present invention can greatly improve the harmful gas treatment capacity.
본 발명은 첨부된 도면에 도시된 실시예를 참고로 하여 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.Although the present invention has been described with reference to the embodiments illustrated in the accompanying drawings, it is merely an example, and those skilled in the art may realize various modifications and equivalent other embodiments therefrom. Will understand. Therefore, the true technical protection scope of the present invention will be defined by the technical spirit of the appended claims.
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