KR20030076691A - 무선 송신 분야에서 사용하기 위한 전자기 신호의 수신및/또는 송신 디바이스 - Google Patents

무선 송신 분야에서 사용하기 위한 전자기 신호의 수신및/또는 송신 디바이스 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 슬롯 안테나(10, 11)로 구성된 적어도 2개의 파 수신 및/또는 송신 수단과, 상기 수신 및/또는 송신 수단 중 적어도 하나를 다중 빔 신호를 이용하는 수단에 연결시키는 수단을 포함하는 신호 수신 및/또는 송신용 디바이스에 관한 것이다. 상기 연결 수단은 공통 공급 라인(12)으로 구성되는데, 상기 라인은 슬롯 안테나의 슬롯과 전자기적으로 결합되고, 전자 성분이 온 상태에 있을 때 디바이스로부터 유도된 방사 패턴은 상기 성분이 오프 상태에 있을 때 디바이스로부터 유도된 방사 패턴과 다르게 되도록 제어 신호를 통해 상기 라인의 단부에서 단락 또는 개방 회로를 시뮬레이팅할 수 있게 하는 전자 성분에 의해 끝난다. 본 발명은 무선 송신 분야에 적용가능하다.

Description

무선 송신 분야에서 사용하기 위한 전자기 신호의 수신 및/또는 송신 디바이스{DEVICE FOR RECEIVING AND/OR TRANSMITTING ELECTROMAGNETIC SIGNALS FOR USE IN THE FIELD OF WIRELESS TRANSMISSIONS}
높은 처리량의 무선 송신을 위한 알려진 시스템에서, 송신기에 의해 송신된 신호는 복수의 별개 루트를 따라 수신기에 도달한다. 상기 신호가 수신기 레벨에서 조합될 때, 상이한 길이의 루트를 이동하는 여러 광선 사이의 위상차는 신호의 페이드아웃(fadeout) 또는 상당한 품질 저하(degradation)를 야기할 가능성이 있는 간섭 화면을 초래한다. 따라서, 5.8GHz의 주파수로 밀폐된 환경에서 무선 링크에서의 지점 주위에서 측정된 전력의 공간적인 분배에 관련된 도 1에 도시된 바와 같이, 수신된 신호의 전력은 대략 파장의 단편(fraction)의 매우 짧은 거리에 걸쳐 수십 데시벨만큼 변한다. 더욱이, 페이드아웃의 위치는 새로운 물체의 존재 또는 사람의 통과와 같은 주변 환경의 변형의 함수로서 시간에 걸쳐 변한다. 다중 경로로 인한 이러한 페이드아웃은 수신된 신호의 품질 및 시스템의 성능에 관해 상당한저하를 야기할 수 있다.
다중 경로에 관련된 페이드아웃의 문제를 해결하기 위해, 방사 패턴의 공간적 선택도를 통해, 수신기에 의해 수집된 광선의 수를 감소시켜, 다중 경로의 효과를 감쇠시킬 수 있게 하는 지향성 안테나를 현재 사용하고 있다. 이러한 경우에, 신호 처리 회로와 연관된 수 개의 지향성 안테나는 360°의 공간 커버리지(spatial coverage)를 보장하는데 필요하다. 본 출원인의 명칭으로 출원된 프랑스 특허 출원(제 98 13855호)은 어레이의 스펙트럼 효과를 증가시킬 수 있게 하는 소형 다중 빔 안테나를 또한 제안한다. 그러나, 가정용 또는 휴대용 기기의 다수의 아이템에 대해, 이러한 해결책은 부피가 크고 비용이 많이 들게 된다.
페이드아웃을 제거하기 위해, 가장 자주 사용되는 기술은 공간 다이버시티(space diversity)를 이용하는 기술이다. 도 2에 도시된 바와 같이, 이러한 기술은 특히 스위치(3)와 연관되는 패치형의 2개의 안테나(1, 2)와 같이 넓은 공간 커버리지를 갖는 한 쌍의 안테나를 이용하는 것이다. 2개의 안테나는/2를 초과해야 하는 길이만큼 이격되는데, 여기서는 안테나의 동작 주파수에 대응하는 파장이다. 이러한 유형의 디바이스를 통해, 2개의 안테나가 동시에 페이드아웃이 될 확률이 매우 적다는 것을 보여줄 수 있다. 카밀로 페어 박사(Dr. Kamilo Feher)의 "무선 디지털 통신"- 제 7장: 특히 344페이지에 있는 도 7. 8로부터 모바일-무선 라디오(radio) 시스템을 위한 다이버시티 기술에 주어진 설명으로부터 입증된다. 각 패치에 의해 수신된 레벨이 완전히 독립적이라고 가정하여 순수 확률계산을 통해 또한 입증될 수 있다. 이 경우에, p(예를 들어 1%)가, 안테나에 의해 수신된 신호가 검출 능력(detectability) 임계치보다 낮은 레벨을 갖게 될 확률이면, 이 레벨이 2개의 안테나에 대한 임계치 미만이 될 확률은 p2(따라서 0.01%)라고 말할 수 있다. 2개의 신호가 완전히 상관된다면, Pdiv는 0.01% < pdiv< 1%가 되는데, 여기서 pdiv는, 수신된 레벨이 다이버시티의 경우에 검출 능력 임계치보다 낮을 확률이다.
따라서, 스위치(3)로 인해, 감시 회로(monitoring circuit)(미도시)에 의해 수신된 신호를 시험함으로써 가장 높은 레벨을 나타내는 안테나에 링크된 분기를 선택할 수 있다. 도 2에 도시된 바와 같이, 안테나 스위치(3)는 스위치(4)에 연결되는데, 상기 스위치(4)는, 2개의 패치 안테나(1 또는 2)를 Tx5 회로에 링크될 때 송신 모드로 동작시키거나, Rx6 회로에 링크될 때 수신 모드로 동작시킬 수 있게 한다.
특히 소형화(compactness) 문제를 해결하기 위해, 미국 특허(제 5,714, 961호)는, 방사 다이버시티가 상이한 모드로 동작하는 2개의 환형 슬롯을 사용함으로써 달성되며, 슬롯의 방사 패턴이 공급 라인의 네트워크를 통해 제어되는 것을 제안하였다.
본 발명은, 특히 가정 환경, 체육관, 텔레비전 스튜디오 또는 공연장, 경기장 등과 같이 밀폐되거나 반-밀폐된 환경에서의 송신의 경우에 무선 송신 분야에 사용될 수 있는 신호의 수신 및/또는 송신을 위한 디바이스에 관한 것이다.
도 1은 이미 설명한 내부 환경에서 안테나 전력의 공간적인 변동을 도시한 도면.
도 2는 이미 설명한 공간 다이버시티 송신/수신 디바이스의 개략적인 평면도.
도 3은 본 발명에 따라 송신/수신 디바이스의 토폴로지(topology)를 도시한 개략도.
도 4a 및 4b는 기본 모드 및 제 1 더 높은 모드로 환형 슬롯의 방사를 도시한 도면.
도 5a 내지 5e는 각각 본 발명의 동작 방법을 설명하는 도 3의 도면과 동일한 도면 및 등가 회로도.
도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 송신/수신 디바이스를 도시한 도면.
도 7a 및 7b는 원형 편파 동작 방법을 제외하고 그 형태가 각각 도 6 및 도 3과 동일한 슬롯을 도시한 도면.
도 8은 본 발명에 따른 송신/수신 디바이스의 다른 실시예를 개략적으로 도시한 도면.
도 9a 및 9b는 각각 비발디형 안테나로 구성된 슬롯에 의해 공급된 안테나의 경우에 본 발명에 따른 송신/수신 디바이스의 개략도 및 그 등가 회로도.
도 10은 본 발명에 따른 이용 수단에 연결된 송신/수신 디바이스를 도시한도면.
본 발명의 목적은 전술한 해결책에 대한 대안적인 해결책을 제안하는 것인데, 이것은 특히 더 우수한 소형화, 더 낮은 비용 및 더 우수한 구현의 간단함의장점을 갖는다.
따라서, 본 발명의 주제는, 슬롯형 안테나로 구성된 적어도 2개의 파 수신 및/또는 송신 수단과, 상기 수신 및/또는 송신 수단 중 적어도 하나를 상기 신호의 이용(utilization) 수단에 연결시키는 수단을 포함하는 전자기 신호의 수신 및/또는 송신용 디바이스로서,
연결 수단은 공통 공급 라인으로 구성되고, 상기 라인은 상기 슬롯형 안테나와 전자기적으로 결합되고, 전자 성분에서 끝나는데, 상기 전자 성분은, 성분이 온 상태에 있을 때 디바이스로부터 방출하는 방사 패턴이 상기 성분이 오프 상태에 있을 때 디바이스로부터 방출하는 방사 패턴과 다르게 되도록, 제어 신호에 의해 상기 라인의 극단(extremity)에서 단락 또는 개방 회로를 시뮬레이팅할 수 있게 하는 것을 특징으로 한다.
제 1 실시예에 따라, 슬롯형 안테나는, 하나의 공진 슬롯이 다른 하나의 공진 슬롯 내부에 존재하는 적어도 2개의 공진 슬롯으로 구성되는데, 하나의 슬롯은 기본 모드로 동작하고, 다른 슬롯은 더 높은 모드(higher mode)로 동작한다. 이 경우에, 슬롯은 환형, 정사각형 또는 직사각형일 수 있거나, 임의의 다른 호환가능한 형태를 가질 수 있다. 더욱이, 슬롯에는 원형 편파의 방사를 허용하는 수단이 설치될 수 있다. 이러한 유형의 디바이스를 통해, 전자 성분이 온 상태에 있을 때, 얻어진 방사 패턴은 바깥쪽 슬롯의 방사 패턴인 반면, 전자 성분이 오프 상태에 있을 때, 얻어진 방사 패턴은 안쪽 슬롯의 방사 패턴과 바깥쪽 슬롯의 방사 패턴의 조합이 된다. 이러한 방사 패턴의 조합의 경우에, 각 모드의 기여의 진폭 방식 및 위상방식의 조정은, 공급 라인 폭의 조정과 2개의 슬롯의 중심 사이의 간격에 의해 달성된다.
다른 실시예에 따라, 슬롯형 안테나는 중심점 주위에 규칙적으로 이격된 비발디(Vivaldi)형 안테나로 구성된다.
본 발명의 특성에 따라, 신호의 이용 수단에 마주보는 면에서, 공급 라인은 다이오드, 다이오드로서 배열된 트랜지스터, MEM(Micro Electro Mechanical System)와 같은 전자 성분에 링크되는데, 상기 성분은 바이어스 상태에 따라 라인의 극단에서 단락(양의 전압으로 순방향 바이어스될 때) 또는 개방 회로(바이어스 전압 없음: V=0)를 시뮬레이팅할 수 있게 하며: 상기 라인에 전자기적으로 결합된 제 1 슬롯과 전자 성분 사이의 라인의 길이, 뿐 아니라 상기 라인에 전자기적으로 결합되는 제 2 슬롯과 제 1 슬롯 사이의 길이가 동작의 중심 주파수에서 λm/4의 홀수배와 같은데, 여기서이고,은 진공에서의 파장이고,는 라인의 등가 상대 유전율(equivalent relative permittivity)이고, 더욱이 다음의 연속적인 슬롯 사이의 라인 길이는의 배수와 같다.
일실시예에 따라, 공급 라인은 마이크로스트립(microstrip) 기술 또는 동일 평면(coplanar) 기술로 구현된 라인이다. 더욱이, 신호의 이용 수단은 수신된 신호의 레벨의 함수로서 성분의 턴 오프(turn-off) 전압 이상의 전압을 공급 라인을 통해 보내는 제어 수단을 포함한다.
본 발명의 다른 특성 및 장점은 첨부 도면을 참조하여 다양한 실시예의 설명을 읽음으로써 명백해질 것이다.
설명을 간략하게 하기 위해, 도면에서 동일한 요소는 동일한 참조 번호를 취한다.
본 발명에 따라 파 송신/수신용 디바이스의 제 1 실시예가 도 3에 개략적으로 도시된다. 이 경우에, 파 송신/수신 수단은 슬롯형 안테나이다. 더 구체적으로, 상기 수단은 2개의 환형 슬롯형 안테나(10, 11)로 구성되는데, 상기 안테나 중 하나는 다른 하나의 내부에 위치해 있다. 2개의 환형 슬롯형 안테나(10 및 11)는, 안쪽 환형 슬롯(11)이 도 4b에 도시된 기본 모드로 동작하는 반면, 바깥쪽 환형 슬롯(10)은 도 4a에 도시된 제 1 더 높은 모드로 동작하도록 크기가 정해진다(dimensioned). 그러므로, 각 모드에 대응하는 도 4a 및 4b의 방사 패턴이 상이하기 때문에, 방사 패턴을 통해 각 안테나가 수집한 광선의 조합으로부터 야기되는 전력 레벨은 상이하다. 공간 다이버시티의 경우와 마찬가지로, 2개의 패턴의 2개의 상이한 조합을 통해 수집된 레벨이 동시에 2개의 페이드아웃에 대응한다는 것은 있을 것 같지 않다고 볼 수 있다. 특히, 안테나에 의해 수신된 레벨은 방사 패턴을 통해 수집된 여러 "광선"의 필드의 결과(진폭 방식 및 위상 방식 벡터 추가)에 비례한다. 일반적으로 광선이 상이한 루트를 이동하기 때문에, 일반적으로 그 진폭 및 위상은 상이하므로, 그 결과가 0에 가까운 신호를 제공할 수 있는데, 즉 페이드아웃 또는 이에 반하여 구조적으로 조합할 수 있는데, 즉 신호 피크를 제공할 수 있다. 다중 경로가 수집되는 패턴의 조합이 상이하기 때문에, 결과적인 신호가 동시에 페이드아웃에 대응할 기회가 거의 없다. 그러므로, 이것은 전술한 것과 같은 간단한 확률 계산으로 입증될 수 있다. 그러므로, 이러한 배열을 통해, 하나의 슬롯으로부터 다른 슬롯으로 간단히 스위칭할 수 있다면, 종래의 공간 다이버시티에서 얻어진 것과 동일한 효율을 갖는 다중 경로에 관련된 페이드아웃을 제거할 수 있다. 이것을 행하기 위해, 도 3에 도시되고 도 5a 및 5b를 참조하여 설명된 바와 같이, 2개의 환형 슬롯(10 및 11)은 신호의 이용 수단(미도시)에 연결된 공통 공급 라인에 전자기적으로 결합된다. 공급 라인(12)은 실시예에서 2개의 슬롯(10 및 11)과 교차하는 마이크로스트립 라인으로 구성된다.
본 발명에 따라, 마이크로스트립 라인(12)의 단부는 도시된 실시예에서 다이오드(13)에 연결되는데, 상기 다이오드의 다른 단부는 접지에 링크되어 있다. 다이오드(13)는 PIN형 다이오드(즉 H.P가 제작한 HS-LP 489 B라 지칭된 다이오드)일 수 있다. 더욱이, 도 3에 도시된 바와 같이, 다이오드(13)의 하나의 단자와 제 1 환형 슬롯(11) 사이의 공급 라인의 길이(l1)는 λm/4와 같거나 대략 λm/4의 홀수배와 같은데,이고, λO은 진공에서의 파장이고,는 라인의 등가 상대 유전율이다. 이와 마찬가지로, 도 3에 도시된 바와 같이, 다이오드(13)의 연결부와 제 2 환형 슬롯(10) 사이의 공급 라인의 길이(l2)는 약 λm/2와 같거나, 일반적으로 λm/2의 배수와 같은데, λm은 위에서 주어진 값이다. 본 발명에 따른 디바이스의 동작 방법은 이제 도 5a 내지 5d를 참조하여 설명될 것이다. 다이오드(13)가 온 상태에 있을 때, 즉 dc 바이어스 전압()이 라인을 통해 송신될 때, 도 5a에 도시된 바와 같이, 여기 수단과 마주보는 라인(12)의 단부는 단락 평면에 있다. 위에서 주어진 라인의 크기 조정이 주어지면, 마이크로스트립 라인(12)과 제 1 안테나(10) 사이의 교차 평면은 개방 회로 평면과 같은 반면, 제 2 슬롯(11)을 갖는 교차 평면은 단락 평면에 대응한다. 이러한 조건 하에서, 도 5c의 등가 회로도에 도시된 바와 같이, 바깥쪽 환형 슬롯형 안테나(11)만이 여기되고, 안테나 패턴은 즉 도 4a에 도시된 제 1 더 높은 모드의 안테나 패턴이다. 도 5c의 등가 회로도는 공진에 가깝게 동작할 때 B. 노르(Knorr)에 의해 제 1 시간 동안 제안된 슬롯 라인과 마이크로스트립 라인 사이의 간단한 전이에 대한 알려진 등가 회로도로부터 얻어진다. 회로는 환형 슬롯(10)에 대응하는 기본 모드의 임피던스(Zfund)로 구성된다. 임피던스는 N:1의 비율의 임피던스 변압기에 링크된다. 임피던스 변압기의 다른 분기는, 특성 임피던스(Z12-b) 및 전기적 길이(θ12-b)로 된 마이크로스트립 라인(12-b)과 함께 특성 임피던스(Z12-c) 및 전기적 길이(θ12-c)로 된 라인 극단(12-c)으로 표시된 저항{라인(12)의 단부의 단락에 대응}에 직렬로 연결된다. 이 라인은 환형 슬롯(12)의 등가 회로(Zhig)에 링크된 비율(1:N)의 다른 임피던스 변압기에 링크된다. 조립체(12)는 특성 임피던스(Z12-a) 및 전기적 길이(θ12-a)로 된 마이크로스트립 라인(12-a)의 길이만큼 생성기(G)에 의해 심볼화된 여기 회로에 링크된다. 다이오드의 단락(CC)은 1/4 파인 라인(12-c)을 통해 개방 회로(CO)를 표시한다. 이와 유사하게, 또한 1/4파인 라인(12-b)은 단락(CC)을 표시한다. 그러므로, 더 높은 모드로 동작하는 슬롯만이 여기되는 하나의 슬롯을 통한 동작에 대응하는 도 5c'의 등가 회로도를 갖는다.
도 5b에 도시된 바와 같이, 다이오드(13)가 오프 상태에 있을 때, 즉 G가 0의 바이어스 전압에 있을 때, 다이오드에 연결된 라인의 단부는 개방 회로 평면(CO)에 있다. 이러한 조건 하에서, 도 5d의 등가 회로도로 도시된 바와 같이, 양쪽 슬롯은 여기되는데, 그 이유는, 이 때 다이오드의 개방 회로(CO)가 1/4 라인(12-c)을 통해 단락(CC)을 표시하기 때문이다. 안테나 패턴은 작은 슬롯(10)으로부터 나오는 기본 모드, 및 큰 슬롯(11)으로부터 나오는 더 높은 모드에서 야기되는 안테나 패턴이다. 각 모드의 진폭 가중(weighting)은 여기 라인(12)을 통해 안테나의 입력에서 각 모드에 의해 표시된 임피던스의 상대적인 값을 통해 조정될 수 있다. 위상 가중은 도 5e에 도시된 바와 같이, 중심 사이의 간격, 즉 2개의 슬롯 사이의 길이(12b)를 통해 조정될 수 있다.
더욱이, 다이오드에 관해 온 모드로 동작할 때, 안테나 디바이스가 바깥쪽 슬롯의 더 높은 모드만의 여기를 허용해야 하기 위해, 길이(12b)는 대략 λm/4의 홀수배와 같아야 한다.
전술한 해결책은, 도 2에 도시된 디바이스보다 더 소형인 신호 송신/수신 디바이스를 얻을 수 있게 한다. 더욱이, 이 경우에, 간단한 다이오드는 3개의 단자를 갖는 스위치 대신 사용되어, 디바이스의 비용, 또한 스위칭 손실을 감소시킬 수 있게 하고, 단일 공통 공급 라인이 사용되어, 시스템의 구현을 간략화할 수 있게 한다.
본 발명의 기본 구조 내에 사용될 수 있는 슬롯형 송신/수신 안테나의 다른다양한 실시예는 도 6 내지 10을 참조하여 이제 설명될 것이다. 따라서, 도 6에 도시된 바와 같이, 슬롯-공급 안테나는 2개의 정사각형 슬롯(20, 21)으로 구성되는데, 상기 슬롯(20, 21)은 하나가 다른 하나의 내부에 위치하도록 이루어지고, 다른 단부가 접지면(24)에 링크되는 다이오드(23)에 직렬로 연결된 마이크로스트립 공급 라인(22)에 의해 공급된다. 공급 라인(22)은 선형 편파 동작을 하는 방식으로 정사각형 슬롯(20 및 21)에 관해 위치된다. 도 3 및 6의 슬롯형 안테나와 유사한 슬롯형 안테나가 도 7a 및 7b에 도시된다. 그러나, 이러한 안테나는 원형 편파 하에 동작할 수 있는 방식으로 변형된다. 따라서, 도 7a에서, 슬롯(30 및 31)은 정사각형의 대각선 중 하나에 따라 마이크로스트립 라인(32)에 의해 공급된 다른 하나의 내부에 하나가 자리잡은 2개의 정사각형으로 이루어지며, 이러한 공급 라인은 라인(32)의 하나의 단부와 접지면(34) 사이에 직렬로 연결된 다이오드(33)에서 끝난다. 도 7b의 경우에, 슬롯은 하나가 다른 하나의 내부에 존재하는 2개의 환형 슬롯(40, 41)으로 이루어지며, 상기 환형 슬롯에는 원형 편파를 발생시키는 알려진 수단이 설치되는데, 즉 대각선으로 마주보는 노치(notches)(40', 40", 41', 41")가 설치된다.
본 발명에 따라, 환형 슬롯(40 및 41)은 위에서 주어진 크기 조정에 따라 2개의 슬롯(40 및 41)을 교차하는 공급 라인(42)에 의해 여기되며, 상기 라인(42)의 단부는 라인(42)과 접지면(44) 사이에 직렬로 링크된 다이오드(43)에 연결된다. 동일 평면의 기술로 구현되는 2개의 슬롯형 안테나 및 공통 공급 라인이 도 8에 도시된다. 이 경우에, 환형 슬롯의 여기는 동일 평면의 라인(51)을 통해 달성된다. 그다음에, 다이오드(52)는 공급 라인(51)의 금속 요소(51')와 기판의 금속부(50') 사이에 배치되는데, 안테나 형성 환형 슬롯(501및 502)은 상기 기판 상에 장착된다.
도 9a 및 9b는, 슬롯형 안테나를 구성하는 파 수신 및/또는 송신 수단이 비발디형 안테나로 이루어지는 경우에 본 발명에 따른 디바이스의 다른 실시예에 관한 것이다. 이 경우에, 비발디형 안테나는 상당한 공간 커버리지를 얻기 위해 도면에서 참조 번호가 O인 중심점 주위에 일정하게 이격된다.
서로 수직으로 위치한 4개의 비발디 안테나로 이루어진 파 수신 및/또는 송신 수단이 도 9a에 도시되어 있고, 이러한 알려진 형태의 안테나는 슬롯(60, 61, 62, 63)으로 기호화되어 있다. 비발디 안테나의 구조가 당업자에게 잘 알려져 있으므로, 본 발명의 기본 구조 내에 더 구체적으로 설명되지 않을 것이다. 본 발명에 따라, 4개의 비발디 안테나(60, 61, 62, 63)는 예를 들어 마이크로스트립 기술로 구현된 단일 공급 라인(64)에 의해 여기된다. 이러한 공급 라인은,
ⅰ) 다이오드에 링크된 라인의 단부로부터 계산된, 제 1의 2개의 슬롯{슬롯(63) 및 슬롯(62)} 사이에 위치한 라인 간격의 길이가 λm/4, 더 구체적으로 약 λm/4의 홀수배와 같고,
ⅱ) 2개의 연속적인 슬롯 사이{즉, 그러므로 도 9a의 경우에 슬롯(62 및 61) 사이와, 슬롯(61 및 60) 사이}의 모든 다른 라인 간격의 길이는 λm/2, 더 구체적으로 약 λm/2의 배수와 같아지는
방식으로 4개의 비발디 안테나의 슬롯과 교차한다.
본 발명에 따라, 다이오드(65)는 공급 라인(64)의 단부와 접지면(66) 사이에 링크된다. 마지막 비발디 안테나(63)와 다이오드(65) 사이의 거리는 λm/4이거나, λm/4의 홀수배이다. 다중 빔 신호의 수신 및/또는 송신용 디바이스에 대한 이러한 특정한 레이아웃을 통해, 도 9b의 등가 회로도에 도시된 바와 같이, 안테나의 결과적인 패턴은, 다이오드(65)가 온 상태에 있을 때, 즉 바이어스 전압이 양일 때 빔(2, 3, 4)에 대응한다. 이러한 등가 회로도는 노르에 의해 설명된 4개의 마이크로스트립 라인/슬롯 라인 전이의 등가 회로도에 대응하는데, 이것은 도 9a에 표시된 라인 길이, 및 여자기(exciter) 마이크로스트립의 극단에 위치한 다이오드의 임피던스에 대응하는 전기적 길이에 의해 분리된다. 다이오드가 오프 상태(V=0)에 있을 때, 결과적인 패턴은 4개의 빔(1, 2, 3, 4)에 대응한다.
본 발명은 전자 성분으로서 다이오드를 사용하여 설명되었다. 그러나, 다이오드는 트랜지스터, MEM(Micro Electro Mechanical System: 마이크로 전기 기계 시스템) 또는 임의의 동등한 알려진 시스템으로 대체될 수 있다. 이와 마찬가지로, 슬롯형 안테나는 도시된 형태 이외에 임의의 호환가능한 다각형의 형태를 가질 수 있다.
송신 및 수신 신호를 이용하고 본 발명의 기본 구조 내에 사용될 수 있는 회로의 일실시예는 이제 도 10을 참조하여 설명될 것이다. 이 경우에, 공급 라인(12)은 스위치(103)를 통해 신호 이용 회로(100)를 안테나 디바이스(10, 11)에 링크시킨다. 회로(100)는, 안테나 시스템에 대한 신호의 고주파수로의 변환을 위한 스위치(103)의 입력에 링크된 송신 회로(101)와, 안테나 디바이스(10, 11)에 의해 수신된 신호의 중간 주파수로의 변환을 위한 스위치(103)의 단자에 링크된 수신 회로(102)를 포함한다. 알려진 방법으로, 각 회로(101, 102)는 각각 믹서(1011, 1021)를 포함하고, 동일한 로컬 발진기(104)는 주파수 교차를 위해 상기 믹서의 입력에서 사용된다. 상향 경로의 회로(101)는, 이미지 주파수를 거부하기 위한 필터(1013)의 입력에 변조 회로의 출력이 링크된 인입하는 베이스밴드 신호를 위한 변조 회로(1012)를 포함한다. 필터의 출력은 믹서(1011)의 입력에 링크된다. 믹서로부터의 나가는 신호는 고주파수로 변환되고, 송신 주파수 주위에 중심을 둔 통과 대역을 갖는 대역 통과 필터(1015)의 입력에 링크되는 출력을 갖는 전력 증폭기(1014)의 입력을 구동시킨다. 입력에서, 회로(102)는 저 잡음 증폭기(1026)를 포함하는데, 상기 저 잡음 증폭기는 입력에서 스위치(103) 출력에 링크되고, 출력에서 변환가능 신호의 이미지 주파수를 거부하기 위한 필터(1027)에 링크된다. 필터의 출력은 중간 주파수 발진기(104)를 통해 교차된 신호를 제공하는 출력을 갖는 믹서(1021)의 입력에 링크된다. 이러한 신호는, 중간 주파수 주위에 중심을 둔 통과 대역을 갖는 대역 통과 필터(1028)에 의해 필터링 된 후에, 상기 베이스밴드 신호를 복조할 수 있는 복조 회로(1029)로 송신된다. 그 다음에, 회로의 출력에서의 신호는 처리 회로에 제공된다. 더욱이, 수신 회로에 의해 수신된 신호는 마이크로프로세서(105)에 의해 측정되고, 레지스터(1051)에 리코딩된다. 이러한 측정은, 어떠한 정보 손실도 발생하지 않을 수 있을 정도로 충분히 짧은 미리 결정된 시간 간격으로 규칙적으로 수행된다. 신호의 레벨이 미리 리코딩된 임계치 미만일 때, 마이크로제어기는, 본 발명에 따라 몇몇 슬롯을 여기시키는 방식으로 다이오드를턴 온 또는 오프할 수 있게 하는 공급 라인을 통해 전압(V)을 송신한다. 실시예에서, 최적의 빔을 선택하는 방법은 사전 검출을 통한 방사 다이버시티 방법에 따라 수행되며, 빔의 선택은 신호 레벨이 가장 높은 빔을 결정함으로써 신호 이용 수단의 업스트림에서 이루어진다. 다른 방법, 특히 최적의 빔의 선택에 관해 후치 검출을 통한 방사 다이버시티 방법이 사용될 수 있으며, 그 때 빔의 선택은 최상의 에러율을 나타내는 경로를 선택함으로써 회로(100)의 다운스트림에서 이루어진다. 이러한 경우에, 복조기는 비트 에러율(BER; Bit Error Rate)을 계산하기 위한 회로를 포함한다. 본 발명이 전술한 실시예 및 변형에 한정되지 않음이 당업자에게 명백하다.
상술한 바와 같이, 본 발명은, 특히 가정 환경, 체육관, 텔레비전 스튜디오 또는 공연장, 철도역 등과 같이 밀폐되거나 반-밀폐된 환경에서의 송신의 경우에 무선 송신 분야에 사용될 수 있는 신호의 수신 및/또는 송신을 위한 디바이스 등에 이용된다.

Claims (10)

  1. 슬롯형 안테나(10, 11, 20, 21; 30, 31; 40, 41/501, 502, 60, 61, 62, 63)로 구성되는 적어도 2개의 파 수신 및/또는 송신 수단과, 다중 빔 신호의 이용 수단에 상기 수신 및/또는 송신 수단 중 적어도 하나를 연결하는 수단을 포함하는, 신호의 수신 및/또는 송신용 디바이스로서,
    상기 연결 수단은 공통 공급 라인(12, 22, 51, 32, 42, 64)으로 구성되며, 상기 라인은 상기 슬롯형 안테나와 전자기적으로 결합되고, 전자 성분이 온 상태에 있을 때 상기 디바이스로부터 방출하는 방사 패턴은 상기 성분이 오프 상태에 있을 때 상기 디바이스로부터 방출하는 방사 패턴과 다르게 되도록 제어 신호에 의해 상기 라인의 극단에서 단락 또는 개방 회로를 시뮬레이팅할 수 있게 하는 전자 성분에서 끝나는 것을 특징으로 하는, 신호의 수신 및/또는 송신용 디바이스.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 슬롯형 안테나는 하나가 다른 하나의 내부에 있는 적어도 2개의 공진 슬롯(10, 11, 20, 21)으로 구성되며, 상기 슬롯 중 하나는 기본 모드로 동작하고, 다른 슬롯은 더 높은 모드(higher mode)로 동작하는 것을 특징으로 하는, 신호의 수신 및/또는 송신용 디바이스.
  3. 제 2항에 있어서, 상기 공급 라인(12)의 폭, 및 상기 2개의 슬롯(11, 10)의중심 사이의 간격은 상기 성분이 오프 상태에 있을 때 여러 동작 모드의 진폭 방식 및 위상 방식의 조정을 제공하도록 선택되는 것을 특징으로 하는, 신호의 수신 및/또는 송신용 디바이스.
  4. 제 2항에 있어서, 상기 슬롯은 환형, 정사각형, 직사각형 또는 다각형의 형태로 되는 것을 특징으로 하는, 신호의 수신 및/또는 송신용 디바이스.
  5. 제 2항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 슬롯에는 원형 편파(circularly polarized wave)의 방사를 허용하는 수단이 설치되는 것을 특징으로 하는, 신호의 수신 및/또는 송신용 디바이스
  6. 제 1항에 있어서, 상기 슬롯형 안테나는 중심점 주위에 일정하게 이격된 비발디(Vivaldi)형 안테나로 구성되는 것을 특징으로 하는, 신호의 수신 및/또는 송신용 디바이스.
  7. 제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 있어서, 한 편으로, 상기 라인에 전자기적으로 결합된 제 1 슬롯과 전자 성분 사이의 라인의 길이, 및 상기 라인에 전자기적으로 결합된 제 2 슬롯과 상기 제 1 슬롯 사이의 길이는 동작의 중심 주파수에서 λm/4의 홀수배와 같고, 다음의 연속적인 슬롯 사이의 라인의 길이는 λm/2의배수와 같은데, 여기서이고, λO은 진공에서의 파장이고,는 상기 라인의 등가 상대 유전율인 것을 특징으로 하는, 신호의 수신 및/또는 송신용 디바이스.
  8. 제 7항에 있어서, 상기 공급 라인은 마이크로스트립 기술 또는 동일 평면(coplanar) 기술로 구현된 라인인 것을 특징으로 하는, 신호의 수신 및/또는 송신용 디바이스.
  9. 제 1항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전자 성분은 다이오드, 트랜지스터, 마이크로 전자 기계 시스템(Micro Electro Mechanical system)으로 구성되는 것을 특징으로 하는, 신호의 수신 및/또는 송신용 디바이스.
  10. 제 1항 내지 제 9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 신호 이용 수단은 수신된 신호의 레벨의 함수로서 상기 성분의 턴 오프 전압 이상의 전압을 상기 공급 라인을 통해 보내는 제어 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는, 신호의 수신 및/또는 송신용 디바이스.
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