KR20030076218A

KR20030076218A - 방사 주입된 표면 오염을 감소시키는 공정

Info

Publication number: KR20030076218A
Application number: KR1020027008300A
Authority: KR
Inventors: 클레바노프레오나드이.; 스털른리차드에이취.
Original assignee: 이유브이 리미티드 라이어빌러티 코포레이션
Priority date: 2002-06-26
Filing date: 2000-12-21
Publication date: 2003-09-26
Also published as: KR100772125B1

Abstract

본 발명은 그 상부에 흡수되고 방사(radiation)에 노출되는 통상적이고 임의의 분위기의 오염 물질을 갖는 표면의 오염(contamination) 및/또는 열화(degradation)를 감소시키거나 제거하는 공정에 관한 것이다. 기체 또는 기체혼합물은 보호될 표면의 환경 내에 주입된다. 주입될 기체 종류(통상적으로 탄화수소 기체, 수증기, 산소 또는 그 혼합물)는 보호될 표면과 결합되는 기체 종류의 활성뿐만 아니라 오염 물질에 따라 선택된다. 표면 및 결합 구속되는 기종(species)이 방사에 노출될 때, 반응성 기종이 형성되어, 표면으로부터 흡수 제거되는 휘발성 산물(예를 들면, CO, CO₂)을 형성하도록 탄소나 산화막과 같은 표면 오염 물질과 반응한다.

Description

방사 주입된 표면 오염을 감소시키는 공정 {Mitigation of radiation induced surface contamination}

노광 기술(photolithography)은 작업대상물의 표면에 패턴을, 예를 들어, 반도체 칩 또는 웨이퍼에 회로 패턴을 도포하는 잘 알려진 기술이다. 이 기술은 작고 정교한 패턴을 충실하게 제공해줄 수 있다는 장점이 있다. 종래의 노광 기술은 개구부를 통과하는 빛 또는 방사(radiation)가 방사-감응형 물질, 예를 들면, 감광제(photoresist)로 코팅된 작업대상물 표면의 소정 영역에 인가되도록, 그 내부에 형성된 개구부를 갖는 마스크(투명 마스크)에 전자기 방사를 인가하는 것을 포함한다. 이 마스크 패턴은 노출된 감광제 또는 비노출된 감광제를 제거함으로써 작업대상물의 표면상에 재생된다. 하지만, 종래의 노광 기술의 성능은 회로 밀도의 증가 및 고해상도 특성 요구에 의해서 심각한 제한을 받고 있다. 보다 향상된 집적도가 요구됨에 따라, 원하는 패턴을 재생하는데 필요한 방사 파장이 더욱 짧아지는 것이 불가피해졌다. 인가되는 방사 파장이 짧아짐에 따라, 방사 에너지는 커지게 되었는데, 이 방사는 그 표면상에 또는 표면 근처에 흡수되는 분자의 분해(decomposition)에 의해 표면을 손상시키고 열화시키며 또는 오염시킬 수 있는 반응 기종(reactive species)을 제공하기도 한다.

단파장의 방사는 분자를 직접 해리(dissociate)시킬 수 있으며, 이 방사가 그 표면과의 상호작용에 의해 생성되는 2차 전자는 분자를 해리시키는 주요 인자이다. 낮은 에너지(5∼10eV)의 2차 전자는 흡수된 전자의 직접 이온화에 의해 또는 전자 구속(electron attachment)에 의해 화학 결합을 파괴하는데 매우 앞장서는 것으로 알려져 있고, 여기서 2차 전자는 해리된 부산물로 탈-여기(de-excite)시키는 반응성 음이온을 제공하는 분자와 결합한다. 전자를 이탈시킬수 있을 만큼 충분한 에너지를 갖는 어떠한 종류의 방사(광자, 전자, 이온, 및 입자)도 2차 전자를 생성할 수 있다; 통상적으로 약 4∼5eV의 에너지가 필요하다. 결국, 방사 주입된 오염, 즉, 방사 상호작용에 기인하는 2차 전자에 의해 제공되는 반응 기종에 따른 표면의 오염이 초자외선 노광(약 100eV의 광자 에너지), 투사 전자 노광(약 50∼100keV의 전자 에너지), 이온 빔 노광(이온에너지 > 10keV), 193㎚ 노광(약 6.4eV의 광자 에너지) 및 157㎚ 노광(약 7.9eV의 광자 에너지)과 같은 에너지를 갖는 방사를 사용하는 노광 공정에서 틀림없이 발생하게 된다. 따라서, 마스크 및광 표면과 같은 중요한 노광 부품의 오염에 대한 잠재성과 그 동작 성능의 열화가 모든 개량된 노광 공정에서 나타난다.

그 상부에 흡수되고 방사의 입사 플럭스에 노출되는 기체 종류를 갖는 표면 오염에 대한 메커니즘이 도 1에 개략적으로 예시되어 있다. 여기서, 표면(110)은 그 상부에 흡수되는 탄화수소 및 물 분자 모두를 구비한다. "탄화수소"라는 용어는 탄소를 함유하는 모든 종류를 포함할 수 있다. 방사 플럭스에의 노출은 2차 전자를 표면(110)으로부터 방출시키게 되고, 이것은 상기 흡수된 탄화수소 분자를 해리시켜 상기 표면상에 흑연 층(graphite layer)을 형성할 수 있는 반응성 탄소 입자를 형성하게 된다. 예를 들면, 약 45시간동안 1×10^-7토르의 배경압력 하에서 13.4㎚ 방사의 약 330㎽/㎟의 플럭스 밀도에 Si-말단의 Mo/Si 다층 미러에 노출시키면 약 230Å의 두께를 갖는 흑연 탄소층이 성장하게 된다. 이러한 환경으로부터 상기 표면상에 흡수되는 탄화수소 분자의 2차 전자 주입된 해리에 의해 제공되는 상기 흑연 탄소 막은 미러 반사율을 66%에서 12%로 감소시키게 되고, 이러한 반사율의 감소는 상기 다층 미러를 노광 스테퍼 내에서 동작하지 않게 할 수 있다.

마찬가지로, 상기 방사 플럭스에 대응하여 표면(110)으로부터 방출되는 2차 전자는 흡수된 물 분자를 해리시켜 반응성 산소 기종을 형성할 수 있고, 이것은 표면을 산화시켜 방사의 흡수에 의해 미러의 반사율을 열화시킬 수 있는 산화막을 형성하게 된다. 따라서, 방사 주입된 물 분자의 해리로부터 발생하는 산화는 광 표면에 매우 심각한 손상을 끼칠 수 있다. 예를 들면, 약 24시간동안 1×10^-7토르의수증기 압력 하에서 13.4㎚ 방사의 약 330㎽/㎟의 플럭스 밀도에 Si-말단의 Mo/Si 다층 미러에 노출시키면 SiO₂층이 성장하게 된다. 상기 Mo/Si 다층 구조를 손상시키지 않고는 제거될 수 없는 이러한 SiO₂층은 반사율을 66%로부터 59%로 감소시키게 되고, 그 결과 받아들일 수 없는 동작 조건이 된다.

따라서, 표면, 특히, 탄화수소 및 수증기와 같은 통상적인 오염 물질의 존재 하에 방사에 노출되는 중요한 노광 부품의 표면의 오염 및/또는 열화를 제거하거나 상당히 감소시키는 공정이 필요한 것이다. 이것은 중요 부품의 열화에 대한 심각한 가능성 및 이들 부품의 큰 감응성으로 인해 보다 짧은 파장 및 이에 따른 보다 높은 에너지 방사를 사용하는 최근의 노광 공정이 표면 특성의 변화를 줄이기 위해 특히 적용된다.

본 발명은 방사 주입에 의한 분자의 파괴, 및 후속 반응 및/또는 표면상의 증착에 의해 발생되는 표면의 열화(degradation) 및 오염(contamination)을 감소시키는 공정에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 명세서 내에 개시되는 공정은 마스크 및 이미징 광과 같은 노광 스테퍼(lithographic stepper)의 부품 표면을 방사 주입에 의한 분자 파괴로부터 보호하는 것에 관한 것이다.

도 1은 표면 오염이 발생되는 공정을 개략적으로 예시하는 도면이다.

도 2는 본 발명의 실시예를 개략적으로 예시하는 도면이다.

도 3a는 전자 빔 조사(electron beam irradiation) 및 수증기에 노출되는 실리콘(Si) 표면의 산화를 나타내는 도면이다.

도 3b는 에탄올(ethanol)의 첨가에 의해 산화의 감소가 발생되는 것을 보여주는 도면이다.

도 4는 초자외선(EUV) 방사에 노출되는 실리콘 표면상에 미치는 수증기 및 에탄올의 영향을 나타내는 도면이다.

도 5는 탄소 증착물 상에 미치는 산소 분자의 영향을 나타내는 도면이다.

상술한 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 방사 플럭스에의 노출에 의해 해리되는 통상적이고 임의의 분위기의 분자 화합물에 따른 표면의 오염을 감소시키거나 제거하는 공정을 제공하기 위한 것이다.

본 발명의 다른 목적은 부분 압력이 인가되는 분위기에서 효율적으로 동작하는 공정을 제공하기 위한 것이다.

본 명세서 내에 개시되는 본 발명의 공정에서 기체 또는 기체혼합물이 보호될 표면(표면들)의 환경에 주입된다. 주입될 기체의 종류는 보호될 표면과 결합되는 기체 종류의 활성뿐만 아니라 오염에 따라 선택된다. 기체 종류의 활성에 대한 기준은 입사 방사에 대응하여 표면으로부터 방출되는 2차 전자가 흡수된 기종을 해리시킬 수 있는가에 따른다. 상기 표면 및 결합되는 결합 기종이 방사에 노출될 때, 반응성 기종이 형성되어, 표면으로부터 흡수 제거되는 휘발성 산물(예를 들면, CO, CO₂)을 형성하도록 탄소나 산화막과 같은 표면 오염 물질과 반응한다.

본 발명은 그 상부에 흡수되고 에너지를 갖는 방사에 노출되는 통상적이고 임의의 분위기의 오염 물질을 갖는 표면의 오염 및/또는 열화를 감소시키거나 제거하는 공정에 관한 것이다. 이들 오염 물질은 임의의 시스템의 분위기에 원래부터 존재할 수 있고, 흔히 구조물, 진공 펌프 오일 및 유지(grease)의 재료 공급원으로부터 발생할 수 있는 탄화수소 및 수증기와 같은 기종을 포함할 수 있다. 에너지를 갖는 방사는 광자(photons), 전자, 또는 이온일 수 있다. 본 발명은 초자외선 방사와 같은 높은 에너지를 갖는 방사를 채택하고, 오염에 대한 상당한 가능성 및 그 결과로 중요한 부품 성능의 열화를 보여주는 노광 공정에 특히 유용하다.

본 발명의 공정은 초자외선(EUV) 노광, 특히 그 내부에서 유력한 2가지 통상적인 오염원 형태인 탄소 증착 및 산화의 감소에 적용되는 것으로 예시되지만, 그 사용은 노광 동작 또는 탄소 증착 또는 산화의 제거에 국한되지 않고, 일반적으로 적용될 수 있는 것으로 보아야 한다.

본 발명의 공정은 도 2를 참조하여 예시되고 설명되며, 도 2는 Mo/Si 다층 미러의 Si 표면(210)을 보여주고 있다. 흔히, 수증기는 임의의 시스템, 특히 굽지 않는 진공 시스템에 나나탈 수 있다. 따라서, 여러 시스템 부품의 기체를 빼는 공정으로부터 임의의 수증기가 발생되고 이들 수증기 분자는 도 2에 예시된 바와 같이, 임의의 표면상에 흡수될 수 있다. EUV 방사에 의해서와 같은 고에너지의 방사에 표면(210)을 쪼이는 것은 2차 전자가 상기 표면(210)으로부터 방출되게 할 수 있다. 전술한 바와 같이, 이들 전자는 반응성 산소 기종으로 해리되도록 흡수된 물 분자와 반응하고, 다시 이들 반응성 산소 기종이 상기 Si 표면과 반응할 수 있다. 상기 표면(210)을 입사 방사에 노출시키기 전에, 상기 표면(210)에 또한 결합될 수 있는 소량의 탄화수소 기체 상기 시스템에 수용된다. 도 2에 예시된 예에서, 탄화수소 기체는 에탄올(C₂H₅OH)이다. 수증기와 결합되는 경우에서처럼, 표면(210)에 결합되는 C₂H₅OH 분자는 표면으로부터 방출되는 2차 전자에 의해 또한 해리될 수 있다. 상기 해리된 C₂H₅OH로부터 반응성 탄소 입자가 CO 및 CO₂와 같은 휘발성 산물을 형성하도록 상기 표면(210) 상의 반응성 산소 기종과 반응할 수 있다. 이런 식으로 반응성 산소 기종은 상기 Si 표면을 산화시킬 수 있고, 그 반사율의 열화가 제거될 수 있다.

전술한 공정은 상반된 방식에서도 작용할 수 있다는 점이 이해될 것이다. 즉, 탄소 함유 기체가 풍부한 환경에서 표면의 탄소 오염이 방사 노출에 의해 제공될 수 있고, 주요한 표면 오염 물질이 흑연 탄소일 수 있다. 전술한 바와 같이, 미러 표면상의 흑연 탄소의 존재는 EUV 방사에 대한 그 반사율을 크게 단축시킬 수 있다. 따라서, 이 경우에, 수증기 또는 분자 산소와 같이 그 환경 내에 산소를 함유하는 기체를 수용하는 것이 유리하다. 탄화수소 기체를 수증기 또는 분자 산소로 대체함으로써, 전술한 도 2에 예시된 바와 같은 동일한 공정이 탄소 산화물(CO 및 CO₂)과 같은 탄소 오염 물질을 제거할 수 있다.

고에너지 방사에 임의의 분자 기종을 노출시켜 표면 오염을 제거하기 위해 본 명세서 내에 설명되는 신규한 공정의 성능의 예시가 다음과 같은 실험예로 주어진다.

실험예 1

먼저, Si-말단의 다층 미러가 약 2×10^-7토르(Torr)의 수증기 압력으로 2keV의 빔 에너지에서 약 5㎂/㎟의 전자 빔 전류밀도에 노출시켰다. 상기 미러 표면의 화학적 조성이 시간의 함수로 감시되었다. (표면 화합물을 반사하는) Si 및 SiO₂의 오거(auger) 피크 높이가 도 3a에 도시된다. 산화가 대응하는 반사율의 열화와 함께 진행됨에 따라 표면의 조성이 Si로부터 SiO₂로 급격하게 변화되는 것을 알 수 있다.

상기 실험은 약 4×10^-7토르의 에탄올이 2×10^-7토르의 수증기 압력에 추가되는 것을 제외하면 그 환경은 유지되면서 반복되었다. 앞에서처럼, 상기 미러 표면의 화학적 조성이 시간의 함수로 감시되었고, 그 결과가 도 3b에 도시된다. 수증기만 있을 때의 경우에 비해서, Si 미러 표면상에 존재하는 SiO₂의 양이 매우 작음을 알 수 있다; 원래의 산화막과 동일한 양이 Si 상에서 발견된다. 또한, 상기 노출된 미러 표면의 후노출 분석이 약 5Å 두께의 흑연 탄소 막의 존재를 보여주었다.

Si 상의 원래 산화막의 존재가 표면 오염을 방지하는데 사용되는 기체 상태의 분자 선택을 결정하는 것이다. 기체 상태 분자의 선택에 대한 한가지 중요한 전제조건은 2차 전자 방출에 의한 해리가 발생하도록 이들 분자가 보호될 상기 표면과 결합되어야만 하며, 이로 인해 표면 자신의 상부에 반응성 기종이 이탈된다는 점이다. 결국, 탄화수소 분자는 원래의 표면 성분, 예를 들면, 유리, 금속, 및 실리콘의 표면상에서 발견될 수 있는 것과 같은 극성의 수산화(hydroxylated) 막과 결합되는 것이 바람직하다. 따라서, 수산화 표면에 잘 결합되는 케톤, 알데히드, 에스테르, 알콜, 아민, 티올, 및 카르복시산(carboxylic acids)과 같은 극성의 기능성 그룹을 포함하는 탄화수소 분자가 바람직하다. 아마도 이들 비극성 분자는 Si 표면에 결합될 수 없기 때문에, 임의의 수산화된 표면에 유추하여 에탄과 같은 비수소결합 수소 분자는 Si 표면에 어떠한 산화를 더 이상 보호할 수 없다는 것을 보여주었다. 또한, 흑연 탄소 표면상의 에탄올 및 수증기의 모두의 결합 계수가 매우 작기 때문에, 에탄올이 약 5Å의 두께로 자신을 제한하도록 산화 보호를 제공하는데 사용되었을 때 상기 흑연 탄소 막의 성장이 제공되었다. 따라서, 에탄올의 사용은 매우 두꺼운 탄소 층을 형성하는데는 사용할 수 없고, 이것은 바람직하지도 않다. 상기 자신을 제한하는 동작은 방지 방법에 대한 주요한 공정이 된다.

실험예 2

Si-말단의 Mo/Si 미러가 약 7㎽/㎟의 전력 레벨에서 13.4㎚ EUV 방사에 노출되었다. 상기 미러는 4가지 상이한 노출 조건으로 노출되었고 2차 전자 방출은 도 4에서 시간의 함수로 도시되었다. 노출 조건은 다음과 같다: 배경 압력(약 4×10^-9토르); 4×10^-7토르의 압력에서 에탄올 단독; 2×10^-7토르 압력에서 수증기 단독;및 에탄올(4×10^-7토르)과 수증기(2×10^-7토르)의 혼합물. 2차 전자 방출은 표면 공정의 유용한 감시기 역할을 하는 것을 보여 주는데, 이것은 산화의 개시가 2차 전자의 후속 방출과 함께 산소에 의한 EUV 흡수에 기인하는 2차 전자 방출의 매우 급격한 증가에 따른 신호가 주어지기 때문이다. 한편, 탄소 증착은 탄소의 열악한 2차 전자 방출 특성에 기인하는 2차 전자 방출의 감소에 따른 신호가 주어진다.

이하 도 4를 참조하면, EUV 방사의 존재시 수증기에 Si 표면을 노출하면 산화막의 형성을 나타내는 2차 전자의 신호의 급속한 증가가 이루어지는 것을 알 수 있다. 하지만, 에탄올이 표면에 기인하는 2차 전자 신호의 증가를 수용할 때, 주입된 탄화수소(에탄올)가 말단의 Si 표면의 산화를 제한하는 것을 보여주며 산화가 상당히 감소되었다. 또한, 물/탄화수소 비율을 조절하면 탄소 증착 및 산화가 서로 평형을 이루는 평형 지점을 얻을 수 있다.

전술한 바와 같이, 탄소 함유 기체를 고에너지 방사에 노출하면, 미러 표면과 같은 표면상의 흑연 탄소 막을 형성하여 EUV 방사에 대한 반사율에 나쁜 영향을 끼칠 수 있다. 하지만, 개시된 공정에서 수증기 또는 산소의 사용에 의해 흑연 탄소 막을 제거할 수 있다. 이것은 아래의 실험예로 주어진다.

실험예 3

이하, 도 5를 참조하면, 진공 시스템에 존재하는 임의의 탄화수소 분자의 전자 방사는 탄소 증착을 발생할 수 있다는 것을 보여준다. 여기서, 약 5㎂/㎟의 전류밀도에서 2kV 전자 빔이 Si-말단의 MO/Si 다층 미러 상에 입사된다. 상기 미러는 5×10^-10토르의 진공으로 유지된다. 입사 전자 빔에 대한 노출이 증가함에 따라, 미러 표면상의 탄소의 원자 중량 퍼센트의 증가가 발생한다. 약 120분의 노출 후에, 약 2×10^-8토르의 분자 산소가 상기 진공 챔버에 수용된다. 그 시점에서, 탄소 증착의 증가는 정지되고 추가적인 탄소 증착의 발생은 측정되지 않았다.

당업자라면 기체 혼합물을 첨가함으로써, 특히 노광 기기에 대한 방사의 전달을 제대로 충돌시키는 것의 중요성을 이해할 것이다. 앞에서 예시된 바와 같이, 본 발명은 다양하게 첨가되는 기체 분자 기종의 부분 압력이 표면의 화학적 성질에 영향을 주는데 필요한 만큼 높을 필요가 있기 때문에 이러한 점에서 중요한 이점을 제공한다. 기체 압력을 약 1×10^-5토르까지 사용하면 노광 산출물 또는 균일성에 대해 무시할 만한 영향을 주지만 대부분의 오염 문제에 대한 보호적 효과를 제공하는데 흔히 적합할 것이다. 예를 들면, 약 1×10^-5토르의 부분 압력에서 각각의 부품을 구비하며, 2미터 길이의 물/에탄올 기체 혼합물을 통해, 13.4㎚에서 EUV 방사 투과는 단지 약 0.05%만 줄어들었다.

결국, 본 발명에 따르면 임의의 불순물 상에 고에너지 방사의 상호 작용에 기인하는 표면의 오염 및 산화를 감소시키거나 제거하는 공정을 제공한다. 특히,여기에 개시되는 공정은 실리콘 미러의 표면과 같은 표면상의 산화막 또는 탄소막을 감소시키거나 제거하는데 사용될 수 있다. 보다 구체적으로, 본 발명은 노광 기기에 사용되는 마스크 및 이미징 광과 같은 부품들 내의 표면 오염을 제거하거나 감소시키는데 특별한 이점을 제공한다.

본 명세서 내에 포함된 전술한 방법 및 실험예는 단지 본 발명의 원리를 예시적으로 적용하는 것이며, 여러 다양한 실시예 및 변형예가 청구범위에서 정해지는 바와 같이 본 발명의 정신과 범위를 벗어남이 없이 당업자에 의해 실시될 수 있다.

Claims

a) 그 내부에 배치되는 표면을 갖는 둘러싸인 공간－여기서 둘러싸인 공간 내의 분위기는 오염물질(contaminants)을 포함함－을 제공하는 단계;

b) 상기 표면과 결합될 수 있는 기체를 주입하여 상기 둘러싸인 공간 내에서 상기 분위기의 오염물질과 반응시키는 단계; 및

c) 상기 둘러싸인 공간의 반응물(contents)을 초자외선 방사(extreme ultraviolet radiation)에 쪼이는 단계

를 포함하는 방사에 노출된 표면의 오염을 제거하는 공정.
제1항에 있어서,

상기 기체는 탄화수소(hydrocarbon) 분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 방사에 노출된 표면의 오염을 제거하는 공정.
제2항에 있어서,

상기 탄화수소 분자는 케톤(ketones), 알데히드(aldehydes), 에스테르(esters), 알콜(alcohols), 아민(amines), 티올(thiols), 및 카르복시산(carboxylic acids)을 포함하는 그룹으로부터 선택되는 적어도 하나의기능기(functionality)를 포함하는 것을 특징으로 하는 방사에 노출된 표면의 오염을 제거하는 공정.
제3항에 있어서,

상기 기체는 에탄올(ethanol)을 포함하는 것을 특징으로 하는 방사에 노출된 표면의 오염을 제거하는 공정.
제1항에 있어서,

상기 기체는 수증기(water vapor) 또는 산소(oxygen)인 것을 특징으로 하는 방사에 노출된 표면의 오염을 제거하는 공정.
제1항에 있어서,

상기 기체는 기체 혼합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 방사에 노출된 표면의 오염을 제거하는 공정.
제6항에 있어서,

상기 기체 혼합물은 탄화수소 기체, 수증기 및 산소를 포함하는 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 방사에 노출된 표면의 오염을 제거하는 공정.
a) 그 내부에 배치되는 적어도 하나의 표면을 갖는 둘러싸인 공간－여기서 둘러싸인 공간은 부분압력의 분위기 하에 있고, 상기 둘러싸인 공간 내의 분위기는 오염 물질을 포함함－을 제공하는 단계;

b) 상기 표면에 결합될 수 있는 기체를 주입하여 상기 둘러싸인 공간 내에서 상기 분위기의 오염 물질을 반응시키는 단계; 및

c) 상기 둘러싸인 공간의 반응물을 초자외선 방사에 쪼이는 단계

를 포함하는 노광 표면의 오염을 제거하는 공정.
제1항에 있어서,

상기 기체는 탄화수소 분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 노광 표면의 오염을 제거하는 공정.
제1항에 있어서,

상기 탄화수소 분자는 케톤, 알데히드, 에스테르, 알콜, 아민, 티올, 및 카르복시산을 포함하는 그룹으로부터 선택되는 적어도 하나의 기능기를 포함하는 것을 특징으로 하는 노광 표면의 오염을 제거하는 공정.
제10항에 있어서,

상기 기체는 에탄올을 포함하는 것을 특징으로 하는 노광 표면의 오염을 제거하는 공정.
제8항에 있어서,

상기 기체는 수증기 또는 산소인 것을 특징으로 하는 노광 표면의 오염을 제거하는 공정.
제8항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 기체는 기체혼합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 노광 표면의 오염을 제거하는 공정.
제13항에 있어서,

상기 기체 혼합물은 탄화수소 기체, 수증기 및 산소를 포함하는 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 노광 표면의 오염을 제거하는 공정.
제8항에 있어서,

상기 기체의 부분 압력은 10^-5토르 미만인 것을 특징으로 하는 노광 표면의 오염을 제거하는 공정.