KR20030075748A - 갈륨나이트라이드계 반도체를 이용한 자외선 검출 소자 및그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
갈륨나이트라이드계 자외선 검출 소자 및 그의 제조 방법을 제공한다. 본 발명은 이리듐 산화막 또는 루테늄 산화막을 갈륨나이트라이드계 자외선 검출 소자의 쇼트키 접합층으로 채용한다. 이렇게 이리듐 산화막 또는 루테늄 산화막을 쇼트키 접합층으로 사용한 갈륨나이트라이드계 자외선 검출 소자는 광학적 투과도가 높아 양자 효율(quantum efficiency)이 높아짐으로 반응도가 향상되고, 갈륨나이트라이드계 흡수층과의 계면에서 형성되는 쇼트키 장벽 높이가 높아 반응도와 반응 속도가 향상되며 잡음을 감소시킬 수 있다.
Description
본 발명은 자외선 검출 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 갈륨나이트라이드계 반도체를 이용한 자외선 검출 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 자외선 검출 소자는 열 감지용 센서나 화염 감지를 위한 상업적인 분야에서부터 살균 감지 및 자외선 측정과 같은 의학 분야, 미사일 및 로켓의 유도 장치, 잠수함 탐지, 제트엔진 동작 감지 등의 우주항공, 통신, 군사 분야 등에 활용된다. 특히, 자외선 검출 소자는 핵발전소, 지구 오존층 감지 등과 같은 환경 분야에도 응용이 가능하여 주목받고 있는 소자이다.
상기 자외선 검출 소자는 처음에는 대형이었으나 반도체 재료를 사용한 후로 소형화가 가능하게 되었다. 상기 반도체를 사용한 자외선 검출 소자는 큰 밴드갭을 가지는 반도체로 조사되는 광에너지로 상기 반도체 내의 자유 전자와 정공을 여기시켜 각각 내부 전계에 의해 반대 극성을 따라 분리시킨 후, 외부 전극으로 이들을 포집과정에서 이루어지는 광전 변환을 통하여 전기신호로 검출하는 것이다.
상기 자외선 검출 소자에 사용되는 반도체 물질로는 대표적으로 실리콘을 들 수 있다. 그런데, 실리콘을 이용한 자외선 검출소자는 고전압을 필요로 하고 검출 효율이 낮으며, 가시광선과 적외선에도 민감하여 대역조절 여과장치를 부착해야하고, 열적, 화학적 안정성이 부족하다는 단점이 있다.
이러한 단점을 해결하기 위해서는 열적 및 화학적으로 안정하며, 가시광선 및 적외선 영역에 대한 반응도가 낮은 반도체로써 갈륨나이트라이드(GaN)가 제안되었다. 상기 갈륨나이트라이드(Gallium Nitride: GaN)는 3.4 eV의 큰 밴드갭을 직접천이형 반도체로 청색 및 자색 영역의 발광 소자 및 자외선 검출소자에 적합한 특성을 지니고 있다.
특히, 갈륨나이트라이드계 자외선 검출소자 중에서도 엠에스엠[Metal-Semiconductor-Metal (MSM)] 구조의 갈륨나이트라이드계 자외선 검출 소자는 하나의 활성층만을 필요로 하므로 기판 성장이 비교적 쉽고, 높은 반응도 및 반응 속도, 낮은 노이즈 레벨 등을 기대할 수 있으므로 기존의 실리콘 자외선 검출 소자를대체할 수 있을 것으로 기대된다.
이러한 엠에스엠 구조의 칼륨나이트라이드계 자외선 검출소자의 반응도 및 잡음 특성은 쇼트키(Schottky) 접합의 전기적 및 광학적 특성에 의해 크게 좌우된다. 그런데, 현재까지 쇼트키 접합에는 주로 금속이 주로 쓰였으나 표면에서의 반사도가 높고, 투명도가 낮으며, 열적으로 불안정해서 고효율의 자외선 검출 소자를 소자를 제작하는데 어려움이 있다.
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 쇼트키 접합의 광학적 투과도를 향상시켜 양자효율과 반응도를 향상시킬 수 있는 갈륨나이트라이드계 자외선 검출 소자를 제공하는 데 있다.
또한, 본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 상기 갈륨나이트라이드계 자외선 검출 소자의 적합한 제조방법을 제공하는 데 있다.
도 1a 내지 도 1e는 본 발명에 의한 갈륨나이트라이드계 자외선 검출 소자 및 그의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 2는 도 1에 따라 제조된 갈륨나이트라이드계 자외선 검출 소자의 평면도이다.
도 3은 본 발명의 갈륨나이트라이드계 자외선 검출 소자의 쇼트키 접합층으로 이리듐을 열처리하여 형성할 경우 어닐링 온도 및 분위기에 따른 쇼트키 장벽 높이를 도시한 그래프이다.
도 4는 본 발명의 갈륨나이트라이드계 자외선 검출 소자의 쇼트키 접합층으로 루테늄을 열처리하여 형성할 경우 어닐링 온도 및 분위기에 따른 쇼트키 장벽 높이를 도시한 그래프이다.
도 5는 본 발명의 갈륨나이트라이드계 자외선 검출소자의 쇼트키 접합층으로 이리듐막을 열처리하여 형성할 경우, 이리듐막의 열처리 온도 및 분위기에 따라 측정한 X-선 회절 그래프이다.
도 6은 본 발명의 갈륨나이트라이드계 자외선 검출소자의 쇼트키 접합층으로루테늄막을 열처리하여 형성할 경우, 루테늄막의 열처리 온도 및 분위기에 따라 측정한 X-선 회절 그래프이다.
도 7은 본 발명의 갈륨나이트라이드계 자외선 검출소자의 쇼트키 접합층으로 루테늄막을 열처리하여 형성할 경우, 정규화된 반응도(Normalized responsivity)를 열처리 온도 및 분위기에 따라 측정한 그래프이다.
도 8은 본 발명의 갈륨나이트라이드계 자외선 검출소자의 쇼트키 접합층으로 이리듐막을 열처리하여 형성할 경우, 정규화된 반응도(Normalized responsivity)를 열처리 온도 및 분위기에 따라 측정한 그래프이다.
도 9a 및 도 9b는 각각 열처리 전후에 따라 갈륨나이트라이드계 자외선 검출소자의 쇼트키 접합층과 갈륨나이트라이드 광흡수층의 계면에서의 에너지 밴드 다이어그램을 도시한 그래프이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 자외선 검출 소자는 기판과, 상기 기판 상에 형성된 갈륨나이트라이드계 광흡수층과, 상기 갈륨나이트라이드계 광흡수층 상에서 쇼트키 접합되고 이리듐 산화막 또는 루테늄 산화막으로 이루어진 쇼트키 접합층을 포함하여 이루어진다.
상기 갈륨나이트라이드계 광흡수층은 GaN, InGaN 또는 AlGaN으로 구성할 수 있다. 상기 기판 상에는 갈륨나이트라이드 버퍼층이 더 형성되어 있을 수 있다.
상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 기판 상에 갈륨나이트라이드계 광흡수층을 형성한다. 상기 갈륨나이트라이드계 광흡수층 상에서 이리듐 또는 루테늄막으로 이루어진 전도성 금속막 패턴을 형성하는 형성한다. 상기 전도성 금속막 패턴을 열처리하여 이리듐 산화막 또는 루테늄 산화막으로 이루어진 쇼트키 접합층을 형성한다.
상기 갈륨나이트라이드계 광흡수층은 GaN, InGaN 또는 AlGaN으로 형성할 수 있다. 상기 갈륨나이트라이드계 광흡수층을 형성하기 전에 상기 기판 상에 갈륨나이트라이드 버퍼층을 더 형성할 수 있다. 상기 쇼트키 접합층을 형성하는 단계 후에 상기 쇼트키 접합층이 형성된 기판 전면에 반반사층을 형성할 수 있다. 상기 반반사층은 실리콘 산화막으로 형성하는 것이 바람직하다. 상기 전도성 금속막 패턴은 상기 기판 상에서 빗살 무늬 모양으로 형성할 수 있다.
이상과 같은 본 발명의 갈륨나이트라이드계 자외선 검출 소자는 이리듐 산화막 또는 루테늄 산화막을 쇼트키 접합층으로 채용하여 양자 효율(quantum efficiency)이 높아짐으로 반응도가 향상되고, 갈륨나이트라이드계 흡수층과의 계면에서 형성되는 쇼트키 장벽 높이가 높아 반응도와 반응 속도가 향상되며 잡음을 감소시킬 수 있다.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나, 다음에 예시하는 본 발명의 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 다음에 상술하는 실시예에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위하여 제공되어지는 것이다. 도면에서 막 또는 영역들의 크기 또는 두께는 명세서의 명확성을 위하여 과장되어진 것이다. 또한, 어떤 막이 다른 막 또는 기판의 "위(상)"에 있다라고 기재된 경우, 상기 어떤 막이 상기 다른 막의 위에 직접 존재할 수도 있고, 그 사이에 제3의 다른 막이 개재될 수도 있다.
도 1a 내지 도 1e는 본 발명에 의한 갈륨나이트라이드계 자외선 검출 소자 및 그의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
구체적으로, 도 1a에 도시한 바와 같이 사파이어 기판(11) 위에 갈륨나이트라이드 버퍼층(13)을 형성한다. 상기 갈륨나이트라이드 버퍼층(13)은 사파이어 기판(11)과 후에 형성되는 갈륨나이트라이드 광흡수층(15)과의 열팽창계수 차이를 극복하고, 후에 갈륨나이트라이드 광흡수층(15)이 잘 형성되도록 형성한다. 계속하여, 상기 갈륨나이트라이드 버퍼층(13) 상에 유기금속화학증착법으로 갈륨나이트라이드계 광흡수층(15)을 형성한다. 상기 갈륨나이트라이드계 광흡수층(15)은 GaN, InGaN 또는 AlGaN으로 구성할 수 있다. 본 실시예에서는 불순물이 도핑되지 않은 갈륨나이트라이드(undoped GaN)를 이용한다.
다음에, 도 1b에 도시한 바와 같이 상기 갈륨나이트라이드계 광흡수층(15) 상에 포토레지스트 패턴(도시 안함)을 형성한 후, 상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 상기 갈륨나이트라이드계 광흡수층(15) 및 갈륨나이트라이드 버퍼층(13)을 메사식각하여 사파이어 기판(11) 상에서 단위 소자와 단위 소자 사이를 전기적으로 분리한다. 상기 메사 식각은 유도 결합 플라즈마를 이용하여 수행한다. 계속하여, 상기 식각시 이용된 포토레지스트 패턴을 제거한다.
다음에, 상기 식각된 갈륨나이트라이드계 광흡수층(15)이 형성된 사파이어기판(11)을 염산과 탈이온수를 1:1로 섞은 용액에 1분 동안 전처리한 후, 전자선 증착장치(e-beam evaporator)를 이용하여 이리듐(Ir) 또는 루테늄(Ru)으로 이루어진 전도성 금속막을 형성한다. 이어서, 도 1c에 도시한 바와 상기 전도성 금속막을 패터닝하여 전도성 금속막 패턴(17)을 형성한다. 상기 전도성 금속막 패턴(17)의 모양은 도 2에 도시한 바와 같이 빗살 무늬 모양으로 형성된다.
다음에, 도 1d에 도시한 바와 같이 상기 전도성 금속막 패턴(17)이 형성된 사파이어 기판을 급속 열처리(rapid thermal annealing) 장비를 이용하여 400℃ 이상의 온도 및 산소 분위기에서 열처리하여 이리듐 산화막(IrO2) 패턴또는 루테늄 산화막(RuO2) 패턴으로 이루어진 쇼트키 접합층(19)을 형성시킨다. 본 실시예에서는 상기 전도성 금속막 패턴(17)의 열처리를 산소 분위기에서 수행하였으나, 산소 또는 산소와 다른 기체와의 혼합기체 분위기에서도 수행할 수 있다.
상기 이리듐 산화막 패턴 또는 루테늄 산화막 패턴으로 이루어진 쇼트키 접합층(19)은 전도성 투명 산화막으로 광투과도가 높고 저항이 낮고 열적 안정성이 우수하다. 따라서, 이리듐 산화막 패턴 및 루테늄 산화막 패턴을 쇼트키 접합층(19)으로 사용하면 광학적 투과도가 높아 양자 효율(quantum efficiency)이 높아짐으로 반응도가 향상된다. 더하여, 이리듐 산화막 패턴 또는 루테늄 산화막 패턴으로 이루어진 쇼트키 접합층(19)은 후에 설명되는 바와 같이 갈륨나이트라이드계 흡수층(15)과의 계면에서 형성되는 쇼트키 장벽 높이가 높아 반응도와 반응 속도가 향상되며 잡음을 감소시킬 수 있다.
다음에, 도 1e에 도시한 바와 같이 표면 누설 전류를 차단하고 표면 반사를 줄이기 위하여 상기 쇼트키 접합층(19)이 형성된 사파이어 기판(11) 상에 반반사막(anti-reflection layer, 21)을 형성한다. 상기 반반사막(21)은 실리콘 산화막(SiO2)을 플라즈마 인핸스트 화학기상증착법(PECVD)을 이용하여 형성한다. 계속하여, 상기 반반사막에 콘택홀(도시 안함)을 형성하고 그 위에 패드 금속막(23)을 증착하여 갈륨나이트라이드계 자외선 검출소자를 완성한다.
도 2는 도 1에 따라 제조된 갈륨나이트라이드계 자외선 검출 소자의 평면도이다.
구체적으로, 본 발명의 갈륨나이트라이드계 자외선 검출 소자는 중앙부분이 검출부이며, 양측부에 패드 금속막(23)이 형성되어 있다. 상기 갈륨나이트라이드계 자외선 검출 소자의 쇼트키 접합층(19)은 앞서 설명한 바와 같이 빗살 무늬 모양이며, 빗살의 길이는 약 170 ㎛이고, 폭은 약 2 ㎛ 이다. 본 발명의 갈륨나이트라이드계 자외선 검출 소자의 전체 검출 면적은 170 × 300 ㎛2이다.
도 3은 본 발명의 갈륨나이트라이드계 자외선 검출 소자의 쇼트키 접합층으로 이리듐을 열처리하여 형성할 경우 어닐링 온도 및 분위기에 따른 쇼트키 장벽 높이를 도시한 그래프이다.
구체적으로, 도 3은 쇼트키 접합층으로 이리듐을 열처리(anneal)하여 형성할 경우, 정전용량-전압 특성 분석을 통해 측정한 쇼트키 접합의 장벽 높이를 도시한 그래프이다. 특히, 열처리 온도가 500oC 까지 증가하면서 쇼트키 장벽 높이가 서서히 증가하다가 그 이상의 온도에서는 다시 감소하고 있다.
또한, 열처리 분위기에 따라서 쇼트키 장벽 높이가 변화한다. 즉, 산소 분위기에서 열처리했을 때가 질소 분위기에서 열처리했을 때보다 높은 쇼트키 장벽 높이를 나타낸다. 본 발명을 통해서 얻은 평균 쇼트키 장벽 높이는 산소 분위기에서 500oC로 1분 동안 열처리했을 때 가장 높은 1.50 eV이다.
도 4는 본 발명의 갈륨나이트라이드계 자외선 검출 소자의 쇼트키 접합층으로 루테늄을 열처리하여 형성할 경우 어닐링 온도 및 분위기에 따른 쇼트키 장벽 높이를 도시한 그래프이다.
구체적으로, 도 4는 쇼트키 접합층을 루테늄을 열처리하여 형성할 경우, 정전용량-전압 특성 분석을 통해 측정한 쇼트키 접합의 장벽 높이를 도시한 그래프이다. 특히, 산소 분위기에서 열처리 온도가 500oC 까지 증가하면서 쇼트키 장벽 높이가 서서히 증가하다가 그 이상의 온도에서는 다시 감소하고 있음을 알 수 있다.
또한, 산소 분위기에서 열처리했을 때가 질소 분위기에서 열처리했을 때보다 높은 쇼트키 장벽 높이를 나타낸다. 본 발명을 통해서 얻은 가장 높은 평균 쇼트키 장벽 높이는 산소 분위기에서 500oC로 1분 동안 열처리했을 때의 1.42 eV이다.
도 5는 본 발명의 갈륨나이트라이드계 자외선 검출소자의 쇼트키 접합층으로 이리듐막을 열처리하여 형성할 경우, 이리듐막의 열처리 온도 및 분위기에 따라 측정한 X-선 회절 그래프이다.
구체적으로, 이리듐막의 열처리 전(As-dep)에는 Ir(111)과 Ir(200)만이 관찰되었다. 질소 분위기에서 500oC, 1분간 열처리했을 때에도 Ir(111)과 Ir(200)만이 관찰되었다. 그런데, 산소 분위기에서 500oC, 1분간 열처리했을 때에는 Ir(111)과 Ir(200) 피크의 강도가 더 증가했으며 이리듐 산화막(IrO2) 피크가 관찰되었다. 즉, 이리듐을 500oC의 산소 분위기에서 열처리할 때 이리듐 산화막(IrO2)이 형성됨을 확인할 수 있다.
도 6은 본 발명의 갈륨나이트라이드계 자외선 검출소자의 쇼트키 접합층으로 루테늄막을 열처리하여 형성할 경우, 루테늄막의 열처리 온도 및 분위기에 따라 측정한 X-선 회절 그래프이다.
구체적으로, 루테늄막을 열처리하기 전(As-dep)에는 피크가 관찰되지 않아서 갈륨나이트라이드 광흡수층 위에 증착된 루테늄막은 비정질 형태로 존재함을 알 수 있다. 질소 분위기에서 500oC, 1분간 열처리했을 때에는 Ru(101)과 Ru(100) 피크가 약하게 관찰되었다. 그런데, 산소 분위기에서 500oC, 1분간 열처리했을 때에는 강도가 큰 루테늄 산화막(RuO2) 피크가 관찰되었다. 즉, 루테늄 접합을 500℃, 산소 분위기에서 열처리할 때 루테늄 산화막(RuO2)이 형성됨을 확인할 수 있다.
도 7은 본 발명의 갈륨나이트라이드계 자외선 검출소자의 쇼트키 접합층으로 루테늄막을 열처리하여 형성할 경우, 정규화된 반응도(Normalized responsivity)를 열처리 온도 및 분위기에 따라 측정한 그래프이다.
구체적으로, 갈륨나이트라이드의 밴드갭에 해당하는 파장 대역에서 갈륨나이트라이드계 자외선 검출소자의 반응도가 크게 변화함을 알 수 있다. 가시광선 거절(rejection)비가 열처리 전에는 ~ 101에 불과한 반면, 질소 분위기에서 500oC, 1분간 열처리했을 때에는 ~ 102, 산소 분위기에서 500oC, 1분간 열처리했을 때에는 ~ 103으로 증가함을 알 수 있다. 도 6에 도시한 X-선 회절 분석 결과와 비교할 때, 루테늄 산화막의 형성으로 인해 가시광선 거절비가 크게 증가함을 알 수 있다.
도 8은 본 발명의 갈륨나이트라이드계 자외선 검출소자의 쇼트키 접합층으로 이리듐막을 열처리하여 형성할 경우, 정규화된 반응도(Normalized responsivity)를 열처리 온도 및 분위기에 따라 측정한 그래프이다.
구체적으로, 갈륨나이트라이드의 밴드갭에 해당하는 파장 대역에서 갈륨나이트라이드계 자외선 검출소자의 반응도가 크게 변화함을 알 수 있다. 가시광선 거절(rejection)비가 열처리 전에는 ~3×102인 반면, 질소 분위기에서 500oC, 1분간 열처리했을 때에는 ~ 6×103으로 증가했고, 산소 분위기에서 500oC, 1분간 열처리했을 때에는 ~ 6×104로 더욱 증가함을 알 수 있다. 도 5에 도시한 X-선 회절분석 결과와 비교할 때, 이리듐 산화막의 형성으로 인해 가시광선 거절비가 크게 증가함을 알 수 있다.
도 9a 및 도 9b는 각각 열처리 전후에 따라 갈륨나이트라이드계 자외선 검출소자의 쇼트키 접합층과 갈륨나이트라이드 광흡수층의 계면에서의 에너지 밴드 다이어그램을 도시한 그래프이다.
구체적으로, 도 9a는 갈륨나이트라이드계 자외선 검출소자에서 쇼트키접합층으로 이리듐 또는 루테늄막으로 형성한 경우이고, 도 9b는 도 9a는 갈륨나이트라이드계 자외선 검출소자에서 쇼트키접합층으로 이리듐 산화막 또는 루테늄 산화막으로 형성한 경우이다. 열처리 전이나 질소 분위기에서 열처리했을 경우에는 루테늄막 및 이리듐의 형태로 갈륨나이트라이드와 접합을 이루고있는 반면, 산소 분위기에서 열처리했을 경우에는 각각 루테늄 산화막 및 이리듐 산화막이 형성되어 갈륨나이트라이드와 접합을 이루게 되고, 쇼트키 장벽 높이가 높아진다. 이는 전도성 투명 산화막이 형성되면서 갈륨나이트라이드와 접합을 이루는 층의 일함수가 증가하면서 쇼트키 장벽 높이가 높이지는 것으로 생각된다.
상술한 바와 같이 본 발명의 갈륨나이트라이드계 자외선 검출 소자는 이리듐 산화막 또는 루테늄 산화막으로 이루어진 쇼트키 접합층으로 이용한다. 상기 이리듐 산화막 또는 루테늄 산화막은 전도성 투명 산화막으로 광투과도가 높고 저항이 낮고 열적 안정성이 우수하기 때문에 이를 쇼트키 접합층으로 사용한 갈륨나이트라이드계 자외선 검출 소자는 광학적 투과도가 높아 양자 효율(quantum efficiency)이 높아짐으로 반응도가 향상된다.
더하여, 이리듐 산화막 또는 루테늄 산화막 패턴으로 이루어진 쇼트키 접합층을 채용한 갈륨나이트라이드계 자외선 검출 소자는 갈륨나이트라이드계 흡수층과의 계면에서 형성되는 쇼트키 장벽 높이가 높아 반응도와 반응 속도가 향상되며 잡음을 감소시킬 수 있다.
Claims (9)
- 기판;상기 기판 상에 형성된 갈륨나이트라이드계 광흡수층;상기 갈륨나이트라이드계 광흡수층 상에서 쇼트키 접합되고 이리듐 산화막 또는 루테늄 산화막으로 이루어진 쇼트키 접합층을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 자외선 검출 소자.
- 제1항에 있어서, 상기 갈륨나이트라이드계 광흡수층은 GaN, InGaN 또는 AlGaN인 것을 특징으로 하는 자외선 검출 소자.
- 제1항에 있어서, 상기 기판 상에는 갈륨나이트라이드 버퍼층이 더 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 자외선 검출 소자.
- 기판 상에 갈륨나이트라이드계 광흡수층을 형성하는 단계;상기 갈륨나이트라이드계 광흡수층 상에서 이리듐 또는 루테늄막으로 이루어진 전도성 금속막 패턴을 형성하는 단계; 및상기 전도성 금속막 패턴을 열처리하여 이리듐 산화막 또는 루테늄 산화막으로 이루어진 쇼트키 접합층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 자외선 검출 소자의 제조방법.
- 제4항에 있어서, 상기 갈륨나이트라이드계 광흡수층은 GaN, InGaN 또는 AlGaN으로 형성하는 것을 특징으로 하는 자외선 검출 소자의 제조방법.
- 제4항에 있어서, 상기 갈륨나이트라이드계 광흡수층을 형성하기 전에 상기 기판 상에 갈륨나이트라이드 버퍼층을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 자외선 검출 소자의 제조방법.
- 제4항에 있어서, 상기 쇼트키 접합층을 형성하는 단계 후에 상기 쇼트키 접합층이 형성된 기판 전면에 반반사층을 형성하는 것을 특징으로 하는 자외선 검출 소자의 제조방법.
- 제7항에 있어서, 상기 반반사층은 실리콘 산화막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 자외선 검출 소자의 제조방법.
- 제4항에 있어서, 상기 전도성 금속막 패턴은 상기 기판 상에서 빗살 무늬 모양으로 형성하는 것을 특징으로 하는 자외선 검출 소자의 제조방법.
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