KR20030070477A - 갈륨 아세나이드 단결정 수율 증대를 위한 결정 성장장치 - Google Patents

갈륨 아세나이드 단결정 수율 증대를 위한 결정 성장장치 Download PDF

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KR20030070477A
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Abstract

본 발명은 갈륨 아세나이드 단결정 수율 증대를 위한 결정 성장 장치에 관한 것으로, 특히, GaAs 단결정 성장 시에 열유동제어물을 통해 열유동을 제어하여 GaAs 단결정 수율이 대폭적으로 증가 할 수 있도록 한 갈륨 아세나이드 단결정 수율 증대를 위한 결정 성장 장치에 관한 것이다.
본 발명은 대구경의 GaAs 단결정 성장에 있어서 콘과 서포트 링을 구비한 열유동제어물에 의해 산화붕소 대류의 억제와 열의 차단을 통한 열유동을 제어함으로써 GaAs 용융물과 GaAs 단결정의 계면을 평탄하게 형성하여 초기부터 후미부까지 일정한 GaAs 단결정성을 확보할 수 있고, GaAs 단결정의 수율이 90%이상 되도록 할 수 있으며, 아울러 본 발명은 콘과 서포트 링의 재질로 내열금속재료인 티타늄을 사용할 때, 티타늄의 탄소 흡수 성질을 억제하기 위해 질소로 표면처리하여 GaAs 단결정이 고 이동도와 함께 고 저항율을 갖도록 할 수 있고, 콘과 서포트 링을 장착함으로써 콘과 서포트 링의 내부와 외부의 압력이 변하는 것을 막기 위하여 서포트 링의 원주면에 다수개의 관통홀을 구비함으로써 콘과 서포트 링의 내부와 외부의 압력을 균일하게 할 수 있다.

Description

갈륨 아세나이드 단결정 수율 증대를 위한 결정 성장 장치{Crystal Growing Apparatus For Increasing GaAs Single Crystal Yield}
본 발명은 갈륨 아세나이드 단결정 수율 증대를 위한 결정 성장 장치에 관한 것으로, 특히, GaAs 단결정 성장 시에 열유동제어물을 통해 열유동을 제어하여 GaAs 단결정 수율이 대폭적으로 증가 할 수 있도록 한 갈륨 아세나이드 단결정 수율 증대를 위한 결정 성장 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 단결정의 제조 공정 과정에서 가장 중요한 요인으로 작용하는 것은 바로 챔버(Chamber) 내의 열유동 제어이다. 이러한 열유동 제어를 위해 여러 변수중에서 최상의 공정 조건을 설정하기 위한 방법이 강구되고 있다.
일반적으로, 사용되는 화합물 반도체의 제조방법에는 LEC(Liquid Encapsulated Czochralski)법, VGF(Vertical Gradient Freeze)법, LE-VB(Liquid Encapsulated-Vertical Bridgeman)법 등의 많은 방법이 사용되고 있는데, 그 중에서도 LEC법에 의한 방법은 100% 성장이 가능하며, 원형 웨이퍼(wafer)를 쉽게 얻을 수 있고, 대구경화가 용이하며 성장속도가 빠르다는 장점을 가지고 있어 여러 반도체 회사에서 널리 사용되고 있다. 여기서 대구경은 4인치 이상을 말한다.
이하, 도 1을 참조하여 종래의 GaAs 단결정을 성장하기 위한 결정 성장 장치를 설명한다.
도 1은 종래의 화합물 반도체용 LEC 풀러에 적용되는 GaAs 단결정을 성장하기 위한 결정 성장 장치를 나타낸 개략도이다.
종래의 GaAs 단결정을 성장하기 위한 결정 성장 장치는 GaAs 단결정 생성로인 챔버(100)와, 상기 챔버(100)내에 GaAs 용융물(Melt)과, 해당 GaAs 용융물에 대한 차폐제(Encapsulate)인 산화붕소(B2O3)를 담기 위한 반응용기(20)와, 상기 반응용기(20)의 테두리 둘레에서 상기 반응용기(20)를 가열하기 위한 흑연 히터(Graphite Heater)(30)와, 상기 반응용기(20)의 GaAs 용융물로부터 성장한 GaAs 단결정(Single Crystal)의 덩어리인 잉곳(Ingot)(10)을 포함하여 이루어진다.
LEC법에 의한 방법으로 GaAs 용융물로부터 GaAs 단결정을 성장시킬 때,GaAs 용융물과 GaAs 단결정의 계면(40)을 성장에 안정적으로 조정해 주는 것이 가장 중요한 요인으로 작용하게 된다.
그리고, 도 2는 도 1에 있어, 종래의 GaAs 단결정을 성장하기 위한 결정 성장 장치에서 결정 성장 시에 산화붕소 대류에 의한 열유동을 설명하기 위한 개략도이다.
GaAs 화합물 반도체 제작에 사용되는 LEC 법은 차폐제로 산화붕소를 사용하는데, 도 2에 도시된 바와 같이 해당 산화붕소는 내부 온도차에 의해 왕성한 대류를 하며, 이 영향으로 인하여 GaAs 용융물로부터 GaAs 단결정으로의 열유동을 산화붕소와 GaAs 단결정의 계면(40) 방향으로 흐르게 만들어 결과적으로 GaAs 용융물과 GaAs 단결정의 계면(50)을 평탄(flat)하게 하는 것이 어렵게 된다.
따라서, 바람직한 열유동 및 GaAs 용융물과 GaAs 단결정의 계면(50)의 형상을 인위적으로 만들어 주지 않으면, 초기부터 후미부까지 일정한 단결정성을 확보할 수 가 없거니와 성장할 때마다 열적 조건이 달라져서 안정적인 수율 확보가 어려워진다.
그리고, 도 3은 도 1에 있어, 종래의 GaAs 단결정을 성장하기 위한 결정 성장 장치에서 결정 성장 시에 반응용기(20) 상부로부터의 열에 의한 열유동을 설명하기 위한 개략도이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 상기 반응용기(20)의 상부로부터 나오는 열이 기 성장된 GaAs 단결정에 도달하면, 잉곳(10)의 해당 GaAs 단결정 상부로의 열방출이 어려워지므로 열유동이 산화붕소와 GaAs 단결정의 계면(40) 방향으로 흐르게 되어,결과적으로 GaAs 용융물과 GaAs 단결정의 계면(50)을 평탄하게 하는 것이 어렵게 된다.
한편, 결정 성장이 진행되면서 반응용기(20)의 위치는 상승하여 해당 반응용기(20)의 상부가 흑연 히터(30)의 상단부를 벗어나 온도가 급냉 된 냉각부 영역에 도달하므로, 반응용기(20)의 상부에서 챔버(100)쪽으로 열을 곧바로 방사시키는 냉각 방열 효과(Cooling Fin Effect)가 발생한다.
이에, 결정 성장 초기에는 반응용기(20)의 원주부분이 반응용기(20) 바닥의 중심 쪽보다 온도가 높으나, 결정 성장 중에 반응용기(20)의 내벽과 접촉하고 있는 부분의 GaAs 용융물이 반응용기(20)의 바닥과 접촉하고 있는 부분의 GaAs 용융물 보다 상대적으로 온도가 낮은 조건이 되는데, 이것을 온도역전현상(Temperature Reversal)이라 한다. 이러한, 온도역적현상은 GaAs 단결정의 수율에 치명적인 결함을 준다.
따라서, 종래의 GaAs 단결정을 성장하기 위한 결정 성장 장치에서는 GaAs 단결정 성장 시에 성장횟수 별 수욜이 불균일 했었고, 성장 도중에 단결정성이 깨져서 다결정화나 트윙(Twin) 등이 생성되는 불규칙성 등이 상존하여 GaAs 단결정의 수율이 떨어지는 문제점이 있었다.
상술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 대구경의 GaAs 단결정 성장 시에 콘과 서포트 링을 구비한 열유동제어물에 의해 산화붕소대류의 억제와 열의 차단을 통한 열유동을 제어함으로써 GaAs 용융물과 GaAs 단결정의 계면을 평탄하게 형성하여 초기부터 후미부까지 일정한 GaAs 단결정성을 확보할 수 있고, GaAs 단결정의 수율이 90%이상 되도록 하는데 있다.
그리고, 본 발명의 다른 목적은 콘과 서포트 링의 재질로 내열금속재료인 티타늄을 사용할 때, 티타늄의 탄소 흡수 성질을 억제하기 위해 질소로 표면처리하여 GaAs 단결정이 고 이동도와 함께 고 저항율을 갖도록 하는데 있다.
또한, 본 발명의 또 다른 목적은 콘과 서포트 링을 장착함으로써 콘과 서포트 링의 내부와 외부의 압력이 변하는 것을 막기 위하여 서포트 링의 원주면에 다수개의 관통홀을 구비함으로써 콘과 서포트 링의 내부와 외부의 압력을 균일하게 하는데 있다.
도 1은 종래의 화합물 반도체용 LEC 풀러에 적용되는 GaAs 단결정을 성장하기 위한 결정 성장 장치를 나타낸 개략도.
도 2는 도 1에 있어, 종래의 GaAs 단결정을 성장하기 위한 결정 성장 장치에서 결정 성장 시에 산화붕소 대류에 의한 열유동을 설명하기 위한 개략도.
도 3은 도 1에 있어, 종래의 GaAs 단결정을 성장하기 위한 결정 성장 장치에서 결정 성장 시에 반응용기 상부로부터의 열에 의한 열유동을 설명하기 위한 개략도.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 화합물 반도체용 LEC 풀러에 적용되는 갈륨 아세나이드 단결정 수율 증대를 위한 결정 성장 장치를 나타낸 개략도.
도 5는 도 4에 있어, 본 발명의 실시예에 따른 갈륨 아세나이드 단결정 수율 증대를 위한 결정 성장 장치에서 결정 성장 시에 산화붕소 대류의 억제를 통한 열유동 제어를 설명하기 위한 개략도.
도 6은 도 4에 있어, 본 발명의 실시예에 따른 갈륨 아세나이드 단결정 수율 증대를 위한 결정 성장 장치에서 결정 성장 시에 반응용기 상부로부터의 열의 차단을 통한 열유동 제어를 설명하기 위한 개략도.
도 7은 도 4에 있어, 열유동제어물의 분리 사시도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
110 : 잉곳 120 : 반응용기
130 : 흑연 히터 140 : 산화붕소와 GaAs 단결정의 계면
150 : GaAs 용융물과 GaAs 단결정의 계면
160 : 지지부재 170 : 열유동제어물
171 : 서포트 링 172 : 콘
173 : 관통홀 200 : 챔버
상술한 바와 같은 목적을 해결하기 위하여, 본 발명의 갈륨 아세나이드 단결정 수율 증대를 위한 결정 성장 장치는 GaAs 단결정 생성로인 챔버와; 상기 챔버 내에 GaAs 용융물과, 해당 GaAs 용융물에 대한 차폐제인 산화붕소를 담기 위한 반응용기와; 상기 반응용기의 테두리 둘레에서 상기 반응용기를 가열하기 위한 흑연 히터와; 상기 반응용기내의 산화붕소 층에 하단부가 잠기고 GaAs 단결정 성장 중에 산화붕소 대류의 억제와 열의 차단을 통한 열유동을 제어하기 위한 열유동제어물을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
그리고, 상기 열유동제어물은, 상단부의 원주둘레가 하단부의 원주둘레보다크며 중공의 원뿔기둥형상으로 하단부가 상기 반응용기내의 산화붕소 층에 잠기어 산화붕소 대류를 억제하여 열유동을 제어하고, 측단부가 상기 반응용기 상부로부터의 열을 차단하여 열유동을 제어함으로써 GaAs 용융물과 GaAs 단결정의 계면을 평탄화 시키는 콘과; 중공의 원주면을 따라 다수개의 관통홀이 형성되고, 원주면의 외측부는 외향절곡되어 지지부재에 결합되며 원주면의 내측부는 상기 콘의 상단부에 결합되어 상기 챔버의 안쪽면과 상기 반응용기간의 직접적인 열복사 현상을 막아 온도역전현상을 억제하는 서포트 링을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 콘과 상기 서포트 링은, 내열금속재료을 재질로 사용함을 특징으로 하는데, 상기 내열금속재료는, 티타늄임을 특징으로 한다.
또한, 상기 콘과 상기 서포트 링은, 재질로 사용된 티타늄의 탄소 흡수 성질을 억제하기 위해 표면처리층을 구비함을 특징으로 하는데, 상기 표면처리층은, 질소로 이루어짐을 특징으로 한다.
나아가, 상기 서포트 링은, 상기 콘과 상기 서포트 링의 내부와 외부의 압력을 균일하게 유지해 주기 위해 원주면에 다수의 관통홀들을 구비함을 특징으로 한다.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 4을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 갈륨 아세나이드 단결정 수율 증대를 위한 결정 성장 장치를 설명한다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 화합물 반도체용 LEC 풀러에 적용되는 갈륨 아세나이드 단결정 수율 증대를 위한 결정 성장 장치를 나타낸 개략도이다.
본 발명의 실시예에 따른 갈륨 아세나이드 단결정 수율 증대를 위한 결정 성장 장치는 GaAs 단결정 생성로인 챔버(200)와, 상기 챔버(200) 내에 GaAs 용융물과, 해당 GaAs 용융물에 대한 차폐제인 산화붕소를 담기 위한 반응용기(120)와, 상기 반응용기(120)의 테두리 둘레에서 상기 반응용기(120)를 가열하기 위한 흑연 히터(130)와, 상기 반응용기(120)의 GaAs 용융물로부터 성장한 GaAs 단결정의 덩어리인 잉곳(110)과, 상기 반응용기(120)내의 산화붕소 층에 하단부가 잠기고 GaAs 단결정 성장 중에 산화붕소 대류와 열유동을 제어하기 위한 열유동제어물(170)과, 상기 열유동제어물(170)을 지지하기 위한 지지부재(160)를 포함하여 이루어진다.
여기서, 도 4와 도 7을 참조하여 상기 열유동제어물(170)을 설명한다.
도 7은 도 4에 있어, 열유동제어물(170)의 분리 사시도이다.
상기 열유동제어물(170)은 상단부의 원주둘레가 하단부의 원주둘레보다 큰 중공의 원뿔기둥형상으로 하단부가 상기 반응용기(120)내의 산화붕소 층에 잠기어 산화붕소 대류를 억제하여 열유동을 제어하고, 측단부가 상기 반응용기(120) 상부로부터의 열을 차단하여 열유동을 제어함으로써 GaAs 용융물과 GaAs 단결정의 계면(150)을 평탄화 시키는 콘(Cone)(172)과, 중공의 원주면을 따라 다수개의 관통홀(Hole)(173)이 형성되고, 원주면의 외측부는 외향절곡되어 상기 지지부재(160)에 결합되며 원주면의 내측부는 상기 콘(172)의 상단부에 결합되어 상기 챔버(200)의 안쪽면과 상기 반응용기(120)간의 직접적인 열복사 현상을 막아 온도역전현상을 억제하는 서포트 링(Support Ring)(171)을 구비하여 이루어진다.
여기서, 상기 콘(172)과 상기 서포트 링(171)은 열에 강한 내열금속재료인 티타늄(Ti)을 재질로 사용한다. 그리고, 도 7의 열유동제어물(170)을 AA'로 절단했을 때의 열유동제어물(170)의 절단면 단면도가 도 4에 도시되어있다.
이하, 도 5를 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 갈륨 아세나이드 단결정 수율 증대를 위한 결정 성장 장치에서 결정 성장 시에 산화붕소 대류의 억제를 통한 열유동 제어를 설명한다.
도 5는 도 4에 있어, 본 발명의 실시예에 따른 갈륨 아세나이드 단결정 수율 증대를 위한 결정 성장 장치에서 결정 성장시 산화붕소 대류의 억제를 통한 열유동 제어를 설명하기 위한 개략도이다.
본 발명의 실시예에 따른 갈륨 아세나이드 단결정 수율 증대를 위한 결정 성장 장치에서는 상기 콘(172)의 하단부가 상기 반응용기(120) 내의 산화붕소에 잠기게 하여 GaAs 단결정 성장 중에 상기 반응용기(120)의 회전에 의해 발생하는 왕성한 산화붕소 대류를 억제 할 수 있다,
이에 따라, 상기 콘(172) 하단부의 안쪽 산화붕소의 흐름을 안정화하여 산화붕소와 GaAs 단결정의 계면(140) 쪽으로 향하던 열유동을 억제시킬 수 있고, 이에 GaAs 용융물과 GaAs 단결정의 계면(150)을 평탄하게 만들 수 있어 초기부터 후미까지 안정적인 GaAs 단결정 성장이 가능하다.
그리고, 도 6을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 갈륨 아세나이드 단결정 수율 증대를 위한 결정 성장 장치에서 결정 성장 시에 반응용기(120) 상부로부터의열의 차단을 통한 열유동 제어를 설명한다.
도 6은 도 4에 있어, 본 발명의 실시예에 따른 갈륨 아세나이드 단결정 수율 증대를 위한 결정 성장 장치에서 결정 성장시 반응용기(120) 상부로부터의 열의 차단을 통한 열유동 제어를 설명하기 위한 개략도이다.
본 발명의 실시예에 따른 갈륨 아세나이드 단결정 수율 증대를 위한 결정 성장 장치에서는 상기 콘(172)를 구비함으로써 상기 반응용기(120) 상부로부터의 열을 차단하여 잉곳(110)의 기 성장된 GaAs 단결정 내부의 열유동을 종축상방향으로 향하게 하므로, GaAs 용융물과 GaAs 단결정의 계면(150)을 평탄하게 할 수 있어 초기부터 후미까지 안정적인 GaAs 단결정 성장이 가능하다.
또한, 결정 성장이 진행되면서 반응용기(120)의 위치는 상승하여 해당 반응용기(120)의 상부가 흑연 히터(130)의 상단부를 벗어나 온도가 급냉 된 냉각부 영역에 도달하므로, 반응용기(120)의 상부에서 챔버(200) 쪽으로 열을 곧바로 방사시키는 냉각 방열 효과가 발생한다.
이에, 결정 성장 초기에는 반응용기(120)의 원주부분이 반응용기(120) 바닥의 중심 쪽보다 온도가 높으나, 결정 성장 중에 반응용기(120)의 내벽과 접촉하고 있는 부분의 GaAs 용융물이 반응용기(120)의 바닥과 접촉하고 있는 부분의 GaAs 용융물 보다 상대적으로 온도가 낮은 조건이 되는 온도역전현상이 발생 할 수 있는데, 이러한 온도역적현상은 GaAs 단결정의 수율에 치명적인 결함을 준다.
따라서, 본 발명의 실시예에 따른 갈륨 아세나이드 단결정 수율 증대를 위한 결정 성장 장치에서는 상기 서포트 링(171)이 상기 챔버(200)의 안쪽면과반응용기(120)간의 직접적인 열복사 현상을 막아주는 열할을 하여 온도역전현상을 억제해 준다.
한편, 상기 열유동제어물(170)인 콘(172)과 서포트 링(171)은 내열금속재료인 티타늄을 재질로 사용하는데, 해당 티타늄 재질은 물성상으로 주위의 탄소(Carbon)을 흡수하는 성질이 있기 때문에, 이를 감안한 표면처리가 필요하다. 왜냐하면, 이러한 탄소흡수는 상대적으로 GaAs 용융물 및 GaAs 단결정내의 탄소 흡수를 억제하는 효과를 가져오는데, 이에 따라 GaAs 단결정의 저 저항율(Low Resistivity)과 고 이동도(High Mobilities) 특성이 야기된다.
따라서, 이동 통신용으로 적합하도록 고 이동도와 함께 고 저항율의 특성을 갖는 GaAs 단결정을 제작하기 위해서는 상기 티타늄의 탄소 흡수 성질을 억제하기 위하여 상기 콘(172)과 상기 서포트 링(171)의 표면에 있는 표면처리층에 질소(Nitorgen)를 입혀 표면처리를 한다.
그리고, 상기 열유동제어물(170)의 설계 및 제작에서 고려해야 할 추가적인 사항은, 결정성장과정이 고온에서 이루어지게 되고 내부는 가스(Gas)에 의한 압력이 가해지게 되어 상기 콘(172)와 상기 서포트 링(171)에 의해 둘러 쌓인 부위의 내부와 외부의의 압력차가 존재하게 되므로, 상기 콘(172)과 상기 서포트 링(171)의 내부와 외부의 압력을 균일하게 유지해 주기 위하여 서포트 링(171)의 원주면에 다수의 관통홀(173)들을 도 7과 같이 대칭 형태로 뚫는데, 관통홀(173)의 수는 15개가 바람직하다.
또한, 본 발명에 따른 실시예는 상술한 것으로 한정되지 않고, 본 발명과 관련하여 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 범위 내에서 여러 가지의 대안, 수정 및 변경하여 실시할 수 있다.
이상과 같이, 본 발명은 대구경의 GaAs 단결정 성장에 있어서 콘과 서포트 링을 구비한 열유동제어물에 의해 산화붕소 대류의 억제와 열의 차단을 통한 열유동을 제어함으로써 GaAs 용융물과 GaAs 단결정의 계면을 평탄하게 형성하여 초기부터 후미부까지 일정한 GaAs 단결정성을 확보할 수 있고, GaAs 단결정의 수율이 90%이상 되도록 할 수 있다.
그리고, 본 발명은 콘과 서포트 링의 재질로 내열금속재료인 티타늄을 사용할 때, 티타늄의 탄소 흡수 성질을 억제하기 위해 질소로 표면처리하여 GaAs 단결정이 고 이동도와 함께 고 저항율을 갖도록 할 수 있다.
또한, 본 발명은 콘과 서포트 링을 장착함으로써 콘과 서포트 링의 내부와 외부의 압력이 변하는 것을 막기 위하여 서포트 링의 원주면에 다수개의 관통홀을 구비함으로써 콘과 서포트 링의 내부와 외부의 압력을 균일하게 할 수 있다.

Claims (7)

  1. GaAs 단결정 생성로인 챔버와;
    상기 챔버 내에 GaAs 용융물과, 해당 GaAs 용융물에 대한 차폐제인 산화붕소를 담기 위한 반응용기와;
    상기 반응용기의 테두리 둘레에서 상기 반응용기를 가열하기 위한 흑연 히터와;
    상기 반응용기내의 산화붕소 층에 하단부가 잠기고 GaAs 단결정 성장 중에 산화붕소 대류의 억제와 열의 차단을 통한 열유동을 제어하기 위한 열유동제어물을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 갈륨 아세나이드 단결정 수율 증대를 위한 결정 성장 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 열유동제어물은,
    상단부의 원주둘레가 하단부의 원주둘레보다 크며 중공의 원뿔기둥형상으로 하단부가 상기 반응용기내의 산화붕소 층에 잠기어 산화붕소 대류를 억제하여 열유동을 제어하고, 측단부가 상기 반응용기 상부로부터의 열을 차단하여 열유동을 제어함으로써 GaAs 용융물과 GaAs 단결정의 계면을 평탄화 시키는 콘과;
    중공의 원주면을 따라 다수개의 관통홀이 형성되고, 원주면의 외측부는 외향절곡되어 지지부재에 결합되며 원주면의 내측부는 상기 콘의 상단부에 결합되어 상기 챔버의 안쪽면과 상기 반응용기간의 직접적인 열복사 현상을 막아 온도역전현상을 억제하는 서포트 링을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 갈륨 아세나이드 단결정 수율 증대를 위한 결정 성장 장치.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 콘과 상기 서포트 링은,
    내열금속재료을 재질로 사용함을 특징으로 하는 갈륨 아세나이드 단결정 수율 증대를 위한 결정 성장 장치.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 내열금속재료는,
    티타늄임을 특징으로 하는 갈륨 아세나이드 단결정 수율 증대를 위한 결정 성장 장치.
  5. 제 2항에 있어서,
    상기 콘과 상기 서포트 링은,
    재질로 사용된 티타늄의 탄소 흡수 성질을 억제하기 위해 표면처리층을 구비함을 특징으로 하는 갈륨 아세나이드 단결정 수율 증대를 위한 결정 성장 장치.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 표면처리층은,
    질소로 이루어짐을 특징으로 하는 갈륨 아세나이드 단결정 수율 증대를 위한 결정 성장 장치.
  7. 제 2항에 있어서,
    상기 서포트 링은,
    상기 콘과 상기 서포트 링의 내부와 외부의 압력을 균일하게 유지해 주기 위해 원주면에 다수의 관통홀들을 구비함을 특징으로 하는 갈륨 아세나이드 단결정 수율 증대를 위한 결정 성장 장치.
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