KR20030066997A - A data output buffer block and a driving method thereof - Google Patents

A data output buffer block and a driving method thereof Download PDF

Info

Publication number
KR20030066997A
KR20030066997A KR1020020006785A KR20020006785A KR20030066997A KR 20030066997 A KR20030066997 A KR 20030066997A KR 1020020006785 A KR1020020006785 A KR 1020020006785A KR 20020006785 A KR20020006785 A KR 20020006785A KR 20030066997 A KR20030066997 A KR 20030066997A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
data
output
signal
phase
output buffer
Prior art date
Application number
KR1020020006785A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
손종호
Original Assignee
주식회사 하이닉스반도체
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 하이닉스반도체 filed Critical 주식회사 하이닉스반도체
Priority to KR1020020006785A priority Critical patent/KR20030066997A/en
Publication of KR20030066997A publication Critical patent/KR20030066997A/en

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1051Data output circuits, e.g. read-out amplifiers, data output buffers, data output registers, data output level conversion circuits
    • G11C7/1057Data output buffers, e.g. comprising level conversion circuits, circuits for adapting load
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/22Read-write [R-W] timing or clocking circuits; Read-write [R-W] control signal generators or management 

Abstract

PURPOSE: A data output buffer block and a driving method thereof are provided to reduce the noise and enhance a driving speed by sensing output data of a data output buffer and deciding the phases identity of the output data. CONSTITUTION: A data output buffer block includes a decision portion(404), an intermediate data generation portion, and an output driving portion(406_1 to 406_8). The decision portion decides the phases identity of data inputted between the first bit and the second bit. The intermediate data generation portion generates intermediate data for the first bit if the phases of input data is identical to another, or the intermediate data having the same timing as the input data for the first bit if the phases of data is not identical to another. The output driving portion is controlled by the intermediate data in order to output the data.

Description

데이터 출력 버퍼 블록 및 이의 구동 방법{A DATA OUTPUT BUFFER BLOCK AND A DRIVING METHOD THEREOF}Data output buffer block and its driving method {A DATA OUTPUT BUFFER BLOCK AND A DRIVING METHOD THEREOF}

본 발명은 데이터 출력 버퍼 블록에 관한 것으로서, 특히 반도체 메모리 장치에서 메모리 셀에 저장되어 있는 데이터를 최종적으로 외부로 출력하는 데이터 출력 버퍼 블록 및 이의 구동 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a data output buffer block, and more particularly, to a data output buffer block and a driving method thereof for finally outputting data stored in a memory cell to a semiconductor device.

반도체 메모리 장치에서 데이터 출력 버퍼는 메모리 셀로부터 판독된 데이터를 외부의 큰 부하 커패시터에 고속으로 출력하는 역할을 한다. 데이터 출력 버퍼는 DC 싱크(sink)/소오스(source) 전류 규정을 만족하여야 하며, 각종 속도 규정도 만족시켜야 한다. 따라서 기존 데이터 출력 버퍼의 경우, 출력 데이터 신호의 빠른 전환, 즉 로우 레벨에서 하이 레벨로, 또는 하이 레벨에서 로우 레벨로의 빠른 전환을 위해서 데이터 출력 버퍼를 구성하는 금속 산화물 반도체(metal oxide semiconductor : 이하, "MOS"라고 함) 트랜지스터의 사이즈를 크게 하였다.In a semiconductor memory device, a data output buffer serves to output data read from a memory cell at a high speed to an external large load capacitor. The data output buffer must meet the DC sink / source current specification, as well as the various speed specifications. Therefore, in the case of the existing data output buffer, a metal oxide semiconductor (hereinafter referred to as metal oxide semiconductor) constituting the data output buffer for fast switching of the output data signal, that is, from low level to high level or from high level to low level. ("MOS"). The size of the transistor is increased.

이 결과 출력 데이터 신호가 하이 레벨에서 로우 레벨로 스윙할 경우, 매우 큰 전위에서 그라운드(ground)로 스윙하므로 그라운드가 바운싱(bouncing)를 일으키게 된다. 또한 출력 버퍼 8개가 동시에 스윙할 경우, 그라운드 바운싱 노이즈(ground bouncing noise)는 더욱 커져서, 같은 그라운드로 묶여 있는 어드레스 버퍼에 큰 영향을 주어, 실제 토글(toggle)되지 않은 어드레스 버퍼가 토글된 것처럼 동작되어 장치가 오류 동작을 하게 된다.As a result, when the output data signal swings from the high level to the low level, the ground swings to ground at a very large potential, causing ground to bounc. In addition, if eight output buffers swing simultaneously, the ground bouncing noise becomes larger, which greatly affects address buffers that are tied to the same ground, so that the address buffers that are not actually toggled act as if they were toggled. The device will fail.

다음에서 도 1 내지 도 3을 참조하여 이에 관하여 상술한다. 먼저 도 1에는 종래의 데이터 출력 버퍼의 회로가 도시되어 있다. 도 1에 도시되어 있는 바와 같이, 데이터 출력 버퍼(100)는 출력 버퍼부(102)와 래치부(104)와 출력 구동부(106)로 이루어져 있다. 데이터 출력 버퍼(100)를 통해 출력하려는 데이터 신호(din1)는 출력 버퍼부(102)와 래치부(104)에 모두 인가되며, 데이터 출력 버퍼(100)를 활성화시키는 출력 인에이블 신호(poe)는 출력 버퍼부(102)로만 인가된다. 데이터 출력 버퍼(100)는 출력 인에이블 신호(poe)가 로우 레벨에서 하이 레벨로 전이할 때 동작을 시작한다. 데이터 신호(din1)와 출력 인에이블 신호(poe)에 의해 출력 버퍼부(102)에서 생성된 출력 구동부 제어 신호(dp, dn)는 출력 구동부(106)로 인가되어 출력 구동부(106)를 구성하고 있는 MOS 트랜지스터를 구동하여 데이터 신호(dout)가 선택적으로 출력되도록 한다. 도 1에서 노드(gndd)는 출력 구동부(106)의 NMOS 트랜지스터(MN1)의 소오스가 연결되는 그라운드를 표시한다.Next, this will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 3. First, a circuit of a conventional data output buffer is shown in FIG. As shown in FIG. 1, the data output buffer 100 includes an output buffer unit 102, a latch unit 104, and an output driver 106. The data signal din1 to be output through the data output buffer 100 is applied to both the output buffer unit 102 and the latch unit 104, and the output enable signal poe for activating the data output buffer 100 is Only applied to the output buffer section 102. The data output buffer 100 starts operation when the output enable signal poe transitions from the low level to the high level. The output driver control signals dp and dn generated by the output buffer unit 102 by the data signal din1 and the output enable signal poe are applied to the output driver 106 to constitute the output driver 106. The MOS transistor is driven to selectively output the data signal dout. In FIG. 1, the node gndd indicates the ground to which the source of the NMOS transistor MN1 of the output driver 106 is connected.

도 1에 도시된 구성을 갖는 8개의 데이터 출력 버퍼가 그라운드 바운싱(ground bouncing)에 어떤 영향을 미치는가를 시뮬레이션하기 위한 회로가 도 2에 도시되어 있다. 도 2에 도시되어 있는 바와 같이, 8개의 데이터 출력 버퍼(100_1, …, 100_8)의 노드(gndd)는 하나로 묶여 있으며, 실제 레이아웃(layout) 상에 존재하는 메탈 라인(metal line)을 모델링하여 어드레스 입력 버퍼(202)의 그라운드에 연결되어 있다. 도 1에서 어드레스 입력 버퍼(202)에 입력되는 칩 선택 신호(csb)는 항상 로우 상태이며, 외부로부터 어드레스가 입력되는 패드(pad)로는 트랜지스터-트랜지스터 로직(transistor-transistor logic)의 하이 레벨(2.2V)이 제공되는 것으로 가정한다.A circuit for simulating how the eight data output buffers with the configuration shown in FIG. 1 affects ground bouncing is shown in FIG. As shown in FIG. 2, the nodes gndd of the eight data output buffers 100_1,..., 100_8 are grouped into one and addressed by modeling a metal line existing on an actual layout. It is connected to the ground of the input buffer 202. In FIG. 1, the chip select signal csb input to the address input buffer 202 is always in a low state, and a high level (2.2) of transistor-transistor logic is used as a pad to which an address is input from the outside. Assume that V) is provided.

도 3은 도 2에 의한 시뮬레이션에서 발생된 신호 파형도이다. 도 1 및 도 2를 함께 참조하면서 기존 데이터 출력 버퍼(도 1의 100)가 그라운드 바운싱에 미치는 영향을 설명한다. 입력 데이터 신호(din1)가 하이 레벨에서 로우 레벨로 하강한 후, 출력 인에이블 신호(poe)가 로우 레벨에서 하이 레벨로 상승하면 데이터 출력버퍼(도 1의 100)의 출력 구동부(도 1의 106)에서 NMOS 트랜지스터(MN1)가 동작하게 되어, 출력 데이터 신호(dout1)는 로우 레벨로 스윙한다. 이 때에 그라운드 바운싱(ground bouncing)이 발생되어 어드레스 입력 버퍼(도 2의 202)의 그라운드(nd1)가 흔들리게 되고, 그 결과 도 3에 도시되어 있는 바와 같이, 인버터(204)를 거친 노드(nd2)에서 글리치(glitch)가 발생하게 된다.3 is a signal waveform diagram generated in the simulation according to FIG. 2. 1 and 2 together, the effect of the existing data output buffer (100 in FIG. 1) on the ground bounce will be described. After the input data signal din1 falls from the high level to the low level, when the output enable signal poe rises from the low level to the high level, the output driver of the data output buffer (100 in FIG. 1) (106 in FIG. 1). NMOS transistor MN1 is operated, and the output data signal dout1 swings to a low level. At this time, ground bouncing occurs and the ground nd1 of the address input buffer (202 in FIG. 2) is shaken. As a result, as shown in FIG. 3, the node nd2 through the inverter 204 is ground. Will cause glitches.

그라운드 바운싱이 가장 크게 일어나는 때는 데이터 출력 버퍼의 출력이 모두 같은 위상을 가질 때, 즉 출력 데이터 신호가 모두 하이 레벨에서 로우 레벨로 스윙할 때이다. 따라서 기존 제품 중에는 출력 구동부들(output drivers)을 순차적으로 동작시키는 방법, 예를 들어 4개의 구동부가 동작한 후 약간의 시간 지연 후에 나머지 4개의 구동부들을 동작시키는 방법을 사용한 것이 있는데, 이 경우 전체적인 구동 속도가 저하되는 문제점이 있다.The greatest ground bounce occurs when the outputs of the data output buffers all have the same phase, that is, when the output data signals all swing from high level to low level. Therefore, some existing products use a method of sequentially operating output drivers, for example, a method of operating the remaining four drivers after a slight time delay after operating the four drivers. There is a problem that the speed is lowered.

본 발명은 이와 같은 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로서, 구동 속도를 어느 정도 유지하면서도 그라운드 바운싱에 의한 오동작이 발생하지 않도록 하는 데이터 출력 버퍼를 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been proposed to solve such a problem, and an object thereof is to provide a data output buffer which prevents malfunction due to ground bounce while maintaining a certain driving speed.

도 1은 종래의 데이터 출력 버퍼의 회로도.1 is a circuit diagram of a conventional data output buffer.

도 2는 종래의 데이터 출력 버퍼를 이용한 그라운드 바운싱(ground bouncing) 시뮬레이션 회로의 구성도.2 is a block diagram of a ground bouncing simulation circuit using a conventional data output buffer.

도 3은 도 2에 의한 시뮬레이션에서 발생된 신호 파형도.3 is a signal waveform diagram generated in the simulation according to FIG.

도 4는 본 발명의 제1 실시예에 의한 데이터 출력 버퍼 블록의 구성도.4 is a configuration diagram of a data output buffer block according to the first embodiment of the present invention.

도 5는 도 4의 데이터 출력 버퍼 블록을 구성하는 위상 판정부의 일 예의 회로도.5 is a circuit diagram of an example of a phase determination unit constituting the data output buffer block of FIG.

도 6은 도 4의 데이터 출력 버퍼 블록을 구성하는 출력 구동부의 일 예의 회로도.FIG. 6 is a circuit diagram of an example of an output driver constituting the data output buffer block of FIG. 4. FIG.

도 7은 도 4에 의한 시뮬레이션에서 발생된 신호 파형도.7 is a signal waveform diagram generated in the simulation according to FIG.

도 8은 본 발명의 제2 실시예에 의한 데이터 출력 버퍼 블록의 구성도.8 is a configuration diagram of a data output buffer block according to the second embodiment of the present invention.

이러한 목적을 이루기 위하여 복수 비트의 데이터를 출력하는 데이터 출력 버퍼 블록으로서 새로운 구성을 갖는 것이 본 발명에 의해 제안된다. 본 발명에 의한 데이터 출력 버퍼 블록은 복수 비트 중 제1 및 제2 비트 사이에서 입력되는 데이터의 위상이 동일한지 여부를 판정하는 위상 판정 수단과, 위상 판정 수단에 의해 2개의 비트 사이에서 입력 데이터의 위상이 서로 동일한 것으로 판정되면 제1 비트에 대해 상기 입력 데이터와 소정의 시간차를 갖는 중간 데이터를 생성하고, 입력 데이터의 위상이 서로 동일하지 않은 것으로 판정되면 제1 비트에 대해 입력 데이터와 실질적으로 동일한 타이밍을 갖는 중간 데이터를 생성하는 중간 데이터 생성 수단과, 제1 및 중간 데이터에 의해 제어되어 데이터를 출력하는 출력 구동 수단을 구비하는 것을 일 특징으로 한다. 입력 데이터와 중간 데이터는 동일 위상인 것이 바람직하다.In order to achieve this object, it is proposed by the present invention to have a new configuration as a data output buffer block for outputting a plurality of bits of data. The data output buffer block according to the present invention comprises phase determination means for determining whether the phase of data input between the first and second bits of the plurality of bits is equal, and phase input means for input data between the two bits. If it is determined that the phases are equal to each other, intermediate data having a predetermined time difference with the input data is generated for the first bit; and if it is determined that the phases of the input data are not equal to each other, the data is substantially the same as the input data for the first bit. And intermediate data generating means for generating intermediate data having a timing, and output driving means controlled by the first and intermediate data to output data. The input data and the intermediate data are preferably in phase.

이러한 구성에 의하면, 데이터 출력 버퍼를 통해 출력되는 데이터를 감지하여 동일 위상인지 여부를 판정하고, 동일 위상이면 출력 구동부의 MOS 트랜지스터를 순차적으로 구동시킨다. 이렇게 함으로써 동일 위상의 데이터 출력일 때는 그라운드 바운싱에 의한 노이즈를 억제하여 어드레스 입력 버퍼에 발생되는 글리치를 방지할 수 있게 된다. 다른 위상의 데이터 출력일 때는 시간 지연 없이 출력 구동부를 동작시킴으로써 기존 제품보다 구동 속도를 높일 수 있다. 이로써 구동 속도를 어느 정도 유지하면서도 그라운드 바운싱에 의한 오동작의 가능성을 줄일 수 있게 된다.According to this configuration, the data output through the data output buffer is sensed to determine whether they are in phase, and if they are in phase, the MOS transistors of the output driver are sequentially driven. In this way, when the data output is in the same phase, noise caused by ground bounce can be suppressed to prevent glitches generated in the address input buffer. For data outputs in other phases, the drive speed can be increased by operating the output driver without time delay. This can reduce the possibility of malfunction due to ground bounce while maintaining the driving speed to some extent.

중간 데이터 생성 수단은 제1 및 제2 비트 사이에서 입력 데이터의 위상이 서로 동일하면 활성화되어, 제1 비트에 대해 입력 데이터를 소정 시간 지연시켜 중간 데이터를 생성하는 제1 신호 경로와, 제1 및 제2 비트 사이에서 입력 데이터의 위상이 서로 동일하지 않으면 활성화되어, 제1 비트에 대해 입력 데이터와 실질적으로 동일한 타이밍을 갖는 중간 데이터를 생성하는 제2 신호 경로를 구비하여 구성될 수 있다.The intermediate data generating means is activated when the phases of the input data are the same between the first and second bits, and is activated to delay the input data by a predetermined time with respect to the first bit to generate the intermediate data. It can be configured with a second signal path that is activated if the phases of the input data are not equal to each other between the second bits, thereby generating intermediate data having a timing substantially the same as the input data for the first bit.

또한 본 발명은 복수 비트의 데이터를 출력하는 데이터 출력 버퍼 블록을 구동하는 방법에 있어서, 입력되는 데이터가 2개의 비트 사이에서 동일 위상인지 여부를 판정하는 단계와, 위상 판정에 의해 입력 데이터가 동일 위상인 것으로 판정되면 2개의 비트 사이에서 소정의 시간차를 갖도록 하여 입력 데이터를 출력하는 단계를 구비하여 수행되는 것을 다른 특징으로 한다.In addition, the present invention provides a method of driving a data output buffer block for outputting a plurality of bits of data, comprising: determining whether input data is in phase between two bits, and input data is in phase by phase determination; And the step of outputting the input data to have a predetermined time difference between the two bits if it is determined to be another feature.

위상 판정에 의해 입력 데이터가 동일 위상이 아닌 것으로 판정되면 2개의 비트 사이에서 동일 시간으로 입력 데이터를 출력하는 단계를 더 구비하는 것이 바람직하다. 2개의 비트는 서로 인접하는 비트인 것이 바람직하다.If it is determined by the phase determination that the input data are not in phase, it is preferable to further include outputting the input data at the same time between the two bits. The two bits are preferably bits adjacent to each other.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예를 상세히 설명한다. 설명의 일관성을 위하여 도면에서 동일한 참조부호는 동일 또는 유사한 구성요소 및 신호를 가리키는 것으로 사용한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described an embodiment of the present invention; In the drawings, the same reference numerals are used to refer to the same or similar components and signals for the sake of consistency of description.

도 4는 본 발명의 제1 실시예에 의한 데이터 출력 버퍼 블록에 대한 그라운드 바운싱 시뮬레이션을 구현하기 위한 회로도이다. 도 2와 비교할 때, 각각의 비트에 대한 데이터 출력 버퍼(402_1, …, 402_8)의 출력 구동부(406_1, …, 406_8)가 새로운 구성을 갖는다는 것과, 위상 판정부(404)가 더 구비된다는 것에서 구별된다. 도 4에 도시되어 있는 바와 같이, 8개의 데이터 출력 버퍼(402_1, …, 402_8)의 그라운드가 노드(gndd)로 모두 묶여 있으며, 이 노드(gndd)는 실제 레이아웃 상에서의 메탈 라인을 모델링하기 위하여 어드레스 입력 버퍼(403)의 그라운드(nd12)에 전기적으로 연결되어 있다.4 is a circuit diagram for implementing a ground bouncing simulation for a data output buffer block according to a first embodiment of the present invention. Compared with Fig. 2, in that the output driver 406_1, ..., 406_8 of the data output buffers 402_1, ..., 402_8 for each bit have a new configuration, and that the phase determination unit 404 is further provided. Are distinguished. As shown in Fig. 4, the grounds of the eight data output buffers 402_1, ..., 402_8 are all grouped by nodes gndd, which are addressed to model metal lines on the actual layout. It is electrically connected to the ground nd12 of the input buffer 403.

도 4에 도시된 구성에 대해 설명한다. 위상 판정부(404)는 데이터 출력 버퍼(402_1, 402_2)의 래치부로부터 신호(dinb1, dinb2)를 수신하여, 데이터 출력 버퍼(402_1, 402_2)로 각각 인가되는 입력 데이터 신호(din1, din2)의 위상이 동일한지 여부를 판정하고, 판정 결과를 표시하는 신호(det1)를 생성하여 데이터 출력 버퍼(402_1, 402_2)의 출력 구동부(406_1, 406_2)로 제공한다. 출력 구동부(406_1, 406_2)는 위상 판정부(404)로부터 수신된 위상 판정 신호(det1)에 따라 선택적으로 출력 데이터 신호(dout1, dout2) 사이에 소정 시간차가 있도록 한다. 즉, 입력 데이터 신호(din1, din2)가 동일 위상인 것으로 위상 판정 신호(det1)가 표시하면, 출력 구동부(406_1, 406_2)는 출력 데이터 신호(dout1, dout2) 사이에 소정의 시간차가 있도록 하고, 입력 데이터 신호(din1, din2)가 동일 위상이 아닌 것으로 위상 판정 신호(det1)가 표시하면, 출력 구동부(406_1, 406_2)는 출력 데이터 신호(dout1, dout2)를 동일한 타이밍으로 출력시킨다.The configuration shown in FIG. 4 will be described. The phase determining unit 404 receives the signals dinb1 and dinb2 from the latches of the data output buffers 402_1 and 402_2 and receives the signals dinb1 and dinb2 from the input data signals din1 and din2 respectively. It is determined whether the phases are the same, and a signal det1 indicating the determination result is generated and provided to the output drivers 406_1 and 406_2 of the data output buffers 402_1 and 402_2. The output drivers 406_1 and 406_2 selectively allow a predetermined time difference between the output data signals dout1 and dout2 in accordance with the phase determination signal det1 received from the phase determination unit 404. That is, when the phase determination signal det1 indicates that the input data signals din1 and din2 are in phase, the output driving units 406_1 and 406_2 allow a predetermined time difference between the output data signals dout1 and dout2. If the phase determination signal det1 indicates that the input data signals din1 and din2 are not in phase, the output drivers 406_1 and 406_2 output the output data signals dout1 and dout2 at the same timing.

도 5는 도 4의 데이터 출력 버퍼 블록을 구성하는 위상 판정부(404)의 일 예의 회로도이다. 도 5에 도시되어 있는 바와 같이, 위상 판정부(404)는 NAND 게이트(502, 504, 506, 508, 512)와 인버터(510, 514)로 구성될 수 있다. NAND 게이트(502)는 그 두 입력단자로 데이터 출력 버퍼(도 4의 402_1, 402_2)의 래치부의 출력신호(dinb1, dinb2)가 입력되며, 그 출력신호는 NAND 게이트(504, 506)의 입력단자로 제공된다. NAND 게이트(504)는 신호(dinb1)와 NAND 게이트(502)의 출력신호를 두 입력신호로서 수신하며, 그 출력신호는 NAND 게이트(508)의 입력신호로서 제공된다. NAND 게이트(506)는 신호(dinb2)와 NAND 게이트(502)의 출력신호를 두 입력신호로서 수신하며, 그 출력신호는 NAND 게이트(508)의 다른 입력신호로서 제공된다. NAND 게이트(508)의 출력신호는 인버터(510)의 입력단자로 제공되며, 인버터(510)의 출력신호는 NAND 게이트(512)의 입력신호로서 제공된다. NAND 게이트(512)의 다른 입력신호로서 출력 인에이블 신호(poe)가 수신되며, NAND 게이트(512)의 출력신호는 인버터(514)의 입력신호로서 제공되며, 인버터(514)는 위상 판정 신호(det1)를 출력한다.FIG. 5 is a circuit diagram of an example of the phase determination unit 404 constituting the data output buffer block of FIG. 4. As shown in FIG. 5, the phase determiner 404 may be configured of NAND gates 502, 504, 506, 508, and 512 and inverters 510 and 514. NAND gate 502 is input to the two input terminals of the output signal (dinb1, dinb2) of the latch portion of the data output buffer (402_1, 402_2 in Figure 4), the output signal is the input terminal of the NAND gate (504, 506) Is provided. The NAND gate 504 receives the signal dinb1 and the output signal of the NAND gate 502 as two input signals, and the output signal is provided as an input signal of the NAND gate 508. The NAND gate 506 receives the signal dinb2 and the output signal of the NAND gate 502 as two input signals, and the output signal is provided as another input signal of the NAND gate 508. The output signal of the NAND gate 508 is provided to an input terminal of the inverter 510, and the output signal of the inverter 510 is provided as an input signal of the NAND gate 512. An output enable signal poe is received as another input signal of the NAND gate 512, an output signal of the NAND gate 512 is provided as an input signal of the inverter 514, and the inverter 514 is a phase determination signal ( det1) is printed.

다음에는 위상 판정부(404)의 동작을 설명한다. 두 신호(dinb1, dinb2)가 동일 위상, 예를 들어 모두 하이 레벨의 신호이면 NAND 게이트(502)는 로우 레벨의 신호를 출력하여 NAND 게이트(504, 506)의 입력단자로 제공한다. 따라서 NAND 게이트(504, 506)는 모두 하이 레벨의 신호를 출력하고, NAND 게이트(508)는 로우 레벨의 신호를 출력하게 된다. NAND 게이트(508)에서 출력된 로우 레벨의 신호는 인버터(510)에서 반전되어 하이 레벨의 신호로서 NAND 게이트(512)의 입력단자로 인가되며, 이 때 출력 인에이블 신호는 하이 레벨로 전이한 상태이므로 NAND 게이트(512)는 로우 레벨의 신호를 출력하고, 인버터(514)는 하이 레벨의 신호를 위상 판정 신호(det1)로서 출력한다. 두 신호(dinb1, dinb2)가 모두 로우 레벨의 신호이면 NAND 게이트(504, 506)는 하이 레벨의 신호를 출력한다. 따라서 두 신호(dinb1, dinb2)가 모두 하이 레벨의 신호인 경우와 마찬가지로 위상 판정 신호(det1)로서 하이 레벨의 신호를 출력한다. 따라서 두 신호(dinb1, dinb2)가 동일 위상이면 위상 판정부(404)는 위상 판정 신호(det1)로서 하이 레벨의 신호를 출력한다.Next, the operation of the phase determining unit 404 will be described. If both signals dinb1 and dinb2 are of the same phase, for example, a high level signal, the NAND gate 502 outputs a low level signal and provides it as an input terminal of the NAND gates 504 and 506. Therefore, the NAND gates 504 and 506 both output a high level signal, and the NAND gate 508 outputs a low level signal. The low level signal output from the NAND gate 508 is inverted by the inverter 510 and applied to the input terminal of the NAND gate 512 as a high level signal. At this time, the output enable signal transitions to the high level. Therefore, the NAND gate 512 outputs a low level signal, and the inverter 514 outputs a high level signal as the phase determination signal det1. If both signals dinb1 and dinb2 are low level signals, the NAND gates 504 and 506 output the high level signals. Therefore, as in the case where both signals dinb1 and dinb2 are high level signals, a high level signal is output as the phase determination signal det1. Therefore, when the two signals dinb1 and dinb2 are in phase, the phase determination unit 404 outputs a high level signal as the phase determination signal det1.

반면, 두 신호(dinb1, dinb2)의 위상이 동일하지 않으면, 예를 들어 신호(dinb1)가 하이 레벨의 신호이고, 신호(dinb2)가 로우 레벨의 신호이면 NAND 게이트(502)는 하이 레벨의 신호를 출력하고, NAND 게이트(504)는 로우 레벨의 신호를 출력하고, NAND 게이트(506)는 하이 레벨의 신호를 출력한다. 따라서 NAND 게이트(508)는 하이 레벨의 신호를 출력하고, 인버터(510)는 이를 반전시켜 로우 레벨의 신호를 출력하여 NAND 게이트(512)로 출력한다. 출력 인에이블 신호(poe)가 하이 레벨이나, NAND 게이트(512)가 하이 레벨의 신호를 출력하고, 인버터를 이를 반전시켜 위상 판정 신호(det1)로서 로우 레벨의 신호를 출력한다. 즉, 두 신호(dinb1, dinb2)가 동일 위상이 아니면 위상 판정부(404)는 위상 판정 신호(det1)로서 로우 레벨의 신호를 출력한다.On the other hand, when the two signals dinb1 and dinb2 are not in phase, for example, when the signal dinb1 is a high level signal and the signal dinb2 is a low level signal, the NAND gate 502 is a high level signal. The NAND gate 504 outputs a low level signal, and the NAND gate 506 outputs a high level signal. Accordingly, the NAND gate 508 outputs a high level signal, and the inverter 510 inverts the signal and outputs a low level signal to the NAND gate 512. The output enable signal poe is at a high level, but the NAND gate 512 outputs a high level signal, and the inverter is inverted to output a low level signal as the phase determination signal det1. That is, if the two signals dinb1 and dinb2 are not in phase, the phase determination unit 404 outputs a low level signal as the phase determination signal det1.

도 6은 도 4의 데이터 출력 버퍼 블록을 구성하는 출력 구동부의 일 예의 회로도이다. 도 6에 도시되어 있는 바와 같이, 2개의 중간 데이터 생성 회로(602, 604)와 구동 회로(606)를 구비하고 있다. 데이터 출력 버퍼(도 4의 402_1)의 버퍼부로부터 제공되는 신호(dp1)는 중간 데이터 생성 회로(602)와 구동 회로(606)에 제공되고 있으며, 신호(din1)는 중간 데이터 생성 회로(604)와 구동 회로(606)에 제공되고 있다. 그리고 중간 데이터 생성 회로(602, 604)는 각각 중간 데이터(dp1', dn1')를 생성하여 구동 회로(606)로 제공한다. 구동 회로(606)는 신호(dp1, dn1)에 의해 제어될 뿐만 아니라, 중간 데이터(dp1', dn1')에 의해 제어되어 최종적으로 출력 데이터(dout1)를 출력한다.FIG. 6 is a circuit diagram of an example of an output driver constituting the data output buffer block of FIG. 4. As shown in Fig. 6, two intermediate data generating circuits 602 and 604 and a driving circuit 606 are provided. The signal dp1 provided from the buffer portion of the data output buffer 402_1 of FIG. 4 is provided to the intermediate data generation circuit 602 and the driving circuit 606, and the signal din1 is the intermediate data generation circuit 604. And a driving circuit 606. The intermediate data generation circuits 602 and 604 generate intermediate data dp1 'and dn1', respectively, and provide the intermediate data dp1 'and dn1' to the driving circuit 606. The drive circuit 606 is not only controlled by the signals dp1 and dn1, but also by the intermediate data dp1 'and dn1' to finally output the output data dout1.

도 6에 도시되어 있는 바와 같이, 중간 데이터 생성 회로(602)는 PMOS 트랜지스터(MP61)와 NMOS 트랜지스터(MN61, MN62, MN63)와 NAND 게이트(612, 614)와 인버터(608, 610, 616)로 구성될 수 있다. NMOS 트랜지스터(MN63)는 소오스와 드레인이 모두 접지되어 게이트 커패시터(gate capacitor)를 구성한다.As shown in FIG. 6, the intermediate data generation circuit 602 is a PMOS transistor MP61, an NMOS transistor MN61, MN62, MN63, NAND gates 612, 614, and an inverter 608, 610, 616. Can be configured. The NMOS transistor MN63 has both a source and a drain grounded to form a gate capacitor.

먼저 도 5를 참조하여 설명한 바와 같이, 두 신호(dinb1, dinb2)의 위상이 동일하면 위상 판정 신호(det1)가 하이 레벨의 신호이므로, NAND 게이트(612)는 NMOS 트랜지스터(MN63)의 게이트에 축적된 전하에 의한 신호에 대해 인버터로서 동작한다. MOS 트랜지스터(MP61, MN61, MN62)는 종래의 데이터 출력 버퍼를 구성하는 MOS 트랜지스터에 비해 작은 사이즈를 갖는 것으로 구성되므로, 신호(dp1)는 NMOS 트랜지스터(MN63)와 NAND 게이트(612)로 이루어진 경로를 거치는 동안 소정 시간(본 실시예에서는 대략 2.5ns) 지연되어 신호(dp1')으로서 출력된다. 따라서 두 신호(dinb1, dinb2)의 위상인 동일하면 신호(dp1')는 신호(dp1)에 비해 소정 시간 지연된다. 그러나 두 신호(dinb1, dinb2)의 위상이 동일하지 않아서 위상 판정 신호(det1)가 로우 레벨의 신호인 경우에는, NAND 게이트(612)는 NMOS 트랜지스터(MN63)의 게이트에 어떤 레벨의 신호가 인가되든지 항상 하이 레벨의 신호를 출력하므로, 신호(dp1')는 인버터(608, 610)로 이루어진 경로를 거친 신호에 의해 결정된다. 인버터(608, 610)는 신호(dp1)에 의해 경유되는 시간이 실질적으로 0이 되도록 구성되므로 두 신호(dinb1, dinb2)의 위상이 동일하지 않은 경우 신호(dp1)와 신호(dp1')는 실질적으로 동일한 타이밍을 갖는다.First, as described with reference to FIG. 5, when the two signals dinb1 and dinb2 have the same phase, the phase determination signal det1 is a high level signal, and thus the NAND gate 612 is accumulated in the gate of the NMOS transistor MN63. It operates as an inverter for the signal caused by the charged charge. Since the MOS transistors MP61, MN61, and MN62 are configured to have a smaller size than the MOS transistors constituting the conventional data output buffer, the signal dp1 is a path formed of the NMOS transistor MN63 and the NAND gate 612. During the delay, a predetermined time (approximately 2.5 ns in this embodiment) is delayed and output as a signal dp1 '. Therefore, if the phases of the two signals dinb1 and dinb2 are the same, the signal dp1 'is delayed by a predetermined time compared to the signal dp1. However, when the phase determination signal det1 is a low level signal because the phases of the two signals dinb1 and dinb2 are not equal to each other, the NAND gate 612 may apply a signal level to the gate of the NMOS transistor MN63. Since the signal always outputs a high level, the signal dp1 'is determined by the signal that passes through the path of the inverters 608 and 610. The inverters 608 and 610 are configured such that the time passed by the signal dp1 becomes substantially zero, so that when the two signals dinb1 and dinb2 are not in phase, the signals dp1 and dp1 'are substantially equal. Have the same timing.

중간 데이터 생성 회로(604)는 중간 데이터 생성 회로(602)와 동일한 방식으로 구성된다. 즉, 중간 데이터 생성 회로(604)는 PMOS 트랜지스터(MP62)와 NMOS 트랜지스터(MN64, MN65, MN66)와 NAND 게이트(622, 624)와 인버터(618, 620, 626)로 구성될 수 있다. 중간 데이터 생성 회로(604) 역시 중간 데이터 생성 회로(602)와 동일한 방식으로 동작하여, 두 신호(dinb1, dinb2)의 위상이 동일하면 신호(dn1')는 신호(dn1)에 비해 소정 시간 지연되며, 두 신호(dinb1, dinb2)의 위상이 동일하지 않으면 신호(dn1')는 신호(dn1)와 실질적으로 동일한 타이밍을 갖는다.The intermediate data generation circuit 604 is configured in the same manner as the intermediate data generation circuit 602. That is, the intermediate data generation circuit 604 may include a PMOS transistor MP62, NMOS transistors MN64, MN65, and MN66, NAND gates 622 and 624, and inverters 618, 620, and 626. The intermediate data generation circuit 604 also operates in the same manner as the intermediate data generation circuit 602, so that when the two signals dinb1 and dinb2 have the same phase, the signal dn1 'is delayed by a predetermined time compared to the signal dn1. If the two signals dinb1 and dinb2 are not in phase, the signal dn1 'has substantially the same timing as the signal dn1.

구동 회로(606)는 신호(dp1, dn1)에 의해 제어되는 제1 구동부(628)와 신호(dp1', dn1')에 의해 제어되는 제2 구동부(630)를 포함하여 구성될 수 있다. 제1 구동부(628)에서 신호(dp1)가 로우 레벨이면 PMOS 트랜지스터(MP63)가 턴온되어 노드(nd6)가 전원 단자와 연결되고, 신호(dn1)가 하이 레벨이면 NMOS 트랜지스터(MN67)가 턴온되어 노드(nd6)가 접지 단자와 연결된다. 그리고 제2 구동부(630)에서 신호(dp1')이 로우 레벨이면 PMOS 트랜지스터(MP64)가 턴온되어 노드(nd6)가 전원 단자와 연결되고, 신호(dn1')가 하이 레벨이면 NMOS 트랜지스터(MN67)가 턴온되어 노드(nd6)가 접지 단자와 연결된다. 전술한 바와 같이, 두 신호(dinb1, dinb2)의 위상이 동일하면 신호(dp1', dn1')는 각각 신호(dp1, dn1)에 대해 소정의 시간차를 가지므로 출력신호(dout1)의 변화가 느려지며, 두 신호(dinb1, dinb2)의 위상이 동일하지 않으면 신호(dp1', dn1')는 각각 신호(dp1, dn1)에 대해 실질적으로 동일한 타이밍을 가지므로 출력신호(dout1)의 변화가 빨라진다.The driving circuit 606 may include a first driver 628 controlled by the signals dp1 and dn1 and a second driver 630 controlled by the signals dp1 'and dn1'. In the first driver 628, when the signal dp1 is at a low level, the PMOS transistor MP63 is turned on so that the node nd6 is connected to the power supply terminal. When the signal dn1 is at a high level, the NMOS transistor MN67 is turned on. Node nd6 is connected to the ground terminal. In the second driver 630, when the signal dp1 ′ is at the low level, the PMOS transistor MP64 is turned on to connect the node nd6 to the power supply terminal. When the signal dn1 ′ is at the high level, the NMOS transistor MN67 is turned on. Is turned on to connect the node nd6 with the ground terminal. As described above, when the two signals dinb1 and dinb2 have the same phase, the signals dp1 'and dn1' have a predetermined time difference with respect to the signals dp1 and dn1, respectively, so that the change in the output signal dout1 is slowed down. If the two signals dinb1 and dinb2 are not in phase, the signals dp1 'and dn1' have substantially the same timing with respect to the signals dp1 and dn1, respectively, so that the change in the output signal dout1 is faster.

도 7은 도 4에 의한 시뮬레이션에서 발생된 신호 파형도이다. 도 4 및 도 6을 함께 참조하면서 설명한다. 도 7에 도시되어 있는 바와 같이, 입력 데이터 신호(din1, din2)가 하이 레벨에서 로우 레벨로 하강한 상태에서 출력 인에이블 신호(poe)가 로우 레벨에서 하이 레벨로 상승하면 위상 판정부(도 5의 404)는 로우 레벨에서 하이 레벨로 상승하는 위상 판정 신호(det1)를 생성하여 출력한다. 이러한 위상 판정 신호(도 5의 404)에 의해 위상 출력 버퍼(도 4의 402_1)의 출력 구동부(406_1)를 구성하는 중간 데이터 생성 회로(604)는 신호(dn1)에 비해 소정 시간 지연된 신호(dn1')를 생성하여 구동 회로(606)의 제2 구동부(630)로 제공하므로, 출력 데이터(dout1)의 변화는 느려지게 된다. 그러나 데이터 출력 버퍼(도 4의 402_2)의 경우에는 데이터 출력 버퍼(도 4의 402_1)와는 달리 정상적으로 출력 데이터의 변화가 이루어진다. 따라서 데이터 출력 버퍼(도 4의 402_1, 402_2)를 통해 동일한 위상의 데이터가 출력되더라도 이로 인해 그라운드 바운싱에 미치는 영향이 적어져서 어드레스 입력 버퍼(403)의 노드(nd22)에 글리치가 발생하지 않게 된다.7 is a signal waveform diagram generated in the simulation according to FIG. 4. It demonstrates, referring FIG. 4 and FIG. 6 together. As shown in FIG. 7, when the output enable signal poe rises from the low level to the high level while the input data signals din1 and din2 are lowered from the high level to the low level, the phase determination unit (FIG. 5). 404 generates and outputs a phase determination signal det1 rising from a low level to a high level. The intermediate data generation circuit 604 constituting the output driver 406_1 of the phase output buffer 402_1 of FIG. 4 by the phase determination signal 404 of FIG. 5 is a signal dn1 delayed by a predetermined time compared to the signal dn1. ') Is generated and provided to the second driver 630 of the driving circuit 606, so that the change of the output data dout1 becomes slow. However, in the case of the data output buffer 402_2 of FIG. 4, unlike the data output buffer 402_1 of FIG. 4, the output data is normally changed. Accordingly, even when data having the same phase is output through the data output buffers 402_1 and 402_2, the effect on ground bounce is reduced, thereby preventing glitches at the node nd22 of the address input buffer 403.

도 8은 본 발명의 제2 실시예에 의한 데이터 출력 버퍼 블록의 구성도이다. 도 4에 도시된 실시예에서는 데이터 출력 버퍼(402_1, 402_2) 사이에서만 위상이 비교되어 어느 일 데이터 출력 버퍼(상기 실시예에서는 402_1)에서의 데이터 출력이 선택적으로 늦어졌으나, 도 8에 도시된 실시예에서는 모든 인접한 데이터 출력 버퍼 사이에서 출력하려는 데이터의 위상이 비교되어 어느 일 데이터 출력 버퍼에서의 데이터 출력이 선택적으로 늦어진다.8 is a configuration diagram of a data output buffer block according to a second embodiment of the present invention. In the embodiment shown in Fig. 4, the phases are compared only between the data output buffers 402_1 and 402_2, so that data output from one data output buffer (402_1 in this embodiment is selectively delayed), but the embodiment shown in Fig. 8 is compared. In the example, the phase of the data to be output between all adjacent data output buffers is compared so that the data output at any one data output buffer is selectively delayed.

도 8에서 위상 판정부(804_1)는 데이터 출력 버퍼(802_1, 802_2) 사이에서 출력하려는 데이터의 위상이 동일한지 여부를 판정하여 위상이 동일하면 데이터 출력 버퍼(802_1, 802_2) 중 어느 하나에서의 데이터 출력을 늦춘다. 위상 판정부(804_2) 역시 동일한 방식으로 데이터 출력 버퍼(802_3, 802_4)에 대해 동작하며, 위상 판정부(804_3)는 데이터 출력 버퍼(802_5, 802_6)에 대해, 그리고 위상 판정부(804_4)는 데이터 출력 버퍼(802_7, 802_8)에 대해 동작한다. 도 8에 도시된 실시에는 도 4에 도시된 실시예에 비해 그라운드 바운싱에 더욱 안전하다.In FIG. 8, the phase determining unit 804_1 determines whether the data to be output between the data output buffers 802_1 and 802_2 is the same, and if the phases are the same, the data in any one of the data output buffers 802_1 and 802_2. Slows down the output. The phase determiner 804_2 also operates on the data output buffers 802_3 and 802_4 in the same manner, and the phase determiner 804_3 operates on the data output buffers 802_5 and 802_6, and the phase determiner 804_4 controls the data. It operates on the output buffers 802_7 and 802_8. The embodiment shown in FIG. 8 is more secure for ground bounce than the embodiment shown in FIG. 4.

여기서 설명된 실시예들은 본 발명을 당업자가 용이하게 이해하고 실시할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐이며, 본 발명의 범위를 한정하려는 것은 아니다. 따라서 당업자들은 본 발명의 범위 안에서 다양한 변형이나 변경이 가능함을 주목하여야 한다. 본 발명의 범위는 원칙적으로 후술하는 특허청구범위에 의하여 정하여진다.The embodiments described herein are merely intended to enable those skilled in the art to easily understand and practice the present invention, and are not intended to limit the scope of the present invention. Therefore, those skilled in the art should note that various modifications or changes are possible within the scope of the present invention. The scope of the invention is defined in principle by the claims that follow.

이와 같은 본 발명의 구성에 의하면, 데이터 출력 버퍼를 통해 출력되는 데이터를 감지하여 동일 위상인지 여부를 판정하고, 동일 위상이면 출력 구동부의 MOS 트랜지스터를 순차적으로 구동시킨다. 이렇게 함으로써 동일 위상의 데이터 출력일 때는 그라운드 바운싱에 의한 노이즈를 억제하여 어드레스 입력 버퍼에 발생되는 글리치를 방지할 수 있게 된다. 다른 위상의 데이터 출력일 때는 시간 지연 없이 출력 구동부를 동작시킴으로써 기존 제품보다 구동 속도를 높일 수 있다. 이로써 구동 속도를 어느 정도 유지하면서도 그라운드 바운싱에 의한 오동작의 가능성을 줄일 수 있게 된다.According to the configuration of the present invention as described above, the data output through the data output buffer is sensed to determine whether or not the same phase, and if the same phase, the MOS transistor of the output driver is sequentially driven. In this way, when the data output is in the same phase, noise caused by ground bounce can be suppressed to prevent glitches generated in the address input buffer. For data outputs in other phases, the drive speed can be increased by operating the output driver without time delay. This can reduce the possibility of malfunction due to ground bounce while maintaining the driving speed to some extent.

Claims (6)

복수 비트의 데이터를 출력하는 데이터 출력 버퍼 블록에 있어서,In the data output buffer block for outputting a plurality of bits of data, 상기 복수 비트 중 제1 및 제2 비트 사이에서 입력되는 데이터의 위상이 동일한지 여부를 판정하는 위상 판정 수단과,Phase determination means for determining whether the phase of the data input between the first and second bits of the plurality of bits is the same; 상기 위상 판정 수단에 의해 상기 2개의 비트 사이에서 상기 입력 데이터의 위상이 서로 동일한 것으로 판정되면 상기 제1 비트에 대해 상기 입력 데이터와 소정의 시간차를 갖는 중간 데이터를 생성하고, 상기 입력 데이터의 위상이 서로 동일하지 않은 것으로 판정되면 상기 제1 비트에 대해 상기 입력 데이터와 실질적으로 동일한 타이밍을 갖는 중간 데이터를 생성하는 중간 데이터 생성 수단과,If the phase determination means determines that the phases of the input data are equal to each other between the two bits, intermediate data having a predetermined time difference with the input data is generated for the first bit, and the phase of the input data is Intermediate data generating means for generating intermediate data having substantially the same timing as said input data for said first bit if it is determined that they are not equal to each other; 상기 제1 및 중간 데이터에 의해 제어되어 데이터를 출력하는 출력 구동 수단을Output driving means controlled by the first and intermediate data to output data; 구비하는 것을 특징으로 하는 데이터 출력 버퍼 블록.And a data output buffer block. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 중간 데이터 생성 수단은The intermediate data generating means 상기 제1 및 제2 비트 사이에서 입력 데이터의 위상이 서로 동일하면 활성화되어, 상기 제1 비트에 대해 상기 입력 데이터를 소정 시간 지연시켜 상기 중간 데이터를 생성하는 제1 신호 경로와,A first signal path which is activated when the phases of the input data are identical with each other between the first and second bits to generate the intermediate data by delaying the input data by a predetermined time with respect to the first bit; 상기 제1 및 제2 비트 사이에서 입력 데이터의 위상이 서로 동일하지 않으면활성화되어, 상기 제1 비트에 대해 상기 입력 데이터와 실질적으로 동일한 타이밍을 갖는 상기 중간 데이터를 생성하는 제2 신호 경로를If the phases of the input data are not equal to each other between the first and second bits, the second signal path is activated to generate the intermediate data having a timing substantially the same as the input data for the first bit. 구비하는 것을 특징으로 하는 데이터 출력 버퍼 블록.And a data output buffer block. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 입력 데이터와 상기 중간 데이터는 동일 위상인 것을 특징으로 하는 데이터 출력 버퍼 블록.And the input data and the intermediate data are in phase with each other. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 복수 비트의 데이터를 출력하는 데이터 출력 버퍼 블록을 구동하는 방법에 있어서,In the method for driving a data output buffer block for outputting a plurality of bits of data, 입력되는 데이터가 2개의 비트 사이에서 동일 위상인지 여부를 판정하는 단계와,Determining whether the input data is in phase between the two bits, 상기 위상 판정에 의해 상기 입력 데이터가 동일 위상인 것으로 판정되면 상기 2개의 비트 사이에서 소정의 시간차를 갖도록 하여 상기 입력 데이터를 출력하는 단계를If it is determined by the phase determination that the input data are in phase, outputting the input data by having a predetermined time difference between the two bits; 구비하는 것을 특징으로 하는 데이터 출력 버퍼 블록의 구동 방법.And a data output buffer block. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 위상 판정에 의해 상기 입력 데이터가 동일 위상이 아닌 것으로 판정되면 상기 2개의 비트 사이에서 동일 시간으로 상기 입력 데이터를 출력하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 데이터 출력 버퍼 블록의 구동 방법.And outputting the input data at the same time between the two bits if the input data determines that the input data is not in phase with the phase determination. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 2개의 비트는 서로 인접하는 비트인 것을 특징으로 하는 데이터 출력 버퍼 블록의 구동 방법.And the two bits are bits adjacent to each other.
KR1020020006785A 2002-02-06 2002-02-06 A data output buffer block and a driving method thereof KR20030066997A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020020006785A KR20030066997A (en) 2002-02-06 2002-02-06 A data output buffer block and a driving method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020020006785A KR20030066997A (en) 2002-02-06 2002-02-06 A data output buffer block and a driving method thereof

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20030066997A true KR20030066997A (en) 2003-08-14

Family

ID=32220721

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020020006785A KR20030066997A (en) 2002-02-06 2002-02-06 A data output buffer block and a driving method thereof

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20030066997A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100680562B1 (en) * 2005-03-16 2007-02-08 샤프 가부시키가이샤 Semiconductor memory device
KR100774068B1 (en) * 2004-09-14 2007-11-06 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 Barrel shift device
KR100825292B1 (en) * 2003-12-20 2008-04-28 엘지전자 주식회사 Apparatus for correction of ground bounce
KR101006748B1 (en) * 2009-01-29 2011-01-10 (주)인디링스 Solid state disks controller of controlling simultaneously switching of pads

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100825292B1 (en) * 2003-12-20 2008-04-28 엘지전자 주식회사 Apparatus for correction of ground bounce
KR100774068B1 (en) * 2004-09-14 2007-11-06 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 Barrel shift device
KR100680562B1 (en) * 2005-03-16 2007-02-08 샤프 가부시키가이샤 Semiconductor memory device
KR101006748B1 (en) * 2009-01-29 2011-01-10 (주)인디링스 Solid state disks controller of controlling simultaneously switching of pads

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100238247B1 (en) High speed low power signal line driver and semiconductor memory device using thereof
KR100223675B1 (en) Data-output-related circuit suitable for high speed semiconductor memory device
US6445226B2 (en) Output circuit converting an internal power supply potential into an external supply potential in a semiconductor apparatus
US6249461B1 (en) Flash memory device with a status read operation
KR100284985B1 (en) An integrated circuit having enable control circuitry
JP2000100158A (en) Integrated circuit and synchronization-type semiconductor memory device
KR100533384B1 (en) Semiconductor Memory Device including Global IO line driven by Low Amplitude Voltage Signal
JP5618772B2 (en) Semiconductor device
KR20030066997A (en) A data output buffer block and a driving method thereof
KR100380159B1 (en) Predecoder control circuit
KR100672128B1 (en) Clock control circuits for reducing consumption current in operations of a semiconductor memory device for inputting address signal and control signals, the semiconductor memory device with the clock control circuits, and operation methods of the semiconductor memory device for inputting address signal and control signals
JP2011135436A (en) Semiconductor device
JPH06132747A (en) Semiconductor device
JP2006286100A (en) Semiconductor memory
KR100412142B1 (en) Circuit for implementing a special mode in a semiconductor memory device of packet transmission method
KR100892675B1 (en) Semiconductor Memory Apparatus
KR0179913B1 (en) Circuit for output enable signal generation
KR20020002831A (en) Data output control circuit
KR0136479B1 (en) Output buffer of low noise and high speed
KR101013443B1 (en) Semiconductor Memory Apparatus with Test Circuit
KR100335976B1 (en) Semiconductor storage and data reading methods with two or more memory blocks
KR100418399B1 (en) Semiconductor memory device and data strobe signal output method thereof
KR20010004652A (en) Data output buffer
KR20010004550A (en) Data output buffer
EP0982733B1 (en) An output buffer

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination