KR20030062394A - Gas Sensor Chip of Thick Film Type - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 후막형 가스 센서 칩에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 적어도 두 개 이상의 가스 감지부와 하나의 가열부를 칩 기판의 상·하면에 형성시킴으로써 가스 센서 칩을 소형화시키고, 이에 따라 상기 가열부의 소비전력을 감소시킬 수 있는 후막형 가스 센서 칩에 관한 것이다.The present invention relates to a thick film-type gas sensor chip, and more particularly, at least two or more gas sensing units and one heating unit are formed on the upper and lower surfaces of the chip substrate, thereby miniaturizing the gas sensor chip, and thus the consumption of the heating unit. The present invention relates to a thick film gas sensor chip capable of reducing power.
특정한 가스의 존재 및 농도를 감지하는 전자부품인 가스 센서 중에 현재 가장 많이 사용되는 형태는 반도체식 가스 센서이다. 상기 반도체식 가스 센서는 매우 간단한 구조임으로 저렴한 가격이 가장 큰 장점이며, 특히 가정용 가스 경보기 등 저가 대량 수요의 제품에 많이 사용된다.Among gas sensors, electronic components that detect the presence and concentration of specific gases, the most commonly used type is a semiconductor gas sensor. The semiconductor gas sensor has a very simple structure, and therefore, the low price is the biggest advantage, and is particularly used for low-cost mass demand products such as household gas alarms.
상기 반도체식 가스 센서는 해당 가스의 농도에 따른 전기 전도도의 변화를 이용한다. 즉, 일반적으로 반도체 구성 입자의 경계가 깨끗한 공기에 노출되었을 때에는 산소 흡착에 의한 전위장벽 형성으로 전기 전도도가 낮아지지만, 환원성 가스와 접촉하면 흡착된 산소가 이 가스와 결합함으로써 전위 장벽이 저하되고, 전기 전도도가 높아지는 원리를 이용한다. 또한, 해당 가스의 농도에 따라 정류 특성의 변화를 이용하는 것도 있다.The semiconductor gas sensor uses a change in electrical conductivity depending on the concentration of the gas. That is, generally, when the boundary of semiconductor constituent particles is exposed to clean air, the electrical conductivity is lowered due to the formation of potential barrier by oxygen adsorption, but when contacted with a reducing gas, the adsorbed oxygen combines with this gas to lower the potential barrier. Use the principle of higher electrical conductivity. In addition, a change in the rectifying characteristic may be used depending on the concentration of the gas.
일반적인 반도체식 가스 센서의 구조는 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 가스를 감지하는 가스 센서 칩(1')과, 이 센서 칩(1')을 유지하기 위한 것으로 스템(2')을 구비한다. 스템(2')은 절연체인 스템 지지체(2a')와, 스템 지지체(2a')를수직으로 관통하여 센서 칩(1')의 전극 패드(1a')와 스템 헤드(3a')가 와이어(4')로 본딩되어 전기적으로 연결되는 복수개의 스템 핀(3')으로 구성된다. 따라서 센서 칩(1')의 신호 입출력은 전극 패드(1a')와 도전성 와이어(4')로 본딩된 스템 헤드(3a')를 통해 최종적으로 스템핀(3')과 연결된 회로에 의해서 실행된다.The structure of a general semiconductor gas sensor is as shown in Figs. 1 and 2, to hold the gas sensor chip 1 'for sensing gas and the sensor chip 1'. Equipped. The stem 2 'vertically penetrates the stem support 2a', which is an insulator, and the stem support 2a ', so that the electrode pad 1a' and the stem head 3a 'of the sensor chip 1' are connected to the wire ( And a plurality of stem pins 3 'bonded to and electrically connected to each other. Therefore, the signal input and output of the sensor chip 1 'is executed by a circuit finally connected to the stem pin 3' through the stem head 3a 'bonded to the electrode pad 1a' and the conductive wire 4 '. .
한편, 상기 가스 센서 칩(1')에는 가스 감지부가 주로 한가지만 존재하는 타입이었으나, 최근에는 다양한 종류의 가스를 감지할 수 있도록 적어도 두 가지 이상의 가스 감지부가 요구되고 있고, 이에 부수하여 하나의 가스 센서 칩(1')에는 최소한 두 가지 이상의 가스 감지부를 집적화시키는 기술이 요구되고 있다.On the other hand, the gas sensor chip (1 ') was a type in which only one gas detector is present, but recently, at least two or more gas detectors are required to detect various kinds of gases. The sensor chip 1 'requires a technology for integrating at least two gas detectors.
도 3은 상술한 바와 같이, 적어도 두 개 이상의 가스 감지부가 집적된 가스 센서 칩의 개략적인 평면도를 나타내고 있다.3 illustrates a schematic plan view of a gas sensor chip in which at least two gas detectors are integrated, as described above.
도 3에 도시된 바와 같이, 반도체식 가스 센서 칩(1')의 알루미나(Al2O3) 기판과 같은 절연성의 기판(10')의 일면에 가스를 감지하는 두 개의 가스 감지부(20')(30')와 상기 가스 감지부들과 동일면에 형성되며 가스 감지부들(20')(30')이 적절한 온도까지 승온되도록 가열하는 가열부(40')가 형성되어 있다. 또한, 상기 두 개의 가스 감지부들(20')(30')과 상기 가열부(40')는 각각 독립적인 전극 패드들(21')(31')(41')에 전기적으로 연결되어 있으며, 이 전극 패드들은, 도 2에 도시된 바와 같은 와이어(4')를 통해 외부에 연결된다. 물론, 상기 가스 감지부들을 공통으로 연결하는 공통 전극(25')가 형성되어 있으며, 이 공통 전극(25')도 와이어(4')를 통해 외부로 연결된다.As shown in FIG. 3, two gas detectors 20 ′ sensing gas on one surface of an insulating substrate 10 ′, such as an alumina (Al 2 O 3 ) substrate of the semiconductor gas sensor chip 1 ′. 30 'and the heater 40' are formed on the same surface as the gas detectors and heat the gas detectors 20 'and 30' to be heated up to an appropriate temperature. In addition, the two gas detectors 20 ', 30' and the heating part 40 'are electrically connected to independent electrode pads 21', 31 'and 41', respectively. These electrode pads are connected to the outside via a wire 4 'as shown in FIG. Of course, a common electrode 25 ′ is formed to connect the gas sensing units in common, and the common electrode 25 ′ is also connected to the outside through the wire 4 ′.
그러나 상기와 같은 다수의 가스 감지부(20')(30b')가 형성된 가스 감치 센서 칩(1')에서는 절연성 기판(10')의 한쪽면에만 다수의 가스 감지부와 함께 가열부(40')도 형성해야 함으로 그들이 차지하는 크기만큼 가스 센서 칩이 대형화되는 문제점이 있었고, 또, 이에 따라, 가열부의 소모 전력도 함께 증대되는 문제점이 있었다.However, in the gas sensing sensor chip 1 'on which the plurality of gas sensing units 20' and 30b 'are formed, the heating unit 40' together with the plurality of gas sensing units only on one side of the insulating substrate 10 '. There was a problem that the gas sensor chips are larger in size as much as they occupy, and accordingly, the power consumption of the heating unit is also increased.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 고안된 것으로, 본 발명의 목적은 적어도 두 개 이상의 가스 감지부와 하나의 가열부를 절연성 기판의 상·하면에 형성시킴으로써 가스 센서 칩의 크기를 소형화시키고, 이에 따라 가스 센서의 소비전력을 감소시킬 수 있는 후막형 가스 센서 칩을 제공하는 것이다.The present invention has been devised to solve the above problems, and an object of the present invention is to reduce the size of the gas sensor chip by forming at least two or more gas sensing units and one heating unit on the upper and lower surfaces of the insulating substrate, Accordingly, to provide a thick-film gas sensor chip that can reduce the power consumption of the gas sensor.
또한, 본 발명의 다른 목적은 가스 감지부 및 상기 가열부 각각의 독립 전극 들, 즉 전극 패드들을 도전성 비아 홀의 형성에 의해 절연성 기판의 반대면으로 전기적으로 연결시킴으로써 패키지 공정중의 와이어 본딩시에 전극 패드와 도전성 와이어간의 본딩 직업이 용이해지는 후막형 가스 센서 칩을 제공하는 것이다.In addition, another object of the present invention is to provide an electrode during wire bonding during a package process by electrically connecting the independent electrodes of each of the gas sensing unit and the heating unit, that is, the electrode pads to the opposite side of the insulating substrate by forming conductive via holes. The present invention provides a thick film gas sensor chip that facilitates bonding between a pad and a conductive wire.
도 1은 일반적인 가스 센서의 구조를 나타낸 사시도이다.1 is a perspective view showing the structure of a general gas sensor.
도 2는 일반적인 가스 센서 구조를 나타낸 단면도이다.2 is a cross-sectional view showing a general gas sensor structure.
도 3은 적어도 두 개 이상의 가스 감지부가 집적된 종래의 가스 센서 칩의 개략적인 평면도이다.3 is a schematic plan view of a conventional gas sensor chip in which at least two gas detectors are integrated.
도 4는 본 발명에 따른 가스 센서 칩의 단면도이다.4 is a cross-sectional view of a gas sensor chip according to the present invention.
도 5는 본 발명에 따른 가스 센서 칩의 평면도이다.5 is a plan view of a gas sensor chip according to the present invention.
도 6은 본 발명에 따른 가스 센서 칩의 저면도이다.6 is a bottom view of the gas sensor chip according to the present invention.
< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Major Parts of Drawings>
1 : 가스 센서 칩10 : 절연성 기판1: gas sensor chip 10: insulating substrate
20 : 제 1 가스 감지부 21 : 전극 패드20: first gas detection unit 21: electrode pad
22 : 도전성 비아 홀25 : 제 1 공통 전극22 conductive via hole 25 first common electrode
30 : 제 2 가스 감지부31 : 전극 패드30: second gas detection unit 31: electrode pad
32 : 도정선 비아 홀40 : 가열부32: lead wire hole 40: heating part
41 : 제 2 공통 전극 42 : 전극 패드41 second common electrode 42 electrode pad
50 : 도전성 비아 홀50: conductive via hole
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 본 발명에 따른 가스 센서 칩은 상·하면을 갖는 대략 판상의 절연성 기판과, 상기 절연성 기판의 상면에 적어도 두 개 이상 형성되는 제 1 및 제 2 가스 감지부와, 상기 절연성 기판의 상면에서 제 1 가스 감지부와 제 2 가스 감지부를 전기적으로 연결하는 제 1 공통 전극과, 상기 절연성 기판의 하면에 형성되는 상기 제 1 및 제 2 가스 감지부를 가열하기 위한하나의 가열부와, 상기 가열부에 전기적으로 연결되며 상기 절연성 기판의 하면에 형성되는 제 2 공통 전극과, 상기 제 1 공통 전극과 상기 제 2 공통 전극을 상호 전기적으로 연결하기 위해 상기 절연성 기판을 수직으로 관통해서 형성되는 적어도 하나 이상의 도전성 비아 홀로 이루어지는 것을 특징으로 한다.The present invention for achieving the above object, the gas sensor chip according to the present invention is a plate-like insulating substrate having a top and bottom, and at least two first and second gas sensing formed on the upper surface of the insulating substrate And a first common electrode electrically connecting the first gas detector and the second gas detector on the upper surface of the insulating substrate, and the first and second gas detectors formed on the lower surface of the insulating substrate. The insulating substrate is electrically connected to one heating unit, a second common electrode electrically connected to the heating unit and formed on a lower surface of the insulating substrate, and to electrically connect the first common electrode and the second common electrode to each other. And at least one conductive via hole formed to penetrate vertically.
또한, 상기 가스 감지부 및 가열부는 각각 외부로 신호를 입출력하기 위한 독립적인 전극 패드를 포함할 수도 있다.In addition, the gas detecting unit and the heating unit may each include independent electrode pads for inputting and outputting signals to the outside.
또한, 상기 절연성 기판의 상면에는 상기 가열부와 상기 가스 감지부가 위치되도록 하고 그 하면에는 가스 감지부가 위치될 수도 있다.In addition, the heating unit and the gas detector may be positioned on an upper surface of the insulating substrate, and a gas detector may be disposed on the lower surface of the insulating substrate.
또한, 상기 가스 감지부 및 상기 가열부의 독립적인 전극 패드는 다른 도전성 비아 홀에 의해 기판의 반대면으로 전기적으로 연결될 수도 있다.In addition, independent electrode pads of the gas sensing unit and the heating unit may be electrically connected to the opposite surface of the substrate by another conductive via hole.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부 도면에 의거하여 상세하게 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, preferred embodiment of this invention is described in detail based on an accompanying drawing.
도 4는 본 발명에 따른 가스 센서 칩(1)의 단면도이고, 도 5 및 도 6은 각각 가스 센서 칩(1)의 평면도 및 저면도이다.4 is a cross-sectional view of the gas sensor chip 1 according to the present invention, and FIGS. 5 and 6 are a plan view and a bottom view of the gas sensor chip 1, respectively.
도 4 내지 도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 가스 센서 칩(1)은, 상·하면을 갖는 대략 판상의 절연성 기판(10)과, 절연성 기판(10)의 상면에 형성되는 적어도 하나 이상의 제 1 및 제 2 가스 감지부(20)(30)와, 절연성 기판(10)의 상면에서 제 1 가스 감지부(20)와 제 2 가스 감지부(30)를 전기적으로 연결하는 제 1 공통 전극(25)과, 절연성 기판(10)의 상면의 제 1 공통 전극(25)과 하면의 제 2 공통 전극(41)을 상호 전기적으로 연결하기 위해 상기 기판을 수직으로 관통해서형성되는 적어도 하나 이상의 도전성 비아홀(50)과, 절연성 기판(10)의 하면의 제 2 공통 전극(41)에 연결되는 가열부(40)로 이루어진다.As shown in FIG. 4 to FIG. 6, the gas sensor chip 1 according to the present invention includes a substantially plate-shaped insulating substrate 10 having upper and lower surfaces and at least one formed on an upper surface of the insulating substrate 10. First common to electrically connect the first and second gas detectors 20 and 30 to the first gas detector 20 and the second gas detector 30 on the upper surface of the insulating substrate 10. At least one or more formed through the substrate vertically to electrically connect the electrode 25, the first common electrode 25 on the upper surface of the insulating substrate 10 and the second common electrode 41 on the lower surface thereof. The conductive via hole 50 and the heating part 40 connected to the second common electrode 41 on the lower surface of the insulating substrate 10 are formed.
절연성 기판(10)은 상술한 바와 같이, 알루미나(Al2O3)와 같은 대략 판상의 절연성의 기판을 사용함이 바람직하며, 그 두께는 대략 0.635mm인 것을 많이 사용하나, 본 발명은 절연성 기판의 재질 및 두께에 한정되는 것은 아니다. 또한, 상기 기판을 수직으로 관통해서 형성된 도전성 비아홀(50)은 일반적으로 펀칭(punching)에 의해 천공시켜서 형성된다.As the insulating substrate 10, as described above, it is preferable to use a substantially plate-like insulating substrate such as alumina (Al 2 O 3 ), and the thickness thereof is used a lot of approximately 0.635mm, but the present invention is a It is not limited to material and thickness. In addition, the conductive via hole 50 formed by vertically penetrating the substrate is generally formed by punching by punching.
절연성 기판(10)의 상면에는 적어도 두 개 이상의 가스 감지부(20)(30)가 형성되어 있는데, 이러한 가스 감지부(20)(30)는 절연성 기판(10)의 전면부에 스크린 인쇄법으로 형성시킨다. 상기 스크린 인쇄법으로 도포되는 물질은 인쇄하기에 알맞은 점도와 기판에 부착이 잘되도록 여러 가지 물질이 혼합된 끈끈한 용액상태를 유지하도록 한다. 그리고 가스와의 반응을 촉진시키는 촉매 물질로는 주로 귀금속물질인 Au, Pt, Pd 등이 여러 가지 형태로 가스 감지 물질에 첨가될 수 있다. 또한, 가스 물질로 사용되는 분말은 공침법 등을 이용하거나 이미 상용화되어 있는 분말중에서 입자크기가 아주 작고 균일한 것을 사용하는데 보통 사용되는 물질로는 가스 센서의 용도에 따라 SnO2는 가연성 가스의 검출용으로 많이 사용되고 알콜류의 검출용으로는 WO3, 여러 가지 가스의 검출용으로 ZnO 등과 같은 금속 산화물의 반도체가 사용되고 있다.At least two gas detectors 20 and 30 are formed on the upper surface of the insulating substrate 10, and the gas detectors 20 and 30 are screen-printed on the front surface of the insulating substrate 10. To form. The material applied by the screen printing method maintains a sticky solution in which various materials are mixed so as to be suitable for printing and adhered to a substrate. In addition, as a catalyst material for promoting a reaction with a gas, noble metals such as Au, Pt, and Pd may be added to the gas sensing material in various forms. In addition, the powder used as a gaseous material is a coprecipitation method or a powder that is already commercially used, which has a very small and uniform particle size. As a commonly used material, SnO 2 detects a flammable gas depending on the use of a gas sensor. widely used for the detection of alcohol has a semiconductor metal oxide such as ZnO used for the detection of WO 3, a number of gas.
또한, 절연성 기판(10)의 상면에 형성된 두 개의 가스 감지부들(20)(30)은각각 독립적인 전극 패드들(21)(31)에 전기적으로 연결되어 있으며, 이 전극 패드들은, 와이어(미도시)를 통해 외부에 연결되어 신호가 입출력되어진다. 또한, 상기 가스 감지부들을 공통으로 전기적으로 연결하는 공통 전극(25)이 형성된다.In addition, two gas sensing units 20 and 30 formed on the upper surface of the insulating substrate 10 are electrically connected to independent electrode pads 21 and 31, respectively, which are wires (not shown). Is connected to the outside and the signal is input / output. In addition, a common electrode 25 for electrically connecting the gas sensing units in common is formed.
또한, 도전성 비아홀(50)은 상술한 바와 같이, 절연성 기판(10)을 펀칭함으로써 천공되어 형성되는 것으로, 비아홀 내부 둘레가 도전성 물질로 이루어져, 절연성 기판(10)의 상면의 제 1 공통 전극(25)과 하면의 제 2 공통 전극(41)을 상호 전기적으로 연결하도록 되어 있다.In addition, the conductive via hole 50 is formed by punching the insulating substrate 10 as described above. The inner circumference of the via hole is made of a conductive material, and the first common electrode 25 on the upper surface of the insulating substrate 10 is formed. And the second common electrode 41 on the lower surface are electrically connected to each other.
또한, 절연성 기판(10)의 하면의 제 2 공통 전극(41)에 연결된 상기 가스 감지부들을 가열시키기 위한 가열부(40)는, 통상 알루미나 재질의 절연성 기판(10)에 RuO2Ni-Cr계, Pt, W-Pt 계통의 전도성 물질을 스크린 인쇄법 등으로 도포하고 고온에서 소성공정을 실시하여 형성한다. 가열부(40)도 또한, 독립적인 전극 패드(41)에 전기적으로 연결되어 있으며, 이 전극 패드는 와이어(미도시)를 통해 외부에 연결된다.In addition, the heating unit 40 for heating the gas sensing units connected to the second common electrode 41 on the lower surface of the insulating substrate 10 is a RuO 2 Ni—Cr based on an insulating substrate 10 made of alumina. , Pt, W-Pt-based conductive material is applied by screen printing, etc., and formed by performing a calcination process at high temperature. The heating section 40 is also electrically connected to an independent electrode pad 41, which is connected to the outside via a wire (not shown).
여기서, 도 4 내지 도 6에서는 두 개의 가스 감지부(20)(30)만 형성된 가스 센서 칩(1)을 도시하고 있으나, 다양한 종류의 가스를 감지할 수 있도록 세 개 이상의 가스 감지부가 형성될 수도 있다.4 to 6 illustrate the gas sensor chip 1 in which only two gas detectors 20 and 30 are formed, three or more gas detectors may be formed to detect various kinds of gases. have.
또한, 도 4 내지 도 6에서는 절연성 기판(10)의 상면에 두 개의 가스 감지부(20)(30)가 형성되고, 그 하면에는 가열부(40)가 형성된 구조를 제시하고 있으나, 절연성 기판(10)의 상면에 가열부(40)만 위치하고 그 하면에 적어도 두 개이상의 가스 감지부(20)(30)를 형성시킬 수도 있으며, 절연성 기판(10)의 상면에 가열부(40)와 하나의 가스 감지부가 위치하고 그 하면에 다른 가스 감지부를 위치시키는 것도 가능하다. 이 경우, 절연성 기판(10)의 상면에 형성되는 가열부와 가스 감지부를 연결하는 전극이 제 1 공통 전극이 되며, 그 하면에 형성되는 가스 감지부에 연결되어 비아 홀을 통해 상기 제 1 공통 전극에 연결되는 전극이 제 2 공통 전극이 된다.In addition, in FIGS. 4 to 6, two gas sensing units 20 and 30 are formed on an upper surface of the insulating substrate 10, and a heating unit 40 is formed on the lower surface thereof. Only the heating unit 40 is disposed on the upper surface of the 10 and at least two or more gas detectors 20 and 30 may be formed on the lower surface thereof. It is also possible to locate the gas detector and place another gas detector on its bottom. In this case, an electrode connecting the heating unit formed on the upper surface of the insulating substrate 10 and the gas sensing unit becomes a first common electrode, and is connected to the gas sensing unit formed on the lower surface of the first common electrode through a via hole. The electrode connected to becomes the second common electrode.
또한, 도전성 비아홀(50)은 절연성 기판(10)의 상면의 공통 전극(25)과 하면의 제 2 공통 전극(41)을 상호 전기적으로 연결하기 위하여 형성되어 있으나, 두 개의 가스 감지부(20)(30) 및 가열부(40)의 각각의 독립적인 전극 패드들(21)(31)(42)은, 다른 도전성 비아 홀(22)(32)에 의해 절연성 기판(10)의 반대면으로 전기적으로 연결될 수 있다. 즉, 상기 두 개의 가스 감지부 및 가열부의 각각의 독립 전극 패드들(21)(31)(42)이 형성되어 있는 영역에 펀칭에 의해 비아 홀을 형성하여 절연성 기판(10)의 반대면으로 전기적으로 연결하게 되는 것이다. 따라서, 절연성 기판(10)의 상하 양면에 형성된 신호의 입출력을 위한 각각의 독립 전극 패드들 모두를 비아 홀의 형성에 의해 기판(10)의 한쪽면으로 모을 수가 있게 되어 가스 센서 칩(10)의 패키지 공정중, 특히, 와이어 본딩시에 기판의 한쪽면으로 위치시킨 독립 전극 패드들과 도전성 와이어와의 본딩이 이루어 질 수 있음으로 와이어 본딩 작업을 용이하게 할 수 있는 장점이 있다.In addition, the conductive via hole 50 is formed to electrically connect the common electrode 25 on the upper surface of the insulating substrate 10 and the second common electrode 41 on the lower surface with each other. Each of the independent electrode pads 21, 31, 42 of the 30 and heating portion 40 is electrically connected to the opposite side of the insulating substrate 10 by other conductive via holes 22, 32. Can be connected. That is, via holes are formed by punching in regions where the independent electrode pads 21, 31, and 42 of the two gas detectors and the heaters are formed, respectively, to electrically connect to the opposite surface of the insulating substrate 10. Will be connected to. Therefore, all of the independent electrode pads for inputting and outputting signals formed on upper and lower surfaces of the insulating substrate 10 can be gathered to one side of the substrate 10 by forming a via hole to package the gas sensor chip 10. During the process, in particular, the bonding between the independent electrode pads positioned on one side of the substrate and the conductive wire may be performed during wire bonding, thereby facilitating the wire bonding operation.
이상에서와 같이 본 발명은 비록 상기의 실시예에 한하여 설명하였지만 여기에만 한정되지 않으며, 본 발명의 범주 및 사상을 벗어나지 않는 범위내에서 여러가지로 변형된 실시예도 가능할 것이다.As described above, although the present invention has been described with reference to the above embodiments, the present invention is not limited thereto, and various modified embodiments may be possible without departing from the scope and spirit of the present invention.
따라서 상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 후막형 가스 센서 칩에 의하면, 적어도 두 개 이상의 가스 감지부와 하나의 가열부를 절연성 기판의 상·하면에 형성시키고 그들을 도전성 비아 홀에 의해 전기적으로 연결시킴으로써 가스 센서 칩의 크기를 소형화시키고, 이에 따라 가스 센서의 소비전력을 감소시킬 수 있는 효과가 있다.Therefore, as described above, according to the thick film gas sensor chip according to the present invention, at least two or more gas detection units and one heating unit are formed on the upper and lower surfaces of the insulating substrate and electrically connected to each other by conductive via holes. The size of the sensor chip can be miniaturized, thereby reducing the power consumption of the gas sensor.
또한, 상기 가스 감지부 및 상기 가열부 각각의 독립 전극들, 즉 전극 패드들을 다른 도전성 비아 홀의 형성에 의해 절연성 기판의 반대면으로 전기적으로 연결시킴으로써 패키지 공정중의 와이어 본딩시에 전극 패드와 와이어사이의 본딩 직업이 용이해지는 효과가 있다.In addition, between the electrode pad and the wire during the wire bonding during the package process by electrically connecting the independent electrodes of the gas sensing unit and the heating unit, that is, the electrode pads to the opposite surface of the insulating substrate by forming another conductive via hole. The bonding job has the effect of facilitating.
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