KR20030058842A - 인터페이스보드 연결구조가 개선된 반도체 웨이퍼 처리장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 인터페이스보드 연결구조가 개선된 반도체 웨이퍼 처리장치에 관한것이다.

소정의 공정을 실시하는 처리챔버와; 상기 처리챔버의 내부에 설치되어 웨이퍼를 안착시키는 히터블럭과; 상기 히터블럭을 승하강시키도록 상기 처리챔버의 하부에 설치되는 히터블럭구동부 및; 상기 히터블럭구동부의 일측에 스페이서를 매개로 상기 히터블럭구동부와 소정의 간격을 두고 설치되어 메인제어부로부터 전달되는 상기 히터블럭에 대한 구동신호를 전달하는 인터페이스보드를 포함한다.

상술한 바와 같이 구성함에 따라 인터페이스보드가 챔버의 공정온도에 의해 가열되는 것을 줄여 커패시터와 같은 소자가 증발하거나 터지는 것을 방지할 수 있다.

그와 같이 커패시터소자의 불량 발생을 줄임에 따라 히터블럭의 무빙동작을 바르게 실시할 수 있도록 하고, 따라서 웨이퍼 손실량을 줄일 수 있는 이점이 있다.

Description

인터페이스보드 연결구조가 개선된 반도체 웨이퍼 처리장치{SEMICONDUCTOR WAFER PROCESSING APPARATUS HAVING INTERFACE BOARD CONNECTING STRUCTURE}

본 발명은 반도체 웨이퍼 처리장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 히터블럭을 무빙시키는 신호를 전달하는 인터페이스보드의 연결구조를 개선하여 그 인터페이스보드에 마련된 각 소자가 챔버의 공정온도에 의해 가열되어 파손되는 것을 해소시키는 인터페이스 연결구조가 개선된 반도체 웨이퍼 처리장치에 관한 것이다.

일반적으로, 반도체 웨이퍼 처리장치는 진공환경을 조성할 수 있는 처리챔버를 이루며, 상기 처리챔버의 내부에는 미처리 된 웨이퍼를 상면에 안착시키는 히터블럭이 마련되고, 상기 처리챔버의 상측에는 공정가스공급장치에 의해 공급되는 공정가스를 유입시켜 상기 처리챔버의 내부로 분사시키는 샤워헤드가 마련된다.

상술한 바와 같은 반도체처리장치는 웨이퍼의 상면에 박막을 형성시키는 CVD(Chemical Vapor Deposition)공정이나, 웨이퍼상의 특정 부분의 물질을 제거하는 식각 공정에서 주로 사용되고 있다.

상기 처리챔버에서는 웨이퍼를 처리하기 위해서 기판을 챔버 안팎으로 이동하는 몇 가지 모션이 있다. 이 모션 중 하나는 스템이 부착된 히터블럭을 상승 및 하강하는 것이다.

도 1은 상술한 히터블럭(1)을 승·하강시키는 히터블럭구동부(2)의 구성을 개략적으로 도시한 도면으로서, 도면에 도시된 바와 같이 히터블럭(1)에는 리프트핀(3)이 설치되어 히터블럭(1)의 상면에 안착된 웨이퍼(W)를 상승시키도록 설치된다.

상기 리프트핀(3)은 웨이퍼(W)를 챔버(4) 안팎으로 이동하는 동안 웨이퍼(W)를 지지하기 위한 것으로서, 상기 리프트핀(3)이 상승된 위치에서 지지되는 웨이퍼(W)의 하부측으로 도시되지 않은 이송암의 통과를 허용하여 웨이퍼(W)를 히터블럭(1)의 상면으로부터 언로딩하고 로딩하는 동작을 정확하게 실시할 수 있도록 한다.

상기 히터블럭(1)의 이동은 상기 히터블럭(1)의 저면에 연결된 스템(5)에 의해 가능하다.

상기 스템(5)은 스템케리어브라켓(7)에 의해 그 저면이 밀봉되고, 상기 스템케리어브라켓(7)은 리드스크루(9)에 외감된 이동체(11)에 의해 연결되어 있다.

상기 챔버(4)의 바닥벽내의 스템(5) 개구는 챔버(4)의 바닥벽에 고정된 벨로우즈조립체(13)에 의해 폐쇄되어 밀봉된다. 벨로우즈조립체(13)는 상부벨로우즈(13a)의 상부에 연결된 고정밀봉판(15)을 포함한다.

중간안내브라켓(17)은 상부벨로우즈(13a)와 하부벨로우즈(13b)사이에 밀봉된다. 하부벨로우즈(13b)는 스템(5)의 단부를 밀봉하는 진공상태에 있으며 벨로우즈조립체(13)에 의해 조립된다.

상기 벨로우즈(13a,13b)의 무빙은 리드스크루(19)와 맞물려 있는 중간안내브라켓(17)에 의해 안내된다.

상기 리드스크루(19)는 구동풀리(21), 구동벨트(23), 피동풀리(25)를 통해서 구동모터(27)에 의해 회전한다.

한편, 상기 히터블럭구동부(2)의 일측에는 메인제어부(미도시)로부터 전달되는 구동신호를 전달하는 인터페이스보드(29)가 설치된다.

상술한 바와 같이 구성된 히터블럭구동부(2)는 도면에 도시된 바와 같이 도시되지 않은 이송블레이드에 의해 상기 리프트핀(3)의 상면에 안착된 상태를 이루면 상기 구동모터(27)의 구동에 의해 구동풀리(21), 구동벨트(23), 피동풀리(25)에 의해 동력이 전달되어 리드스크루(19)를 소정의 방향으로 회전시킨다.

그러면, 상기 리드스크루(19)에 외감된 이동체(11) 및 중간안내브라켓(17)이 상승하고, 따라서 스템(5)이 상승하여 히터블럭(1)을 공정처리 위치로 상승시키며, 이때, 상·하부벨로우즈(13a,13b)는 수축된다.

그와 같이 히터블럭(1)이 상승됨에 따라 리프트핀(3)은 하강하여 웨이퍼(w)를 히터블럭(1)의 상면에 안착시키게 되는 것이다.

한편, 처리된 웨이퍼를 언로딩할 경우에는 상술한 동작의 역순에 의해 행해진다.

상기와 같은 동작하는 히터블럭(1)의 구동신호는 인터페이스보드(29)를 통해 메인제어부로부터 전달받아 구동을 실시하게 된다.

그러나, 종래에는 상술한 바와 같이 인터페이스보드(29)가 구동부에 직접 설치됨에 따라 고온의 분위기에서 소정의 공정을 진행하는 동안 챔버(4)로부터 전열되는 고온의 열이 인터페이스보드(29)에 직접적으로 영향을 끼쳐 상기 인터페이스보드(29)에 마련된 소자 예컨대, 커패시터가 터지거나 증발해 히터블럭(1)의 무빙 동작 시 에러를 발생시킨다는 문제점이 있었다.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위하여 안출 된 것으로서, 본 발명의목적은 인터페이스보드를 히터블럭구동부와 소정의 간격을 두도록 설치하여 고온의 열이 인터페이스보드에 전열되는 것을 감소시켜 히터블럭의 무빙에 있어서 에러가 발생하는 것을 방지하는 인터페이스보드 연결구조가 개선된 반도체 웨이퍼 처리장치를 제공하는 데 있다.

상술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 소정의 공정을 실시하는 처리챔버와; 상기 처리챔버의 내부에 설치되어 웨이퍼를 안착시키는 히터블럭과; 상기 히터블럭을 승하강시키도록 상기 처리챔버의 하부에 설치되는 히터블럭구동부 및; 상기 히터블럭구동부의 일측에 스페이서를 매개로 상기 히터블럭구동부와 소정의 간격을 두고 설치되어 메인제어부로부터 전달되는 상기 히터블럭에 대한 구동신호를 전달하는 인터페이스보드를 포함한다.

도 1은 종래의 반도체 웨이퍼 처리장치의 히터블럭구동부의 구성을 개략적으로 도시한 단면도,

도 2는 본 발명의 일 실시 예에 의한 반도체 웨이퍼 처리장치의 히터블럭구동부의 구성을 개략적으로 도시한 단면도이다.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

1 : 히터블럭2 : 히터블럭구동부

3 : 리프트핀W : 웨이퍼

4 : 챔버5 : 스템

7 : 스템케리어브라켓11 : 이동체

13 : 벨로우즈 17 : 중간안내브라켓

19 : 리드스크루21 : 구동풀리

23 : 구동벨트25 : 피동풀리

30 : 인터페이스보드31 스페이서

이하 첨부된 도면 도 2를 참조하여 본 발명의 일 실시 예에 의한 구성 및 작용에 대해서 더욱 상세히 설명한다.

상기 도 2에서 종래의 구성과 동일한 부분에 대해서는 동일부호를 명기하며, 그에 대한 자세한 설명은 생략한다.

상기 도면에 도시된 바와 같이 본 발명의 다른 점은 메인제어부(미도시)의 신호를 연결하는 인터페이스보드(30)의 고정구조에 있다.

도면에 도시된 바와 같이 인터페이스보드(30)를 스페이서(31)를 매개로 히터블럭구동부(2)의 일측에 설치함에 따라 상기 인터페이스보드(30)를 히터블럭구동부(2)의 소정의 간격(d)을 두고 위치시키게 된다.

그와 같이 소정의 간격(d)을 두고 히터블럭구동부(2)와 인터페이스보드(30) 사이에 공간부를 마련함에 따라 고온의 분위기에서 웨이퍼처리를 실시함에 따라 상기 챔버(4)내의 고온의 열이 히터블럭구동부(2)측으로 전열되고, 그 전열된 열이 다시 인터페이스보드(30)로 직접 전달되어 상기 인터페이스보드(30)에 마련된 커패시터와 같은 소자에 영향이 미치는 것을 줄일 수 있게 되는 것이다.

상술한 바와 같이 본 발명은 히터블럭 무빙 신호를 전달하는 인터페이스보드를 히터블럭구동부와 소정의 간격을 두고 설치함에 따라 상기 인터페이스보드가 챔버의 공정온도에 의해 가열되는 것을 줄여 커패시터와 같은 소자가 증발하거나 터지는 것을 방지할 수 있다.

그와 같이 커패시터소자의 불량 발생을 줄임에 따라 히터블럭의 무빙동작을 바르게 실시할 수 있도록 하고, 따라서 웨이퍼 손실량을 줄일 수 있는 이점이 있다.

이와 같이, 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시 예에 관해 설명하였으나, 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다. 그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 안되며 후술하는 특허청구범위 뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.

Claims (1)

1. 소정의 공정을 실시하는 처리챔버;

   상기 처리챔버의 내부에 설치되어 웨이퍼를 안착시키는 히터블럭;

   상기 히터블럭을 승하강시키도록 상기 처리챔버의 하부에 설치되는 히터블럭구동부 및;

   상기 히터블럭구동부의 일측에 스페이서를 매개로 상기 히터블럭구동부와 소정의 간격을 두고 설치되어 메인제어부로부터 전달되는 상기 히터블럭에 대한 구동신호를 전달하는 인터페이스보드를 포함하는 것을 특징으로 하는 인터페이스보드 연결구조가 개선된 반도체 웨이퍼 처리장치.