KR20030056018A - 포토 마스크 제조방법 - Google Patents
포토 마스크 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20030056018A KR20030056018A KR1020010086170A KR20010086170A KR20030056018A KR 20030056018 A KR20030056018 A KR 20030056018A KR 1020010086170 A KR1020010086170 A KR 1020010086170A KR 20010086170 A KR20010086170 A KR 20010086170A KR 20030056018 A KR20030056018 A KR 20030056018A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- mask substrate
- etching
- material layer
- mask
- pattern
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/80—Etching
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
포토마스크에 패턴을 형성하고자 할 때 발생하는 식각 불균일성을 방지할 수 있는 포토마스크 제조방법을 개시한다. 마스크 기판 상에 패터닝하고자 하는 물질층을 형성하는 단계와, 물질층의 식각하고자 하는 영역의 소정 두께를 식각하는 단계와, 물질층의 두께가 균일해지는 방향으로 마스크 기판을 움직이는 단계, 및 물질층의 식각하고자 하는 나머지 부분을 식각하여 물질층 패턴을 형성하는 단계로 이루어진다.
Description
본 발명은 포토 마스크 제조방법에 관한 것으로, 특히 포토 마스크 상에 균일한 패턴을 형성하는 방법에 관한 것이다.
반도체 제조공정 중 사진공정에 사용되는 포토 마스크는 대부분 정사각형 모양으로 되어 있다. 따라서, 포토 마스크 제작시 건식식각 공정에서 포토 마스크의 모서리 부분에서 발생하는 로딩효과(loading effect)로 인한 불균일성을 해결하기가 어렵다. 또한, 종래에는 건식식각 장치 자체의 문제, 예를 들어 소스전력 인가 장치의 문제로 인한 플라즈마 밀도의 불균일성 또는 가스 플로우 문제로 인한 식각율의 불균일성 등의 문제로 챔버내 불균일성이 생길 경우, 건식식각 공정으로 인한패턴 크기(Critical Dimension; CD)의 변화 및 로딩 효과를 제어하기가 매우 어렵다.
본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 포토 마스크에 패턴을 형성하고자 할 때 발생하는 식각 불균일성을 방지할 수 있는 포토 마스크 제조방법을 제공하는 것이다.
도 1은 종래의 포토 마스크 제조방법을 설명하기 위한 것이다.
도 2는 본 발명의 포토 마스크 제조방법을 설명하기 위하여 간략히 도시한 것이다.
상기 과제를 이루기 위하여 본 발명에 의한 포토 마스크의 제조방법은, 마스크 기판 상에 패터닝하고자 하는 물질층을 형성하는 단계와, 상기 물질층의 식각하고자 하는 영역의 소정 두께를 식각하는 단계와, 상기 물질층의 두께가 균일해지는 방향으로 상기 마스크 기판을 움직이는 단계, 및 상기 물질층의 식각하고자 하는 나머지 부분을 식각하여 물질층 패턴을 형성하는 단계로 이루어진다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 상세하게 설명한다.
도 1 및 도 2는 본 발명의 포토 마스크 제조방법을 종래와 비교하여 설명하기 위하여 간략히 도시한 것으로, 도 1은 종래의 방법을, 도 2는 본 발명의 방법을 나타낸다.
먼저, 도 1의 종래의 방법은, 바이너리(binary) 포토 마스크의 경우 한 번의 건식식각으로 기판 상에 크롬(Cr)막 패턴을 형성한다. 따라서, 포토 마스크 모서리 부분에서의 로딩효과 또는 식각 장치의 문제 등으로 인해 식각된 크롬(Cr)막의 두게가 고르지 않게 된다.
위상반전 마스크의 경우에도, 마스크 기판에 크롬(Cr)막 패턴을 형성한 다음, 마스크의 방향을 그대로 유지하여 위상반전층 식각 챔버로 로딩(loading)하여 식각을 진행한다. 따라서, 불균일한 크롬(Cr)막의 두께가 보상되지 않고 그대로 유지되 채 위상 반전층의 식각 불균일성이 더해지기 때문에 더욱 문제가 심각하다.
도 2의 본 발명의 방법을 보면, 플라즈마를 이용한 건식식각 방법으로 포토 마스크에 패턴을 형성하고자 할 때, 한 번에 식각을 진행하지 않고 여러 단계로 나누어 진행한다. 즉, 일정량 식각을 진행한 다음, 챔버내에서 식각량의 불균일성을 상쇄시키는 방향으로 포토 마스크를 90°, 180° 또는 270° 회전시키거나, 챔버에서 일단 언로딩(unloading)한 다음 포토 마스크의 두께 균일성을 유지할 수 있는 방향으로 움직여서 다시 챔버에 로딩한 후 식각을 진행한다.
위상반전 마스크를 제조하는 경우에는, 크롬(Cr)막 식각시 공정 중 포토 마스크를 움직이는 것은 물론, 위상반전층을 식각하기 전에 크롬(Ar)막 식각 시 발생한 불균일성을 상쇄하는 방향으로 다시 포토 마스크를 움직인 다음 식각을 진행한다.
이와 같은 포토 마스크를 형성하기 위한 식각은 플라즈마를 이용한 건식식각 장비에서 이루어지는데, 반응성 이온 식각장비(reactive ion etcher), 자기 강화반응성 이온식각 장비(megnetically enhanced reactive ion etcher) 또는 이온의 밀도와 에너지를 독립적으로 조절할 수 있는 고밀도 플라즈마(hogh density plasma) 장비 등에서 진행할 수 있다.
도 1 및 도 2에서, 도면 참조번호 "10", "30", "50"은 포토 마스크를 나타내고, "20"과 "40"은 식각챔버를 나타낸다.
이상 본 발명을 상세히 설명하였으나 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 후술되는 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상과 범주내에서 당업자에 의해 여러 가지 변형이 가능하다.
상술한 본 발명에 의한 포토 마스크 제조방법에 따르면, 마스크 기판 상에 패턴을 형성하여 포토 마스크를 제조하기 위한 식각 공정을 여러 단계로 나누어 진행하고 각 단계 사이에 포토 마스크의 위치 또는 방향을 변화시켜 로딩효과 또는 식각 장치의 문제 등으로 인한 패턴 크기의 불균일성, 식각 프로파일의 불균일성 등의 문제를 해소할 수 있다. 이로 인해 포토 마스크 제조시 실패율을 감소시킬 수 있고 결과적으로 반도체 제조공정의 수율을 향상시킬 수 있다.
Claims (3)
- 마스크 기판 상에 패터닝하고자 하는 물질층을 형성하는 단계;상기 물질층의 식각하고자 하는 영역의 소정 두께를 식각하는 단계;상기 물질층의 두께가 균일해지는 방향으로 상기 마스크 기판을 움직이는 단계; 및상기 물질층의 식각하고자 하는 나머지 부분을 식각하여 물질층 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토 마스크 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 마스크 기판을 움직이는 단계에서,상기 마스크 기판을 식각장비 내에서 회전시키거나, 상기 마스크 기판을 식각장비 외부로 언로딩하여 위치를 이동시킨 다음 다시 로딩하는 것을 특징으로 하는 포토 스크 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 마스크 기판을 움직이는 단계에서,상기 물질층의 두께가 고르게 되는 방향으로 상기 마스크 기판을 90°, 180° 또는 270° 회전시키는 것을 특징으로 하는 포토 마스크 제조방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020010086170A KR20030056018A (ko) | 2001-12-27 | 2001-12-27 | 포토 마스크 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020010086170A KR20030056018A (ko) | 2001-12-27 | 2001-12-27 | 포토 마스크 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20030056018A true KR20030056018A (ko) | 2003-07-04 |
Family
ID=32214241
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020010086170A KR20030056018A (ko) | 2001-12-27 | 2001-12-27 | 포토 마스크 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20030056018A (ko) |
-
2001
- 2001-12-27 KR KR1020010086170A patent/KR20030056018A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20100163187A1 (en) | Plasma processing apparatus | |
| EP1686422B1 (en) | Method for photomask plasma etching using a protected mask | |
| US20060166108A1 (en) | Method for etching a molybdenum layer suitable for photomask fabrication | |
| US20080131789A1 (en) | Method for photomask fabrication utilizing a carbon hard mask | |
| US20090325387A1 (en) | Methods and apparatus for in-situ chamber dry clean during photomask plasma etching | |
| US7879510B2 (en) | Method for quartz photomask plasma etching | |
| US20050070111A1 (en) | Etching method and computer storage medium storing program for controlling same | |
| KR101333744B1 (ko) | 포토리소그래픽 레티클을 프로세싱하기 위한 방법 | |
| EP1960834B1 (en) | Improved method for etching photolithographic substrates | |
| US10115572B2 (en) | Methods for in-situ chamber clean in plasma etching processing chamber | |
| US20080142476A1 (en) | Multi-step photomask etching with chlorine for uniformity control | |
| EP2024987B1 (en) | Temperature control method for photolithographic substrate | |
| KR20000057762A (ko) | 크롬 마스크 형성 방법 | |
| KR20030056018A (ko) | 포토 마스크 제조방법 | |
| JP2007189153A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US11557485B2 (en) | Plasma processing method and plasma processing apparatus | |
| JPH1098023A (ja) | パターン形成方法 | |
| KR100281866B1 (ko) | 플라즈마 에칭 및 플라즈마 중합을 사용하여 집적 회로를제조함에 있어서의 임계 치수 제어 방법 | |
| KR100559621B1 (ko) | 유니폴라형 정전척을 갖춘 건식 식각 장비의 식각 방법 | |
| JP2003017470A (ja) | 反応性イオンエッチング装置 | |
| KR100816203B1 (ko) | 웨이퍼 내 패턴 균일화를 위한 반도체 장치 제조용 노광 방법 | |
| KR100599927B1 (ko) | 포토마스크 제작용 레지스트 베이크 장치 | |
| KR20020073816A (ko) | 반도체 소자 제조를 위한 에칭 장치 및 방법 | |
| KR20100127116A (ko) | 향상된 시디 균일도를 갖는 포토마스크 제조방법 | |
| JP2000133574A (ja) | Ｘ線露光マスク |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |