KR20030055662A - Electrostatic chuck - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 정전 척에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 히터 기능을 갖는 전극을 생략하면서 웨이퍼가 안착되는 표면을 실리콘 러버로서 커버되게 하므로서 웨이퍼의 열팽창에 의한 파티클 생성이 방지되도록 하는 정전 척에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electrostatic chuck, and more particularly, to an electrostatic chuck which prevents particle generation due to thermal expansion of the wafer while the surface on which the wafer is seated is covered with silicon rubber while omitting an electrode having a heater function.
일반적으로 반도체를 제조하는 공정에서 반도체 웨이퍼의 노광, CVD(화학 기상 증착), 스퍼터링등의 성막 공정이나 미세가공, 에칭, 다이싱과 같은 공정에는 반도체 웨이퍼를 가공기의 소정 부위에 고정 및 유지시키기 위한 유지수단이 필요하다.In general, in the process of manufacturing a semiconductor, in order to fix and hold the semiconductor wafer to a predetermined part of the processing machine in a film forming process such as exposure of a semiconductor wafer, chemical vapor deposition (CVD), sputtering, or a process such as microfabrication, etching, or dicing. Maintenance means are needed.
특히 반도체 웨이퍼상에 미세한 패턴을 묘화하여 다수의 반도체 소자를 형성하는 집적회로의 제작을 위해서는 반드시 반도체 웨이퍼를 평탄한 면에 확실하게 유지시켜야만 한다.In particular, in order to fabricate an integrated circuit in which a plurality of semiconductor elements are formed by drawing a fine pattern on the semiconductor wafer, the semiconductor wafer must be reliably held on a flat surface.
반도체 웨이퍼를 유지시키는 수단으로서 종래에는 기계식, 진공식 및 전기식의 척 장치를 사용하였는바 이 중에서도 전기식 척 장치인 정전 척은 평탄하지 않은 반도체 웨이퍼라도 밀착성있게 고정할 수 있는 동시에 취급이 간편하고 진공중이라도 사용이 용이하다는 이점 때문에 그 사용 분야가 점차 증가하고 있는 추세이다.Conventionally, mechanical, vacuum, and electric chuck devices have been used as a means for holding semiconductor wafers. Among them, electrostatic chucks, which are electric chuck devices, can securely hold even uneven semiconductor wafers in close contact, and are easy to handle, even in vacuum. The field of use is increasing because of its ease of use.
또한 반도체 웨이퍼의 가공 중에는 빔 입자등과의 충돌에 의해서 반도체 웨이퍼상에는 열에너지가 발생하게 되는데 이 발생 열에너지에 의해서 반도체 웨이퍼의 국부적 팽창 및 변형을 초래하기도 하므로 반드시 정전 척은 반도체 웨이퍼상의 온도 분포를 균일하게 유지시킬 수 있어야만 한다.In addition, during the processing of the semiconductor wafer, thermal energy is generated on the semiconductor wafer due to collision with beam particles, etc. The thermal energy of the semiconductor wafer causes local expansion and deformation of the semiconductor wafer. Must be able to.
따라서 정전 척은 반도체 웨이퍼를 소정 부위에 확실하게 유지시킴과 동시에 열전도성이 높아야 하는 기능이 요망된다.Therefore, the electrostatic chuck is desired to maintain the semiconductor wafer in a predetermined region reliably and to have high thermal conductivity.
정전 척에는 통상 재질이 산화알루미늄(Al2O3)으로 이루어지는 것과 바이폴라 방식으로 CVD공정에 의해 생성되는 전기 전도성 세라믹스 PG(Pyrolytic Graphite)와 전기 절연성 세라믹스 PBN(Pyrolytic Boron Nitride)의 두 종류 물질을 복합시킨 PBN 정전 척이 주로 사용되고 있다.The electrostatic chuck is composed of two materials, usually composed of aluminum oxide (Al 2 O 3 ), bipolar method, electrically conductive ceramic pyrolytic graphite (PG) and electrically insulating ceramic pyrolytic boron nitride (PBN). PBN electrostatic chucks are mainly used.
이중 PBN 정전 척은 산화알루미늄 재질의 정전 척보다는 열전도율이 우수한 이점이 있어 최근에 그 사용이 증가하고 있다.The dual PBN electrostatic chuck has an advantage of superior thermal conductivity than the electrostatic chuck made of aluminum oxide, and its use has recently increased.
이러한 PBN 정전 척은 도 1에 도시한 바와같이 본체(1)는 열변형에 강한 그라파이트 재질로서 이루어진다.In the PBN electrostatic chuck, as shown in FIG. 1, the main body 1 is made of a graphite material resistant to heat deformation.
본체(1)에는 외부를 CVD 공정에 의해 불순물이 첨가되지 않은 PBN으로서 베이스 코팅층(2)을 성막하고, 상부면과 하부면으로는 PG 전극(3)을 성막하면서 이들을 각각 패터닝한다.In the main body 1, the base coating layer 2 is formed as PBN without impurities added to the outside by a CVD process, and the PG electrodes 3 are patterned while forming upper and lower surfaces, respectively.
PG 전극(3)의 패터닝시 일측면에는 척킹용 PG 전극(3a)을 형성하고, 그와 대응되는 타측면에는 히터용 PG 전극(3b)을 형성하게 된다.During patterning of the PG electrode 3, the chucking PG electrode 3a is formed on one side, and the heater PG electrode 3b is formed on the other side thereof.
한편 PG 전극(3)을 포함하여 그 외부를 전체적으로 소정의 두께로서 불순물이 포함된 PBN을 도포하여 오버 코팅층(4)을 형성한다.Meanwhile, the overcoating layer 4 is formed by coating PBN containing impurities with a predetermined thickness as a whole, including the PG electrode 3.
이렇게 해서 제작되는 PBN 정전 척은 전술한 바와같이 금속의 정전 척보다는 열전도율이 우수한 반면 강도는 강하면서 부드러운 특징이 있으나 마모에는 다소 약한 단점이 있다.As described above, the PBN electrostatic chuck manufactured as described above has better thermal conductivity than the electrostatic chuck of metal, but has a strong and soft characteristic, but has a weak point in wear.
따라서 웨이퍼가 정전 척에 안착되어 공정을 수행하게 될 때 고온고압의 공정 분위기에서 웨이퍼가 열팽창하게 됨에따라 정전 척의 오버 코팅층(4)과 웨이퍼의 접촉면간 마찰을 유발하게 되고, 이때 PBN 재질의 오버 코팅층(4)이 마모되면서 다량의 파티클을 발생하게 된다.Therefore, when the wafer is seated on the electrostatic chuck and the process is performed, the wafer is thermally expanded in a process atmosphere of high temperature and high pressure, thereby causing friction between the contacting surface of the overcoating layer 4 of the electrostatic chuck and the wafer, wherein the overcoating layer of PBN material As (4) is worn out, a large amount of particles are generated.
이러한 파티클 생성은 결국 웨이퍼가 이송되는 이후의 공정에서 웨이퍼의 배면에 부착되어 이송되므로 가공 효율을 저하시키게 되는 동시에 자칫 공정 불량으로까지 발전하여 치명적으로 경제적 손실을 초래하게 되는 심각한 문제를 동반하게 된다.This particle generation is attached to the back of the wafer in the process after the wafer is finally transported to reduce the processing efficiency and at the same time it is accompanied with a serious problem that will lead to fatal economic losses to develop into a poor process.
따라서 본 발명은 상술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 발명된 것으로서, 본 발명의 목적은 웨이퍼가 척킹되는 표면을 유연한 재질인 실리콘 러버로서 구비하여 웨이퍼의 열팽창을 방지시킴에 따라 웨이퍼와의 면접촉에 따른 파티클 생성이 극소화되도록 하므로서 공정 불량이 방지되게 하여 공정 효율 및 제품의 품질이 향상될 수 있도록 하는데 있다.Accordingly, the present invention has been invented to solve the above-mentioned problems of the prior art, and an object of the present invention is to provide a surface on which the wafer is chucked as a silicon rubber made of a flexible material to prevent thermal expansion of the wafer, thereby preventing contact with the wafer. By minimizing the particle generation according to the above to prevent the process defects to improve the process efficiency and product quality.
또한 본 발명은 재질 변경과 구성의 간소화가 가능토록 하므로서 제조 비용이 절감될 수 있도록 하는데 다른 목적이 있다.In addition, the present invention has another object to enable the manufacturing cost can be reduced by allowing the material change and the configuration to be simplified.
도 1은 종래 웨이퍼 척킹용 정전 척을 도시한 측단면도,1 is a side cross-sectional view showing a conventional electrostatic chuck for wafer chucking,
도 2는 본 발명에 따른 정전 척의 일실시예를 도시한 측단면도,2 is a side cross-sectional view showing one embodiment of an electrostatic chuck in accordance with the present invention;
도 3은 본 발명에 따른 정전 척의 다른 실시예를 도시한 측단면도.Figure 3 is a side cross-sectional view showing another embodiment of the electrostatic chuck in accordance with the present invention.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings
10 : 본체 20 : 베이스 코팅부10: main body 20: base coating
30 : 전극부 40 : 오버 코팅부30: electrode portion 40: overcoating portion
50 : 웨이퍼 안착부50: wafer seat
이와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 공정 챔버의 내부에서 내측에 구비되는 그라파이트 재질의 본체와: 상기 본체의 외부를 불순물을 제거한 PBN으로서 일정한 두께로 증착시킨 베이스 코팅부와: 상기 베이스 코팅부의 상측 표면에 PG를 일정한 두께로 증착시켜 패터닝한 전극부와; 상기 전극부 하부의 상기 베이스 코팅부의 외부를 일정한 두께의 불순물을 함유한 PBN으로 증착시킨 오버 코팅부와;패터닝한 상기 전극부의 상부로 균일한 두께로서 접합시킨 실리콘 러버의 웨이퍼 척킹부로서 구비되어 웨이퍼의 열팽창에 따른 상기 웨이퍼와의 면마찰이 저감되도록 하는데 가장 두드러진 특징이 있다.In order to achieve the above object, the present invention provides a body of graphite material which is provided inside of a process chamber, and includes: a base coating part having a predetermined thickness deposited on the outside of the body as PBN removing impurities: an upper side of the base coating part. An electrode portion patterned by depositing PG to a predetermined thickness on a surface thereof; An overcoating portion formed by depositing an outer portion of the base coating portion under the electrode portion with PBN containing impurities having a predetermined thickness; a wafer provided as a wafer chucking portion of silicon rubber bonded to the upper portion of the patterned electrode portion with a uniform thickness; The most noticeable feature is to reduce the surface friction with the wafer due to thermal expansion of.
또한 본 발명은 공정 챔버의 내부에서 내측에 구비되는 그라파이트 재질의 본체와: 상기 본체의 외부를 불순물을 제거한 PBN으로서 일정한 두께로 증착시킨 베이스 코팅부와: 상기 베이스 코팅부의 상측 표면에 PG를 일정한 두께로 증착시켜 패터닝한 전극부와; 패터닝한 상기 전극부의 상부로 균일한 두께로서 접합시킨 실리콘 러버의 웨이퍼 척킹부로서 구비되어 웨이퍼의 열팽창에 따른 상기 웨이퍼와의 면마찰이 저감되도록 하는 구성으로도 가능하다.In another aspect, the present invention is a graphite body body provided in the interior of the process chamber: a base coating portion which is deposited to a predetermined thickness as a PBN to remove the impurities from the outside of the main body and: a constant thickness of PG on the upper surface of the base coating portion An electrode portion patterned by vapor deposition; It is also possible to provide a wafer chucking portion of a silicon rubber bonded to the upper portion of the patterned electrode portion with a uniform thickness so as to reduce surface friction with the wafer due to thermal expansion of the wafer.
이하 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면에 의하여 더욱 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2는 본 발명에 따른 일실시예 구성을 도시한 것이다.2 illustrates an embodiment configuration according to the present invention.
본 실시예에서 정전 척은 크게 본체(10)와 베이스 코팅부(20)와 전극부(30)와 오버 코팅부(40) 및 웨이퍼 척킹부(50)로 이루어지는 구성이다.In the present embodiment, the electrostatic chuck is composed of a main body 10, a base coating part 20, an electrode part 30, an overcoating part 40, and a wafer chucking part 50.
본 실시예 구성에서 본체(10)는 내부에서 열변형이 방지되도록 심재로서 구비되는 구성으로, 이때의 본체(10)는 그라파이트 재질로서 형성한다.In the present embodiment configuration, the main body 10 is configured as a core material to prevent thermal deformation therein, and the main body 10 at this time is formed of a graphite material.
베이스 코팅부(20)는 절연성 재질로서 본체(10)의 외부를 소정의 두께로서 균일하게 커버하는 구성으로, 베이스 코팅부(20)로서 적용되는 재질로는 불순물을 제거한 PBN을 사용한다.The base coating part 20 is an insulating material and uniformly covers the outside of the main body 10 with a predetermined thickness, and the material applied as the base coating part 20 uses PBN from which impurities are removed.
전극부(30)는 베이스 코팅부(20)의 상측면으로 PG를 일정한 두께로서 도포한후 패터닝하여 정전기력이 발생되도록 하는 구성이다.The electrode unit 30 is configured to apply PG to a top surface of the base coating unit 20 at a predetermined thickness and then pattern the electrostatic force.
그리고 오버 코팅부(40)는 상기 전극부(30)가 형성되는 베이스 코팅부(20)의 상측면을 제외하고, 측면과 하부면으로 일정한 두께로서 증착시킨 절연층으로서, 이때 사용되는 재질은 불순물을 함유한 PBN을 사용한다.The overcoating part 40 is an insulating layer deposited on the side and bottom surfaces of the base coating part 20 on which the electrode part 30 is formed, with a predetermined thickness. PBN containing is used.
상기의 구성에서 본체(10)와 베이스 코팅부(20)의 형성 구성은 종전의 정전 척과 대동소이하다.In the above configuration, the configuration of the main body 10 and the base coating portion 20 is substantially the same as the conventional electrostatic chuck.
다만 본 발명에서는 정전기력을 발생하는 전극부(30)를 베이스 코팅부(20)의 상부면으로 소정의 두께로 증착시켜 이를 필요로 하는 형상으로 패터닝하여 형성되도록 하고, 히터용 전극은 생략되도록 하는데 특징이 있다.In the present invention, however, the electrode part 30 generating the electrostatic force is deposited on the upper surface of the base coating part 20 to a predetermined thickness so as to be formed by patterning it into a shape that requires it, and the electrode for the heater is omitted. There is this.
또한 베이스 코팅부(20)에는 오버 코팅부(40)를 상부면측으로 구비되는 전극부(30)의 형성면을 제외한 측면과 하부면으로만 형성하고, 전극부(30)가 형성되는 베이스 코팅부(20)의 상부면으로는 전극부(30)를 포함하여 실리콘 러버로서 웨이퍼 척킹부(50)가 구비되도록 하는데 가장 두드러진 특징이 있다.In addition, the base coating part 20 is formed of only the side and the bottom surface except for the forming surface of the electrode portion 30 provided with the over-coating portion 40 to the upper surface side, the base coating portion in which the electrode portion 30 is formed The upper surface of the 20 is the most prominent feature of the electrode chuck 30 including the wafer chucking portion 50 as a silicon rubber.
다시말해 본 발명은 단순히 웨이퍼를 척킹할 수 있는 기능만 갖고 히팅 기능을 생략토록 하면므로서 웨이퍼의 열팽창이 방지되도록 하고, 이러한 웨이퍼와 면접촉하게 되는 표면은 실리콘 러버로서 형성되게 하므로서 웨이퍼와의 면접촉상태에서의 면마찰에 의한 마모발생이 억제되도록 하는 것이다.In other words, the present invention merely prevents the thermal expansion of the wafer by simply chucking the wafer and omitting the heating function, and the surface which is in contact with the wafer is formed as a silicon rubber, so that the surface of the wafer The wear caused by the surface friction in the contact state is to be suppressed.
실리콘 러버는 통상 200℃ 이하에서는 열변형되지 않으면서 부드러운 질감을 갖는 재질이다.Silicone rubber is generally a material having a soft texture without thermal deformation at 200 ° C or lower.
이러한 실리콘 러버에 의해 형성되는 웨이퍼 척킹부(50)의 웨이퍼가 안치되는 면은 도시한 바와같이 평탄면으로 형성되도록 하는 것이 바람직하다.The surface on which the wafer of the wafer chucking portion 50 formed by the silicon rubber is placed is preferably formed to be a flat surface as shown.
따라서 본 발명은 웨이퍼를 200℃ 이상으로 히팅해야 하는 공정에서는 사용이 불가하다.Therefore, the present invention cannot be used in a process in which the wafer must be heated to 200 ° C or higher.
특히 상기한 구성에서 오버 코팅부(40)는 스테인레스 스틸 합금(SUS)를 사용할 수도 있다.In particular, in the above configuration, the overcoat part 40 may use a stainless steel alloy (SUS).
한편 본 발명은 도 3에서와 같은 구성으로도 형성이 가능하다.On the other hand, the present invention can be formed in the configuration as shown in FIG.
즉 심재로서 내부에는 그라파이트로서 본체(10)를 형성하고, 이 본체(10)의 외부에는 불순물을 제거한 PBN으로 베이스 코팅부(20)가 형성되며, 베이스 코팅부(20)의 상측면으로는 PG를 일정한 두께로서 도포한 후 패터닝하여 전극부(30)가 형성되도록 하는 구성은 전기한 실시예의 구성과 동일하다.That is, the core 10 is formed inside the core 10 as graphite, and the base coating 20 is formed of PBN from which impurities are removed from the outside of the main body 10, and PG is formed on the upper surface of the base coating 20. Is coated with a predetermined thickness and then patterned to form the electrode portion 30 is the same as the configuration of the above embodiment.
상기한 구성에서 본 실시예는 전극부(30)가 형성되는 베이스 코팅부(20)의 상측면으로 실리콘 러버를 접합시켜 웨이퍼 척킹부(50)가 형성되도록 하는데 특징이 있다.In the above configuration, the present embodiment is characterized in that the wafer chucking unit 50 is formed by bonding the silicon rubber to the upper surface of the base coating unit 20 on which the electrode unit 30 is formed.
다시말해 본 실시예는 전기한 실시예의 구성에 비해 오버 코팅부(40)가 생략되도록 하는데 차이가 있다.In other words, the present embodiment is different in that the over-coating portion 40 is omitted compared to the configuration of the above embodiment.
이때의 웨이퍼 척킹부(50)는 웨이퍼가 안치되는 면이 평탄면으로 형성되도록 한다.At this time, the wafer chucking unit 50 allows the surface on which the wafer is placed to be formed as a flat surface.
이는 전기한 실시예의 구성보다도 더욱 간소화되는 구성으로 형성되도록 하는 것으로서, 본 실시예의 구성이 가능하게 되는 이유는 단순히 히팅 기능을 생략하고, 웨이퍼 척킹 기능만 하도록 함에 있다.This is to be formed in a configuration that is more simplified than the configuration of the above embodiment, the reason that the configuration of the present embodiment is possible is to simply omit the heating function, only the wafer chucking function.
특히 본 실시예의 구성에서 베이스 코팅부(20)는 PBN 대신 스테인레스 스틸 합금(SUS)을 사용하는 것도 가능하다.In particular, in the configuration of the present embodiment, the base coating part 20 may use stainless steel alloy (SUS) instead of PBN.
이렇게 본 발명은 종래의 정전 척이 척킹 기능과 함께 히팅 기능을 동시에 갖도록 하는데 반해 오로지 척킹 기능만 하도록 하면서 웨이퍼를 척킹하게 되는 면을 보다 부드러운 재질로서 형성되게 하므로서 웨이퍼와의 마찰에 따른 마모가 최소화되도록 하는 것이다.As such, the present invention allows the electrostatic chuck to have both a chucking function and a heating function at the same time, whereas only the chucking function is provided so that the surface on which the wafer is chucked is formed of a softer material so that wear due to friction with the wafer is minimized. It is.
따라서 종전에는 베이스 코팅부의 상측면과 하측면으로 각각 척킹용 전극과 히터용 전극을 별도로 구비되게 하므로서 열변형 및 절연성이 구성의 형성에 대단히 중요하였다.Therefore, in the past, thermal deformation and insulation were very important in forming the configuration by separately providing the chucking electrode and the heater electrode on the upper and lower surfaces of the base coating part.
하지만 반도체 제조 공정에서 각 공정 중 웨이퍼를 척킹하는 부위에서의 웨이퍼를 직접적으로 가열시켜야 하는 공정은 극소수에 불과하다.However, very few processes in the semiconductor manufacturing process require direct heating of the wafer at the site of chucking the wafer.
다시말해 특별한 공정에서만이 웨이퍼를 직접 가열시킬 필요가 있으나 대부분의 공정에서는 단순한 웨이퍼 척킹 기능만을 사용한다.In other words, it is only necessary to heat the wafer directly in special processes, but most processes use only simple wafer chucking.
그러나 현재 반도체 설비에 사용되는 정전 척은 웨이퍼를 척킹하면서 가열하는 기능을 동시에 갖는 구성을 적용하고 있으므로 대부분의 공정에서는 불필요한 히팅 구성이 부가되는 비경제적인 단점이 있었다.However, the current electrostatic chuck used in the semiconductor equipment is applied to the configuration that has the function of simultaneously heating the chucking wafer, there is an uneconomical disadvantage that unnecessary heating configuration is added in most processes.
이에 본 발명은 척킹 기능만 갖도록 하므로서 보다 구성이 간소화되도록 하는 하는데 하나의 특징이 있다.The present invention has one feature to simplify the configuration by having only the chucking function.
그리고 웨이퍼가 접촉하게 되는 면으로 웨이퍼와의 면마찰에 의한 마모가 방지되도록 부드러운 질감을 갖는 실리콘 러버를 사용하여 웨이퍼 척킹부(50)가 구비되도록 하는데 또 다른 특징이 있는 것이다.In addition, the wafer chucking unit 50 may be provided by using a silicon rubber having a soft texture to prevent abrasion caused by surface friction with the wafer.
정전 척에서 웨이퍼가 안치되는 면으로 본 발명과 같이 실리콘 러버로서 웨이퍼 척킹부(50)를 형성하게 되면 웨이퍼 척킹부(50)에 웨이퍼가 안치되면서 면마찰하게 되더라도 면마찰에 의한 마모를 최대한 방지시킬 수가 있게 되는 것이다.When the wafer chucking portion 50 is formed as a silicon rubber as the surface of the electrostatic chuck as the present invention, even if the surface is rubbed while the wafer is placed on the wafer chucking portion 50, the wear caused by the surface friction can be prevented as much as possible. It becomes the number.
이같은 웨이퍼와의 마찰은 종전의 정전 척에 히팅 기능이 부가되어 있으므로 해서 웨이퍼를 직접 가열하게 됨에 따라 웨이퍼의 열팽창시 접촉면간 발생되는 것인바 본 발명에서는 히팅 기능이 생략되므로서 웨이퍼의 열팽창을 방지하게 될 뿐만 아니라 접촉면간의 마찰이 방지되면서 안치면의 마모가 방지될 수 있도록 하는 것이다.Such friction with the wafer is generated between the contact surfaces during the thermal expansion of the wafer by heating the wafer directly because the heating function is added to the previous electrostatic chuck bar in the present invention to avoid the thermal expansion of the wafer while the heating function is omitted In addition, the friction between the contact surface is prevented to prevent wear of the settling surface.
이렇게 본 발명은 히터용 전극형성을 생략하므로서 웨이퍼의 열팽창이 방지되도록 하면서 특히 웨이퍼가 안치되는 면으로 부드러운 질감을 갖는 실리콘 러버로서 웨이퍼 척킹부(50)를 구비하여 웨이퍼와의 면마찰에 의한 마모가 최소화되게 하므로서 파티클 생성을 극소화시키는 동시에 사용수명이 보다 연장될 수 있도록 하는 것이다.As such, the present invention prevents thermal expansion of the wafer while omitting the formation of the electrode for the heater, and is provided with a wafer chucking unit 50 as a silicon rubber having a smooth texture, especially on the surface where the wafer is placed, thereby preventing wear due to surface friction with the wafer. By minimizing particle generation, the service life is extended even further.
한편 상기한 설명에서 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나, 그들은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다는 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다.On the other hand, while many matters have been described in detail in the above description, they should be construed as illustrative of preferred embodiments rather than to limit the scope of the invention.
따라서 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 의하여 정하여 질 것이 아니고 특허 청구범위에 기재된 기술적 사상에 의해 정하여져야 한다.Therefore, the scope of the present invention should not be defined by the described embodiments, but should be determined by the technical spirit described in the claims.
상술한 바와 같이 본 발명에 의하면 웨이퍼 히팅이 불필요한 공정에서 히팅용 전극을 생략하므로서 구성을 간소화하고, 웨이퍼와의 마찰력을 최소화하여 파티클 생성을 극소화하므로서 반도체 수율이 향상될 수 있도록 하는 장점이 있다.As described above, according to the present invention, there is an advantage that the semiconductor yield can be improved by simplifying the configuration by omitting the heating electrode in a process that does not require wafer heating and minimizing the particle generation by minimizing friction with the wafer.
또한 본 발명은 내구력을 증강시키게 됨과 함께 보다 저렴한 제작이 가능토록 하므로서 경제적 이점을 제공하는 매우 유용한 효과가 있다.In addition, the present invention has a very useful effect of providing an economic advantage while enabling a more inexpensive production while increasing durability.
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