KR20030055504A - 박막트랜지스터를 이용한 디지털 엑스레이 검출기 제조방법 - Google Patents
박막트랜지스터를 이용한 디지털 엑스레이 검출기 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
Description
Claims (8)
- 패드영역과 TFT 영역 그리고 스토리지 커패시터 영역을 갖는 하부기판상에 정의한 후, 제 1 마스크로 각각의 영역에 게이트 전극을 형성하는 단계와;상기 결과물 상부에 게이트 절연막을 형성하고, 제 2 마스크로 에치 스톱층을 형성하는 단계와;상기 TFT 영역에 제 3 마스크로 액티브층을 형성하는 단계와;상기 스토리지 커패시터 영역의 게이트 전극이 노출되도록 제 4 마스크로 콘택홀을 형성하는 단계와;상기 에치 스톱층이 소정부분 노출되도록 제 5 마스크로 소오스/드레인 전극을 형성함과 동시에 스토리지 커패시터 영역 및 패드영역에 제 1 금속막을 형성하는 단계와;상기 결과물 상부에 보호막을 형성하고, 상기 소오스/드레인 전극이 노출되도록 제 6 마스크로 비아홀을 형성하는 단계와;상기 비아홀을 통해 제 7 마스크로 상기 소오스/드레인 전극과 접촉되는 화소전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 TFT를 이용한 DXD 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 스토리지 커패시터 영역에 형성된 게이트 전극, 게이트 절연막 그리고제 1 금속막으로 제 1 스토리지 커패시터를 완성하고, 상기 제 1 금속막, 보호막 그리고 화소전극으로 제 2 스토리지 커패시터를 완성하는 것을 특징으로 하는 TFT를 이용한 DXD 제조방법.
- 제 1 항 내지 제 2 항에 있어서,상기 게이트 절연막과 보호막은 유전체막인 것을 특징으로 하는 TFT를 이용한 DXD 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 게이트 절연막과 보호막은 SiNx, SiON, SiOx및 아크릴 레진, 유기물 중 어느 하나 혹은 복합층인 것을 특징으로 TFT를 사용한 DXD 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 화소전극은 ITO, IZO, 투명한 실리사이드층인 것을 특징으로 하는 TFT를 사용한 DXD 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 콘택홀에 의해 소오스/드레인 전극과 게이트 전극이 연결되는 것을 특징으로 하는 TFT를 이용한 DXD 제조방법.
- 패드영역과 TFT 영역 그리고 스토리지 커패시터 영역을 갖는 하부기판상에 정의한 후, 제 1 마스크로 각각의 영역에 게이트 전극을 형성하는 단계와;상기 결과물 상부에 게이트 절연막을 형성하고, 제 2 마스크로 에치 스톱층을 형성하는 단계와;상기 TFT 영역에 제 3 마스크로 액티브층을 형성하는 단계와;상기 스토리지 커패시터 영역의 게이트 전극이 노출되도록 제 4 마스크로 콘택홀을 형성하는 단계와;상기 에치 스톱층이 소정부분 노출되도록 제 5 마스크로 소오스/드레인 전극을 형성함과 동시에 스토리지 커패시터 영역과 패드영역에 각각 제 1 금속막을 형성하는 단계와;상기 스토리지 커패시터 영역의 제 1 금속막상에 제 6 마스크로 제 1 투명 금속막을 형성하는 단계와;상기 결과물 상부에 보호막을 형성하고, 상기 소오스/드레인 전극이 노출되도록 제 7 마스크로 비아홀을 형성하는 단계와;상기 비아홀을 통해 제 8 마스크로 상기 소오스/드레인 전극과 접촉되는 화소전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 TFT를 이용한 DXD 제조방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 스토리지 커패시터 영역의 게이트 전극과 게이트 절연막 그리고 제 1 금속막으로 제 1 스토리지 커패시터를 완성하고, 상기 제 1 투명 금속막과 보호막 그리고 화소전극으로 제 2 스토리지 커패시터를 완성하는 것을 특징으로 하는 TFT를 이용한 DXD 제조방법.
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