KR20030053345A - 웨이퍼 검사방법 - Google Patents

웨이퍼 검사방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20030053345A
KR20030053345A KR1020010083524A KR20010083524A KR20030053345A KR 20030053345 A KR20030053345 A KR 20030053345A KR 1020010083524 A KR1020010083524 A KR 1020010083524A KR 20010083524 A KR20010083524 A KR 20010083524A KR 20030053345 A KR20030053345 A KR 20030053345A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
overlay mark
inspection method
inspection
image
Prior art date
Application number
KR1020010083524A
Other languages
English (en)
Inventor
정명안
Original Assignee
동부전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 동부전자 주식회사 filed Critical 동부전자 주식회사
Priority to KR1020010083524A priority Critical patent/KR20030053345A/ko
Publication of KR20030053345A publication Critical patent/KR20030053345A/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605Workpiece metrology
    • G03F7/70616Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70633Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

본 발명은 오버레이 마크를 이용하여 얼라인과 웨이퍼 매핑을 자동으로 해결할 수 있는 웨이퍼 검사 방법에 관한 것으로서, 본 발명의 웨이퍼 검사방법은 검사 장비에 칩 크기에 대한 정보를 입력하는 단계와, 다이 매핑을 하는 단계와, 오버레이 마크에 대한 정보를 입력하는 단계와, 오버레이 마크의 위치를 검출하는 단계와, 웨이퍼 검사를 진행하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.

Description

웨이퍼 검사방법{Inspection method of wafer}
본 발명은 반도체 웨이퍼의 검사방법에 관한 것으로서, 특히 오버레이 마크를 이용하여 얼라인과 웨이퍼 매핑을 자동으로 해결할 수 있는 웨이퍼 검사 방법에 관한 것이다.
웨이퍼 검사 공정은 반도체가 고밀도 고집적 미세화로 급속도로 발전하면서 그 중요도 및 비중이 커지고 있다.
최근 반도체 공정은 0.24㎛ tech에 이어, 0.18㎛, 0.13㎛로 미세화 되어지는 경향이 있다. 따라서, 과거에는 그 중요도가 낮게 생각되었던 웨이퍼 검사 공정의 중요도가 높아지고 이러한 웨이퍼 검사의 공정이 없이는 공정을 진행할 수가 없는 상태에 이르렀다.
상기와 같은 웨이퍼 검사 방법에는 크게 다이 단위 검사방법(Die to Die Inspection)과 셀 단위 검사방법(Cell to Cell Inspection)이 있다.
다이 단위 검사방법은 2개 이상의 동일한 형태의 칩(chip)이 존재할 경우 마이크로 렌즈(Microlens)로 동일 선상의 패턴을 검사한 후, 첫 번째 칩의 이미지는 이미지 컴퓨터에 저장되고 두 번째 칩의 동일 위치의 패턴을 검사하여 그 이미지와 상기 컴퓨터에 저장된 이미지의 콘트라스트(contrast)의 차이를 비교하여 콘트라스트의 차이가 발생할 경우에 해당 이미지를 결함(defect)로 검출하는 방식으로 1장의 웨이퍼에 여러 가지의 칩을 패터닝할 경우에 유리하며 주로 포토(photo) 공정이 끝난 후 사용되어 진다.
셀 단위 검사방법은 1개의 칩 내에 동일한 모양의 패턴이 반복적으로 형성되어져 있을 경우, 마이크로 렌즈로 반복되는 패턴의 수직 방향으로 검사하면서 선행 패턴과 바로 뒤에 반복되어지는 패턴을 검사하여 이미지 컴퓨터에서 두 이미지의 콘트라스트의 차이를 비교하여 콘트라스트의 차이가 발생할 경우에 해당 패턴을 결함으로 검출하는 방식으로 1장의 웨이퍼에 반복적인 패턴을 가진 칩이 반복적으로 형성되어져 있을 때 유리한 방식이며 주로 웨이퍼 검사를 시행하는 공정에서 사용되어지고 있다.
상기와 같은 웨이퍼 검사공정은 반도체 공정 전반에 걸쳐서 사용되어 지는 방법으로 특히 감광막을 웨이퍼에 도포한 후 현상 방법에 의해서 패턴을 형성시키는 포토 공정과, 감광막에 의한 패턴을 기초로 하여 필름(film)을 식각하여 회로를 형성시키는 식각 공정에서 주로 사용되어 지고 있으며, 또한 웨이퍼에 필름을 형성시키는 확산, 박막 공정과, 웨이퍼의 세정을 주로 하는 웨트(wet) 공정에서도 공정의 안정성을 판단하기 위해서 사용되어 지는 기술이다.
이하, 도면을 참조하여 종래 기술에 따른 웨이퍼 검사방법을 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 종래 기술에 따른 웨이퍼 검사방법을 나타낸 흐름도이다.
먼저, 도 1에 도시한 바와 같이, 기준 웨이퍼의 이미지를 저장한다(S101).
상기 기준 웨이퍼의 이미지를 저장하기 전에 웨이퍼를 검사하기 위해서는 먼저 선행되어져야 할 것이 있다. 검사하고자 하는 칩의 크기와 웨이퍼 내에서의 칩의 배치 즉, 다이 매핑(Die mapping) 등이 우선적으로 행해져야 한다.
상기 기준 웨이퍼의 이미지를 저장한 상태에서 측정하고자 하는 웨이퍼를 마이크로 렌즈 아래에 위치시키고 마이크로 렌즈 내로 들어오는 이미지를 측정(S102)하여 상기 컴퓨터가 저장하고 있는 기준 웨이퍼의 이미지를 비교(S103)하여 동일한 이미지라고 판단하여 검사를 시작한다(S104).
그러나, 종래 기술에 따른 웨이퍼 검사방법은 다음과 같은 문제점이 있었다.
종래의 검사방법의 경우 하나의 레시피(recipe)를 셋 업(set-up)하기 위해서는 측정하고자 하는 웨이퍼와 동일한 종류의 웨이퍼 즉, 기준 웨이퍼가 요구된다. 그러나, 반도체 공정의 특성상 동일한 소자 내에서도 수십 가지의 층(layer)가 존재하게 되며 그 각각의 층의 레시피를 셋 업 하기 위해서는 해당 층의 기준 웨이퍼가 필요하게 되어 진다.
또한, 동일한 소자의 동일한 층이라 할지라도 측정하고자 하는 웨이퍼의 필름(film) 상태와 공정 조건에 따라서 검사의 레시피를 다시 셋 업 해야 하기 때문에 상당한 시간이 소요되는 단점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 기준 웨이퍼의 필요없이 효과적으로 레시피를 셋 업 할 수 있는 웨이퍼 검사방법을 제공하는데 목적이 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 웨이퍼 검사방법을 나타낸 흐름도.
도 2는 본 발명에 따른 웨이퍼 검사방법을 설명하기 위한 흐름도.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 웨이퍼 검사방법은 검사 장비에 칩 크기에 대한 정보를 입력하는 단계와, 다이 매핑을 하는 단계와, 오버레이 마크에 대한 정보를 입력하는 단계와, 오버레이 마크의 위치를 검출하는 단계와, 웨이퍼 검사를 진행하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 오버레이 마크의 위치는 센서를 이용하여 검출하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 웨이퍼 검사방법은 오버레이 마크를 이용하기 때문에 기준 웨이퍼가 요구되지 않으며 웨이퍼의 얼라인 및 다이 매핑(Die mapping)을 자동적으로 수행할 수 있다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 웨이퍼 검사방법을 상세히 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명의 웨이퍼 검사방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
일반적으로, 포토리소그래피 공정 진행시 감광막에 패턴을 형성시키게 되면 이전 층(layer)과 현 층(layer)의 오버랩(overlap) 정도를 확인하기 위해서 오버레이 마크가 반드시 형성되어진다.
상기 오버레이 마크는 일반적으로 내측 박스와 외측 박스로 구성된다.
본 발명은 상기와 같은 오버레이 마크를 이용하는데 구성상 특징이 있다.
도 2에 도시한 바와 같이, 먼저 검사 장비에 칩 크기에 대한 정보를 입력한다(S201). 여기서의 칩 정보는 후술할 단계의 다이 매핑의 기본적인 정보로 사용된다.
이어, 상기 입력된 칩 크기의 정보를 이용하여 컴퓨터가 다이 매핑을 수행한다(S202).
상기 다이 매핑을 수행한 후, 상기 컴퓨터에 상기 오버레이 마크에 대한 정보를 입력한다(S203). 상기 오버레이 마크에 대한 정보는 오버레이 마크의 위치에 관련된 정보이다.
이 때, 상기 오버레이 마크의 종류는 본 발명에 무관하게 적용할 수 있다.
이어, 검사할 웨이퍼가 검사 장비에 투입되면 상기 오버레이 마크의 위치를 검출한다(S204). 이 때, 상기 오버레이 마크의 위치는 센서를 이용하여 측정하는데, 정확히는 상기 칩 크기의 정보와 오버레이 마크 정보를 이용하여 오버레이 마크에 빛을 주사하여 발생하는 신호를 센서를 이용하여 다이 매핑과 얼라인을 진행시키는 것이다.
이 때, 상기 센서는 어떤 종류의 센서를 사용해도 무방하다.
상기와 같이, 다이 매핑과 얼라인을 진행(S205)시킴으로써 본 발명의 웨이퍼 검사 방법은 완료된다.
본 발명의 웨이퍼 검사방법은 전술한 바와 같이, 기준 웨이퍼가 요구되지 않으며 따라서, 이미지 처리 또한 필요치 않게 된다.
상술한 바와 같은 본 발명의 웨이퍼 검사방법은 다음과 같은 효과가 있다.
기준 웨이퍼가 요구되지 않음에 따라 레시피 셋 업 시간이 단축되며 데이터의 이미지 처리 시간이 없어져 검사 시간이 된다.
또한, 동일 웨이퍼의 층간 결함 발생 유형을 효과적으로 파악할 수 있는 장점이 있다.

Claims (2)

  1. 검사 장비에 칩 크기에 대한 정보를 입력하는 단계;
    다이 매핑을 하는 단계;
    오버레이 마크에 대한 정보를 입력하는 단계;
    오버레이 마크의 위치를 검출하는 단계;
    웨이퍼 검사를 진행하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 오버레이 마크의 위치는 센서를 이용하여 검출하는 것을 특징으로 웨이퍼 검사방법.
KR1020010083524A 2001-12-22 2001-12-22 웨이퍼 검사방법 KR20030053345A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020010083524A KR20030053345A (ko) 2001-12-22 2001-12-22 웨이퍼 검사방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020010083524A KR20030053345A (ko) 2001-12-22 2001-12-22 웨이퍼 검사방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20030053345A true KR20030053345A (ko) 2003-06-28

Family

ID=29577932

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020010083524A KR20030053345A (ko) 2001-12-22 2001-12-22 웨이퍼 검사방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20030053345A (ko)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000208575A (ja) * 1999-01-08 2000-07-28 Schlumberger Technol Inc 形状特徴に基づく欠陥検出方法及び装置
KR20010018786A (ko) * 1999-08-23 2001-03-15 윤종용 반도체 웨이퍼의 취약부 검사방법
KR20010039251A (ko) * 1999-10-29 2001-05-15 윤종용 정상패턴과 칩의 패턴을 비교하므로써 레티클 패턴의 결함을 검사하는 방법
JP2001168160A (ja) * 1999-12-07 2001-06-22 Sony Corp 半導体ウェハの検査システム

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000208575A (ja) * 1999-01-08 2000-07-28 Schlumberger Technol Inc 形状特徴に基づく欠陥検出方法及び装置
KR20010018786A (ko) * 1999-08-23 2001-03-15 윤종용 반도체 웨이퍼의 취약부 검사방법
KR20010039251A (ko) * 1999-10-29 2001-05-15 윤종용 정상패턴과 칩의 패턴을 비교하므로써 레티클 패턴의 결함을 검사하는 방법
JP2001168160A (ja) * 1999-12-07 2001-06-22 Sony Corp 半導体ウェハの検査システム

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4336672B2 (ja) 試料検査装置、試料検査方法及びプログラム
JP2007064843A (ja) 試料検査装置、試料検査方法及びプログラム
US9099353B2 (en) Method and system for determining overlap process windows in semiconductors by inspection techniques
US4778745A (en) Defect detection method of semiconductor wafer patterns
US20230288346A1 (en) Method for aligning to a pattern on a wafer
US7160650B2 (en) Method of inspecting a mask
JP2009294123A (ja) パターン識別装置、パターン識別方法及び試料検査装置
KR20030053345A (ko) 웨이퍼 검사방법
JPH09211840A (ja) レチクルの検査方法及び検査装置並びにパターンの検査方法及び検査装置
CN111426701B (zh) 一种晶圆缺陷检测方法及其装置
KR100779922B1 (ko) 반도체 소자 검사 시스템
KR100523653B1 (ko) 반도체 소자의 사진 공정 마진 검사 방법
US6316277B1 (en) Tuning substrate/resist contrast to maximize defect inspection sensitivity for ultra-thin resist in DUV lithography
US20030211411A1 (en) Method for monitoring focus in lithography
KR20000012913A (ko) 반도체장치의 비트라인 컨택 검사방법
KR100611398B1 (ko) 웨이퍼 패턴의 균일도 검사 방법
KR20030000990A (ko) 반도체 기판의 오버레이 측정방법
JP2008282885A (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
JP2003224061A (ja) 合わせずれ測定方法
KR19990004117A (ko) 선폭 측정에 의한 마스크 검사방법
KR100807520B1 (ko) 노광 장비의 cd 및 오버래이 정밀도 측정 방법
KR100611069B1 (ko) 얼라인 마크를 이용하여 오버레이 보정 및 정렬 보정을수행하는 방법
KR0168353B1 (ko) 넌패턴 웨이퍼의 검사방법
JPS58103151A (ja) 半導体基板の検査方法
CN111430259A (zh) 一种用于半导体工艺中显影后的硅片检测装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application