KR20030052825A - A jet device for providing developer in the lithography process - Google Patents

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KR20030052825A
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Abstract

PURPOSE: A developing solution jetting apparatus of a semiconductor developing equipment is provided to be capable of minimizing the surface damage of a wafer and uniformly jetting a developing solution by improving the structure of the apparatus. CONSTITUTION: A circular housing(30) is installed and connected with one side of an inflow pipe(38), wherein the inflow pipe(38) is supplied with a developing solution. A plate(37) is installed in the center portion of the housing(30). At this time, the plate(37) includes a plurality of flow paths(35) for forming space portions(A,B) in the housing(30). A plurality of jetting ports(32) are installed at the lower portion of the housing(30). A plurality of drop restraining parts(36) are installed in the jetting ports for decelerating the jetting speed of the developing solution.

Description

반도체 현상장비의 현상액 분사장치 {A jet device for providing developer in the lithography process}A developer device for semiconductor developer equipment {A jet device for providing developer in the lithography process}

본 발명은 반도체 현상장비의 현상액 분사장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 웨이퍼에 현상액을 분사시키는 분사공을 동심원 방향으로 다수개 구비하고, 낙하억제부를 구비함으로써 현상액을 골고루 웨이퍼에 도포시켜 웨이퍼의 현상불량이 되는 것을 방지함과 아울러 현상액의 크리티컬 디멘젼(Critical Dimension, 이하 "CD"라 약칭함) 편차를 줄일 수 있도록 한 반도체 현상장비의 현상액 분사장치에 관한 것이다.The present invention relates to a developer injector for a semiconductor developing device, and more particularly, to a plurality of injection holes for injecting a developer onto a wafer in a concentric manner, and to providing a drop suppression unit to apply the developer to the wafer to develop the wafer. The present invention relates to a developer injector for semiconductor developing equipment which prevents defects and reduces variation in the critical dimensions of the developer (hereinafter, referred to as "CD").

일반적으로 반도체의 제조공정 중 포토리소그래피(photo lithography) 공정은 웨이퍼 상에 원하는 패턴을 형성시키기 위한 공정으로서, 먼저 세척 및 건조를 마친 웨이퍼의 표면에 포토레지스트(photo resist)를 균일하게 도포시키고, 그 위에 소정 레이아웃으로 형성된 포토마스크상의 특정 패턴에 따라 노광공정을 수행하며, 이렇게 노광된 포토레지스트층의 불필요한 부위를 현상액으로 제거함으로써, 요구되는 패턴으로 형성하는 공정을 말한다.In general, photolithography is a process for forming a desired pattern on a wafer during semiconductor manufacturing. First, a photoresist is uniformly applied to the surface of the wafer after cleaning and drying. Exposure process is performed according to the specific pattern on the photomask formed in the predetermined layout above, and it removes the unnecessary part of the exposed photoresist layer with a developing solution, and it forms the process into a required pattern.

이러한 반도체의 포토리소그래피 공정 중 노광된 포토레지스트층의 불필요한 부위를 현상액으로 제거하는 현상공정의 방식은 크게 습식(Wetting)방식과 건식(Dry)방식으로 구분되고, 이 중 습식방식에는 푸들(puddle)방식, 연속플로우(Continous flow)방식 및 딥(Dip)방식 등이 있다.The development process of removing unnecessary portions of the exposed photoresist layer with the developer during the photolithography process of the semiconductor is largely divided into a wet method and a dry method, of which a puddle is used in the wet method. Method, continuous flow method and dip method.

또한, 노즐을 갖추고 현상액을 분사하면서 현상공정을 수행하는 방식에는 스트림(Stream)방식, 스프레이(Spray)방식, 멀티스트림/멀티스프레이(Multi stream or Multi spray)방식 등이 있으며, 웨이퍼 상에 현상액을 공급하는 분사노즐이 다수개 설치되어, 현상액을 웨이퍼 상에 분사 공급하는 멀티스트림/멀티스프레이 방식이 일반적으로 널리 쓰이고 있다.In addition, a developing method with a nozzle and spraying a developing solution includes a stream method, a spray method, a multistream / multi spray method, and a developer on a wafer. A plurality of spray nozzles for supplying are provided, and a multistream / multispray method for spraying and supplying a developer onto a wafer is generally used.

상기 멀티스트림/멀티스프레이 방식은 첨부도면 도 1에 도시된 바와 같은 현상액 분사장치(20)를 통해 이루어지며, 이를 상세히 살펴보면 웨이퍼(10)의 상측에서 현상액을 분사할 수 있도록 분사노즐(12)이 직사각형 하우징으로 된 지지대(14) 하면에 다수개 형성되어 있어, 외부의 현상액 공급장치(미도시)로부터 유입관(16)을 통해 현상액이 지지대(14)로 유입되면, 상기 지지대(14) 하면에 형성된 다수개의 분사노즐(12)을 따라 하측의 웨이퍼(10)로 현상액이 분사되도록 되어 있다. 이때, 하측의 웨이퍼(10)는 별도의 척(미도시)에 의해 고정되어 상기 분사장치(20)에서 현상액이 분사될 때, 현상액이 웨이퍼(10) 상에 골고루 도포될 수 있도록 상기 척과 함께 180도 회전하도록 되어 있다.The multi-stream / multi spray method is performed through the developer spraying device 20 as shown in FIG. 1. In detail, the spray nozzle 12 is sprayed to spray the developer from the upper side of the wafer 10. A plurality of rectangular housings are formed on the lower surface of the support 14, and when the developer flows into the support 14 from the external developer supply device (not shown) through the inlet pipe 16, the support 14 is provided on the lower surface of the support 14. The developer is injected into the lower wafer 10 along the plurality of injection nozzles 12 formed. At this time, the lower wafer 10 is fixed by a separate chuck (not shown) so that when the developer is injected from the injector 20, the developer 180 is uniformly coated on the wafer 10 so that the developer can be evenly applied. It is also intended to rotate.

그러나, 상기와 같은 분사장치(20)를 통해 현상액이 웨이퍼(10) 상에 분사되게 되면, 우선 분사노즐(12)의 분사압에 의해 웨이퍼(10)의 표면이 손상될 우려가 있어 결과적으로 패턴 손상이 발생할 수 있었고, 상기 분사노즐(12)의 크기 및 설치 위치가 상기 웨이퍼(10) 중심 부위의 상측에 정렬되지 아니하면 현상액이 웨이퍼(10) 상에 골고루 도포되는 것이 불가능하였다.However, when the developer is injected onto the wafer 10 through the above-described injector 20, the surface of the wafer 10 may be damaged by the injection pressure of the injection nozzle 12, resulting in a pattern. Damage could occur, and the developer could not be evenly applied on the wafer 10 unless the size and the installation position of the injection nozzle 12 were aligned above the center portion of the wafer 10.

또한, 상기 분사장치(20)에서 현상액이 분출될 때 상기 웨이퍼(10)가 회전하여 현상액이 웨이퍼(10) 전체면에 골고루 미치도록 되어 있기 때문에, 상기 웨이퍼(10)의 중심부와 원주면부와의 도포 두께의 차이가 발생할 수밖에 없었다. 즉, 분사장치(20)로부터 단위시간당 분사되는 현상액은 일정한 반면, 중심부는 회전반경이 작아 일회전을 기준으로 원주면부에 현상액이 분사되는 양에 비해 더 많은 현상액에 노출될 수가 있었다. 이에 따라, 상기 웨이퍼가 척에 의해 고속으로 스핀 회전되더라도 웨이퍼(10) 표면의 위치에 따라 현상 균일도에 차이가 나타나 웨이퍼(10) 중심과 테두리간 CD차이를 초래하게 되었다.In addition, when the developer is ejected from the injector 20, the wafer 10 is rotated so that the developer evenly spreads over the entire surface of the wafer 10. The difference in the coating thickness was bound to occur. That is, while the developer injected from the injector 20 per unit time is constant, the center has a small radius of rotation, and thus the developer may be exposed to more developer than the amount of developer injected into the circumferential surface based on one rotation. Accordingly, even if the wafer is spin-rotated at a high speed by the chuck, there is a difference in the development uniformity according to the position of the surface of the wafer 10, resulting in a CD difference between the center of the wafer 10 and the edge.

또한, 웨이퍼(10) 상에 현상액이 최초로 도포되는 부분과 웨이퍼(10)의 회전이 정지하기 직전에 분사된 현상액에 노출되는 부분의 경계에서 마이크로 버블이 발생하여 이는 공정불량의 문제로 이어질 수밖에 없었다.In addition, microbubbles are generated at the boundary between the part where the developer is first applied on the wafer 10 and the part exposed to the developer injected before the rotation of the wafer 10 is stopped, which inevitably leads to a process defect. .

또한, 충분한 양의 현상액을 공급하기 위해서는 현상액 분사노즐(12)의 높이와 분사압력을 높여야 하기 때문에 불필요한 작업공수가 발생하여 공정 시간이 연장되는 문제점 등이 있었다.In addition, in order to supply a sufficient amount of developer, it is necessary to increase the height and injection pressure of the developer injection nozzle 12, thereby causing unnecessary work labor and prolonging the process time.

본 발명은 상기와 같은 종래의 제반 문제점을 감안하여 안출된 것으로, 웨이퍼 상에 현상액을 도포할 때 웨이퍼의 표면손상을 최소화하고, 현상액이 균일하게 도포되어 CD 편차를 줄일 수 있는 현상액 분사장치를 제공함에 발명의 목적이 있다.The present invention has been made in view of the above-mentioned conventional problems, to minimize the surface damage of the wafer when applying the developer on the wafer, and to provide a developer injection device that can reduce the CD deviation by uniformly applied developer. There is an object of the invention.

도 1은 종래의 현상액 분사장치를 도시한 사시도1 is a perspective view showing a conventional developer injection device

도 2는 종래의 현상액 분사장치를 도시한 측면도Figure 2 is a side view showing a conventional developer injection device

도 3은 본 발명의 현상액 분사장치를 도시한 사시도Figure 3 is a perspective view showing a developer injection device of the present invention

도 4는 도 3의 저면도4 is a bottom view of FIG. 3

도 5는 도 3의 측단면도5 is a side cross-sectional view of FIG.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *

10 : 웨이퍼 12 : 분사노즐10: wafer 12: injection nozzle

14 : 지지대 16,38 : 유입관14: support 16,38: inlet pipe

30 : 하우징 32 : 분사공30 housing 32 injection hole

34 : 단턱 35 : 유로34: step 35: euro

36 : 낙하억제부 37 : 플레이트36: drop suppression part 37: plate

39 : 완곡면 20, 40 : 분사장치39: wagon surface 20, 40: injector

A,B : 공간부A, B: space part

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은 반도체 웨이퍼 상측의 소정 위치에 설치되어, 웨이퍼 상측에서 상기 웨이퍼의 상면에 현상액을 공급하도록 구비된 반도체 현상장비의 현상액 분사장치에 있어서, 현상액이 공급되는 유입관의 일측에 연결 구비된 원형 하우징과; 상기 하우징의 내부에 공간부를 형성하도록 다수개의 유로가 형성된 채 구비된 플레이트와; 상기 하우징의 하부에 구비된 다수개의 분사공;을 포함하여 이루어진 것을 기술적 특징으로 한다.The present invention for achieving the above object is installed in a predetermined position on the upper side of the semiconductor wafer, the developing solution injector of the semiconductor developing equipment provided to supply the developing solution to the upper surface of the wafer from the wafer, the inflow that the developer is supplied A circular housing provided connected to one side of the tube; A plate provided with a plurality of flow paths formed to form a space in the housing; It characterized in that it comprises a; a plurality of injection holes provided in the lower portion of the housing.

상기 분사공 각각의 내부에는 분사공으로부터 웨이퍼 상으로 토출되는 현상액의 속도를 감속시키기 위해 완곡면을 갖춘 나팔관 모양의 낙하억제부가 삽입 구비되되, 상기 낙하억제부는 상기 하우징의 내측에 구비된 플레이트에 각각 고정된 것을 특징으로 한다.Each of the injection holes is provided with a fallopian-shaped fall suppression portion having a curved surface to reduce the speed of the developer discharged from the injection hole onto the wafer, wherein the drop suppression portions are each provided on a plate provided inside the housing. It is characterized in that fixed.

상기 낙하억제부의 하면은 상기 분사공으로부터 토출되는 현상액이 상기 낙하억제부의 완곡면을 따라 원만하게 흘러내리도록 하기 위해 상기 분사공의 크기보다 더 크게 형성된 것을 특징으로 한다.The lower surface of the drop suppression portion is larger than the size of the injection hole so that the developer discharged from the injection hole flows smoothly along the curved surface of the drop suppression portion.

상기 분사공은 하우징으로 유입된 현상액이 분사공을 통해 하측으로 직접 분사되지 않고, 하우징 하부에 고였다가 흘러 넘쳐 간접 분사되도록 하기 위해 상기 하우징의 하부 내측에 단턱을 갖추도록 일정부분 함입되어 형성된 것을 특징으로 한다.The injection hole is formed to be partially embedded to have a step in the lower inner portion of the housing in order to allow the developer flowed into the housing is not directly injected through the injection hole to the lower side, but accumulated in the housing lower and flows indirectly. It is done.

또한, 상기 분사공의 크기는 상기 하우징의 중심부로부터 원주면부로 갈수록 증대되도록 구비되어 있고, 상기 분사공은 상기 하우징의 하부에 동심원 방향으로정렬되어 구비된 것을 특징으로 한다.In addition, the size of the injection hole is provided so as to increase from the center of the housing toward the circumferential surface portion, the injection hole is characterized in that provided in the concentrically arranged in the lower portion of the housing.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 예시도면에 의거 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3을 참조하여 설명하면, 본 발명은 반도체 웨이퍼 상측의 소정 위치에 설치되어, 웨이퍼 상측에서 상기 웨이퍼의 상면에 현상액을 공급하도록 구비된 반도체 현상장비의 현상액 분사장치에 있어서, 현상액이 공급되는 유입관(38)의 일측에 연결 구비된 원형 하우징(30)과; 상기 하우징(30)의 내부에 공간부(A,B)를 형성하도록 다수개의 유로(35)가 형성된 채 구비된 플레이트(37)와; 상기 하우징(30)의 하부에 구비된 다수개의 분사공(32);을 포함하여 이루어져 있다.Referring to FIG. 3, the present invention is provided at a predetermined position on an upper side of a semiconductor wafer, and in a developing solution injector of a semiconductor developing apparatus provided to supply a developing solution to an upper surface of the wafer from an upper side of the wafer, where the developer is supplied. A circular housing 30 connected to one side of the tube 38; A plate (37) provided with a plurality of flow paths (35) formed to form spaces (A, B) in the housing (30); It comprises a; a plurality of injection holes 32 provided in the lower portion of the housing 30.

그리고, 도 5를 참조하여 설명하면, 상기 분사공(32) 각각의 내부에는 분사공(32)으로부터 웨이퍼(10) 상으로 토출되는 현상액의 속도를 감속시키기 위해 완곡면(39)을 갖춘 나팔관 모양의 낙하억제부(36)가 삽입 구비되되, 상기 낙하억제부(36)는 상기 하우징(30)의 내측에 구비된 플레이트(37)에 각각 고정되어 있다.Referring to FIG. 5, each of the injection holes 32 has a shape of a fallopian tube having a curved surface 39 to reduce the speed of the developer discharged from the injection holes 32 onto the wafer 10. The fall suppression portion 36 is inserted, the fall suppression portion 36 is fixed to the plate 37 provided on the inside of the housing 30, respectively.

상기 낙하억제부(36)의 하면은 상기 분사공(32)으로부터 토출되는 현상액이 상기 낙하억제부(36)의 완곡면(39)을 따라 원만하게 흘러내리도록 하기 위해 상기 분사공(32)의 크기보다 더 크게 형성되어 있다.The lower surface of the drop suppression portion 36 may allow the developer discharged from the injection hole 32 to smoothly flow along the curved surface 39 of the drop suppression portion 36. It is larger than its size.

상기 분사공(32)은 하우징(30)으로 유입된 현상액이 분사공(32)을 통해 하측으로 직접 분사되지 않고, 하우징(30) 하부에 고였다가 흘러 넘쳐 간접 분사되도록하기 위해 상기 하우징(30)의 하부 내측에 단턱(34)을 갖추도록 일정부분 함입되어 형성되어 있다.The injection hole 32 is such that the developer flowing into the housing 30 is not directly injected downward through the injection hole 32, but accumulated in the lower portion of the housing 30 and flows indirectly to indirectly spray the housing 30. It is formed to be recessed to have a stepped portion 34 in the lower inner side.

상기 분사공(32)의 크기는 상기 하우징(30)의 중심부로부터 원주면부로 갈수록 증대되도록 되어 있고, 상기 분사공(32)은 상기 하우징의 하부에 동심원 방향으로 정렬되어 구비되어 있으며, 상기 분사공(32)은 바람직하게 원형으로 형성되어 있다.The size of the injection hole 32 is to be increased from the central portion of the housing 30 toward the circumferential surface portion, the injection hole 32 is arranged in the concentric direction in the lower portion of the housing, the injection hole 32 is preferably formed in a circular shape.

이와 같이 구성된 본 발명은 유입관을 통해 유입된 현상액이 분사공을 통해 웨이퍼로 직접 분사되지 않아 분사압에 의한 웨이퍼의 표면손상을 방지할 수 있고, 동심원방향으로 크기가 다르게 형성된 분사공에서 현상액이 흘러나오므로 웨이퍼가 고속으로 스핀 회전되면 웨이퍼의 중심부와 원주면부를 막론하고 웨이퍼 전체면에 현상액이 고르게 도포될 수 있는 것이다.According to the present invention configured as described above, the developer introduced through the inlet pipe is not directly injected into the wafer through the injection hole, thereby preventing the surface damage of the wafer due to the injection pressure, and the developer from the injection hole formed differently in the concentric direction. If the wafer is spin-rotated at high speed, the developer may be evenly applied to the entire surface of the wafer regardless of the center portion and the circumferential surface of the wafer.

즉, 외부의 분사공급장치로부터 현상액이 분사장치(40)에 공급되면, 유입관(38)을 따라 상기 원형 하우징(30)의 내부로 현상액이 유입되고, 유입된 현상액은 하우징(30) 내부의 플레이트(37) 위에서 잠시 유동한 후, 플레이트(37)에 형성된 다수개의 유로(35)를 따라 하측으로 토출되게 된다.That is, when the developer is supplied to the injection device 40 from an external injection supply device, the developer is introduced into the circular housing 30 along the inlet pipe 38, and the developer is introduced into the housing 30. After flowing for a while on the plate 37, it is discharged downward along the plurality of flow paths 35 formed in the plate 37.

이후, 상기 플레이트(37)를 통과해 토출된 현상액은 하우징(30) 하면에 일시 고였다가 유입되는 현상액이 증가하면 상기 하우징(30) 내측으로 함입된 분사공(32)의 단턱(34)을 넘어 하측으로 토출되는 것이다. 이때, 상기 분사공(32)의 크기는 하우징(30)의 중심부에서 원주면부로 갈수록 증대되므로, 토출되는 현상액은 중심부에서 원주면부로 갈수록 많아지게 되는 것이다.Thereafter, the developer discharged through the plate 37 temporarily accumulates on the bottom surface of the housing 30, and when the developer flows therein, the developer exceeds the step 34 of the injection hole 32 embedded in the housing 30. It is discharged to the lower side. At this time, since the size of the injection hole 32 increases from the center of the housing 30 toward the circumferential surface portion, the developing solution discharged increases from the center to the circumferential surface portion.

상술한 바와 같이 분사공(32)의 단턱(34)을 넘어 토출되는 현상액은 상기 분사공(32) 내부에 구비된 낙하억제부(36)의 외면을 타고 흘러내려 하우징(30) 하측에 구비된 웨이퍼(10)로 낙하하게 되는 것이다.As described above, the developer discharged over the step 34 of the injection hole 32 flows down the outer surface of the drop suppression portion 36 provided in the injection hole 32 and is provided below the housing 30. It will fall to the wafer 10.

상기 현상액은 유입관(38)을 통해 하우징(30)으로 유입되어 플레이트(37) 상면의 공간부(A)와 하측의 공간부(B)를 지나면서 유속이 감속하고, 상기 하우징(30)의 하부에 구비된 분사공(32)의 단턱(34)과 낙하억제부(36)의 완곡면(39)을 따라 흐르면서 감속된 상태로 웨이퍼(10) 상면에 도포될 수 있는 것이다.The developing solution flows into the housing 30 through the inflow pipe 38 to reduce the flow rate while passing through the space A on the upper surface of the plate 37 and the space B below. It can be applied to the upper surface of the wafer 10 in a decelerated state while flowing along the step 34 of the injection hole 32 provided in the lower portion and the curved surface 39 of the drop suppression portion 36.

따라서, 분사공급장치로부터 공급된 현상액은 하우징의 내부와 다수개의 분사공을 통해 토출되게 되고, 상기 분사공 내부의 낙하억제부를 통해 완만하게 흘러 웨이퍼 상면으로 낙하하게 되고, 이후 척에 의해 웨이퍼가 고속으로 스핀 회전되면 웨이퍼의 중심부와 원주면부에 도포되는 현상액 균일성일 이루어지게 되는 것이다.Therefore, the developer supplied from the injection supply device is discharged through the interior of the housing and the plurality of injection holes, and gently flows through the drop suppression part inside the injection hole to fall to the upper surface of the wafer, and then the wafer is quickly moved by the chuck. When the spin is rotated, the developer uniformity is applied to the central portion and the peripheral surface of the wafer.

이상에서 설명한 바와 같이 본 발명은 분사장치를 통해 현상액이 웨이퍼에 도포될 때, 시간차이로 인해 웨이퍼 상에 발생할 수 있는 마이크로 버블의 형성을 억제하고, 웨이퍼의 중심부와 원주면부의 구별없이 균일하게 현상액이 도포될 수 있게 된 것이다.As described above, the present invention suppresses the formation of micro bubbles that may occur on the wafer due to time difference when the developer is applied to the wafer through the injector, and uniformly develops the developer without distinguishing between the center portion and the circumferential surface portion of the wafer. This can be applied.

또한, 현상액이 자유 낙하하여 웨이퍼 상에 자연스럽게 도포됨으로써 종래 강한 분사압에 의해 발생할 수 있었던 웨이퍼의 표면손상이나 버블현상을 미연에방지할 수 있는 것이다.In addition, since the developer falls freely and is naturally applied onto the wafer, it is possible to prevent surface damage and bubble development of the wafer, which may have been caused by a strong injection pressure in the past.

따라서, 현상액이 웨이퍼 전면에 동시에 골고루 도포됨으로써 현상 균일도가 향상되고, CD 균일도를 향상시킬 수 있어 공정개선에 큰 효과가 있는 것이다.Therefore, developing uniformity is evenly applied to the entire surface of the wafer at the same time, thereby improving the development uniformity and improving the CD uniformity, thereby greatly improving the process.

Claims (6)

반도체 웨이퍼 상측의 소정 위치에 설치되어, 웨이퍼 상측에서 상기 웨이퍼의 상면에 현상액을 공급하도록 구비된 반도체 현상장비의 현상액 분사장치에 있어서,In the developer injection device of the semiconductor developing equipment is provided at a predetermined position on the upper side of the semiconductor wafer, and provided to supply the developing solution to the upper surface of the wafer from the upper side of the wafer, 현상액이 공급되는 유입관(38)의 일측에 연결 구비된 원형 하우징(30)과;A circular housing 30 connected to one side of the inflow pipe 38 through which the developer is supplied; 상기 하우징(30)의 내부에 공간부(A,B)를 형성하도록 다수개의 유로(35)가 형성된 채 구비된 플레이트(37)와;A plate (37) provided with a plurality of flow paths (35) formed to form spaces (A, B) in the housing (30); 상기 하우징(30)의 하부에 구비된 다수개의 분사공(32);을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 현상장비의 현상액 분사장치.And a plurality of injection holes (32) provided in the lower portion of the housing (30). 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 분사공(32) 각각의 내부에는 분사공(32)으로부터 웨이퍼(10) 상으로 토출되는 현상액의 속도를 감속시키기 위해 완곡면(39)을 갖춘 나팔관 모양의 낙하억제부(36)가 삽입 구비되되, 상기 낙하억제부(36)는 상기 하우징(30)의 내측에 구비된 플레이트(37)에 각각 고정된 것을 특징으로 하는 반도체 현상장비의 현상액 분사장치.Each fall of the injection hole 32 is provided with a fallopian tube-shaped drop suppression portion 36 having a curved surface 39 to reduce the speed of the developer discharged from the injection hole 32 onto the wafer 10. The drop suppression portion 36 is fixed to the plate 37 provided on the inside of the housing 30, respectively, the developer injection device of the semiconductor development equipment. 제 2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 낙하억제부(36)의 하면은 상기 분사공(32)으로부터 토출되는 현상액이 상기 낙하억제부(36)의 완곡면(39)을 따라 원만하게 흘러내리도록 하기 위해 상기 분사공(32)의 크기보다 더 크게 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 현상장비의 현상액 분사장치.The lower surface of the drop suppression portion 36 may allow the developer discharged from the injection hole 32 to smoothly flow along the curved surface 39 of the drop suppression portion 36. A developer injection device of a semiconductor developer, characterized in that formed larger than the size. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 분사공(32)은 하우징(30)으로 유입된 현상액이 분사공(32)을 통해 하측으로 직접 분사되지 않고, 하우징(30) 하부에 고였다가 흘러 넘쳐 간접 분사되도록 하기 위해 상기 하우징(30)의 하부 내측에 단턱(34)을 갖추도록 일정부분 함입되어 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 현상장비의 현상액 분사장치.The injection hole 32 is not injected directly to the lower side through the injection hole 32, the developer flowed into the housing 30, and accumulated in the lower portion of the housing 30 to flow indirectly to the injecting the housing 30 The developer of the developer of the semiconductor development equipment, characterized in that formed in a predetermined portion so as to have a step (34) in the lower inner side. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 분사공(32)의 크기는 상기 하우징(30)의 중심부로부터 원주면부로 갈수록 증대되는 것을 특징으로 하는 반도체 현상장비의 현상액 분사장치.The size of the injection hole 32 is a developer injection device of the semiconductor developer, characterized in that the increase in the circumferential surface portion from the center of the housing (30). 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 분사공(32)은 상기 하우징의 하부에 동심원 방향으로 정렬되어 구비된 것을 특징으로 하는 반도체 현상장비의 현상액 분사장치.The injection hole (32) is a developer injection device of the semiconductor developer equipment, characterized in that provided in the concentric alignment with the lower portion of the housing.
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