KR20030040278A - X-ray image detector panel masking device - Google Patents

X-ray image detector panel masking device Download PDF

Info

Publication number
KR20030040278A
KR20030040278A KR1020030022619A KR20030022619A KR20030040278A KR 20030040278 A KR20030040278 A KR 20030040278A KR 1020030022619 A KR1020030022619 A KR 1020030022619A KR 20030022619 A KR20030022619 A KR 20030022619A KR 20030040278 A KR20030040278 A KR 20030040278A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
tft array
panel
array panel
mask
radiation detector
Prior art date
Application number
KR1020030022619A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
남상희
문치웅
박지군
김선일
김인영
조효성
Original Assignee
학교법인 인제학원
남상희
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 학교법인 인제학원, 남상희 filed Critical 학교법인 인제학원
Priority to KR1020030022619A priority Critical patent/KR20030040278A/en
Publication of KR20030040278A publication Critical patent/KR20030040278A/en

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14643Photodiode arrays; MOS imagers
    • H01L27/14658X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14683Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
    • H01L31/115Devices sensitive to very short wavelength, e.g. X-rays, gamma-rays or corpuscular radiation

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)

Abstract

PURPOSE: A masking apparatus is provided to prevent electrical noises caused due to the irregular junction between the TFT array panel and photo conductive layer, while allowing for accurate alignment of active area. CONSTITUTION: A masking apparatus comprises a lower mask(10) disposed beneath a TFT array panel(20) so as to support the panel; a frame type cover mask(40) disposed around the TFT array panel and on the lower mask in such a manner that only the active area of the TFT array panel is deposited with a photo conductive material and the inactive area is not deposited with the photo conductive material; and a masking tape(60) attached beneath the cover mask and on the TFT array panel in such a manner that inactive area of the TFT array panel is protected from the ingress of gas molecule.

Description

방사선 검출기 패널 제조 마스킹장치{X-ray image detector panel masking device}Radiation detector panel manufacturing masking device {X-ray image detector panel masking device}

본 발명은 방사선 검출기 패널(radiation detector panel)을 제작함에 있어, 티에프티 어레이(TFT array)위에 광도전물질의 증착(deposition)을 위한 금속 마스크(Metal mask)에 관한 것으로서, 더욱 자세하게는 티에프티 어레이(TFT array) 위에 광도전 물질을 증착함에 있어서, 티에프티 어레이(TFT array) 위에 위치하는 커버 마스크(cover mask)와 아래에 위치하는 하부 마스크를 사용하여 광도전물질이 티에프티 어레이(TFT array)의 액티브(active)영역에만 증착되고 인액티브(inactive) 영역인 전기적 컨텍트(electrical contact) 부위에는 증착되지 않게 하는 방사선 검출기 패널(radiation detector panel) 제작을 위한 금속 마스크에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a metal mask for deposition of a photoconductive material on a TFT array in manufacturing a radiation detector panel, and more particularly, to a TFT array. In depositing the photoconductive material on the TFT array, the photoconductive material is transferred to the TFT array by using a cover mask positioned above the TFT array and a lower mask positioned below the TFT array. The present invention relates to a metal mask for fabricating a radiation detector panel which is deposited only in an active region of a substrate and is not deposited in an electrical contact region, which is an inactive region.

만약 인액티브(inactive) 영역인 전기적 컨텍트(electrical contact)에 광도전물질이 코팅된다면 이미지 형성에 영향을 미칠 수 있다.If the photoconductive material is coated on the electrical contact, which is an inactive region, it may affect the image formation.

특히 전기적 특성이 코팅에 의해 영향을 줄 수 있다.In particular electrical properties can be affected by the coating.

따라서 종래기술방식에서는 티에프티 어레이(TFT array)의 액티브(active)영역에만 코팅하기 위해서 커버 마스크가 사용된다.Therefore, in the prior art, a cover mask is used to coat only the active region of the TFT array.

커버 마스크는 액티브(active)영역에 코팅을 용이하게 하고 반면에 인액티브(inactive) 영역으로의 광도전 물질의 침투를 막는데 사용된다.Cover masks are used to facilitate coating in the active area while preventing the penetration of the photoconductive material into the inactive area.

그런데 방사선 검출기 패널(radiation detector panel)은 패널 자체의 전기적 노이즈뿐만 아니라 패널과 리드아웃 회로단(readout electronics) 사이의 연결 부위에서도 전기적 노이즈를 가진다.The radiation detector panel, however, has electrical noise at the connection between the panel and the readout electronics as well as the electrical noise of the panel itself.

현재 티에프티 어레이(TFT array) 위에 광도전물질의 증착을 위하여 열 진공 증착법이 가장 일반적으로 사용되고 있다.Currently, thermal vacuum deposition is most commonly used for depositing photoconductive materials on a TFT array.

열 진공 증착 방법은 10-4 Torr 이하의 진공 속에서 증착하고자 하는 물질을 가열하여 기화시켜 기체로 만들어졌을 때 기화된 물질이 패널에 증착되도록 하는방법으로 박막제조를 위해 널리 이용되는 방법이다.The thermal vacuum deposition method is a method widely used for manufacturing a thin film by vaporizing a material to be deposited in a vacuum of 10-4 Torr or less so that vaporized material is deposited on a panel.

증착과정에 관해 살펴보면, 고체 또는 액체상태로부터 증발 대상 물질의 상전이를 통한 증기화시켜, 기화된 원자 또는 분자를 가열 보트(boats)로부터 기판으로의 이동시키고, 상기 입자들이 기판에 증착, 기판 표면상에서 증착 입자들의 재배열 또는 결합상태 변화의 과정을 거치게 된다.In the deposition process, vaporization is carried out through the phase transition of the evaporation target material from the solid or liquid state to transfer vaporized atoms or molecules from the heating boats to the substrate, and the particles are deposited on the substrate, on the substrate surface. The process of rearranging or changing the bonding state of the deposited particles.

GE사의 특허번호 6,146,489에 따르면, 티에프티 기판(substrate)은 액티브(active) 영역과 인액티브(inactive) 영역으로 나뉜다.According to GE Patent No. 6,146,489, the TFT substrate is divided into an active region and an inactive region.

검출기 패널의 액티브(active) 영역은 방사선에 따른 전기적 신호를 발생시키는 수많은 픽셀(pixels)로 이루어져 있다.The active area of the detector panel consists of a number of pixels that generate an electrical signal due to radiation.

일반적으로 포토센서 픽셀(photosensor pixels)의 매트릭스(matrix) 배열을 이룬다.In general, it forms a matrix array of photosensor pixels.

인액티브(inactive) 영역은 복수개의 일렉트릭컬 컨덕터(electrical conductor)로 이루어져 있는데 외부의 회로단과 연결되는 리드아웃 라인(readout line)이다.The inactive area consists of a plurality of electrical conductors, which are readout lines connected to external circuitry.

인액티브(inactive) 영역은 검출기 패널의 액티브(active) 영역을 둘러싸고 있는 볼록 올라온 접착제 테두리(adhesive rim)를 포함한다.The inactive area includes a raised adhesive rim surrounding the active area of the detector panel.

특히 이 테두리는 액티브(active) 영역과 인액티브(inactive) 영역을 분리한다.In particular, this border separates the active and inactive areas.

종래기술방식에 있어서 커버 플레이트(cover plate)는, 증착하려는 물질이 엑티브(active) 면적의 바깥쪽 전기적 컨덕터(electrical conductor) 부분에 영향을 미치는 것을 방지하기 위해서 전기적 컨텍트(electrical contact) 부분 위에 위치하고, 액티브(active) 영역과 전기적 컨텍트(electrical contact) 영역 사이에 접착제(adhesive) 혹은 엑폭시(epoxy)를 발라 안전하게 티에프티 어레이 패널(TFT array panel)을 보호한다.In the prior art, a cover plate is positioned over the electrical contact portion to prevent the material to be deposited from affecting the outer electrical conductor portion of the active area, An adhesive or epoxy is applied between the active area and the electrical contact area to safely protect the TFT array panel.

그런데, 접착제를 바름에 있어 컴퓨터로 제어되는 dispenser로 substrate 표면에 발라지게 되며 이는 공정을 복잡하고 어렵게 만드는 것이며, 또한 증착완료 후 커버 플레이트와 티에프티 어레이 패널(TFT array panel) 부위에 접착제가 남아 있어 처리가 곤란하다는 문제점을 가지고 있다.However, in the application of the adhesive, a computer controlled dispenser is applied to the substrate surface, which makes the process complicated and difficult, and also the adhesive remains on the cover plate and TFT array panel after the deposition is completed. The problem is that the processing is difficult.

또한 종래기술방식에 있어서는 Clamp frame과 mask는 정밀한 alignment 구멍이 있어 pallet의 pin과 정확하게 고정시킨다.In addition, in the conventional method, the clamp frame and the mask have precise alignment holes, so that they are fixed exactly with the pins of the pallet.

하지만 pin으로 alignment을 하다보면 티에프티 어레이 패널(TFT array panel)과 금속마스크 (Metal mask)와의 고정이 정확히 수행되지 않을 경우 액티브(Active) 영역 이외의 영역으로 기체분자가 스며들게 되어 정확한 액티브(Active) 영역 형성이 잘되지 않으며, 티에프티 어레이 패널(TFT array panel) 자체에 충격이 전해져 티에프티 어레이 패널(TFT array panel)이 깨어져 버리는 문제점이 있다.However, if the alignment is done by pins, if the TFT array panel and the metal mask are not fixed correctly, gas molecules will penetrate into the area other than the active area. There is a problem in that the region is not formed well and the impact is transmitted to the TFT array panel itself so that the TFT array panel is broken.

본 발명은 상기와 같은 문제를 해결하기 위하여, X-선 검출기 패널을 제조함에 있어, 티에프티 어레이 패널(TFT array panel)과 광도전층의 불규칙한 접합에 의한 전기적 노이즈 현상을 방지하기 위한 액티브(Active) 영역의 정확한alignment를 형성시키는 방사선 검출기 패널 제조 마스킹장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.In order to solve the above problems, the present invention, in manufacturing an X-ray detector panel, Active to prevent electrical noise caused by irregular bonding of the TFT array panel and the photoconductive layer (Active) It is an object to provide a radiation detector panel fabrication masking device that forms a precise alignment of a region.

더욱 자세하게는, 방사선 검출기의 리셉터(Receptor) 형성시 TFT 패널과 금속 마스크 (Metal mask)와의 고정이 정확히 수행되지 않을 경우, Active Area 이와의 영역으로 기체분자가 스며들게 되어 정확한 액티브 영역(active area) 형성이 수행되지 않으므로 TFT 패널과 금속 마스크의 고정하기 위하여 영구 자석을 사용하는 것을 특징으로 하는 방사선 검출기 패널 제조 마스킹장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.More specifically, when fixing the TFT panel and the metal mask is not performed correctly when forming the receptor of the radiation detector, gas molecules are permeated into the active area, thereby forming an accurate active area. Since this is not performed, an object of the present invention is to provide a radiation detector panel manufacturing masking apparatus characterized by using a permanent magnet to fix the TFT panel and the metal mask.

또한 티에프티(TFT) 패널의 인액티브 영역(inactive area)에 기체 분자가 스며들지 않게 하기 위한 인액티브(inactive) 영역의 가장자리에 마스킹 테이프(Masking Tape)를 붙이는 방사선 검출기 패널 제조 마스킹장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.In addition, the present invention provides a radiation detector panel manufacturing masking device that attaches a masking tape to the edge of an inactive area to prevent gas molecules from entering the inactive area of the TFT panel. For the purpose of

또한 커버 마스크(cover mask)의 내부 가장자리의 날을 각을 주어 제작하여 티에프티 어레이 패널(TFT array panel)과의 경계부 및 티에프티 어레이 패널(TFT array panel)과 광도전물질 박막의 밀착성을 향상시켜, 증착 완료시 티에프티 어레이 패널(TFT array panel)과 분리할 때 증착층의 손상을 방지하는 것을 목적으로 한다.In addition, by making the edge of the inner edge of the cover mask (angle) to improve the adhesion between the TFT array panel and the TFT array panel and the thin film of the photoconductive material In order to prevent the deposition layer from being separated from the TFT array panel when the deposition is completed.

도1은 본 발명에 따른 방사선 검출기 패널 제조 마스킹장치의 측단면도1 is a side cross-sectional view of a radiation detector panel manufacturing masking apparatus according to the present invention;

도2는 본 발명에 따른 방사선 검출기 패널 제조 마스킹장치의 분해사시도Figure 2 is an exploded perspective view of a radiation detector panel manufacturing masking apparatus according to the present invention

도 3은 본 발명에 따른 방사선 검출기 패널 제조 마스킹장치의 티에프티 어레이 패널의 사시도Figure 3 is a perspective view of the TFT array panel of the radiation detector panel manufacturing masking apparatus according to the present invention

*도면의 주요부분에 관한 부호의 설명** Explanation of symbols on main parts of drawings *

10 : 하부마스크 20 : 티에프티 어레이 패널10: lower mask 20: TFT array panel

21 : 액티브 영역 22 : 인액티브 영역21: active area 22: inactive area

30 : 증착층 40 : 커버 마스크30: deposition layer 40: cover mask

50 : 자석 60 : 마스킹 테이프50: magnet 60: masking tape

본 발명은 상기한 목적을 달성하기 위하여 안출된 것으로써, 티에프티 어레이 패널 상측에 광전도층을 증착시키는 방사선 검출기 패널 제조 마스킹장치에 있어서, 티에프티 어레이 패널(TFT array panel)를 지지하며 티에프티 어레이 패널의 하측에 위치하는 하부마스크와; 티에프티 어레이 패널의 액티브영역에만 광도전물질을 증착되도록 하고 전기적 컨텍트 부분인 인액티브 영역에는 증착되지 않도록 가이드시키기 위하여, 상기 티에프티 어레이 주변부 및 하부마스크 상측에 위치되는 액자형 커버 마스크와; 상기 커버 마스크의 하측및 티에프티 어레이 주변부 상측에 티에프티(TFT) 패널의 인액티브 영역(inactive area)으로 기체 분자가 스며들지 않도록 부착되는 마스킹 테이프 (Masking Tape)를; 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 방사선 검출기 패널 제조 마스킹장치를 기술적 요지로 한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a masking apparatus for manufacturing a radiation detector panel for depositing a photoconductive layer on a TFT array panel, wherein a TFT array panel is supported and supported. A lower mask located below the array panel; A frame cover mask positioned above the TFT array and above the lower mask to deposit the photoconductive material only in the active area of the TFT array panel and to prevent the photoconductive material from being deposited on the inactive area, which is an electrical contact portion; A masking tape attached to the bottom of the cover mask and to an upper portion of the TFT array peripheral to prevent gas molecules from penetrating into the inactive area of the TFT panel; It is a technical gist of a radiation detector panel manufacturing masking device, characterized in that it is configured to include.

여기서 상기 커버 마스크는, 내측변의 날이 광도전 물질의 증착층을 상측에서 덮는 방향으로 각이 형성되어, 증착 완료시 상기 티에프티 어레이 패널(TFT array panel)을 분리할 때, 증착층의 손상을 방지하며, 광도전물질의 증착층과 티에프티 어레이 패널과의 접착력을 향상시키는 것을 특징으로 하는 방사선 검출기 패널 제조 마스킹장치로 되는 것이 바람직하다.The cover mask may have an angle formed in a direction in which the inner edge of the cover mask covers the deposition layer of the photoconductive material from the upper side, thereby removing the damage of the deposition layer when separating the TFT array panel upon completion of deposition. It is desirable to be a masking apparatus for manufacturing a radiation detector panel, which prevents and improves adhesion between the deposition layer of the photoconductive material and the TFT array panel.

그리고 상기 방사선 검출기 패널 제조 마스킹장치는 상기 커버 마스크 상측에서 자석을 부착시킴으로써 상기 커버 마스크와 상기 티에프티 어레이 패널과 금속성의 상기 하부 마스크를 고정시키는 것을 특징으로 하는 방사선 검출기 패널 제조 마스킹장치로 되는 것이 바람직하다.Preferably, the radiation detector panel manufacturing masking device is a radiation detector panel manufacturing masking device, wherein the cover mask, the TFT array panel, and the metallic lower mask are fixed by attaching a magnet on the cover mask. Do.

이하 도면과 함께 본 발명에 관하여 살펴보기로 한다.Hereinafter, the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도1은 본 발명에 따른 방사선 검출기 패널 제조 마스킹장치의 측단면도이며,도2는 본 발명에 따른 방사선 검출기 패널 제조 마스킹장치의 분해사시도이며, 도 3은 본 발명에 따른 방사선 검출기 패널 제조 마스킹장치의 티에프티 어레이 패널의 사시도이다.1 is a side cross-sectional view of a radiation detector panel manufacturing masking apparatus according to the present invention, Figure 2 is an exploded perspective view of a radiation detector panel manufacturing masking apparatus according to the present invention, Figure 3 is a radiation detector panel manufacturing masking apparatus according to the present invention A perspective view of a TFT array panel.

도면에 도시된 바와 같이 본 발명은 크게 하부마스크(10)와 커버 마스크(40)와 마스킹 테이프(60) (Masking Tape)로 구성되며 이를 고정하기 위한 자석이 부가된다.As shown in the figure, the present invention is composed of a lower mask 10, a cover mask 40, and a masking tape 60, and a magnet for fixing them is added.

본 발명은 티에프티 어레이 패널(20) 상측에 광전도층의 증착층(30)을 형성시킬 때 사용하는 방사선 검출기 패널 제조 마스킹장치에 관한 것이다.The present invention relates to a radiation detector panel manufacturing masking apparatus for use in forming the deposition layer 30 of the photoconductive layer on the TFT array panel 20.

본 발명의 상기 하부 마스크(10)는 티에프티 어레이 패널(20)(TFT array panel)를 지지하며 티에프티 어레이 패널(20)의 하측에 위치하는 기판이다.The lower mask 10 of the present invention is a substrate supporting the TFT array panel 20 and positioned below the TFT array panel 20.

상기 하부 마스크(10)는 금속으로 구성되어 자력의 영향을 받는다.The lower mask 10 is made of metal and is affected by magnetic force.

본 발명의 커버 마스크(40)는 티에프티 어레이 패널(20)의 액티브 영역(21)에만 광도전물질을 증착되도록 하고, 전기적 컨텍트 부분인 인액티브 영역(22)에는 증착되지 않도록 가이드시키기 위하여, 상기 티에프티 어레이 주변부 및 하부마스크(10) 상측에 위치되는 액자형 기판이다.In the cover mask 40 of the present invention, the photoconductive material is deposited only on the active region 21 of the TFT array panel 20, and the guide mask is not deposited on the inactive region 22, which is an electrical contact portion. It is a frame-type substrate positioned on the TIF array peripheral portion and the lower mask 10.

상기 커버 마스크(40)는 티에프티 어레이(TFT array) 패널(20)과 광도전물질의 불규칙한 접합에 의한 전기적 노이즈 현상을 방지하기 위하여 장착된다.The cover mask 40 is mounted to prevent electrical noise caused by irregular bonding of the TFT array panel 20 and the photoconductive material.

상기 커버 마스크(40)에 의하여 광도전물질의 증착층이 형성될 때, 상기 커버 마스크의 내측변을 경계로 액티브 영역(21)이 정렬된다.When the deposition layer of the photoconductive material is formed by the cover mask 40, the active region 21 is aligned with an inner side of the cover mask.

본 발명의 상기 상기 커버 마스크(40)에는 또한, 내측변의 날이 광도전 물질의 증착층(30)을 상측에서 덮는 방향으로 각(31)이 형성되어 있다.In the cover mask 40 of the present invention, an angle 31 is formed in a direction in which the edge of the inner side covers the deposition layer 30 of the photoconductive material from above.

이에 의해, 증착 완료시 증착층(30)의 모서리부가 증착된 광도전물질층을 덮게되어 광도전물질층의 모서리부에 각(31)이 형성되므로, 커버 마스크(40)를 분리할 때, 증착층(30)의 손상을 방지하며, 광도전물질의 증착시에는 상측에서 하방으로 덮는 방향이므로 증착층(30)과 티에프티 어레이 패널(20)과의 접착력을 향상시킨다.As a result, when the deposition is completed, the edge portion of the deposition layer 30 covers the deposited photoconductive material layer so that an angle 31 is formed at the edge portion of the photoconductive material layer, and when the cover mask 40 is removed, the deposition is performed. The layer 30 is prevented from being damaged, and when the photoconductive material is deposited, the adhesion of the deposition layer 30 and the TFT array panel 20 is improved since the top surface is downwardly covered.

한편 광도전물질의 증착과정에서 증착기체가 커버 마스크(40)의 하부 틈새로 침투될 염려가 있다.Meanwhile, the deposition gas may penetrate into the lower gap of the cover mask 40 during the deposition of the photoconductive material.

본 발명의 상기 마스킹 테이프(60)는 상기 커버 마스크(40)의 하측및 티에프티 어레이 주변부 상측에 티에프티(TFT) 패널의 인액티브 영역(inactive area)으로 증착기체 분자가 스며들지 않도록 부착된다.The masking tape 60 of the present invention is attached to the inert area of the TFT panel below the cover mask 40 and above the TIF array periphery so as not to infiltrate the deposition gas molecules.

그리고 상기 커버 마스크(40) 상측에는 자석이 부착되어 금속성의 상기 하부 마스크(10)와 압착 결합시킨다.And a magnet is attached to the upper side of the cover mask 40 is pressed and coupled to the metallic lower mask 10.

도 2는 광도전 물질이 증착되는 티에프티 어레이(TFT array) 패널(20)의 단면구조가 도시된 도면으로서, 게이트(Gate) 및 소스 라인(Source Line)의 와이어 본딩(Wire Bonding)을 고려하여 TFT 패널의 인액티브(inactive) 부분에 광도전물질이 유입되지 않게 하기 위한 마스킹 테이프(60)(Masking Tape)가 도시되어 있다.FIG. 2 is a cross-sectional view of a TFT array panel 20 in which a photoconductive material is deposited. In consideration of wire bonding of a gate and a source line, FIG. A masking tape 60 is shown to prevent the photoconductive material from entering the inactive portion of the TFT panel.

상기 마스킹 테이프(60)를 이용하지 않을 경우 기체 상태의 광도전 물질이 마스크와 티에프티 경계면의 미세한 틈새로 스며들어 인액티브 영역에 증착됨으로써, 방사선 검출기의 노이즈 발생 원인이 된다.When the masking tape 60 is not used, a gaseous photoconductive material penetrates into a fine gap between the mask and the TFT interface and is deposited in an inactive region, which causes noise of the radiation detector.

도2의 티에프티 어레이 패널(20)(TFT array panel) 위에 광도전물질의 증착 (deposition)을 배열하기 위한 금속마스크의 단면 구조도중 원부분의 확대도면을 주목하여 보면, 광도전물질이 액티브(active) 영역(21)에만 증착되고 전기적 컨텍트(electrical contact) 부분인 인액티브 영역(22)에는 증착되지 않도록 커버 마스크(40)(cover mask)가 형성되어 있다.Referring to the enlarged view of the original part of the cross-sectional structure diagram of the metal mask for arranging deposition of the photoconductive material on the TFT array panel 20 of FIG. 2, the photoconductive material is active ( A cover mask 40 is formed to be deposited only in the active region 21 and not to be deposited in the inactive region 22 which is an electrical contact portion.

또한 티에프티 어레이 패널(20)(TFT array panel)의 인액티브 영역(22)(inactive area)에 기체 분자가 스며들지 않게 하기위한 마스킹 테이프(60) (Masking Tape)가 형성되어 있으며, 위의 상판을 지지하며 아래에 위치하는 하부 마스크(10)가 형성되어 있다.In addition, a masking tape 60 is formed in the inactive area 22 of the TFT array panel 20 to prevent gas molecules from penetrating. The lower mask 10 is formed to support the lower portion.

도 2에는 본 발명에 있어서 상기 커버 마스크(40)와 하부마스크(10)를 압착결합시키는 수단으로 자석(50)이 도시되어 있다.In FIG. 2, the magnet 50 is illustrated as a means for compressing the cover mask 40 and the lower mask 10 in the present invention.

상기 자석(50)에 의하여 티에프티 어레이 패널(20)(TFT array panel)이 금속 하부마스크(10)에 고정된다.The TFT array panel 20 is fixed to the metal lower mask 10 by the magnet 50.

상기 자석(50)에 의해 티에프티 어레이 패널(20)(TFT array panel)과 Mask의 밀착성이 좋아지고, 어레이시 조정이 쉬우며, 증착완료시 티에프티 어레이 패널(20)(TFT array panel)과 분리가 손쉬워 증착층의 손상을 방지할 수 있다.The magnet 50 improves the adhesion between the TFT array panel 20 and the mask, facilitates adjustment during arraying, and the TFT array panel 20 when the deposition is completed. Separation is easy to prevent damage to the deposited layer.

종래기술방식에 있어서는 마스크의 고정은, Clamp frame과 mask에 형성된 정밀한 alignment 구멍을 이용하여 핀으로 정확하게 고정시켰으나, 하지만 pin으로 alignment을 하다보면 고정되는 지점이 부동적이어서 티에프티 어레이패널(20)(TFT array panel)과 금속성 하부마스크(10)와의 고정이 정확히 수행되지 않을 경우 액티브(Active) 영역(21) 이외의 영역으로 기체분자가 스며들게 되어 정확한 액티브(Active) 영역(21) 형성이 잘되지 않으며, 티에프티 어레이 패널(20)(TFT array panel) 자체에 충격이 전해져 티에프티 어레이 패널(20)(TFT array panel)이 깨어져 버렸으나 자석(50)으로 고정할 경우 고정점이 유동적이어서 정확한 정열을 할 수 있게 된다.In the prior art, the mask is fixed with pins using precise alignment holes formed in the clamp frame and the mask. However, when the alignment is performed with the pins, the fixed points are floating and the TFT array panel 20 ( If the fixing between the TFT array panel and the metallic lower mask 10 is not performed correctly, gas molecules may penetrate into the area other than the active area 21, so that the accurate formation of the active area 21 is difficult. However, the impact is transmitted to the TFT array panel 20 itself, but the TFT array panel 20 is broken, but when the magnet 50 is fixed, the fixing point is fluid, so that accurate alignment is performed. It becomes possible.

이상 설명한 본 발명에 의하여 기존의 방사선 검출기 패널(radiation detector panel)의 제조시, 티에프티 어레이 패널(TFT array panel)와 광도전층의 불규칙한 접합에 의한 전기적 노이즈 현상을 방지하고 액티브 영역의 정확한 alignment를 제공할 수 있는 이점이 있다.According to the present invention described above, when manufacturing a conventional radiation detector panel, it prevents electrical noise caused by irregular bonding of the TFT array panel and the photoconductive layer and provides accurate alignment of the active area. There is an advantage to this.

또한, X-선 검출기 패널을 제조함에 있어, 티에프티 어레이 패널(TFT array panel)과 광도전층의 불규칙한 접합에 의한 전기적 노이즈 현상을 방지하기 위한 액티브(Active) 영역의 정확한 alignment를 형성시키는 방사선 검출기 패널 제조 마스킹장치가 제공되는 이점이 있다.In addition, in manufacturing an X-ray detector panel, a radiation detector panel which forms a precise alignment of an active region to prevent electrical noise caused by irregular bonding of a TFT array panel and a photoconductive layer. There is an advantage that a manufacturing masking device is provided.

그리고, 방사선 검출기의 리셉터(Receptor) 형성시 TFT 패널과 금속 마스크 (Metal mask)와의 고정을 수행시키기 위하여 자석을 이용함으로써, 정확한 액티브 영역(active area) 형성이 형성될 수 있도록 조정이 손수비게 이루어지는 방사선 검출기 패널 제조 마스킹장치이 제공되는 이점이 있다.In addition, by using a magnet to perform fixing between the TFT panel and the metal mask when forming the receptor of the radiation detector, the radiation is manually adjusted so that accurate active area formation can be formed. There is an advantage that a detector panel manufacturing masking device is provided.

또한 티에프티(TFT) 패널의 인액티브 영역(inactive area)에 기체 분자가 스며들지 않게 하기 위한 인액티브(inactive) 영역의 가장자리에 마스킹 테이프(Masking Tape)를 붙이는 방사선 검출기 패널 제조 마스킹장치가 제공되는 이점이 있다.Also provided is a radiation detector panel manufacturing masking device that attaches a masking tape to the edge of the inactive area to prevent gas molecules from entering the inactive area of the TFT panel. There is an advantage.

그리고 커버 마스크(cover mask)의 내부 가장자리의 날을 각을 주어 제작하여 티에프티 어레이 패널(TFT array panel)과의 경계부 및 티에프티 어레이 패널(TFT array panel)과 광도전물질 박막의 밀착성을 향상시켜, 증착 완료시 티에프티 어레이 패널(TFT array panel)과 분리할 때 증착층의 손상을 방지되는 방사선 검출기 패널 제조 마스킹장치가 제공되는 이점이 있다.In addition, the edges of the inner edge of the cover mask are manufactured at an angle to improve the adhesion between the TFT array panel and the adhesion between the TFT array panel and the thin film of the photoconductive material. When the deposition is completed, there is an advantage in that a masking apparatus for manufacturing a radiation detector panel which prevents damage of the deposition layer when separated from the TFT array panel is provided.

Claims (3)

티에프티 어레이 패널 상측에 광전도층을 증착시키는 방사선 검출기 패널 제조 마스킹장치에 있어서,In the radiation detector panel manufacturing masking apparatus for depositing a photoconductive layer on the TFT array panel, 티에프티 어레이 패널(TFT array panel)를 지지하며 티에프티 어레이 패널의 하측에 위치하는 하부마스크와;A lower mask supporting a TFT array panel and positioned below the TFT array panel; 티에프티 어레이 패널의 액티브영역에만 광도전물질을 증착되도록 하고 전기적 컨텍트 부분인 인액티브 영역에는 증착되지 않도록 가이드시키기 위하여, 상기 티에프티 어레이 주변부 및 하부마스크 상측에 위치되는 액자형 커버 마스크와;A frame cover mask positioned above the TFT array and above the lower mask to deposit the photoconductive material only in the active area of the TFT array panel and to prevent the photoconductive material from being deposited on the inactive area, which is an electrical contact portion; 상기 커버 마스크의 하측및 티에프티 어레이 주변부 상측에 티에프티(TFT) 패널의 인액티브 영역(inactive area)으로 기체 분자가 스며들지 않도록 부착되는마스킹 테이프 (Masking Tape)를;A masking tape attached to the lower side of the cover mask and to an upper portion of the TFT array periphery to prevent gas molecules from penetrating into the inactive area of the TFT panel; 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 방사선 검출기 패널 제조 마스킹장치.Masking device for manufacturing a radiation detector panel comprising a. 제1항에 있어서 상기 커버 마스크는,The method of claim 1, wherein the cover mask, 내측변의 날이 광도전 물질의 증착층을 상측에서 덮는 방향으로 각이 형성되어, 증착 완료시 상기 티에프티 어레이 패널(TFT array panel)을 분리할 때, 증착층의 손상을 방지하며, 광도전물질의 증착층과 티에프티 어레이 패널과의 접착력을 향상시키는 것을 특징으로 하는 방사선 검출기 패널 제조 마스킹장치.An angle is formed in a direction in which the inner edge of the blade covers the deposition layer of the photoconductive material from the upper side to prevent damage to the deposition layer when separating the TFT array panel when the deposition is completed, and the photoconductive material Masking apparatus for manufacturing a radiation detector panel, characterized in that to improve the adhesion between the deposited layer and the TFT array panel. 제1항 또는 제2항에 있어서 상기 방사선 검출기 패널 제조 마스킹장치는According to claim 1 or claim 2 wherein the radiation detector panel manufacturing masking device 상기 커버 마스크 상측에서 자석을 부착시킴으로써 상기 커버 마스크와 상기 티에프티 어레이 패널과 금속성의 상기 하부 마스크를 고정시키는 것을 특징으로 하는 방사선 검출기 패널 제조 마스킹장치.And attaching a magnet on the cover mask to fix the cover mask, the TFT array panel, and the metallic lower mask.
KR1020030022619A 2003-04-10 2003-04-10 X-ray image detector panel masking device KR20030040278A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030022619A KR20030040278A (en) 2003-04-10 2003-04-10 X-ray image detector panel masking device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030022619A KR20030040278A (en) 2003-04-10 2003-04-10 X-ray image detector panel masking device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20030040278A true KR20030040278A (en) 2003-05-22

Family

ID=29579252

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020030022619A KR20030040278A (en) 2003-04-10 2003-04-10 X-ray image detector panel masking device

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20030040278A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100799813B1 (en) * 2005-07-20 2008-01-31 세이코 엡슨 가부시키가이샤 Mask, mask manufacturing method, film forming method, electro-optic device manufacturing method, and electronic apparatus
US8822940B2 (en) 2011-12-29 2014-09-02 Samsung Display Co., Ltd. X-ray detection panel and method of manufacturing the same

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100799813B1 (en) * 2005-07-20 2008-01-31 세이코 엡슨 가부시키가이샤 Mask, mask manufacturing method, film forming method, electro-optic device manufacturing method, and electronic apparatus
US8822940B2 (en) 2011-12-29 2014-09-02 Samsung Display Co., Ltd. X-ray detection panel and method of manufacturing the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CA1283281C (en) Apparatus and method for registration of shadow masked thin film patterns
US7976633B2 (en) Device and method of forming film
TWI313050B (en) Semiconductor chip package manufacturing method and structure thereof
US7609359B2 (en) Method of manufacturing liquid crystal panel
TW201031768A (en) Mask adhesion unit and deposition apparatus using the same
JP2000180556A (en) Method and device for depositing scintillator material on detector array
US6736946B2 (en) Physical vapor deposition apparatus with modified shutter disk and cover ring
US10509286B2 (en) Pixel structure and manufacturing method thereof, array substrate and display apparatus
US20230110854A1 (en) Display substrates, methods for manufacturing display substrates, display panels and display apparatuses
JP4596747B2 (en) Shadow frame with crosspieces for semiconductor devices
CN110716335A (en) Display device and method for manufacturing the same
US7177000B2 (en) Liquid crystal display cell structure and manufacture process of a liquid crystal display comprising an opening formed through the color filter and partially the buffer layer
KR20160039277A (en) Holding arrangement for substrates
KR20030040278A (en) X-ray image detector panel masking device
TW201602374A (en) Deposition mask, method for manufacturing deposition mask and method for manufacturing touch panel
US11650637B2 (en) Wiring structure, preparation method thereof, and display device
US20210359243A1 (en) Oled panel and manufacturing method thereof
CN111146099B (en) Semiconductor structure and manufacturing method thereof
JPS62164867A (en) Film forming mask device
KR20070121132A (en) Masking dwvice for radiation detector panel
KR20060130861A (en) Evaporation mask of tft array panel preventing infiltration of photoconductive material
JPH0961536A (en) Semiconductor radiation detector and its manufacture
JPH0334050B2 (en)
KR102661771B1 (en) Deposition mask and method of manufacturing the deposition mask
JPH0693426A (en) Thin film forming device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application