KR20070121132A - Masking dwvice for radiation detector panel - Google Patents
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Abstract
Description
도 1은 본 발명에 따른 방사선 검출기 패널 제조용 광도전물질 침전 마스크의 구조도1 is a structural diagram of a photoconductive material precipitation mask for producing a radiation detector panel according to the present invention
도 2는 종래의 광도전 물질이 증착되는 티에프티 어레이(TFT array) 패널의 구조도2 is a structural diagram of a TFT array panel in which a conventional photoconductive material is deposited.
도 3은 본 발명에 따른 방사선 검출기 패널 제조용 광도전물질 침전 마스크의 단면 구조도Figure 3 is a cross-sectional structural view of the photoconductive material precipitation mask for producing a radiation detector panel according to the present invention
*도면의 주요부분에 관한 부호의 설명** Explanation of symbols on main parts of drawings *
2 : 광도전 물질 3 : 실리콘 본드2: photoconductive material 3: silicon bond
4 : 티에프티 어레이 패널 5 : 커버 마스크4: TFT array panel 5: cover mask
6 : 에지 10 : 상부 마스크6: edge 10: upper mask
20 : 하부 마스크 41 : 액티브 영역20: lower mask 41: active area
42 : 인액티브 영역42: inactive area
본 발명은 방사선 검출기 패널(radiation detector panel) 제조 시, 하부 마스크에 거치된 티에프티 어레이 패널(TFT array panel) 위에 광도전 물질의 침전시 액티브(active) 영역에만 침전되게 하고 전기적 컨텍트(electrical contact) 부분에는 증착되지 않게 하는 커버 마스크(cover mask)를 위치시키고 상기 커버 마스크의 상측에 부착되어 상기 티에프티(TFT) 패널의 전체 영역을 밀봉시키는 상부마스크로 구성되는 방사선 검출기 패널 제조용 광도전물질 침전 마스크에 있어서, 상기 티에프티(TFT) 패널의 인액티브 영역(inactive area)에 기체 분자가 스며들지 않도록 상기 커버 마스크를 상기 티에프티 패널에 실리콘 본드로 고정결합시키는 것을 특징으로 하는 방사선 검출기 패널 제조용 광도전 물질 침전 마스크에 관한 것이다.When manufacturing a radiation detector panel, the present invention allows the deposition of photoconductive material on a TFT array panel mounted on a lower mask to be deposited only in an active region and to electrical contact. A photomask deposition mask for manufacturing a radiation detector panel comprising a top mask that places a cover mask to prevent deposition and is attached to an upper side of the cover mask to seal an entire area of the TFT panel. The photoconductor for manufacturing a radiation detector panel according to claim 1, wherein the cover mask is fixedly bonded to the TFT panel with a silicon bond so that gas molecules do not penetrate into the inactive area of the TFT panel. It relates to a material precipitation mask.
일반적으로 티에프티 어레이 패널에 있어서 인액티브(inactive) 영역인 전기적 컨텍트(electrical contact)에 광도전물질이 침전된다면 이미지 형성에 영향을 미칠 수 있다. 이와 같은 전기적 특성의 영향을 방지하기 위하여 제작시 티에프티 어레이(TFT array)의 액티브(active)영역에만 광도전 물질을 침전시키기 위해서는 커버 마스크가 사용된다. In general, if the photoconductive material is deposited in the electrical contact (inactive region) in the TFT array panel may affect the image formation. In order to prevent the influence of such electrical characteristics, a cover mask is used to deposit the photoconductive material only in the active region of the TFT array during fabrication.
커버 마스크는 액티브(active)영역에 침전을 용이하게 하고 반면에 인액티브(inactive) 영역으로의 광도전 물질의 침투를 막는데 사용된다.Cover masks are used to facilitate deposition in the active area while preventing the penetration of the photoconductive material into the inactive area.
방사선 검출기 패널(radiation detector panel)은 패널 자체의 전기적 노이즈뿐만 아니라 패널과 리드아웃 회로단(readout electronics) 사이의 연결 부위에서도 전기적 노이즈를 가진다. 이러한 이유로 광도전 물질의 침전은 방사선 검출기 의 성능을 크게 좌우한다.Radiation detector panels have electrical noise at the connection between the panel and readout electronics as well as the electrical noise of the panel itself. For this reason, the deposition of photoconductive material greatly influences the performance of the radiation detector.
현재 티에프티 어레이(TFT array) 위에 광도전물질의 박막 제조를 하기 위하여 열 진공 증착법과 스크린 프린터 법을 가장 일반적으로 사용되고 있다.Currently, thermal vacuum deposition and screen printer methods are most commonly used to manufacture thin films of photoconductive materials on a TFT array.
열 진공 증착 방법은 10-4 Torr 이하의 진공 속에서 증착하고자 하는 물질을 가열하여 기화시켜 기체로 만들어졌을 때 기화된 물질이 패널에 증착되도록 하는 방법으로 박막제조를 위해 널리 이용되는 방법이다. 증착과정에 관해 살펴보면, 고체 또는 액체상태로부터 증발 대상 물질의 상전이를 통한 증기화시켜, 기화된 원자 또는 분자를 가열 보트(boats)로부터 기판으로의 이동시키고, 상기 입자들이 기판에 증착, 기판 표면상에서 증착 입자들의 재배열 또는 결합상태 변화의 과정을 거치게 된다.The thermal vacuum deposition method is a method widely used for manufacturing a thin film by vaporizing a material to be deposited in a vacuum of 10 -4 Torr or less so that vaporized material is deposited on a panel. In the deposition process, vaporization is carried out through the phase transition of the evaporation target material from the solid or liquid state to transfer vaporized atoms or molecules from the heating boats to the substrate, and the particles are deposited on the substrate, on the substrate surface. The process of rearranging or changing the bonding state of the deposited particles.
GE사의 특허번호 6,146,489에 따르면, 티에프티 기판(substrate)은 액티브(active) 영역과 인액티브(inactive) 영역으로 나뉜다. 검출기 패널의 액티브(active) 영역은 방사선에 따른 전기적 신호를 발생시키는 수많은 픽셀(pixels)로 이루어져 있다. 일반적으로 포토센서 픽셀(photosensor pixels)의 매트릭스(matrix) 배열을 이룬다. 인액티브(inactive) 영역은 복수개의 일렉트릭컬 컨덕터(electrical conductor)로 이루어져 있는데 외부의 회로단과 연결되는 리드아웃 라인(readout line)이다. 인액티브(inactive) 영역은 검출기 패널의 액티브(active) 영역을 둘러싸고 있는 볼록 올라온 접착제 테두리(adhesive rim)를 포함한다. 특히 이 테두리는 액티브(active) 영역과 인액티브(inactive) 영역을 분리 한다.According to GE Patent No. 6,146,489, the TFT substrate is divided into an active region and an inactive region. The active area of the detector panel consists of a number of pixels that generate an electrical signal due to radiation. In general, it forms a matrix array of photosensor pixels. The inactive area consists of a plurality of electrical conductors, which are readout lines connected to external circuitry. The inactive area includes a raised adhesive rim surrounding the active area of the detector panel. In particular, this border separates the active and inactive regions.
커버 플레이트(cover plate)는, 증착하려는 물질이 엑티브(active) 면적의 바깥쪽 전기적 컨덕터(electrical conductor) 부분에 영향을 미치는 것을 방지하기 위해서 전기적 컨텍트(electrical contact) 부분 위에 위치하고, 액티브(active) 영역과 전기적 컨텍트(electrical contact) 영역 사이에 접착제(adhesive) 혹은 엑폭시(epoxy)를 발라 안전하게 티에프티 어레이 패널(TFT array panel)을 보호한다. 접착제를 바름에 있어 컴퓨터로 제어되는 디스펜서(dispenser)로 물질(substrate) 표면에 발라지게 되며 이는 공정을 복잡하고 어렵게 만드는 것이며, 또한 증착완료 후 커버 플레이트와 티에프티 어레이 패널(TFT array panel) 부위에 접착제가 남아 있어 처리가 곤란하다는 단점을 가지고 있다. The cover plate is located above the electrical contact portion to prevent the material to be deposited from affecting the outer electrical conductor portion of the active area, and the active region An adhesive or epoxy is applied between the and electrical contact areas to safely protect the TFT array panel. In applying the adhesive, a computer-controlled dispenser is applied to the substrate surface, which makes the process complex and difficult, and also to the cover plate and TFT array panel after deposition is complete. It has a disadvantage that the adhesive remains difficult to process.
클램프프레임(Clamp frame)과 마스크(mask)는 정밀한 배치(alignment) 구멍이 있어 팔레트(pallet)의 핀(pin)과 정확하게 고정시킨다. 하지만 핀(pin)으로 ㅂ배열(alignment)을 하다보면 티에프티 어레이 패널(TFT array panel)과 금속마스크 (Metal mask)와의 고정이 정확히 수행되지 않을 경우 액티브(Active) 영역 이외의 영역으로 기체분자가 스며들게 되어 정확한 액티브(Active) 영역 형성이 잘되지 않으며, 티에프티 어레이 패널(TFT array panel) 자체에 충격이 전해져 티에프티 어레이 패널(TFT array panel)이 깨어져 버리는 경우가 있다. Clamp frames and masks have precise alignment holes to pin them to pins on the pallet. However, if the alignment is done by pins, if the T array panel and the metal mask are not fixed correctly, the gas molecules may be moved to a region other than the active region. The penetration of the TFT array panel itself may be difficult to form, and the TFT array panel itself may be broken and the TFT array panel may be broken.
더불어 스크린 프린터 방법의 경우 진공증착법에 비해 매우 간단하나 박막제조시 어려움보다 박막제조후 광도전 물질의 특성이 진공 증착법을 이용한 것보다 수배 낮은 것으로 나타난다.In addition, the screen printer method is much simpler than the vacuum deposition method, but the characteristics of the photoconductive material after manufacturing the thin film are several times lower than those using the vacuum deposition method than the difficulty in manufacturing the thin film.
상기와 같은 문제를 해결하기 위하여, 본 발명은 티에프티 어레이 패널(TFT array panel)을 스크린 프린터법으로 제조함에 있어, 티에프티 어레이 패널(TFT array panel)과 광도전층의 다층 접합에 의한 전기적 신호 특성 감쇄 현상을 방지하기 위한 방사선 검출기 패널 제조용 광도전물질 침전 마스크를 제공하는 것을 목적으로 한다.In order to solve the above problems, the present invention in the manufacture of the TFT array panel (TFT array panel) by the screen printer method, the electrical signal characteristics by the multilayer junction of the TFT array panel (TFT array panel) and the photoconductive layer An object of the present invention is to provide a photoconductive material precipitation mask for producing a radiation detector panel for preventing attenuation.
더욱 자세하게는, 방사선 검출기의 리셉터(Receptor) 형성시 TFT 패널과 마스크 (Metal mask)와의 고정이 정확히 수행되지 않을 경우, Active Area 이와의 영역으로 페이스트가 스며들게 되어 정확한 액티브 영역(active area) 형성이 수행되지 않으므로 TFT 패널과 마스크의 고정시키는 방사선 검출기 패널 제조용 광도전물질 침전 마스크를 제공하는 것을 목적으로 한다.More specifically, when fixing the TFT panel and the metal mask is not performed correctly during the formation of the receptor of the radiation detector, the paste penetrates into the area of the active area, so that an accurate active area is formed. Therefore, an object of the present invention is to provide a photoconductive material deposition mask for manufacturing a radiation detector panel for fixing a TFT panel and a mask.
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 방사선 검출기 패널(radiation detector panel) 제조 시, 하부 마스크에 거치된 티에프티 어레이 패널(TFT array panel) 위에 광도전 물질의 침전시 액티브(active) 영역에만 침전되게 하고 전기적 컨텍트(electrical contact) 부분에는 증착되지 않게 하는 커버 마스크(cover mask)를 위치시키고 상기 커버 마스크의 상측에 부착되어 상기 티에프티(TFT) 패널의 전체 영역을 밀봉시키는 상부마스크로 구성되는 방사선 검출기 패널 제조를 위한 커버 마스크에 있어서, 상기 티에프티(TFT) 패널의 인액티브 영역(inactive area)에 기체 분자가 스며들지 않도록 상기 커버 마스크를 상기 티에프티 패널에 실리콘 본드로 고정결합시키는 것을 특징으로 하는 방사선 검출기 패널 제조용 광도전물질 침전 마스크를 기술적 요지로 한다.In order to achieve the above object, the present invention, in the manufacture of a radiation detector panel, to be deposited only in the active area during the deposition of the photoconductive material on the TFT array panel mounted on the lower mask. And a radiation detector comprising a top mask which is placed on an electrical contact portion and which is prevented from being deposited, and which is attached to an upper side of the cover mask to seal the entire area of the TFT panel. A cover mask for manufacturing a panel, wherein the cover mask is fixedly bonded to the TFT panel by silicon bond so that gas molecules do not penetrate into the inactive area of the TFT panel. The photoconductive material precipitation mask for manufacturing a radiation detector panel is a technical subject matter.
여기서 상기 실리콘 본드는 티에프티(TFT) 패널의 인액티브 영역(inactive area)과 커버 마스크를 결합시키는 것을 특징으로 하는 방사선 검출기 패널 제조용 광도전물질 침전 마스크로 되는 것이 바람직하다. Here, the silicon bond is preferably a photoconductive material precipitation mask for manufacturing a radiation detector panel, characterized in that the inactive area of the TFT panel and the cover mask are combined.
이하 도면을 참조하여 본 발명에 관하여 살펴보기로 하며, 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지기술 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 것이다. Hereinafter, the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. In describing the present invention, when it is determined that the detailed description of the related well-known technology or configuration may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted. will be.
그리고 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있으므로 그 정의는 본 발명을 설명하는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다. The terms to be described below are terms defined in consideration of functions in the present invention, and may be changed according to intentions or customs of users or operators, and the definitions should be made based on the contents throughout the specification for describing the present invention.
이하의 도 1은 본 발명에 따른 방사선 검출기 패널 제조용 광도전물질 침전 마스크의 구조도이고, 도 2는 종래의 광도전 물질이 증착되는 티에프티 어레이(TFT array) 패널의 구조도이며, 도 3은 본 발명에 따른 방사선 검출기 패널 제조용 광도전물질 침전 마스크의 단면 구조도이다.1 is a structural diagram of a photoconductive material precipitation mask for manufacturing a radiation detector panel according to the present invention, FIG. 2 is a structural diagram of a TFT array panel on which a conventional photoconductive material is deposited, and FIG. Cross-sectional structural diagram of a photoconductive material precipitation mask for producing a radiation detector panel according to the present invention.
방사선 검출기(radiation detector)를 제작함에 있어서 광도전 물질의 침전을 위해서 필요한 장비가 도 1에 도시된 바와 같은 마스크(mask)이다.The equipment required for the deposition of the photoconductive material in the manufacture of a radiation detector is a mask as shown in FIG.
도 1에 도시된 바와 같이 상기 마스크 장비는 하부 마스크(20)에 티에프티 어레이 패널(4)(TFT array panel)을 거치시키고, 그 위에 광도전 물질의 침전시 액티브 영역(41)에만 침전되게 하고 전기적 컨텍트(electrical contact) 부분에는 증 착되지 않게 하는 커버 마스크(5)(cover mask)를 위치시키고, 상기 커버 마스크(5)의 상측에는 상기 티에프티(TFT) 패널(4)의 전체 영역을 밀봉시키는 상부마스크(10)가 위치된다.As shown in FIG. 1, the mask device mounts a
상기 티에프티 어레이(TFT array) 패널(4) 위는 광도전 물질(2)이 증착되는 액티브 영역(41)과 광도전 물질이 증착되면 않되는 인액티브 영역(42)으로 구분되는데, 상기 인액티브 영역(42)으로 구분되는 전기적 컨텍트(electrical contact) 부분에 광도전 물질(2)의 증착을 방지시키는 커버 마스크(5)(cover mask)가 액자형으로 덮어진다.The
도 2는 광도전 물질(2)이 증착되는 티에프티 어레이(TFT array) 패널(4)의 도면으로서, 도 2에 도시된 바와 같은 종래의 장비에서는 게이트(Gate) 및 소스 라인(Source Line)의 와이어 본딩(Wire Bonding)에 의하여 티에프티 패널(4)의 인액티브영역()(inactive) 부분에 광도전 물질(2)이 기체상태로 마스크와 티에프티 경계면의 미세한 틈새로 스며들어 방사선 검출기의 노이즈 특성을 떨어뜨렸다.FIG. 2 is a diagram of a
본 발명은 상기 티에프티 어레이(TFT array) 패널(4)의 인액티브 영역(42)(inactive area)에 광도전 물질(2) 페이스트가 스며드는 것을 방지시키기 위하여, 상기 커버 마스크(5)와 티에프티 어레이 패널(4)을 실리콘 본드(3)로 고정 결합시킨다.According to the present invention, the
즉, 본 발명은 실리콘 본드(3)를 이용하여 상기 인액티브 영역(42)을 봉쇄함으로써, 인액티브 영역(42)으로 기체 형태의 미세 광도전 물질이 마스크와 티에프티 경계면의 미세한 틈새로 스며드는 것을 방지하여 방사선 검출기의 노이즈 방지 특성이 상승되도록 한다.That is, according to the present invention, the
도 3은 본 발명에 따른 티에프티 어레이 패널(4)(TFT array panel) 위에 광도전물질의 증착 (deposition)을 위한 마스크의 단면 구조도이다. 3 is a cross-sectional structural view of a mask for deposition of a photoconductive material on a
도면에 도시된 바와 같이 커버 마스크(5)는 광도전물질()이 액티브(active) 영역에만 증착되고 전기적 컨텍트(electrical contact) 부분에는 증착되지 않도록 인액티브 영역(42)에 액자형으로 거치되며, 티에프티 어레이 패널(4)(TFT array panel)의 인액티브 영역(42)(inactive area)에 기체 분자가 스며들지 않도록 실리콘 본드로 고정시킨다.As shown in the figure, the
상기 커버 마스크(5)의 상측에는 티에프티 어레이 패널(4)을 밀봉시키는 상부마스크(10)가 적층되며, 티에프티 어레이 패널(4)(TFT array panel)과의 경계 및 TFT 패널과 Mask의 밀착성, 침전완료시 티에프티 에레이 패널(TFT array panel)과 분리할 때 침전면의 손상을 방지하기 위한 커버 마스크(5)의 내부 가장자리에는 각을 형성시켜 주었다.An
이상 본 발명의 설명을 위하여 도시된 실시예는 본 발명이 구체화되는 하나의 실시예에 불과하며, 도면에 도시된 바와 같이 본 발명의 요지가 실현되기 위하여 다양한 형태의 조합이 가능함을 알 수 있다.Embodiments shown for the purpose of the present invention described above are only one embodiment in which the present invention is embodied, and as shown in the drawings, it can be seen that various forms of combinations are possible to realize the gist of the present invention.
따라서 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구범위에서 청구하는 바와 같이 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경실시가 가능한 범위까지 본 발명의 기술적 정신이 있다고 할 것이다. Therefore, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various changes can be made by any person having ordinary skill in the art without departing from the gist of the present invention as claimed in the following claims. It will be said that the technical spirit of this invention is to the extent possible.
이상 설명한 본 발명에 의하여 기존의 방사선 검출기 패널(radiation detector panel)의 제조시, 티에프티 어레이 패널(TFT array panel)와 광도전층의 불규칙한 접합에 의한 전기적 노이즈 현상을 방지하고 액티브 영역의 정확한 alignment를 제공할 수 있는 방사선 검출기 패널 제조용 광도전 물질 침전 마스크가 제공되는 이점이 있다.According to the present invention described above, when manufacturing a conventional radiation detector panel, it prevents electrical noise caused by irregular bonding of the TFT array panel and the photoconductive layer and provides accurate alignment of the active area. There is an advantage that a photoconductive material precipitation mask for producing a radiation detector panel can be provided.
더욱 자세하게는, 티에프티 어레이 패널(TFT array panel)과 마스크 (Metal mask)와의 경계부분에 실리콘 본드를 사용함으로서, 페이스트 형태의 광도전 물질이 티에프티의 인액티브 영역으로 스며드는 현상을 방지할 수 있어 정확한 액티브 영역 형성이 가능한 방사선 검출기 패널 제조용 광도전 물질 침전 마스크가 제공되는 이점이 있다.More specifically, by using a silicon bond at the boundary between the TFT array panel and the metal mask, it is possible to prevent the paste-type photoconductive material from seeping into the inactive area of the TFT. An advantage is provided with a photoconductive material precipitation mask for the manufacture of radiation detector panels which enables accurate active area formation.
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020060055796A KR20070121132A (en) | 2006-06-21 | 2006-06-21 | Masking dwvice for radiation detector panel |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020060055796A KR20070121132A (en) | 2006-06-21 | 2006-06-21 | Masking dwvice for radiation detector panel |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20070121132A true KR20070121132A (en) | 2007-12-27 |
Family
ID=39138574
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020060055796A KR20070121132A (en) | 2006-06-21 | 2006-06-21 | Masking dwvice for radiation detector panel |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20070121132A (en) |
-
2006
- 2006-06-21 KR KR1020060055796A patent/KR20070121132A/en not_active Application Discontinuation
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